JP2008301559A - 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート線間をコア13により互いに磁気結合することで、ゲート信号のタイミングを一致させるように調整するとともに、オーバドライブ回路9,10を設けて、ターンオン動作時に通常のゲート順バイアス電圧より高い電圧で、IGBTなどの素子1,2をターンオンさせることにより、掲記課題の解決を図る。
【選択図】図1
Description
この電圧アンバランスを抑制する技術として、例えば特許文献1に開示されているように、各電圧駆動型半導体素子のゲート線を互いに磁気手段(コア)により結合することで、ゲート信号のタイミングを調整する方法がある。
図6に、IGBT1のターンオン信号が、IGBT2よりも早く入力された場合の動作波形を示す。図6でIGBT1のターンオン信号が入力されると、磁気結合回路13の作用により、IGBT1のゲート電圧VGE(Q1)とIGBT2のゲート電圧VGE(Q2)が同時に上昇するため、ゲート信号タイミングが調整される。
前記電圧駆動型半導体素子のそれぞれに、そのターンオン動作時には通常のゲート順バイアス電圧よりも高い電圧でターンオンさせ、ターンオン動作後には通常のゲート順バイアス電圧に戻す手段を設けたことを特徴とする。
これは図5に示す回路に対し、オーバドライブ回路9,10を付加した点が特徴で、その他は同様である。オーバドライブ回路9,10は、IGBT1,2を通常のゲート順バイアス電圧よりも高い電圧でターンオンさせ、その後通常のゲート順バイアス電圧に戻す機能を有している。
図2に、IGBT1のターンオン信号が、IGBT2よりも早く入力された場合の動作波形を示す。
図2においてIGBT1のターンオン信号が入力されると、磁気結合回路13の作用により、IGBT1のゲート電圧VGE(Q1)とIGBT2のゲート電圧VGE(Q2)が同時に上昇するため、ゲート信号のタイミング調整が行なわれるのは、図6の場合と同様である。
Claims (1)
- 電力変換装置の各アームに複数個直列接続された電圧駆動型半導体素子のスイッチングタイミングを調整するために、各電圧駆動型半導体素子のゲート線を互いに磁気結合手段にて結合したゲート駆動装置において、
前記電圧駆動型半導体素子のそれぞれに、そのターンオン動作時には通常のゲート順バイアス電圧よりも高い電圧でターンオンさせ、ターンオン動作後には通常のゲート順バイアス電圧に戻す手段を設けたことを特徴とする電圧駆動型半導体素子のゲート駆動装置。
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JP2005278274A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電力変換器におけるゲート駆動回路 |
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