JP2008293961A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008293961A5
JP2008293961A5 JP2008096755A JP2008096755A JP2008293961A5 JP 2008293961 A5 JP2008293961 A5 JP 2008293961A5 JP 2008096755 A JP2008096755 A JP 2008096755A JP 2008096755 A JP2008096755 A JP 2008096755A JP 2008293961 A5 JP2008293961 A5 JP 2008293961A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic compound
substrate
compound layer
emitting device
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008096755A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5166942B2 (ja
JP2008293961A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2008096755A priority Critical patent/JP5166942B2/ja
Priority claimed from JP2008096755A external-priority patent/JP5166942B2/ja
Publication of JP2008293961A publication Critical patent/JP2008293961A/ja
Publication of JP2008293961A5 publication Critical patent/JP2008293961A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5166942B2 publication Critical patent/JP5166942B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (9)

  1. 第1の基板上に、それぞれ蒸着温度の異なる複数の蒸着材料を含有する第1の有機化合物層を形成し、
    第1の電極を有する第2の基板を前記第1の基板と対向する位置に配置し、前記第1の電極と前記第1の有機化合物層とを対向させ、
    前記第1の有機化合物層を加熱して蒸発させることにより、前記第2の基板に設けられた前記第1の電極上に第2の有機化合物層を形成し、
    前記第2の有機化合物層上に第2の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  2. 第1の基板上にホスト材料及び前記ホスト材料よりも蒸着温度が高いドーパント材料を含有する第1の有機化合物層を形成し、
    第1の電極を有する第2の基板を前記第1の基板と対向する位置に配置し、前記第1の電極と前記第1の有機化合物層とを対向させ、
    前記第1の有機化合物層を、前記ホスト材料の蒸着温度以上前記ドーパント材料の蒸着温度未満の温度で加熱して蒸発させることにより、前記第2の基板に設けられた前記第1の電極上に第2の有機化合物層を形成し、
    前記第2の有機化合物層上に第2の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  3. 請求項2において、
    前記ホスト材料として、前記ドーパント材料の分解温度よりも蒸着温度が低い材料を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。
  4. 請求項2または請求項3において、
    前記ドーパント材料は、(アセチルアセトナート)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
    前記第1の有機化合物層を加熱する手段は、ヒーターまたはランプであることを特徴とする発光装置の作製方法。
  6. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
    前記第1の基板は導電性基板であり、
    前記第1の基板に電流を流して、前記第1の有機化合物を加熱することを特徴とする発光装置の作製方法。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
    前記第1の基板と前記第2の基板との間に、開口部を有するマスクを配置して、前記第2の基板上に設けられた前記第1の電極上に、前記第2の有機化合物を選択的に形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  8. 請求項1乃至請求項のいずれか一において、
    前記第1の有機化合物層は湿式法で形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  9. 請求項1乃至請求項のいずれか一において、
    前記第2の有機化合物層は、前記第1の有機化合物層と同じ材料を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
JP2008096755A 2007-04-27 2008-04-03 発光装置の作製方法 Expired - Fee Related JP5166942B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008096755A JP5166942B2 (ja) 2007-04-27 2008-04-03 発光装置の作製方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007119996 2007-04-27
JP2007119996 2007-04-27
JP2008096755A JP5166942B2 (ja) 2007-04-27 2008-04-03 発光装置の作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012278788A Division JP2013084613A (ja) 2007-04-27 2012-12-21 発光装置の作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008293961A JP2008293961A (ja) 2008-12-04
JP2008293961A5 true JP2008293961A5 (ja) 2011-05-06
JP5166942B2 JP5166942B2 (ja) 2013-03-21

Family

ID=39887457

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008096755A Expired - Fee Related JP5166942B2 (ja) 2007-04-27 2008-04-03 発光装置の作製方法
JP2012278788A Withdrawn JP2013084613A (ja) 2007-04-27 2012-12-21 発光装置の作製方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012278788A Withdrawn JP2013084613A (ja) 2007-04-27 2012-12-21 発光装置の作製方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8431432B2 (ja)
JP (2) JP5166942B2 (ja)
CN (1) CN101295772B (ja)
TW (1) TWI477195B (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5325471B2 (ja) * 2007-07-06 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP5416987B2 (ja) * 2008-02-29 2014-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
JP2009231277A (ja) * 2008-02-29 2009-10-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 製造装置
JP5238544B2 (ja) * 2008-03-07 2013-07-17 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法及び発光装置の作製方法
US8409672B2 (en) * 2008-04-24 2013-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing evaporation donor substrate and method of manufacturing light-emitting device
JP2011009517A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子
US8651912B2 (en) 2009-07-02 2014-02-18 Sharp Kabushiki Kaisha Organic EL element, method for manufacturing the same, and organic EL lighting apparatus
AU2011230538B2 (en) 2010-03-25 2016-01-07 DePuy Synthes Products, Inc. System and method for providing a single use imaging device for medical applications
US9299942B2 (en) 2012-03-30 2016-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic appliance, and lighting device
US20140353594A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED Panel, Manufacturing Method, and Related Testing Method
TWI666803B (zh) * 2014-09-17 2019-07-21 日商日鐵化學材料股份有限公司 有機電場發光元件及其製造方法
CN104762599A (zh) * 2015-04-15 2015-07-08 京东方科技集团股份有限公司 蒸镀方法和蒸镀装置
CN106910844B (zh) * 2015-12-22 2019-03-26 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Tft基板的蒸镀方法
US11047466B1 (en) 2016-02-02 2021-06-29 Nsk Ltd. Worm wheel, worm decelerator, and method for producing worm wheel
CN107346728A (zh) * 2016-05-05 2017-11-14 上海芯晨科技有限公司 一种大尺寸硅衬底iii族氮化物外延生长方法
CN106920900B (zh) * 2017-04-05 2018-10-19 武汉华星光电技术有限公司 一种oled中发光层原料的处理方法及应用

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5688551A (en) 1995-11-13 1997-11-18 Eastman Kodak Company Method of forming an organic electroluminescent display panel
JP3831968B2 (ja) 1996-02-23 2006-10-11 ソニー株式会社 光学的素子の製造方法
KR100195175B1 (ko) 1996-12-23 1999-06-15 손욱 유기전자발광소자 유기박막용 도너필름, 이를 이용한 유기전자발광소자의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 유기전자발광소자
US5937272A (en) * 1997-06-06 1999-08-10 Eastman Kodak Company Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate
US6592933B2 (en) 1997-10-15 2003-07-15 Toray Industries, Inc. Process for manufacturing organic electroluminescent device
US7090890B1 (en) 1998-04-13 2006-08-15 The Trustees Of Princeton University Modification of polymer optoelectronic properties after film formation by impurity addition or removal
US6165543A (en) 1998-06-17 2000-12-26 Nec Corporation Method of making organic EL device and organic EL transfer base plate
JP3175733B2 (ja) * 1998-06-17 2001-06-11 日本電気株式会社 有機el素子の製造方法
US6114088A (en) 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
KR100934420B1 (ko) * 1999-05-13 2009-12-29 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치
US6242152B1 (en) 2000-05-03 2001-06-05 3M Innovative Properties Thermal transfer of crosslinked materials from a donor to a receptor
KR20010104215A (ko) 2000-05-12 2001-11-24 야마자끼 순페이 발광장치 제작방법
TW593622B (en) * 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
CN101397649B (zh) 2001-02-01 2011-12-28 株式会社半导体能源研究所 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置
JP2002324669A (ja) * 2001-04-24 2002-11-08 Nippon Seiki Co Ltd 有機電界発光素子
JP4006266B2 (ja) * 2001-06-15 2007-11-14 キヤノン株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
US6797314B2 (en) * 2001-07-03 2004-09-28 Eastman Kodak Company Method of handling organic material in making an organic light-emitting device
CN1127576C (zh) 2001-09-17 2003-11-12 桂林正翰科技开发有限责任公司 一种糖汁脱色方法
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
US6566032B1 (en) * 2002-05-08 2003-05-20 Eastman Kodak Company In-situ method for making OLED devices that are moisture or oxygen-sensitive
TWI336905B (en) 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
JP4634698B2 (ja) 2002-05-17 2011-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着装置
US20040067302A1 (en) * 2002-10-08 2004-04-08 Eastman Kodak Company Laser thermal transfer gap control for oled manufacturing
JP4261923B2 (ja) * 2003-01-16 2009-05-13 キヤノン株式会社 金属配位化合物を用いた発光素子
JP4401665B2 (ja) 2003-03-20 2010-01-20 株式会社半導体エネルギー研究所 電界発光素子
US20050056969A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Eastman Kodak Company Forming homogeneous mixtures of organic materials for physical vapor deposition using a solvent
US7485337B2 (en) 2004-05-27 2009-02-03 Eastman Kodak Company Depositing an organic layer for use in OLEDs
KR100667067B1 (ko) * 2004-09-08 2007-01-10 삼성에스디아이 주식회사 레이저 전사용 도너 기판 및 그 기판을 사용하여 제조되는유기 전계 발광 소자
KR100721565B1 (ko) * 2004-11-17 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 저분자 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
US7252859B2 (en) * 2004-11-19 2007-08-07 Eastman Kodak Company Organic materials for an evaporation source
US20060273713A1 (en) 2005-06-02 2006-12-07 Eastman Kodak Company Process for making an organic light-emitting device
JP4789551B2 (ja) 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機el成膜装置
US7842341B2 (en) * 2005-11-10 2010-11-30 Global Oled Technology Llc Purifying organic materials for physical vapor deposition
US20080074034A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 Jou Jwo-Huei Organic Light Emitting Diode Device and Light Emitting Layer Manufacture Method Thereof
WO2008069259A1 (en) 2006-12-05 2008-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus, film formation method, manufacturing apparatus, and method for manufacturing light-emitting device
US8367152B2 (en) 2007-04-27 2013-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of light-emitting device
US8119204B2 (en) 2007-04-27 2012-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation method and method for manufacturing light-emitting device
JP5325471B2 (ja) 2007-07-06 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008293961A5 (ja)
JP2007530786A5 (ja)
JP2011085923A5 (ja) 発光装置の作製方法
JP2008508695A5 (ja)
JP2010174035A5 (ja) 有機金属錯体、当該有機金属錯体を有する発光素子、及び当該発光素子を有する発光装置、照明装置、電子機器
JP2014056815A5 (ja)
JP2008270187A5 (ja) 発光装置の作製方法
JP2013520844A5 (ja)
JP2013045629A5 (ja)
JP2011142310A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2013175738A5 (ja) 発光装置の作製方法
JP2013120835A5 (ja)
KR102046362B1 (ko) 가스 센서 및 그의 제조방법
JP2012080096A5 (ja)
JP2006028583A5 (ja) 製造装置、膜形成方法、発光装置の作製方法
JP2009152187A5 (ja)
JP2006032010A5 (ja)
JP2009003434A5 (ja)
JP2008244460A5 (ja)
JP2013239431A5 (ja)
JP2009530832A5 (ja)
JP2008047515A5 (ja)
JP2010517318A5 (ja)
JP2011205089A5 (ja) 半導体膜の作製方法
JP2007265968A5 (ja)