KR102046362B1 - 가스 센서 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스 센서 및 그의 제조방법을 개시한다. 센서는, 기판과, 상기 기판 상에 제 1 방향으로 연장된 감지 전극과, 상기 기판 상에서 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 상기 감지 전극의 양측으로 각각 이격되는 복수개의 히터들을 포함한다. 여기서, 상기 복수개의 히터들은 그래핀을 포함할 수 있다.

Description

가스 센서 및 그의 제조방법{gas sensor and manufacturing method of the same}
본 발명은 센서 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 가스 센서 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 산업의 눈부신 발전에 따라, 각종 마이크로 센서 및 마이크로 가열 장치가 개발되고 있다. 반도체 가스 센서는 높은 감도와 저렴한 생산 단가로 인해 많은 응용이 기대되고 있다. 그러나, 반도체 가스 센서는 열효율이 떨어질 수 있다. 예컨대, 가스 센스는 가열 장치가 필수적으로 요구되고 있다. 따라서, 높은 전력 소모는 가스 센서의 응용을 제한하고 있다. 휴대폰과 같은 모바일 기기 또는 무선 센서노드와 같이 제한된 전력 공급을 갖는 분야에서도 가스 센서는 활용되지 못하고 있는 실정이다. 따라서, 저전력의 고온 가열 장치를 탑재한 가스 센서의 연구 개발이 활발히 진행되고 있다.
일반적인 마이크로 가스 센서는 단면 마이크로 가스 센서일 수 있다. 단면 마이크로 가스 센서는 기판 상에 히터 층과 상기 히터 층 상의 감지 층을 포함할 수 있다. 히터 층은 감지 층을 가열하여 활성화 시킬 수 있다. 종래의 가스 센서는 금속 재질의 히터 층과 감지 층을 포함하기 때문에 불투명할 수 있다. 또한, 금속 재질의 히터 층과 감지 층은 구부러짐(bending)에 취약할 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 투명한 가스 센서 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 해결과제는 유연한 가스 센서 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 가스 센서는, 기판; 상기 기판 상에 제 1 방향으로 연장된 감지 전극; 및 상기 기판 상에서 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 상기 감지 전극의 양측으로 각각 이격되는 복수개의 히터들을 포함한다. 여기서, 상기 복수개의 히터들은 그래핀을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 감지 전극은 그래핀 또는 산화 그래핀을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 감지 전극은 전이금속 디칼코제나이드를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 전이금속 디칼코제나이드는, 몰리브덴 설파이드, 텅스텐 설파이드, 또는 네오븀셀레나이드를 포함할 수 있다. ,
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 감지 전극과 상기 기판 사이의 층간 절연 층; 및 상기 층간 절연 층과 상기 기판 사이의 하부 히터 층을 더 포함할 수 있다. 상기 하부 히터 층은 그래핀을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 층간 절연 층은 투명 유전체를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 투명 유전체는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 헥사고널 보론 질화막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 감지 전극의 양측 상에 분리되어 상기 제 2 방향으로 연장된 복수개의 상부 절연 패턴들; 및 상기 복수개의 상부 절연 패턴들 상에 배치된 복수개의 상부 히터 층들을 더 포함할 수 있다. 상기 상부 히터 층들은 그래핀을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 상부 절연 패턴들은 헥사고널 보론 질화막을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 감지 전극은, 제 1 터미널; 상기 제 1 터미널과 연결되어 상기 제어 전극 패턴들 사이에 배치된 채널; 및 상기 채널과 연결되고 상기 제 1 터미널에 대향되는 제 2 터미널을 포함할 수 있다. 상기 상부 절연 패턴들과 상기 상부 히터들은 상기 채널 상에 배치할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 기판은 플렉서블 기판을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 플렉서블 기판은 투명 플라스틱 기판을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 기판 상에 제 1 방향의 감지 전극을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향의 상기 감지 전극의 양측에 복수개의 히터들을 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 감지 전극 및 상기 히터들 중 적어도 하나는 그래핀을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 감지 전극과 상기 기판 사이에 하부 히터 층을 형성하는 단계; 및 상기 하부 히터 층과 상기 감지 층 사이에 층간 절연 층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 따르면, 상기 감지 전극 및 상기 기판 상에 상부 절연 층을 형성하는 단계; 상기 상부 절연 층 상에 상부 히터 층을 형성하는 단계; 및 상기 상부 히터 층 및 상기 상부 절연 층을 패터닝하여 상기 감지 전극의 상기 제 1 방향의 양측 말단 상에 상부 절연 패턴들 및 상부 히터들을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따른 가스 센서는 기판, 감지 전극, 및 히터들을 포함할 수 있다. 기판은 유연한 투명 플라스틱 기판을 포함할 수 있다. 감지 전극은 기판 상에 제 1 방향으로 연장될 수 있다. 히터들은 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 감지 전극 층의 양측에 각각 이격하여 배치될 수 있다. 히터들은 그래핀을 포함할 수 있다. 그래핀은 6원환의 탄소 원자들을 포함할 수 있다. 단일 층의 그래핀 탄소 원자들은 투명하다. 또한, 그래핀의 탄소 원자들은 탄성이 뛰어나 늘리거나 구부려도 전기적 성질을 잃지 않는다.
따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 센서는, 투명하고 유연할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가스 센서를 나타내는 사시도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 제 1 응용 예에 따른 가스 센서를 나타내는 사시도이다.
도 5는 도 4의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 6은 도 4의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제 2 응용 예에 따른 가스 센서를 나타내는 사시도이다.
도 8은 도 7의 III-III' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 9는 도 7의 평면도이다.
도 10 및 도 11은 도 2를 근거로 하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가스 센서의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가스 센서를 나타내는 사시도이다.
도 13은 도 12의 Ⅳ-Ⅳ' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다.
도 14는 도 12의 평면도이다.
도 15 내지 도 17은 도 13을 근거로 하여 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가스 센서의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.
그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 및 청구범위 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가스 센서를 나타내는 사시도이다. 도 2는 도 1의 I-I' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다. 도 3은 도 1의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 센서는 기판(10), 하부 히터 층(20), 층간 절연 층(30), 감지 층(40), 히터들(50)를 포함할 수 있다.
기판(10)은 플라스틱과 같은 플렉서블 기판을 포함할 수 있다. 플렉서블 기판은 투명할 수 있다. 하부 히터 층(20)은 기판(10) 상에 배치될 수 있다. 하부 히터 층(20)는 그래핀을 포함할 수 있다. 그래핀은 탄소 원자가 서로 연결돼 벌집 모양의 얇은 평면 구조를 이루는 물질로 외부의 전원저압에 의해 발열되는 전기적 성질을 갖는다. 탄소 원자는 서로 연결되어 하나의 탄소 원자 층을 이룬다. 그래핀은 단층 또는 다층의 탄소 원자층으로 이루어질 수 있다. 단층의 그래핀 층(40)은 탄소 원자 1개의 두께와 동일할 수 있다. 탄소 원자들은 6원환을 기본 단위로 가지며단일 층의 경우 빛의 흡수도는 2%이내이기 때문에, 그래핀은 투명할 수 있다. 또한, 그래핀의 탄소 원자들은 탄성이 뛰어나 늘리거나 구부려도 전기적 성질을 잃지 않는다. 그래핀은 기계적 박리 방법, 또는 화학기상증착방법으로 형성될 수 있다. 기계적 박리 방법은 접착 테이프를 흑연 소스에 접촉하여 그래핀을 하부 클래드(10)에 전이시키는 방법이다.
층간 절연 층(30)은 하부 히터 층(20) 상에 배치될 수 있다. 층간 절연 층(30)은 투명 유전 층을 포함할 수 있다. 투명 유전 층의 층간 절연 층(30)은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 또는 이차원절연 물질인 헥사고날 보론나이트라이드(hexagonal boron nitride)를 포함할 수 있다.
감지 전극(40)은 층간 절연 층(30) 상에 제 1 방향으로 연장될 수 있다. 제 1 방향의 감지 전극(40)은 채널(42), 제 1 터미널(44), 및 제 2 터미널(46)을 가질 수 있다. 채널(42)은 히터들(50) 사이에 배치될 수 있다. 제 1 터미널(44) 및 제 2 터미널(46)은 채널(42)의 양측에 연결될 수 있다. 감지 전극(40)은 그래핀 또는 산화물 그래핀을 포함할 수 있다. 그래핀 혹은 산화물 그래핀(graphene oxide, GO) 표면의 결함 부분들과 측정하고자 하는 분자들간의 결합에 의해 sp2 결합 구조에서 sp3 결합 구조로 바꿈으로써 전도도가 변화되는 전기적인 특성을 갖는다. 또한, 그래핀 또는 산화물 그래핀은 투명할 수 있다.
히터들(50)은 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 감지 전극(40)의 양측에 배치될 수 있다. 히터들(50)은 투명한 그래핀을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가스 센서는 투명하고 유연할 수 있다.
한편, 가스 상태의 피감지 물질들은 감지 전극(40)의 채널(42)에 결합되어 상기 채널(42)의 전기 전도도의 변화를 발생시킬 수 있다. 제어부(미도시)는 채널(42)의 전기 전도도 변화로부터 대기 중의 피감지 물질들의 농도 또는 양을 판단할 수 있다. 이때, 피감지 물질들은 감지 시간이 증가될수록 채널(42)의 표면 상에 누적되어 쌓일 수 있다. 하부 히터 층(20) 및 히터들(50)은 층간 절연 층(30), 감지 전극들(40), 및 피감지 물질들을 가열할 수 있다. 피감지 물질들은 하부 히터 층(20) 및 히터들(50)의 발열에 의해 기화될 수 있다.
도 4는 본 발명의 제 1 응용 예에 따른 가스 센서를 나타내는 사시도이다. 도 5는 도 4의 II-II' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다. 도 6은 도 4의 평면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 제 1 응용 예에 따른 가스 센서는 전이금속 디칼코젠나이드(Transition metal dichalcogenides: TMDCs) 재질의 감지 전극(40)을 포함할 수 있다. 제 1 응용 예는 감지 전극(40)이 제 1 실시 예의 그래핀 또는 산화 그래핀에서 전이금속 디칼코젠나이드로 대체된 것이다. 전이금속 디칼코젠나이드는 몰리브덴 다이설파이드(MoS2), 텅스텐 다이설파이드(WS2), 또는 니오븀다이셀레나이드(NbSe2)를 포함할 수 있다. 마찬가지로, 전이금속 디칼코젠나이드는 감지 물질들과 분자간의 기능화를 통한 전도도의 변화를 나타낼 수 있다. 사이의 채널(42)은 약 10nm 내지 1㎛ 정도의 선폭을 가질 수 있다. 전이금속 디칼코젠나이드는 미세 선폭의 채널(42)로 사용될 경우, 투명하게 보여질 수 있다. 따라서, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 가스 센서는 투명할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제 2 응용 예에 따른 가스 센서를 나타내는 사시도이다. 도 8은 도 7의 III-III' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다. 도 9는 도 7의 평면도이다.
도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 제 2 응용 예에 따른 가스 센서는 전이 금속 디칼코젠나이드 재질의 감지 전극(40) 양측에 배치된 히터들(50)을 포함할 수 있다. 제 2 응용 예는 제 1 실시 예의 감지 전극(40)이 그래핀에서 전이금속 디칼코젠나이드로 변경되고, 하부 히터 층(20)이 생략된 것이다. 또한, 제 2 응용 예는 제 1 응용 예에서 하부 히터 층(20)이 생략된 것이다. 히터들(50)은 감지 전극(40)를 가열시킬 수 있다. 감지 전극(40) 상에 생성되는 피감지 물질들은 히터들(50)의 발열에 의해 기화될 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 1 실시 예, 제 1 응용 예, 및 제 2 응용 예에 따른 가스 센서의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 10 및 도 11은 도 2를 근거로 하여 제 1 실시 예에 따른 가스 센서의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
도 10을 참조하면, 기판(10) 상에 하부 히터 층(20)을 형성한다. 하부 히터 층(20)은 화학기상증착방법으로 형성된 그래핀을 포함한다.
도 11을 참조하면, 하부 히터 층(20) 상에 층간 절연 층(30)을 형성한다. 층간 절연 층(30)은 화학기상증착방법으로 형성된 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 헥사고날 보론 질화막을 포함한다.
도 2를 참조하면, 층간 절연 층(30) 상에 감지 전극(40) 및 제어 전극 패턴들(50)을 형성할 수 있다. 감지 전극(40) 및 제어 전극 패턴들(50)은 그래핀의 증착 공정과, 상기 그래핀의 패터닝 공정에 의해 동시에 형성된다. 증착 공정은 화학기상증착방법을 포함할 수 있다. 패터닝 공정은 포토리소그래피 공정 및 그래핀의 식각 공정을 포함할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 가스 센서의 제조방법은 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 12는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가스 센서를 나타내는 사시도이다. 도 13은 도 12의 Ⅳ-Ⅳ' 선상을 절취하여 나타낸 단면도이다. 도 14는 도 12의 평면도이다.
도 12 내지 도 14를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가스 센서는 감지 전극(40)을 가로지르는 방향으로 배치된 복수개의 상부 절연 패턴들(60) 및 상부 히터들(70)을 포함할 수 있다. 상부 절연 패턴들(60) 및 상부 히터들(70)은 감지 전극(40) 상에 배치될 수 있다. 상부 절연 패턴들(60)은 감지 전극(40)의 양측 말단에 이격하여 배치될 수 있다. 본 발명의 일 예에 따르면, 상부 절연 패턴들(60)과 상부 히터들(70)은 감지 전극(40)의 채널(42) 상에 배치될 수 있다. 상부 히터들(70)은 상부 절연 패턴들(60) 상에 배치될 수 있다. 상부 절연 패턴들(60)은 상부 히터들(70)과 감지 전극(40)을 절연시킬 수 있다. 예를 들어, 상부 절연 패턴들(60)은 헥사고날 보론 질화막을 포함할 수 있다. 상부 히터들(70)은 그래핀을 포함할 수 있다. 그래핀과 헥사고날 보론 질화막은 약 2% 이하의 빛의 흡수도를 가질 수 있다. 또한, 그래핀과 헥사고날 보론 질화막은 기판(10)과 동일한 방향으로 휘어질 수 있다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가스 센서는 투명하고 유연할 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양하게 실시 변경 가능할 수 있다. 예를 들어, 상부 히터들(70) 아래에 감지 전극(40) 양측에 제 1 실시 예에서의 복수개의 히터들(50)과 상기 감지 전극(40) 아래의 하부 히터 층(20)이 추가적으로 더 배치될 수 있다.
이와 같이 구성된 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가스 센서의 제조방법을 설명하면 다음과 같다.
도 15 내지 도 17은 도 13을 근거로 하여 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 가스 센서의 제조방법을 나타내는 공정 단면도들이다.
도 15를 참조하면, 기판(10) 상에 감지 전극(40)을 형성한다. 감지 전극(40)은 전이금속 칼코젠나이드의 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 및 식각 공정에 의해 형성될 수 있다. 증착 공정은 화학기상증착방법을 포함할 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양하게 실시 변경 가능할 수 있다. 도 10 및 도 11에서와 같이, 기판(10)과 감지 전극(40) 사이에 하부 히터 층(20)이 형성되고, 감지 전극(40)의 양측에 복수개의 히터들(50)이 형성될 수 있다.
도 16을 참조하면, 감지 전극(40) 및 기판(10) 상에 상부 절연 층(62)을 형성한다. 상부 절연 층(62)은 화학가상증착방법으로 형성된 헥사고날 보론 질화막을 포함할 수 있다.
도 17을 참조하면, 상부 절연 층(62) 상에 상부 히터 층(72)을 형성한다. 상부 히터 층은 기계적 방법 또는 화학기상증착방법으로 형성된 그래핀을 포함할 수 있다.
도 13을 참조하면, 상부 히터 층(72) 및 상부 절연 층(62)을 패터닝하여 상부 히터들(70) 및 상부 절연 패턴들(60)을 형성한다. 상부 히터 층(72) 및 상부 절연 층(62)은 포토리소그래피 공정 및 식각 공정에 의해 패터닝될 수 있다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시 예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
10: 기판 20: 히터 층
30: 층간 절연층 40: 감지 전극
42: 채널 44: 제 1 터미널
46: 제 2 터미널 50: 히터들
60: 상부 절연 패턴들 62: 상부 절연 층
70: 상부 히터들 72: 상부 히터 층

Claims (15)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 제 1 방향으로 연장된 감지 전극; 및
    상기 기판 상에서 상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향으로 상기 감지 전극의 양측으로 각각 이격되는 복수개의 히터들을 포함하되,
    상기 복수개의 히터들은 그래핀을 포함하되,
    상기 감지 전극은 상기 히터들의 두께와 동일한 두께를 갖고, 상기 히터들 사이에 배치되어 상기 히터들과 동일한 재질의 그래핀의 채널을 포함하는 가스 센서.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 감지 전극과 상기 기판 사이의 층간 절연 층; 및
    상기 층간 절연 층과 상기 기판 사이의 하부 히터 층을 더 포함하되,
    상기 하부 히터 층은 그래핀을 포함하는 가스 센서.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 층간 절연 층은 투명 유전체를 포함하는 가스 센서.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 투명 유전체는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 헥사고널 보론 질화막을 포함하는 가스 센서.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 감지 전극의 양측 상에 분리되어 상기 제 2 방향으로 연장된 복수개의 상부 절연 패턴들; 및
    상기 복수개의 상부 절연 패턴들 상에 배치된 복수개의 상부 히터 층들을 더 포함하되,
    상기 상부 히터 층들은 그래핀을 포함하는 가스 센서.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 상부 절연 패턴들은 헥사고널 보론 질화막을 포함하는 가스 센서.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 감지 전극은:
    상기 채널의 일측에 배치된 제 1 터미널; 및
    상기 채널의 타측에 배치된 제 2 터미널을 더 포함하되,
    상기 상부 절연 패턴들과 상기 상부 히터들은 상기 채널 상에 배치되는 가스 센서.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 플렉서블 기판을 포함하는 가스 센서.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 플렉서블 기판은 투명 플라스틱 기판을 포함하는 가스 센서.
  13. 기판 상에 제 1 방향의 감지 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 제 1 방향에 교차되는 제 2 방향의 상기 감지 전극의 양측에 복수개의 히터들을 형성하는 단계를 포함하되,
    상기 히터들은 그래핀을 포함하되,
    상기 감지 전극은 상기 히터들의 두께와 동일한 두께를 갖고, 상기 히터들 사이에 배치되어 상기 히터들과 동일한 재질의 그래핀의 채널을 포함하는 가스 센서의 제조방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 감지 전극과 상기 기판 사이에 하부 히터 층을 형성하는 단계; 및
    상기 하부 히터 층과 상기 감지 전극 사이에 층간 절연 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 가스 센서의 제조방법.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 감지 전극 및 상기 기판 상에 상부 절연 층을 형성하는 단계;
    상기 상부 절연 층 상에 상부 히터 층을 형성하는 단계; 및
    상기 상부 히터 층 및 상기 상부 절연 층을 패터닝하여 상기 감지 전극의 상기 제 1 방향의 양측 말단 상에 상부 절연 패턴들 및 상부 히터들을 형성하는 단계를 더 포함하는 가스 센서의 제조방법.
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