JP2008288374A - 電子部品とその製造方法および当該電子部品を有する電子機器 - Google Patents
電子部品とその製造方法および当該電子部品を有する電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008288374A JP2008288374A JP2007131750A JP2007131750A JP2008288374A JP 2008288374 A JP2008288374 A JP 2008288374A JP 2007131750 A JP2007131750 A JP 2007131750A JP 2007131750 A JP2007131750 A JP 2007131750A JP 2008288374 A JP2008288374 A JP 2008288374A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- forming
- electronic component
- electrode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明にかかる電子部品の製造方法は、被転写体130を有する第1基体100を形成する工程と、第2基体200を形成する工程と、被転写体130を第1基体100から第2基体200に転写する転写工程と、を有し、第1基体100を形成する工程は、基板110の上方に犠牲層120を形成する工程と、犠牲層120の上方に被転写体130を形成する工程と、を含み、転写工程は、第2基体200と被転写体130とを接合する接合工程と、犠牲層120を等方性ドライエッチングにより除去し、基板110を剥離する剥離工程と、を含む。
【選択図】図9
Description
被転写体を有する第1基体を形成する工程と、
第2基体を形成する工程と、
前記被転写体を前記第1基体から前記第2基体に転写する転写工程と、
を有し、
前記第1基体を形成する工程は、
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に前記被転写体を形成する工程と、
を含み、
前記転写工程は、
前記第2基体と前記被転写体とを接合する接合工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を含む。
前記接合工程は、導電性接着剤を用いて行われることができる。
前記第1基体を形成する工程は、さらに前記犠牲層をパターニングする工程を含むことができる。
前記第1基体を形成する工程は、さらに前記基板をエッチングする工程を含むことができる。
前記第2基体を形成する工程は、前記第2基体を貫通する貫通孔を形成する工程を含むことができる。
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に被転写体を形成する工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を有する。
前記犠牲層は、シリコンの同素体からなることができる。
前記等方性ドライエッチングは、エッチングガスとして、XeF2、ClF3、BrF3、IF3、およびIF5の少なくとも1種を用いることができる。
前記電子部品は、圧電振動子であって、
前記被転写体を形成する工程は、
前記犠牲層の上方に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上方に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上方に第2電極を形成する工程と、
少なくとも前記第2電極、前記誘電体層、および前記第1電極をパターニングする工程と、
前記誘電体層を結晶化させる結晶化工程と、
を有することができる。
基体と、
前記基体の上方に形成された導電層と、
前記導電層の上方に形成された被転写体と、
を有し、
前記被転写体の下面の面積は、前記被転写体の上面の面積よりも小さい。
前記導電層の上面の面積は、前記被転写体の下面の面積より大きくすることができる。
さらに、前記導電層と前記被転写体の間に形成された導電性接着剤層を有することができる。
前記電子部品は、圧電振動子であり、
前記被転写体は、
第1電極と、
前記第1電極の下方に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の下方であって、前記導電層の上方に形成された第2電極と、
を有することができる。
以下に、本実施形態にかかる電子部品およびその製造方法の一例について図面を参照しながら説明する。以下には、電子部品が圧電振動子300である場合の例を説明するが、本実施形態にかかる電子部品は、圧電振動子300に限定されない。本実施形態にかかる電子部品としては、圧電振動子300の他に、例えば、アクチュエータ素子、強誘電体メモリ素子、焦電センサ素子、およびその他の半導体素子などを挙げることができる。
図1は、本実施形態にかかる圧電振動子300を模式的に示す平面図である。図2は、本実施形態にかかる圧電振動子300を模式的に示す断面図である。図1のA−A線に沿った断面が図2に相当する。
上述した圧電振動子300は、種々の変形が可能である。以下に変形例を記す。図3は、圧電振動子300の変形例を模式的に示す断面図である。
以下に、圧電振動子300の製造方法について図面を参照しながら説明する。図4ないし図11は、図1および図2に示す圧電振動子300の製造工程を模式的に示す断面図である。
上述した圧電振動子300の製造方法は、種々の変形が可能である。
以上のように圧電振動子300を例として、本発明にかかる電子部品およびその製造方法について説明したが、本発明にかかる電子部品およびその製造方法は、変形が可能である。
132 第1電極、134 誘電体層、136 第2電極、150 導電性接着剤層、
200 第2基体、210 基体、212 開口部、214 振動部、
216 貫通孔、220 導電層、300 圧電振動子
Claims (14)
- 被転写体を有する第1基体を形成する工程と、
第2基体を形成する工程と、
前記被転写体を前記第1基体から前記第2基体に転写する転写工程と、
を有し、
前記第1基体を形成する工程は、
基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に前記被転写体を形成する工程と、
を含み、
前記転写工程は、
前記第2基体と前記被転写体とを接合する接合工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を含む、電子部品の製造方法。 - 請求項1において、
前記接合工程は、導電性接着剤を用いて行われる、電子部品の製造方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第1基体を形成する工程は、さらに前記犠牲層をパターニングする工程を含む、電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかにおいて、
前記第1基体を形成する工程は、さらに前記基板をエッチングする工程を含む、電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし請求項4のいずれかにおいて、
前記第2基体を形成する工程は、前記第2基体を貫通する貫通孔を形成する工程を含む、電子部品の製造方法。 - 基板の上方に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層の上方に被転写体を形成する工程と、
前記犠牲層を等方性ドライエッチングにより除去し、前記基板を剥離する剥離工程と、
を有する、電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし請求項6のいずれかにおいて、
前記犠牲層は、シリコンの同素体からなる、電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし請求項7のいずれかにおいて、
前記等方性ドライエッチングは、エッチングガスとして、XeF2、ClF3、BrF3、IF3、およびIF5の少なくとも1種を用いる、電子部品の製造方法。 - 請求項1ないし請求項8のいずれかにおいて、
前記電子部品は、圧電振動子であって、
前記被転写体を形成する工程は、
前記犠牲層の上方に第1電極を形成する工程と、
前記第1電極の上方に誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の上方に第2電極を形成する工程と、
少なくとも前記第2電極、前記誘電体層、および前記第1電極をパターニングする工程と、
前記誘電体層を結晶化させる結晶化工程と、
を有する、電子部品の製造方法。 - 基体と、
前記基体の上方に形成された導電層と、
前記導電層の上方に形成された被転写体と、
を有し、
前記被転写体の下面の面積は、前記被転写体の上面の面積よりも小さい、電子部品。 - 請求項10において、
前記導電層の上面の面積は、前記被転写体の下面の面積より大きい、電子部品。 - 請求項10または請求項11において、
さらに、前記導電層と前記被転写体の間に形成された導電性接着剤層を有する、電子部品。 - 請求項10ないし請求項12のいずれかにおいて、
前記電子部品は、圧電振動子であり、
前記被転写体は、
第1電極と、
前記第1電極の下方に形成された誘電体層と、
前記誘電体層の下方であって、前記導電層の上方に形成された第2電極と、
を有する、電子部品。 - 請求項10ないし請求項13のいずれかに記載の電子部品を有する、電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007131750A JP5045900B2 (ja) | 2007-05-17 | 2007-05-17 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007131750A JP5045900B2 (ja) | 2007-05-17 | 2007-05-17 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008288374A true JP2008288374A (ja) | 2008-11-27 |
JP5045900B2 JP5045900B2 (ja) | 2012-10-10 |
Family
ID=40147815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007131750A Expired - Fee Related JP5045900B2 (ja) | 2007-05-17 | 2007-05-17 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5045900B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101168685B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2012-07-30 | (주)에스엔텍 | 소자 또는 패턴의 박리방법 |
KR101191349B1 (ko) * | 2011-02-28 | 2012-10-15 | (주)에스엔텍 | 파동을 이용하는 건식 식각 장치 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004296679A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 強誘電体膜の製造方法、強誘電体素子の製造方法、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
JP2006245094A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子の製造方法および薄膜圧電体素子の転写方法 |
JP2006323088A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Fuji Xerox Co Ltd | ドナー基板および微小構造体の製造方法、およびドナー基板 |
JP2007019482A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | 機能性膜含有構造体、及び、機能性膜の製造方法 |
-
2007
- 2007-05-17 JP JP2007131750A patent/JP5045900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004296679A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 強誘電体膜の製造方法、強誘電体素子の製造方法、表面弾性波素子、周波数フィルタ、発振器、電子回路、及び電子機器 |
JP2006245094A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜圧電体素子の製造方法および薄膜圧電体素子の転写方法 |
JP2006323088A (ja) * | 2005-05-18 | 2006-11-30 | Fuji Xerox Co Ltd | ドナー基板および微小構造体の製造方法、およびドナー基板 |
JP2007019482A (ja) * | 2005-06-07 | 2007-01-25 | Fujifilm Holdings Corp | 機能性膜含有構造体、及び、機能性膜の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101168685B1 (ko) * | 2010-03-31 | 2012-07-30 | (주)에스엔텍 | 소자 또는 패턴의 박리방법 |
KR101191349B1 (ko) * | 2011-02-28 | 2012-10-15 | (주)에스엔텍 | 파동을 이용하는 건식 식각 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5045900B2 (ja) | 2012-10-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10361677B2 (en) | Transverse bulk acoustic wave filter | |
US7084554B2 (en) | Bimorph MEMS devices | |
JP5399970B2 (ja) | 強誘電体デバイスの製造方法 | |
US11295770B2 (en) | Thin-film piezoelectric material substrate, thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly, ink jet head and method of manufacturing the thin-film piezoelectric | |
JP2002134806A (ja) | 圧電膜型アクチュエータおよび液体噴射ヘッドとその製造方法 | |
CN105474419A (zh) | 多层薄膜压电设备和制造该设备的方法 | |
JP4328980B2 (ja) | 圧電振動子およびその製造方法、並びに、memsデバイスおよびその製造方法 | |
JP4904656B2 (ja) | 薄膜圧電体素子およびその製造方法 | |
JP2008129099A (ja) | デフォーマブルミラー | |
JP5708364B2 (ja) | 超音波アレイセンサーおよびその製造方法 | |
CN111033774A (zh) | 压电器件以及压电器件的制造方法 | |
JP4956899B2 (ja) | 薄膜圧電体素子の製造方法 | |
JP5375503B2 (ja) | 屈曲振動片 | |
JP5045900B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP2016039343A (ja) | 電子デバイス及びその製造方法 | |
JP2003309303A (ja) | 圧電膜型アクチュエータの製造方法および液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP2008177182A (ja) | 薄膜デバイスの製造方法 | |
JP4424520B2 (ja) | 圧電素子およびその製造方法、アクチュエータ、並びに、液体噴射ヘッド | |
JP2008227211A (ja) | 圧電装置の製造方法及び圧電装置 | |
JP7307029B2 (ja) | 圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法 | |
JP7037892B2 (ja) | 圧電膜を有する積層基板の製造方法、圧電膜を有する素子の製造方法および圧電膜を有する積層体 | |
JP2010179622A (ja) | 液体噴射ヘッド、液体噴射装置、および液体噴射ヘッドの製造方法 | |
JP2015099864A (ja) | 薄膜圧電アクチュエータの製造方法 | |
JP2005331485A (ja) | 圧電素子および電気機械変換装置 | |
JP2009010270A (ja) | 圧電素子及び圧電素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100219 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110920 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111202 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120620 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120703 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5045900 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |