JP2008288498A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜が形成された基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された後、インターフェイスブロック５の受渡ロボットＢＲによって送り基板載置部ＳＰＡＳＳに渡され、さらに送り搬送ロボットＳＢＲによって露光ユニットＥＸＰに送り出される。一方、露光ユニットＥＸＰにてパターン露光の施された基板Ｗは戻り搬送ロボットＲＢＲによって受け取られて戻り基板載置部ＲＰＡＳＳに載置された後、搬送ロボットＴＲ４によって露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送される。戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４は露光後の基板Ｗの搬送に専念できるため、露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、レジスト膜の形成処理を行った半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を露光装置に渡すとともに、当該露光装置から受け取った露光後の基板に現像処理を行う基板処理装置に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、基板にレジスト塗布処理を行ってその基板を露光ユニットに渡すとともに、該露光ユニットから露光後の基板を受け取って現像処理を行う装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く使用されている。

一方、露光処理を行う露光ユニット（ステッパ）は、通常上記コータ＆デベロッパとインラインで並設されており、レジスト膜が形成された基板に回路パターンを焼き付ける。このような露光ユニットがパターンの焼き付けに使用するランプは、近年の露光線幅の微細化に伴って、従来の紫外線光源からＫｒＦエキシマレーザ光源、さらにはＡｒＦエキシマレーザ光源に移行しつつある。ＫｒＦ光源やＡｒＦ光源によってパターン焼き付けを行う場合には、化学増幅型レジストが使用される。化学増幅型レジストは、露光時の光化学反応によって生成した酸が、続く熱処理工程で架橋・重合等のレジスト反応の触媒として作用することにより、現像液に対するレジストの溶解度を変化させてパターン焼き付けを完成させるタイプのフォトレジストである。

化学増幅型レジストを使用した場合、露光時に生成される酸触媒が極めて微量であるため、処理条件のわずかな変動が線幅均一性に大きな影響を与える。特に、露光の終了時点から露光後加熱処理（Post Exposure Bake）の開始時点までの時間が線幅均一性に最も大きな影響を与えることが知られている。このため、例えば特許文献１〜３には、露光処理終了から露光後加熱処理開始までの時間を一定に管理する技術が提案されている。このような方法により、化学増幅型レジストを使用した場合における線幅均一性を向上させることができる。

特開２００２−４３２０８号公報 特開２００４−３４２６５４号公報 特開２００３−７５８７号公報

しかしながら、従来より、コータ＆デベロッパと露光ユニットとの間では完全に同期した基板の受け渡しがなされていなかった。これは、コータ＆デベロッパおよび露光ユニットは、通常それぞれ独自のコントローラを備えていて個別に制御されていることによるものである。このため、例えば、露光ユニット側からコータ＆デベロッパに露光後基板を渡そうとするときに、コータ＆デベロッパ側の受渡ロボットが直ちにそれを受け取って露光後加熱処理部に搬送できる場合もあれば、当該受渡ロボットが露光前基板を露光ユニットに渡す作業中であるために直ちに露光後基板を受け取れないような場合もあった。このような状況下にあっては、上述のような露光処理終了から露光後加熱処理開始までの時間を一定に管理することが困難になる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、レジスト膜の形成処理を行った基板を露光装置に渡すとともに、当該露光装置から受け取った露光後の基板に現像処理を行う基板処理装置において、基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成部と、露光後の基板に対して露光後加熱処理を行う露光後加熱部と、レジスト膜の形成処理が終了した基板のみを搬送して前記露光装置に送り出す送り専用搬送ロボットと、前記露光装置から露光後の基板のみを受け取って前記露光後加熱部に搬送する戻り専用搬送ロボットと、前記露光装置における露光処理が完了してから前記露光後加熱部に露光後の基板を搬送するまでの時間が一定となるように前記戻り専用搬送ロボットを制御する搬送制御手段と、を備えることを特徴とする。

また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る基板処理装置において、露光後加熱処理の終了した基板を冷却する冷却部と、前記露光後加熱部から前記冷却部に露光後加熱処理の終了した基板のみを搬送する移載専用搬送ロボットと、をさらに備え、前記搬送制御手段は、前記露光装置における露光処理が完了してから前記露光後加熱部における露光後加熱処理を経て前記冷却部に露光後の基板を搬送するまでの時間が一定となるように前記戻り専用搬送ロボットおよび前記移載専用搬送ロボットを制御することを特徴とする。

また、請求項３の発明は、レジスト膜の形成処理を行うとともに露光後の基板に現像処理を行うユニット配置部と、前記ユニット配置部に隣接して配置され、露光装置と前記ユニット配置部との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスと、を備えた基板処理装置において、前記ユニット配置部は、露光後の基板に対して露光後加熱処理を行う露光後加熱部を備え、前記インターフェイスは、レジスト膜の形成処理が終了した基板のみを前記ユニット配置部から受け取って前記露光装置に送り出す送り専用搬送ロボットと、前記露光装置から露光後の基板のみを受け取って前記露光後加熱部に搬送する戻り専用搬送ロボットと、を備え、前記露光装置における露光処理が完了してから前記露光後加熱部に露光後の基板を搬送するまでの時間が一定となるように前記戻り専用搬送ロボットを制御する搬送制御手段を備えることを特徴とする。

また、請求項４の発明は、請求項３記載の基板処理装置において、前記ユニット配置部は、露光後加熱処理の終了した基板を冷却する冷却部と、前記露光後加熱部から前記冷却部に露光後加熱処理の終了した基板のみを搬送する移載専用搬送ロボットと、をさらに備え、前記搬送制御手段は、前記露光装置における露光処理が完了してから前記露光後加熱部における露光後加熱処理を経て前記冷却部に露光後の基板を搬送するまでの時間が一定となるように前記戻り専用搬送ロボットおよび前記移載専用搬送ロボットを制御することを特徴とする。

請求項１の発明によれば、戻り専用搬送ロボットが露光装置から露光後の基板のみを受け取って露光後加熱部に搬送するため、露光後基板の搬送に専念することができ、露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができる。

また、請求項２の発明によれば、露光後加熱処理の終了した基板のみを露光後加熱部から冷却部に搬送する移載専用搬送ロボットを備えるため、露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができるのに加えて、露光処理完了から露光後加熱処理を経てその後の冷却処理までの時間をも確実に一定にすることができる。

また、請求項３の発明によれば、戻り専用搬送ロボットが露光装置から露光後の基板のみを受け取って露光後加熱部に搬送するため、露光後基板の搬送に専念することができ、露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができる。

また、請求項４の発明によれば、露光後加熱処理の終了した基板のみを露光後加熱部から冷却部に搬送する移載専用搬送ロボットを備えるため、露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができるのに加えて、露光処理完了から露光後加熱処理を経てその後の冷却処理までの時間をも確実に一定にすることができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

＜１．第１実施形態＞
図１は、本発明に係る基板処理装置の平面図である。また、図２は基板処理装置の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は基板載置部の周辺構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

本実施形態の基板処理装置は、半導体ウェハ等の基板に反射防止膜やフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板に現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板は半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用のガラス基板等であっても良い。

本実施形態の基板処理装置は、インデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５の５つの処理ブロックを並設して構成されている。インターフェイスブロック５には本基板処理装置とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。また、本実施形態の基板処理装置および露光ユニットＥＸＰはホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線（図示省略）を経由して接続されている。

インデクサブロック１は、装置外から受け取った未処理基板をバークブロック２やレジスト塗布ブロック３に払い出すとともに、現像処理ブロック４から受け取った処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納する基板移載機構１２とを備えている。基板移載機構１２は、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能な可動台１２ａを備えており、この可動台１２ａに基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１２ｂが搭載されている。保持アーム１２ｂは、可動台１２ａ上を昇降（Ｚ軸方向）移動、水平面内の旋回移動、および旋回半径方向に進退移動可能に構成されている。これにより、基板移載機構１２は、保持アーム１２ｂを各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。

インデクサブロック１に隣接してバークブロック２が設けられている。インデクサブロック１とバークブロック２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１３が設けられている。この隔壁１３にインデクサブロック１とバークブロック２との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１の基板移載機構１２はキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２からインデクサブロック１へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを基板移載機構１２が受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ９の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１３の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、基板移載機構１２やバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

次に、バークブロック２について説明する。バークブロック２は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部ＢＲＣと、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２１，２１と、下地塗布処理部ＢＲＣおよび熱処理タワー２１，２１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部ＢＲＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー２１，２１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２１，２１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部ＢＲＣと熱処理タワー２１，２１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２１，２１から下地塗布処理部ＢＲＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

下地塗布処理部ＢＲＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称して下地塗布処理部ＢＲＣとする。各塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２２、このスピンチャック２２上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２３、スピンチャック２２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー２１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個のホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３とが設けられている。この熱処理タワー２１には、下から順にクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、ホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６が積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー２１には、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３が下から順に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている。

このように塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３や熱処理ユニット（バークブロック２ではホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３、密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３）を多段に積層配置することにより、基板処理装置の占有スペースを小さくしてフットプリントを削減することができる。また、２つの熱処理タワー２１，２１を並設することによって、熱処理ユニットのメンテナンスが容易になるとともに、熱処理ユニットに必要なダクト配管や給電設備をあまり高い位置にまで引き延ばす必要がなくなるという利点がある。

図５は、バークブロック２に設けられた搬送ロボットＴＲ１を説明するための図である。図５（ａ）は搬送ロボットＴＲ１の平面図であり、（ｂ）は搬送ロボットＴＲ１の正面図である。搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する２個の保持アーム６ａ，６ｂを上下に近接させて備えている。保持アーム６ａ，６ｂは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピン７で基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。

搬送ロボットＴＲ１の基台８は装置基台（装置フレーム）に対して固定設置されている。この基台８上に、ガイド軸９ｃが立設されるとともに、螺軸９ａが回転可能に立設支持されている。また、基台８には螺軸９ａを回転駆動するモータ９ｂが固定設置されている。そして、螺軸９ａには昇降台１０ａが螺合されるとともに、昇降台１０ａはガイド軸９ｃに対して摺動自在とされている。このような構成により、モータ９ｂが螺軸９ａを回転駆動することにより、昇降台１０ａがガイド軸９ｃに案内されて鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降移動するようになっている。

また、昇降台１０ａ上にアーム基台１０ｂが鉛直方向に沿った軸心周りに旋回可能に搭載されている。昇降台１０ａには、アーム基台１０ｂを旋回駆動するモータ１０ｃが内蔵されている。そして、このアーム基台１０ｂ上に上述した２個の保持アーム６ａ，６ｂが上下に配設されている。各保持アーム６ａ，６ｂは、アーム基台１０ｂに装備されたスライド駆動機構（図示省略）によって、それぞれ独立して水平方向（アーム基台１０ｂの旋回半径方向）に進退移動可能に構成されている。

このような構成によって、図５（ａ）に示すように、搬送ロボットＴＲ１は２個の保持アーム６ａ，６ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２１に設けられた熱処理ユニット、下地塗布処理部ＢＲＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、レジスト塗布ブロック３について説明する。バークブロック２と現像処理ブロック４との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３が設けられている。このレジスト塗布ブロック３とバークブロック２との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２とレジスト塗布ブロック３との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３からバークブロック２へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられている（図４参照）。

レジスト塗布ブロック３は、バークブロック２にて反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部ＳＣと、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３１，３１と、レジスト塗布処理部ＳＣおよび熱処理タワー３１，３１に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部ＳＣが装置正面側に、２つの熱処理タワー３１，３１が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３１，３１の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部ＳＣと熱処理タワー３１，３１とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３１，３１からレジスト塗布処理部ＳＣに熱的影響を与えることを回避しているのである。

レジスト塗布処理部ＳＣは、図２に示すように、同様の構成を備えた３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を下から順に積層配置して構成されている。なお、３つの塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３を特に区別しない場合はこれらを総称してレジスト塗布処理部ＳＣとする。各塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３２、このスピンチャック３２上に保持された基板Ｗ上にレジスト液を吐出する塗布ノズル３３、スピンチャック３２を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３２上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー３１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する６個の加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６が下から順に積層配置されている。一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー３１には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９が下から順に積層配置されている。

各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は、基板Ｗを載置して加熱処理を行う通常のホットプレートの他に、そのホットプレートと隔てられた上方位置に基板Ｗを載置しておく基板仮置部と、該ホットプレートと基板仮置部との間で基板Ｗを搬送するローカル搬送機構３４（図１参照）とを備えた熱処理ユニットである。ローカル搬送機構３４は、昇降移動および進退移動が可能に構成されるとともに、冷却水を循環させることによって搬送過程の基板Ｗを冷却する機構を備えている。

ローカル搬送機構３４は、上記ホットプレートおよび基板仮置部を挟んで搬送ロボットＴＲ２とは反対側、すなわち装置背面側に設置されている。そして、基板仮置部は搬送ロボットＴＲ２側およびローカル搬送機構３４側の双方に対して開口している一方、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口し、搬送ロボットＴＲ２側には閉塞している。従って、基板仮置部に対しては搬送ロボットＴＲ２およびローカル搬送機構３４の双方がアクセスできるが、ホットプレートに対してはローカル搬送機構３４のみがアクセス可能である。なお、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６は後述する現像処理ブロック４の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２と概ね同様の構成（図７）を備えている。

このような構成を備える各加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６に基板Ｗを搬入するときには、まず搬送ロボットＴＲ２が基板仮置部に基板Ｗを載置する。そして、ローカル搬送機構３４が基板仮置部から基板Ｗを受け取ってホットプレートまで搬送し、該基板Ｗに加熱処理が施される。ホットプレートでの加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構３４によって取り出されて基板仮置部まで搬送される。このときに、ローカル搬送機構３４が備える冷却機能によって基板Ｗが冷却される。その後、基板仮置部まで搬送された熱処理後の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ２によって取り出される。

このように、加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６においては、搬送ロボットＴＲ２が常温の基板仮置部に対して基板Ｗの受け渡しを行うだけで、ホットプレートに対して直接に基板Ｗの受け渡しを行わないため、搬送ロボットＴＲ２の温度上昇を抑制することができる。また、ホットプレートはローカル搬送機構３４側にのみ開口しているため、ホットプレートから漏出した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ２やレジスト塗布処理部ＳＣが悪影響を受けることが防止される。なお、クールプレートＣＰ４〜ＣＰ９に対しては搬送ロボットＴＲ２が直接基板Ｗの受け渡しを行う。

搬送ロボットＴＲ２の構成は、搬送ロボットＴＲ１と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ２は２個の保持アームをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３１，３１に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部ＳＣに設けられた塗布処理ユニットおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、現像処理ブロック４について説明する。レジスト塗布ブロック３とインターフェイスブロック５との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４が設けられている。レジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３と現像処理ブロック４との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３から現像処理ブロック４へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４からレジスト塗布ブロック３へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられている。

現像処理ブロック４は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部ＳＤと、現像処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー４１，４２と、現像処理部ＳＤおよび熱処理タワー４１，４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。なお、搬送ロボットＴＲ３は、上述した搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と全く同じ構成を有する。

現像処理部ＳＤは、図２に示すように、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５を下から順に積層配置して構成されている。なお、５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５を特に区別しない場合はこれらを総称して現像処理部ＳＤとする。各現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５は、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４３、このスピンチャック４３上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４４、スピンチャック４３を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４３上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、インデクサブロック１に近い側の熱処理タワー４１には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する５個のホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１と、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３とが設けられている。この熱処理タワー４１には、下から順にクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３、ホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１が積層配置されている。

一方、インデクサブロック１から遠い側の熱処理タワー４２には、露光後の基板Ｗに対して露光後加熱処理を行う６個の加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２とクールプレートＣＰ１４とが積層配置されている。各加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２は、上述した加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６と同様に、基板仮置部およびローカル搬送機構を備えた熱処理ユニットである。

図７は、基板仮置部付きの加熱部ＰＨＰ７の概略構成を示す図である。図７（ａ）は加熱部ＰＨＰ７の側断面図であり、（ｂ）は平面図である。なお、同図には加熱部ＰＨＰ７を示しているが、加熱部ＰＨＰ８〜ＰＨＰ１２についても全く同様の構成である。加熱部ＰＨＰ７は、基板Ｗを載置して加熱処理する加熱プレート７１０と、当該加熱プレート７１０から離れた上方位置または下方位置（本実施形態では上方位置）に基板Ｗを載置する基板仮置部７１９と、加熱プレート７１０と基板仮置部７１９との間で基板Ｗを搬送する熱処理部用のローカル搬送機構７２０とを備えている。加熱プレート７１０には、プレート表面に出没する複数本の可動支持ピン７２１が設けられている。加熱プレート７１０の上方には加熱処理時に基板Ｗを覆う昇降自在の上蓋７２２が設けられている。基板仮置部７１９には基板Ｗを支持する複数本の固定支持ピン７２３が設けられている。

ローカル搬送機構７２０は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する保持プレート７２４を備え、この保持プレート７２４がネジ送り駆動機構７２５によって昇降移動されるとともに、ベルト駆動機構７２６によって進退移動されるように構成されている。保持プレート７２４には、これが加熱プレート７１０の上方や基板仮置部７１９に進出したときに、可動支持ピン７２１や固定支持ピン７２３と干渉しないように複数本のスリット７２４ａが形成されている。

また、ローカル搬送機構７２０は、加熱プレート７１０から基板仮置部７１９へ基板Ｗを搬送する過程で基板Ｗを冷却する冷却手段を備えている。この冷却手段は、図７（ｂ）に示すように、保持プレート７２４の内部に冷却水流路７２４ｂを設け、この冷却水流路７２４ｂに冷却水を流通させることによって構成されている。なお、冷却手段としては、保持プレート７２４の内部に例えばペルチェ素子等を設けるようにしても良い。

上述したローカル搬送機構７２０は、加熱プレート７１０および基板仮置部７１９よりも装置背面側（つまり（＋Ｙ）側）に設置されている。また、加熱プレート７１０および基板仮置部７１９の（＋Ｘ）側にはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が、（−Ｙ）側には現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が、それぞれ配置されている。そして、加熱プレート７１０および基板仮置部７１９を覆う筐体７２７の上部、すなわち基板仮置部７１９を覆う部位には、その（＋Ｘ）側に搬送ロボットＴＲ４の進入を許容する開口部７１９ａが、その（＋Ｙ）側にはローカル搬送機構７２０の進入を許容する開口部７１９ｂが、それぞれ設けられている。また、筐体７２７の下部、すなわち加熱プレート７１０を覆う部位は、その（＋Ｘ）側および（−Ｙ）側が閉塞（つまり、搬送ロボットＴＲ３および搬送ロボットＴＲ４に対向する面が閉塞）される一方、（＋Ｙ）側にローカル搬送機構７２０の進入を許容する開口部７１９ｃが設けられている。

上述した加熱部ＰＨＰ７に対する基板Ｗの出し入れは以下のようにして行われる。まず、インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が露光後の基板Ｗを保持して、基板仮置部７１９の固定支持ピン７２３の上に基板Ｗを載置する。続いて、ローカル搬送機構７２０の保持プレート７２４が基板Ｗの下側に進入してから少し上昇することにより、固定支持ピン７２３から基板Ｗを受け取る。基板Ｗを保持した保持プレート７２４は筐体７２７から退出して、加熱プレート７１０に対向する位置まで下降する。このとき加熱プレート７１０の可動支持ピン７２１は下降しているとともに、上蓋７２２は上昇している。基板Ｗを保持した保持プレート７２４は加熱プレート７１０の上方に進出する。可動支持ピン７２１が上昇して基板Ｗを受取位置にて受け取った後に保持プレート７２４が退出する。続いて、可動支持ピン７２１が下降して基板Ｗを加熱プレート７１０上に載せるととともに、上蓋７２２が下降して基板Ｗを覆う。この状態で基板Ｗが加熱処理される。加熱処理が終わると上蓋７２２が上昇するとともに、可動支持ピン７２１が上昇して基板Ｗを持ち上げる。続いて、保持プレート７２４が基板Ｗの下に進出した後、可動支持ピン７２１が下降することにより、基板Ｗが保持プレート７２４に受け渡される。基板Ｗを保持した保持プレート７２４が退出して、さらに上昇して基板Ｗを基板仮置部７１９に搬送する。この搬送過程で保持プレート７２４に支持された基板Ｗが、保持プレート７２４が有する冷却手段によって冷却される。保持プレート７２４は、冷却した（概ね常温に戻した）基板Ｗを基板仮置部７１９の固定支持ピン７２３上に移載する。この基板Ｗを搬送ロボットＴＲ４が取り出して搬送する。

搬送ロボットＴＲ４は、基板仮置部７１９に対して基板Ｗの受け渡しをするだけで、加熱プレート７１０に対して基板Ｗの受け渡しをしないので、搬送ロボットＴＲ４が温度上昇するのを回避することができる。また、加熱プレート７１０に基板Ｗを出し入れするための開口部７１９ｃが、ローカル搬送機構７２０の側のみに形成されているので、開口部７１９ｃから漏洩した熱雰囲気によって搬送ロボットＴＲ３および搬送ロボットＴＲ４が温度上昇することがなく、また現像処理部ＳＤが開口部７１９ｃから漏れ出た熱雰囲気によって悪影響を受けることもない。

以上のように、第１実施形態においては、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２およびクールプレートＣＰ１４に対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４はアクセス可能であるが、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３はアクセス不可である。なお、熱処理タワー４１に組み込まれた熱処理ユニットに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がアクセスする。

また、熱処理タワー４２の最上段には、インターフェイスブロック５から現像処理ブロック４に基板Ｗを渡すための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。インターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ７またはＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。また、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、いずれか１つのみ設けられる形態であっても良い。

次に、インターフェイスブロック５について説明する。インターフェイスブロック５は、現像処理ブロック４に隣接して設けられ、レジスト塗布処理が行われてレジスト膜が形成された基板Ｗをレジスト塗布ブロック３から受け取って本基板処理装置とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４に渡すブロックである。すなわち、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３および現像処理ブロック４が基板Ｗにレジスト膜の形成処理を行うとともに露光後の基板Ｗに現像処理を行うユニット配置部として機能し、インターフェイスブロック５は、このユニット配置部に隣接して配置され、露光ユニットＥＸＰとユニット配置部との間で基板Ｗの受け渡しを行う処理ブロックである。

現像処理ブロック４とインターフェイスブロック５との間にも、雰囲気遮断用の隔壁４５が設けられている。この隔壁４５の一部を貫通して現像処理ブロック４からインターフェイスブロック５に基板Ｗを渡すために基板Ｗを載置する基板載置部ＰＡＳＳ９が設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ９は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えており、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ９に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５の受渡ロボットＢＲが受け取る。

インターフェイスブロック５は、４基の搬送ロボット、すなわち搬送ロボットＴＲ４、受渡ロボットＢＲ、送り搬送ロボットＳＢＲおよび戻り搬送ロボットＲＢＲを備える。また、インターフェイスブロック５には、送り基板載置部ＳＰＡＳＳと戻り基板載置部ＲＰＡＳＳとが設置されている。

第１実施形態においては、搬送ロボットＴＲ４は、戻り基板載置部ＲＰＡＳＳから加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに露光後の基板Ｗを搬送するとともに、当該加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２から基板載置部ＰＡＳＳ７またはＰＡＳＳ８に露光後加熱処理の終了した基板Ｗを搬送する。搬送ロボットＴＲ４の構成は、上述した搬送ロボットＴＲ１の構成（図５）と全く同じである。よって、搬送ロボットＴＲ４は２個の保持アームをそれぞれ個別に戻り基板載置部ＲＰＡＳＳ、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２および基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

受渡ロボットＢＲは、隔壁４５に貫通して設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９から送り基板載置部ＳＰＡＳＳにレジスト膜が形成された露光前の基板Ｗを搬送する。図２に示すように、受渡ロボットＢＲは、アーム基台５４に基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム５５が搭載されて構成されており、アーム基台５４はＹ軸方向に沿って配設されたボールネジ５２に螺合されるとともにガイドレール５３に摺動自在に取り付けられている。図示を省略するモータがボールネジ５２を回転させることによって受渡ロボットＢＲはＹ軸方向に沿って移動する。また、受渡ロボットＢＲは、アーム基台５４が伸縮動作を行うことによって保持アーム５５を鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って昇降させることができるとともに、アーム基台５４が回転動作を行うことによって保持アーム５５を鉛直方向に沿った軸心周りに旋回させることができる。さらに、受渡ロボットＢＲは、アーム基台５４に内蔵されたモータ（図示省略）によって保持アーム５５を構成する複数のアームセグメントに掘進動作を行わせることにより、保持アーム５５を旋回半径方向に沿って進退移動させることができる。これらの諸動作を行うことによって受渡ロボットＢＲは基板載置部ＰＡＳＳ９および送り基板載置部ＳＰＡＳＳにアクセスして基板Ｗの受け渡しを行う。なお、受渡ロボットＢＲの動作機構は上記に限定されるものではなく、公知の種々の機構を採用することが可能であり、例えば搬送ロボットＴＲ１と同様の構成としても良い。

送り搬送ロボットＳＢＲは、露光前の基板Ｗを送り基板載置部ＳＰＡＳＳから露光ユニットＥＸＰの載置テーブル９１に搬送する。また、戻り搬送ロボットＲＢＲは、露光処理の終了した基板Ｗを露光ユニットＥＸＰの載置テーブル９２から受け取って戻り基板載置部ＲＰＡＳＳに搬送する。送り搬送ロボットＳＢＲおよび戻り搬送ロボットＲＢＲの構成はＹ軸方向へのスライド移動機構（ボールネジ５２およびガイドレール５３）を備えていない点を除いては上述した受渡ロボットＢＲと同じである。

なお、インターフェイスブロック５には、上記の搬送機構の他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニット、何らかの障害によって現像処理ブロック４にて基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に露光後加熱処理を行った基板Ｗを一時的に収納保管しておくリターンバッファ、露光ユニットＥＸＰが基板Ｗの受け入れをできないときに露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管しておくセンドバッファなどを設けるようにしても良い。これらの設置位置としては、スペースに余裕のある送り基板載置部ＳＰＡＳＳおよび戻り基板載置部ＲＰＡＳＳの上方が好ましい。

以上のインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。

また、上述したインデクサブロック１、バークブロック２、レジスト塗布ブロック３、現像処理ブロック４およびインターフェイスブロック５は、本実施形態の基板処理装置を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置が構成されている。

次に、上記機械的構成を有する基板処理装置の制御機構について説明する。図６は、制御機構の要部構成を示すブロック図である。本基板処理装置の制御機構は、階層構造を備えており、メインコントローラＭＣに管理された複数の下位コントローラが装置各部を制御する。メインコントローラＭＣおよび複数の下位コントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。

最上位のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理および下位コントローラの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドやパラメータを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしても良い。

搬送ロボットコントローラＴＣは、下位コントローラの１つとして設けられているものである。なお、搬送ロボットコントローラは各ブロックに対応して設けられており、図６に示しているのはインターフェイスブロック５に対応する搬送ロボットコントローラＴＣである。搬送ロボットコントローラＴＣは、インターフェイスブロック５に設けられた搬送ロボットＴＲ４、受渡ロボットＢＲ、送り搬送ロボットＳＢＲおよび戻り搬送ロボットＲＢＲをそれぞれ個別に制御して所定の搬送動作を行わせる。

また、基板処理装置に設けられた制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している（図１参照）。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。ホストコンピュータ１００には、本実施形態の基板処理装置が通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置のメインコントローラＭＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。

なお、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光ユニットＥＸＰもホストコンピュータ１００から受け取ったレシピに従って動作制御を行っている。

次に、本実施形態の基板処理装置の動作、具体的には基板処理装置における基板Ｗの循環搬送の概略手順について説明する。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容に従ったものである。

まず、装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１に搬入される。続いて、インデクサブロック１から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサブロック１の基板移載機構１２が所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１が保持アーム６ａ，６ｂのうちの一方を使用してその基板Ｗを受け取る。そして、搬送ロボットＴＲ１は受け取った未処理の基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３では、基板Ｗに反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。

塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送される。ホットプレートにて基板Ｗが加熱されることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。なお、このときにクールプレートＷＣＰによって基板Ｗを冷却するようにしても良い。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送するようにしても良い。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理してレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。密着強化処理が行われた基板Ｗには反射防止膜を形成しないため、冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって直接基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

また、反射防止膜用の塗布液を塗布する前に脱水処理を行うようにしても良い。この場合はまず、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１が密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３のいずれかに搬送する。密着強化処理部ＡＨＬ１〜ＡＨＬ３では、ＨＭＤＳの蒸気を供給することなく基板Ｗに単に脱水のための加熱処理（デハイドベーク）を行う。脱水のための加熱処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、クールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送され、反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートＨＰ１〜ＨＰ６のいずれかに搬送され、加熱処理によって基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。さらにその後、搬送ロボットＴＲ１によってホットプレートから取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送されて冷却された後、基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３では、基板Ｗにレジストが回転塗布される。なお、レジスト塗布処理には精密な基板温調が要求されるため、基板Ｗを塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３に搬送する直前にクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送するようにしても良い。

レジスト塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６のいずれかに搬送される。加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６にて基板Ｗが加熱処理されることにより、レジスト中の溶媒成分が除去されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱部ＰＨＰ１〜ＰＨＰ６から取り出された基板ＷはクールプレートＣＰ４〜ＣＰ９のいずれかに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

レジスト膜の形成処理が終了した基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗはインターフェイスブロック５の受渡ロボットＢＲによって受け取られ、送り基板載置部ＳＰＡＳＳに載置される。続いて、インターフェイスブロック５の送り搬送ロボットＳＢＲが送り基板載置部ＳＰＡＳＳからレジスト膜の形成処理が終了した未露光の基板Ｗを受け取って露光ユニットＥＸＰの載置テーブル９１に搬送する。

こうして露光ユニットＥＸＰに搬入された基板Ｗはパターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。なお、露光ユニットＥＸＰにおいて基板Ｗに液浸露光処理を行うようにしても良い。液浸露光処理とは、屈折率の大きな液体（例えば、屈折率１．４４の純水）に基板Ｗを浸漬してパターン露光を行う技術であり、従来からの光源や露光プロセスをほとんど変更することなく高解像度を実現することができる。

パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光ユニットＥＸＰの載置テーブル９２を介してインターフェイスブロック５に戻される。すなわち、インターフェイスブロック５の戻り搬送ロボットＲＢＲが載置テーブル９２に載置された露光後の基板Ｗを受け取って戻り基板載置部ＲＰＡＳＳに載置する。戻り基板載置部ＲＰＡＳＳに載置された露光後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送される。なお、搬送ロボットＴＲ４が加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に対してアクセスするときには、基板仮置部７１９に露光後の基板Ｗを搬入する。

加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２における処理動作は上述した通りのものである。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２では、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、冷却機構を備えたローカル搬送機構７２０によって搬送されることにより冷却され、上記化学反応が停止する。続いて露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２から取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ７またはＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ７またはＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送する。クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３においては、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットＴＲ３は、クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３から基板Ｗを取り出して現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によってホットプレートＨＰ７〜ＨＰ１１のいずれかに搬送され、さらにその後クールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送される。

その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３の搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークブロック２の搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板Ｗはインデクサブロック１の基板移載機構１２によって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。

ところで、本実施形態の基板処理装置においては、フォトレジストとして化学増幅型レジストを基板Ｗに塗布している。化学増幅型レジストを使用した場合、処理条件のわずかな変動、特に露光処理の終了時点から露光後加熱処理の開始時点までの時間が線幅均一性に大きな影響を与えることは既述した通りである。このため、第１実施形態の基板処理装置においては、インターフェイスブロック５の搬送機構を露光前の基板Ｗを露光ユニットＥＸＰに渡すロボットと露光後の基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取るロボットとに専用ロボット化することによって露光処理の終了時点から露光後加熱処理の開始時点までの時間が確実に一定となるようにしている。

図８は、露光処理前後の基板Ｗの搬送経路を模式的に示す図である。バークブロック２およびレジスト塗布ブロック３にてレジスト膜が形成された基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された後、インターフェイスブロック５の受渡ロボットＢＲによって送り基板載置部ＳＰＡＳＳに渡され、さらに送り搬送ロボットＳＢＲによって露光ユニットＥＸＰに送り出される。これらの受渡ロボットＢＲおよび送り搬送ロボットＳＢＲは、露光ユニットＥＸＰから戻ってくる露光後の基板Ｗの搬送には一切関与しない。すなわち、受渡ロボットＢＲおよび送り搬送ロボットＳＢＲは、レジスト膜の形成処理が終了した基板Ｗのみを搬送して露光ユニットＥＸＰに送り出す送り専用の搬送ロボットである。

一方、露光ユニットＥＸＰにてパターン露光の施された基板Ｗは戻り搬送ロボットＲＢＲによって受け取られて戻り基板載置部ＲＰＡＳＳに載置された後、搬送ロボットＴＲ４によって露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２のいずれかに搬送される。これらの戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４は、露光ユニットＥＸＰに送り出す露光前の基板Ｗの搬送には一切関与しない。すなわち、戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４は、露光ユニットＥＸＰから露光後の基板Ｗのみを受け取って露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬送する戻り専用の搬送ロボットと言える。

第１実施形態においては、搬送ロボットコントローラＴＣが露光ユニットＥＸＰにおける露光処理が完了してから露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に露光後の基板Ｗを搬送するまでの時間が一定となるように戻り専用搬送ロボットたる戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４を制御している。戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４は露光前の基板Ｗの搬送に関わることがないため、従来のように露光前基板を露光ユニットに渡す作業中であるために直ちに露光後基板を受け取れないというような状況は起こり得ない。このため、戻り搬送ロボットＲＢＲは、露光ユニットＥＸＰの載置テーブル９２に戻ってきた露光後の基板Ｗを直ちに受け取ることができ、その結果露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができる。

特に、レシピが異なるロットを連続して処理するような場合であっても、戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４を戻り専用の搬送ロボットとして設けているため、スループットを低下させることなく、露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができる。

＜２．第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態の基板処理装置は、露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の構成が若干相違する点を除いては第１実施形態と同様の構成を備えている。

図９は、第２実施形態の露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７の概略構成を示す図である。なお、同図には加熱部ＰＨＰ７を示しているが、加熱部ＰＨＰ８〜ＰＨＰ１２についても全く同様の構成である。第２実施形態においては、筐体７２７のうちの基板仮置部７１９を覆う部位の（−Ｙ）側に現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３の進入を許容する開口部７１９ｄが設けられている。よって、第２実施形態においては、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３も加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の基板仮置部７１９にアクセスして固定支持ピン７２３に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２の残余の構成は第１実施形態と同じであり、また加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２以外の装置構成も第１実施形態と同様である。

かかる構成を有する第２実施形態の基板処理装置の動作は、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２によって露光後加熱処理が行われる工程までは第１実施形態と同じである。第２実施形態においては、露光後加熱処理が完了してローカル搬送機構７２０によって基板仮置部７１９に移載された基板Ｗが現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３によって直接取り出されてクールプレートＣＰ１０〜ＣＰ１３のいずれかに搬送される。その後の処理手順は第１実施形態と同じである。第２実施形態では、加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２を介してインターフェイスブロック５から現像処理ブロック４へ基板が搬送されることとなり、換言すれば加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２が第１実施形態の基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８の役割をも兼ねるため、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は必須の要素ではない。

第２実施形態における露光処理前後の基板Ｗの搬送経路も図８に示したのと同様であり、受渡ロボットＢＲおよび送り搬送ロボットＳＢＲがレジスト膜の形成処理が終了した基板Ｗのみを搬送して露光ユニットＥＸＰに送り出す送り専用の搬送ロボットとされる一方、戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４が露光ユニットＥＸＰから露光後の基板Ｗのみを受け取って露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に搬送する戻り専用の搬送ロボットとされる。よって、戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４は露光前の基板Ｗの搬送に関わることがないため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

それに加えて、第２実施形態の搬送ロボットＴＲ４は露光後加熱処理の終了した基板Ｗの搬送にも関わらないため、専ら基板載置部ＲＰＡＳＳから加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２への露光後基板Ｗの搬送に使用されることとなる。その結果、より確実に露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を一定にすることができる。

＜３．第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態の基板処理装置は、現像処理ブロック４の熱処理タワー４２の構成が第１実施形態と相違する。

図１０は、第３実施形態の熱処理タワー４２の概略構成を示す図である。図１０（ａ）は熱処理タワー４２の側面図であり、（ｂ）は平面図である。第３実施形態の熱処理タワー４２は、３基の熱処理ユニット４００を複数段（図１０の例では３段）に積層して構成されている。各熱処理ユニット４００は、上側に基板Ｗを所定の温度にまで加熱するホットプレートＨＰ、下側に基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクールプレートＣＰを積層して構成されている。また、各熱処理ユニット４００の（＋Ｙ）側には、ホットプレートＨＰとクールプレートＣＰとの間で基板を搬送するローカル搬送機構４１０が付設されている。第３実施形態のローカル搬送機構４１０の構成は、加熱部ＰＨＰ７のローカル搬送機構７２０（図７）とほぼ同様のものであるが、ローカル搬送機構４１０には冷却機構は設けられていない。

また、熱処理タワー４２の（＋Ｘ）側にはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４が位置し、（−Ｙ）側には現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３が位置する点は第１実施形態と同じである。そして、各熱処理ユニット４００のホットプレートＨＰに対してはインターフェイスブロック５の搬送ロボットＴＲ４がアクセス可能であり、各熱処理ユニット４００のクールプレートＣＰに対しては現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がアクセス可能である。熱処理タワー４２以外の残余の構成は第１実施形態と同じである。なお、ローカル搬送機構４１０の動作は搬送ロボットコントローラＴＣによって制御される。

かかる構成を有する第３実施形態の基板処理装置の動作は、露光ユニットＥＸＰによって露光処理が完了するまでの工程は第１実施形態と同じである。第３実施形態においては、露光後の基板Ｗが戻り搬送ロボットＲＢＲによって載置テーブル９２から戻り基板載置部ＲＰＡＳＳに移載され、その後戻り基板載置部ＲＰＡＳＳに載置された露光後の基板Ｗが搬送ロボットＴＲ４によっていずれかの熱処理ユニット４００のホットプレートＨＰに搬送される。そして、熱処理ユニット４００のホットプレートＨＰにおいて露光後加熱処理が実行される。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、ローカル搬送機構４１０によってホットプレートＨＰから直下のクールプレートＣＰに搬送されて冷却され、樹脂の架橋・重合反応が停止する。その後、現像処理ブロック４の搬送ロボットＴＲ３がクールプレートＣＰから基板Ｗを取り出して現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。その後の処理手順は第１実施形態と同じである。

図１１は、第３実施形態における露光処理前後の基板Ｗの搬送経路を模式的に示す図である。バークブロック２およびレジスト塗布ブロック３にてレジスト膜が形成された基板Ｗは基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された後、インターフェイスブロック５の受渡ロボットＢＲによって送り基板載置部ＳＰＡＳＳに渡され、さらに送り搬送ロボットＳＢＲによって露光ユニットＥＸＰに送り出される。これらの受渡ロボットＢＲおよび送り搬送ロボットＳＢＲは、露光ユニットＥＸＰから戻ってくる露光後の基板Ｗの搬送には一切関与しない。すなわち、第１実施形態と同様に受渡ロボットＢＲおよび送り搬送ロボットＳＢＲは、レジスト膜の形成処理が終了した基板Ｗのみを搬送して露光ユニットＥＸＰに送り出す送り専用の搬送ロボットである。

一方、露光ユニットＥＸＰにてパターン露光の施された基板Ｗは戻り搬送ロボットＲＢＲによって受け取られて戻り基板載置部ＲＰＡＳＳに載置された後、搬送ロボットＴＲ４によって露光後加熱処理を行ういずれかの熱処理ユニット４００のホットプレートＨＰに搬送される。さらに、露光後加熱処理の終了した基板Ｗはローカル搬送機構４１０によってホットプレートＨＰからクールプレートＣＰに搬送される。これらの戻り搬送ロボットＲＢＲ、搬送ロボットＴＲ４およびローカル搬送機構４１０は、露光ユニットＥＸＰに送り出す露光前の基板Ｗの搬送には一切関与しない。すなわち、戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４は、露光ユニットＥＸＰから露光後の基板Ｗのみを受け取って露光後加熱処理を行うホットプレートＨＰに搬送する戻り専用の搬送ロボットであり、ローカル搬送機構４１０は、露光後加熱処理を行うホットプレートＨＰからその後の冷却処理を行うクールプレートＣＰに露光後加熱処理の終了した基板Ｗのみを搬送する移載専用搬送ロボットである。なお、第３実施形態の搬送ロボットＴＲ４は、ホットプレートＨＰへのアクセスを繰り返すために蓄熱する可能性があるので、保持アームに冷却機構を備える方が好ましい。

第３実施形態においては、搬送ロボットコントローラＴＣが露光ユニットＥＸＰにおける露光処理が完了してから露光後加熱処理を行う加熱部ＰＨＰ７〜ＰＨＰ１２に露光後の基板Ｗを搬送するまでの時間が一定となるように戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４を制御するのみならず、露光ユニットＥＸＰにおける露光処理が完了してからホットプレートＨＰにおける露光後加熱処理を経てクールプレートＣＰに露光後の基板Ｗを搬送するまでの時間が一定となるように戻り搬送ロボットＲＢＲ、搬送ロボットＴＲ４およびローカル搬送機構４１０を制御している。戻り搬送ロボットＲＢＲおよび搬送ロボットＴＲ４は露光前の基板Ｗの搬送に関わることがないため露光ユニットＥＸＰからホットプレートＨＰへの基板搬送に専念することができ、またローカル搬送機構４１０も露光前の基板Ｗの搬送に関わることがないためホットプレートＨＰからクールプレートＣＰへの基板搬送に専念することができる。その結果、第１実施形態と同様に露光処理完了から露光後加熱処理開始までの時間を確実に一定にすることができるのに加えて、露光処理完了から露光後加熱処理を経てその後の冷却処理までの時間をも確実に一定にすることができる。

＜４．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態において、１基の送り専用搬送ロボットによってレジスト膜が形成された露光前の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９から直接露光ユニットＥＸＰに送り出すようにしても良いし、１基の戻り専用搬送ロボットによって露光後の基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから露光後加熱処理を行う処理部に搬送するようにしても良い。すなわち、送り専用搬送ロボットはレジスト膜が形成された露光前の基板Ｗのみを搬送するものであれば基数は任意のものとすることができ、同様に戻り専用搬送ロボットも露光後の基板Ｗのみを搬送するものであれば基数は任意のものとすることができる。

また、第３実施形態の各熱処理ユニット４００において、ホットプレートＨＰを下側に、クールプレートＣＰを上側に配置するようにしても良い。

また、インターフェイスブロック５における各搬送ロボットの配置態様は図１に限定されるものではなく、送り専用搬送ロボットと戻り専用搬送ロボットとを設置する形態であれば種々の変形が可能である。

本発明に係る基板処理装置の平面図である。 液処理部の正面図である。 熱処理部の正面図である。 基板載置部の周辺構成を示す図である。 搬送ロボットを説明するための図である。 制御機構の要部構成を示すブロック図である。 基板仮置部付きの加熱部の概略構成を示す図である。 露光処理前後の基板の搬送経路を模式的に示す図である。 第２実施形態の露光後加熱処理を行う加熱部の概略構成を示す図である。 第３実施形態の現像処理ブロックの熱処理タワーの概略構成を示す図である。 第３実施形態における露光処理前後の基板の搬送経路を模式的に示す図である。

符号の説明

１ インデクサブロック
２ バークブロック
３ レジスト塗布ブロック
４ 現像処理ブロック
５ インターフェイスブロック
１２ 基板移載機構
２１，３１，４１，４２ 熱処理タワー
１００ ホストコンピュータ
４００ 熱処理ユニット
４１０ ローカル搬送機構
ＢＲ 受渡ロボット
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ３，ＳＣ１〜ＳＣ３ 塗布処理ユニット
ＣＰ，ＣＰ１〜ＣＰ１４ クールプレート
ＥＸＰ 露光ユニット
ＨＰ，ＨＰ１〜ＨＰ１１ ホットプレート
ＭＣ メインコントローラ
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
ＰＨＰ１〜ＰＨＰ１２ 加熱部
ＲＢＲ 戻り搬送ロボット
ＲＰＡＳＳ 戻り基板載置部
ＳＢＲ 送り搬送ロボット
ＳＤ１〜ＳＤ５ 現像処理ユニット
ＳＰＡＳＳ 送り基板載置部
ＴＣ 搬送ロボットコントローラ
ＴＲ１〜ＴＲ４ 搬送ロボット
Ｗ 基板

Claims (4)

1. レジスト膜の形成処理を行った基板を露光装置に渡すとともに、当該露光装置から受け取った露光後の基板に現像処理を行う基板処理装置であって、
   基板上にレジスト膜を形成するレジスト膜形成部と、
   露光後の基板に対して露光後加熱処理を行う露光後加熱部と、
   レジスト膜の形成処理が終了した基板のみを搬送して前記露光装置に送り出す送り専用搬送ロボットと、
   前記露光装置から露光後の基板のみを受け取って前記露光後加熱部に搬送する戻り専用搬送ロボットと、
   前記露光装置における露光処理が完了してから前記露光後加熱部に露光後の基板を搬送するまでの時間が一定となるように前記戻り専用搬送ロボットを制御する搬送制御手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１記載の基板処理装置において、
   露光後加熱処理の終了した基板を冷却する冷却部と、
   前記露光後加熱部から前記冷却部に露光後加熱処理の終了した基板のみを搬送する移載専用搬送ロボットと、
   をさらに備え、
   前記搬送制御手段は、前記露光装置における露光処理が完了してから前記露光後加熱部における露光後加熱処理を経て前記冷却部に露光後の基板を搬送するまでの時間が一定となるように前記戻り専用搬送ロボットおよび前記移載専用搬送ロボットを制御することを特徴とする基板処理装置。
3. レジスト膜の形成処理を行うとともに露光後の基板に現像処理を行うユニット配置部と、前記ユニット配置部に隣接して配置され、露光装置と前記ユニット配置部との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスと、を備えた基板処理装置であって、
   前記ユニット配置部は、露光後の基板に対して露光後加熱処理を行う露光後加熱部を備え、
   前記インターフェイスは、
   レジスト膜の形成処理が終了した基板のみを前記ユニット配置部から受け取って前記露光装置に送り出す送り専用搬送ロボットと、
   前記露光装置から露光後の基板のみを受け取って前記露光後加熱部に搬送する戻り専用搬送ロボットと、
   を備え、
   前記露光装置における露光処理が完了してから前記露光後加熱部に露光後の基板を搬送するまでの時間が一定となるように前記戻り専用搬送ロボットを制御する搬送制御手段を備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項３記載の基板処理装置において、
   前記ユニット配置部は、
   露光後加熱処理の終了した基板を冷却する冷却部と、
   前記露光後加熱部から前記冷却部に露光後加熱処理の終了した基板のみを搬送する移載専用搬送ロボットと、
   をさらに備え、
   前記搬送制御手段は、前記露光装置における露光処理が完了してから前記露光後加熱部における露光後加熱処理を経て前記冷却部に露光後の基板を搬送するまでの時間が一定となるように前記戻り専用搬送ロボットおよび前記移載専用搬送ロボットを制御することを特徴とする基板処理装置。

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