JP2008293961A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- 第1の基板上に、それぞれ蒸着温度の異なる複数の蒸着材料を含有する第1の有機化合物層を形成し、
第1の電極を有する第2の基板を前記第1の基板と対向する位置に配置し、前記第1の電極と前記第1の有機化合物層とを対向させ、
前記第1の有機化合物層を加熱して蒸発させることにより、前記第2の基板に設けられた前記第1の電極上に第2の有機化合物層を形成し、
前記第2の有機化合物層上に第2の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 第1の基板上にホスト材料及び前記ホスト材料よりも蒸着温度が高いドーパント材料を含有する第1の有機化合物層を形成し、
第1の電極を有する第2の基板を前記第1の基板と対向する位置に配置し、前記第1の電極と前記第1の有機化合物層とを対向させ、
前記第1の有機化合物層を、前記ホスト材料の蒸着温度以上前記ドーパント材料の蒸着温度未満の温度で加熱して蒸発させることにより、前記第2の基板に設けられた前記第1の電極上に第2の有機化合物層を形成し、
前記第2の有機化合物層上に第2の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項2において、
前記ホスト材料として、前記ドーパント材料の分解温度よりも蒸着温度が低い材料を用いることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項2または請求項3において、
前記ドーパント材料は、(アセチルアセトナート)ビス(2,3,5−トリフェニルピラジナト)イリジウムであることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1の有機化合物層を加熱する手段は、ヒーターまたはランプであることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第1の基板は導電性基板であり、
前記第1の基板に電流を流して、前記第1の有機化合物を加熱することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に、開口部を有するマスクを配置して、前記第2の基板上に設けられた前記第1の電極上に、前記第2の有機化合物を選択的に形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
前記第1の有機化合物層は湿式法で形成することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一において、
前記第2の有機化合物層は、前記第1の有機化合物層と同じ材料を含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
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US5937272A (en) * | 1997-06-06 | 1999-08-10 | Eastman Kodak Company | Patterned organic layers in a full-color organic electroluminescent display array on a thin film transistor array substrate |
US6592933B2 (en) | 1997-10-15 | 2003-07-15 | Toray Industries, Inc. | Process for manufacturing organic electroluminescent device |
US7090890B1 (en) | 1998-04-13 | 2006-08-15 | The Trustees Of Princeton University | Modification of polymer optoelectronic properties after film formation by impurity addition or removal |
US6165543A (en) | 1998-06-17 | 2000-12-26 | Nec Corporation | Method of making organic EL device and organic EL transfer base plate |
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KR100934420B1 (ko) * | 1999-05-13 | 2009-12-29 | 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 | 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치 |
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US6797314B2 (en) * | 2001-07-03 | 2004-09-28 | Eastman Kodak Company | Method of handling organic material in making an organic light-emitting device |
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SG113448A1 (en) * | 2002-02-25 | 2005-08-29 | Semiconductor Energy Lab | Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device |
US6566032B1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-05-20 | Eastman Kodak Company | In-situ method for making OLED devices that are moisture or oxygen-sensitive |
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US20040067302A1 (en) * | 2002-10-08 | 2004-04-08 | Eastman Kodak Company | Laser thermal transfer gap control for oled manufacturing |
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