JP2008270721A - Substrate mounting base and substrate processing device - Google Patents
Substrate mounting base and substrate processing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008270721A JP2008270721A JP2008004581A JP2008004581A JP2008270721A JP 2008270721 A JP2008270721 A JP 2008270721A JP 2008004581 A JP2008004581 A JP 2008004581A JP 2008004581 A JP2008004581 A JP 2008004581A JP 2008270721 A JP2008270721 A JP 2008270721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- substrate
- mounting table
- guide body
- uppermost
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 83
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims abstract description 38
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims abstract description 38
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 37
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 6
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 101000574352 Mus musculus Protein phosphatase 1 regulatory subunit 17 Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
本発明は,液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display)やエレクトロルミネセンスディスプレイ(Electro−Luminescence Display)などのフラットパネルディスプレイ(Flat Panel Display)用基板を載置する基板載置台及び基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate mounting table and a substrate processing apparatus on which a substrate for a flat panel display (Flat Panel Display) such as a liquid crystal display or an electro-luminescence display (Electro-Luminescence Display) is mounted.
この種の基板を枚葉処理する基板処理装置では,処理室内に設けられた載置台上に未処理の基板を一枚ずつ搬送アームなどにより搬入し,処理済みの基板を処理室から搬出する必要がある。このため,処理室の載置台に対してロード及びアンロードをアシストするのに基板を載置台の載置面よりも上にリフターピンで押し上げるためのリフターピン機構が多く用いられている。 In this kind of substrate processing apparatus for processing a single wafer, it is necessary to carry unprocessed substrates one by one on a mounting table provided in the processing chamber one by one using a transfer arm or the like and to carry out processed substrates from the processing chamber. There is. For this reason, in order to assist loading and unloading with respect to the mounting table in the processing chamber, a lifter pin mechanism for pushing up the substrate above the mounting surface of the mounting table with a lifter pin is often used.
このような従来のリフターピン機構としては,例えば特許文献1に示すように1枚の電極板からなる載置台では,その電極板の熱膨張によるリフターピン孔とリフターピンとの位置ずれを防止するため,電極板の下側にリフターピン機構の昇降ガイドを取付けたものが知られている。また,特許文献2に示すように,上板と下板を積層してなる電極にリフターピンを挿通し,処理室の底部にリフターピンの昇降ガイド(支持機構)を取付けたものもある。 As such a conventional lifter pin mechanism, for example, as shown in Patent Document 1, in a mounting table composed of a single electrode plate, in order to prevent displacement of the lifter pin hole and the lifter pin due to thermal expansion of the electrode plate. , It is known that a lifting guide of a lifter pin mechanism is attached to the lower side of an electrode plate. Also, as shown in Patent Document 2, there is a type in which a lifter pin is inserted into an electrode formed by laminating an upper plate and a lower plate, and a lifter pin lifting guide (support mechanism) is attached to the bottom of the processing chamber.
ところで,特許文献2に記載の載置台のように,複数のプレートを積層してなる電極を有する載置台では,電極の温度を調整したり,プラズマを発生させたりすることによって,各プレートの温度は上昇するので,これらはいずれも熱膨張する。この場合,最上部に配置されるプレートは,処理室内にその上側の表面が露出しているので,プラズマの生成に伴う影響や処理室内の温度の影響などを受けやすいことから,最上部のプレートとその下側のプレートには温度差が生じる。このため,これらのプレートの熱膨張量に差がでるので,最上部のプレートとその下側のプレートとの間に水平方向の位置ずれが生じる。 By the way, in a mounting table having an electrode formed by laminating a plurality of plates like the mounting table described in Patent Document 2, the temperature of each plate is adjusted by adjusting the temperature of the electrode or generating plasma. As they rise, they both expand thermally. In this case, the uppermost plate is exposed to the influence of plasma generation or the temperature in the processing chamber because the upper surface is exposed in the processing chamber. There is a temperature difference between the plate and the lower plate. For this reason, there is a difference in the amount of thermal expansion between these plates, resulting in a horizontal displacement between the uppermost plate and the lower plate.
従って,このような複数のプレートを積層してなる電極を有する載置台では,特許文献1,2の場合と同様に,電極すなわち各プレートを貫通するピン挿通孔にリフターピンを配置すると,最上部のプレートのピン挿通孔とその下側のプレートのピン挿通孔との間に水平方向の位置ずれが発生し,その中に挿通されるリフターピンに剪断力が働く虞がある。リフターピンにこのような剪断力が働いている状態で,リフターピンを昇降させると,リフターピンが破損したり,プレートが破損したりする虞がある。 Therefore, in the mounting table having an electrode formed by laminating a plurality of such plates, as in the case of Patent Documents 1 and 2, when a lifter pin is arranged in a pin insertion hole that penetrates the electrode, that is, each plate, There is a possibility that a horizontal displacement occurs between the pin insertion hole of the plate and the pin insertion hole of the lower plate, and a shearing force may act on the lifter pin inserted therethrough. If the lifter pin is lifted and lowered while such a shearing force is applied to the lifter pin, the lifter pin may be damaged or the plate may be damaged.
特に,近年では基板のサイズも益々大型化しており,これを載置する載置台の各プレートのサイズも大型化している。このような載置台を構成するプレートのサイズが大きいほど,その熱膨張量も大きくなるので,最上部のプレートとその下側のプレートとの水平方向の位置ずれも無視できないほど大きくなり,リフターピンには剪断力が発生し易くなる。 In particular, in recent years, the size of the substrate has become larger and the size of each plate of the mounting table on which the substrate is placed has also increased. The larger the size of the plate that constitutes such a mounting table, the greater the amount of thermal expansion. Therefore, the horizontal displacement between the uppermost plate and the lower plate is so large that it cannot be ignored. In this case, a shearing force is easily generated.
そこで,本発明は,このような問題に鑑みてなされたもので,その目的とするところは,複数のプレートを積層してなる電極を有する載置台に設けられるリフターピンの破損や電極の破損を防止することができる基板載置台等を提供することにある。 Therefore, the present invention has been made in view of such problems, and the object of the present invention is to prevent damage to lifter pins and electrodes provided on a mounting table having an electrode formed by laminating a plurality of plates. An object of the present invention is to provide a substrate mounting table that can be prevented.
上記課題を解決するために,本発明のある観点によれば,複数のプレートを上下に積層してなる電極を有する基板載置台であって,前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと,前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え,前記昇降ガイド体は,前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置されるとともに,前記最上部プレートに対して水平方向に移動不能に位置規制されることを特徴とする基板載置台が提供される。 In order to solve the above-described problem, according to an aspect of the present invention, there is provided a substrate mounting table having an electrode formed by stacking a plurality of plates on the top and bottom, and is disposed on the top of the plurality of plates. A lifter pin provided with a pin insertion hole penetrating the top plate so as to freely move up and down, and a lift guide body for guiding the lift of the lifter pin. The lift guide body is laminated below the top plate. The substrate mounting table is characterized in that the substrate mounting table is disposed through the through hole of the lower plate and is positioned so as to be immovable in the horizontal direction with respect to the uppermost plate.
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって,真空引可能に構成された処理室と,処理ガスを前記処理室に供給するガス供給手段と,前記処理室内の上方に配置され,前記ガス供給手段からのガスを前記載置台上の基板に向けて導入するガス導入手段と,前記処理室内の下方に配置された基板載置台とを備え,前記基板載置台は,複数のプレートを上下に積層してなる電極と,前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと,前記最上部プレートに対して水平方向に移動不能に位置規制され,前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備える基板載置台とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。 In order to solve the above problems, according to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing plasma processing on a substrate, a processing chamber configured to be evacuated, and a processing gas supplied to the processing chamber. A gas supply means for supplying the gas to the substrate, a gas introduction means for introducing the gas from the gas supply means toward the substrate on the mounting table, and a gas supply means disposed below the process chamber. A substrate mounting table, wherein the substrate mounting table moves up and down a pin insertion hole penetrating an electrode formed by stacking a plurality of plates vertically and an uppermost plate arranged at an uppermost part of the plurality of plates. A substrate mounting table comprising: a freely provided lifter pin; and a lifting guide body that is positioned so as not to move horizontally with respect to the uppermost plate and guides the lifting and lowering of the lifter pin. Plate processing apparatus is provided.
このような本発明にかかる基板載置台においては,最上部プレートの方が下側プレートよりも大きく熱膨張することによって,これらの間に水平方向の相対的な位置ずれが生じても,昇降ガイド体は水平方向に位置規制されているので,最上部プレートに追従して移動する。従って,昇降ガイド体によって昇降されるリフターピンと最上部プレートのピン挿通孔とは常に一定のクリアランスが保持させることができる。これにより,最上部プレートが下側プレートに対して位置ずれすることに起因するリフターピン折れ(破損)や電極プレートの破損を防止することができる。 In such a substrate mounting table according to the present invention, the uppermost plate is thermally expanded more than the lower plate, so that even if a horizontal relative displacement occurs between them, the lifting guide Since the body is regulated in the horizontal direction, it moves following the top plate. Accordingly, a constant clearance can always be maintained between the lifter pins that are lifted and lowered by the lifting guide body and the pin insertion holes of the uppermost plate. Thereby, it is possible to prevent lifter pin breakage (breakage) and electrode plate damage due to the displacement of the uppermost plate with respect to the lower plate.
また,上記昇降ガイド体は,例えば昇降ガイド体の上面と前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿された位置決め部材(例えば位置決めピン)により位置規制する。このような位置決め部材を用いることによって,昇降ガイド体を最上部プレートの下面に対して水平方向の位置を簡単に規制することができる。 Further, the position of the elevating guide body is regulated by a positioning member (for example, a positioning pin) inserted into a positioning hole formed in the upper surface of the elevating guide body and the lower surface of the uppermost plate, for example. By using such a positioning member, the position of the lifting guide body in the horizontal direction with respect to the lower surface of the uppermost plate can be easily regulated.
また,上記下側プレートの通し孔の内径は,前記昇降ガイド体の外径よりも大きく形成され,前記内径と前記外形との差は前記下側プレートに対する前記最上部プレートの最大ずれ量に応じて決定することが好ましい。これにより,処理条件(例えば設定温度,処理室内圧力,下部電極に印加する高周波電力)によって最上部プレートの熱膨張量が異なる場合に,どの処理条件で基板処理を実行する場合にも対応することができる。 Further, the inner diameter of the through hole of the lower plate is formed larger than the outer diameter of the elevating guide body, and the difference between the inner diameter and the outer shape depends on the maximum deviation amount of the uppermost plate with respect to the lower plate. Is preferably determined. As a result, when the amount of thermal expansion of the uppermost plate varies depending on processing conditions (for example, set temperature, pressure in the processing chamber, and high frequency power applied to the lower electrode), it is possible to cope with any processing conditions. Can do.
また,上記昇降ガイド体は,前記下側プレートに水平方向に移動可能に取付けるようにしてもよい。このように,昇降ガイド体を下側プレートの方に取付けられるようにすることで,組み立てを容易にすることができる。 The lifting guide body may be attached to the lower plate so as to be movable in the horizontal direction. Thus, assembly can be facilitated by allowing the lifting guide body to be attached to the lower plate.
また,上記最上部プレートは,例えば電極本体を構成する電極プレートであり,上記下側プレートは,例えば電極プレートの温度を調整するための温度調整用プレートである。温度調整用プレートは,通常,一定の温度に保持されるのに対して,電極プレートは最上部にあるため,プラズマや周囲温度の影響を受けやすいので,電極プレートと温度調整用プレートとの間には特に熱膨張量の差が生じ易いので,温度調整用プレートに対する電極プレートの位置ずれが生じやすい。従って,このような構成の載置台に本発明を適用する効果は大きい。 The uppermost plate is, for example, an electrode plate constituting an electrode body, and the lower plate is, for example, a temperature adjusting plate for adjusting the temperature of the electrode plate. While the temperature adjustment plate is usually maintained at a constant temperature, the electrode plate is at the top, so it is easily affected by plasma and ambient temperature, so it is between the electrode plate and the temperature adjustment plate. In particular, since a difference in thermal expansion is likely to occur, the position of the electrode plate relative to the temperature adjustment plate is likely to occur. Therefore, the effect of applying the present invention to the mounting table having such a configuration is great.
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,複数のプレートを上下に積層してなる電極を有する基板載置台であって,前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと,前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え,前記昇降ガイド体は,その上部が前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿されて固定されることにより水平方向に移動不能に位置規制されるとともに,前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置されることを特徴とする基板載置台が提供される。 In order to solve the above-described problem, according to another aspect of the present invention, there is provided a substrate mounting table having an electrode formed by stacking a plurality of plates on the top and bottom, and disposed on the top of the plurality of plates. And a lift guide body for guiding the lifting and lowering of the lifter pin, the upper portion of the lift guide body having a lower surface of the top plate. By being inserted into and fixed to the positioning hole formed in the plate, the position is restricted so that it cannot move in the horizontal direction, and is disposed through the through hole of the lower plate stacked on the lower side of the uppermost plate. A substrate mounting table is provided.
上記課題を解決するために,本発明の別の観点によれば,基板に対してプラズマ処理を行う基板処理装置であって,真空引可能に構成された処理室と,処理ガスを前記処理室に供給するガス供給手段と,前記処理室内の上方に配置され,前記ガス供給手段からのガスを前記載置台上の基板に向けて導入するガス導入手段と,前記処理室内の下方に配置された基板載置台とを備え,前記基板載置台は,複数のプレートを上下に積層してなる電極と,前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと,前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え,前記昇降ガイド体は,その上部が前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿されて固定されることにより水平方向に移動不能に位置規制されるとともに,前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置されることを特徴とする基板処理装置が提供される。 In order to solve the above problems, according to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing plasma processing on a substrate, a processing chamber configured to be evacuated, and a processing gas supplied to the processing chamber. A gas supply means for supplying the gas to the substrate, a gas introduction means for introducing the gas from the gas supply means toward the substrate on the mounting table, and a gas supply means disposed below the process chamber. A substrate mounting table, wherein the substrate mounting table moves up and down a pin insertion hole penetrating an electrode formed by stacking a plurality of plates vertically and an uppermost plate arranged at an uppermost part of the plurality of plates. A lifter pin provided freely and a lifting guide body for guiding the lifting and lowering of the lifter pin are provided, and the lifting guide body is fixed by being inserted into a positioning hole formed in the lower surface of the uppermost plate. Is While it is immovably position restriction in the horizontal direction by the substrate processing apparatus characterized by being arranged through the through-holes of the lower plate to be laminated on the lower side of the top plate is provided.
このような本発明にかかる基板載置台においては,最上部プレートの方が下側プレートよりも大きく熱膨張することによって,これらの間に水平方向の相対的な位置ずれが生じても,昇降ガイド体は最上部プレートに位置決めされるとともに固定され,水平方向に位置規制されているので,最上部プレートに追従して移動する。従って,昇降ガイド体によって昇降されるリフターピンと最上部プレートのピン挿通孔とは常に一定のクリアランスが保持させることができる。これにより,最上部プレートが下側プレートに対して位置ずれすることに起因するリフターピン折れ(破損)や電極プレートの破損を防止することができる。 In such a substrate mounting table according to the present invention, the uppermost plate is thermally expanded more than the lower plate, so that even if a horizontal relative displacement occurs between them, the lifting guide Since the body is positioned and fixed to the top plate and is horizontally regulated, it moves following the top plate. Accordingly, a constant clearance can always be maintained between the lifter pins that are lifted and lowered by the lifting guide body and the pin insertion holes of the uppermost plate. Thereby, it is possible to prevent lifter pin breakage (breakage) and electrode plate damage due to the displacement of the uppermost plate with respect to the lower plate.
また,最上部プレートの位置決め孔に昇降ガイド体の上部をはめ込んで固定するだけで,容易に昇降ガイド体を最上部プレートに位置決めできる。これにより,例えば下側プレートの方にリフターピンを取り付けるとともに,最上部プレートの方に昇降ガイド体を取り付け,昇降ガイド体内にリフターピンが挿入されるように,下側プレートの上に最上部プレートを取り付けることができるので,容易に組み立てることができる。 In addition, the lifting guide body can be easily positioned on the top plate simply by fitting the upper part of the lifting guide body into the positioning hole of the top plate and fixing it. Thus, for example, the lifter pin is attached to the lower plate, the lifting guide body is attached to the uppermost plate, and the upper plate is placed on the lower plate so that the lifter pin is inserted into the lifting guide body. Can be attached, so it can be assembled easily.
本発明によれば,複数のプレートからなる電極を有する載置台にリフターピンを配設する場合に,例えば熱膨張によって最上部プレートが下側プレートに対して位置ずれすることに起因するリフターピン折れ(破損)や電極プレートの破損を防止することができる。 According to the present invention, when a lifter pin is disposed on a mounting table having electrodes composed of a plurality of plates, the lifter pin breaks due to, for example, the uppermost plate being displaced from the lower plate due to thermal expansion. (Damage) and damage to the electrode plate can be prevented.
以下に添付図面を参照しながら,本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお,本明細書及び図面において,実質的に同一の機能構成を有する構成要素については,同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the present specification and drawings, components having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
(基板処理装置)
先ず,本発明にかかる基板載置台を適用可能な基板処理装置の実施形態について図面を参照しながら説明する。ここでは,基板処理装置として,基板載置台に載置されたFPD用基板(以下,単に「基板」とも称する)Gに対してエッチング,成膜などのプラズマ処理を施すプラズマ処理装置を例に挙げて説明する。図1は,本実施形態にかかるプラズマ処理装置の概略構成を示す縦断面図である。図2は,載置台を上方から見た図であり,図1に示す載置台の断面図は図2に示すP−P′断面図に相当する。
(Substrate processing equipment)
First, an embodiment of a substrate processing apparatus to which a substrate mounting table according to the present invention can be applied will be described with reference to the drawings. Here, as an example of the substrate processing apparatus, a plasma processing apparatus that performs plasma processing such as etching and film formation on an FPD substrate (hereinafter also simply referred to as “substrate”) G mounted on a substrate mounting table is given. I will explain. FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing a schematic configuration of the plasma processing apparatus according to the present embodiment. FIG. 2 is a view of the mounting table viewed from above, and the cross-sectional view of the mounting table shown in FIG. 1 corresponds to the cross-sectional view taken along the line P-P ′ shown in FIG.
図1に示すように,プラズマ処理装置100は,処理室(チャンバ)102を備える。処理室102は,例えば表面が陽極酸化処理(アルマイト処理)されたアルミニウムからなる略角筒形状の処理容器により構成される。処理室102はグランドに接地されている。処理室102内の底部には,下部電極として機能する載置台200が配設されている。載置台200は,矩形の基板Gを載置する基板載置台として機能する。載置台200は図2に示すように矩形形状に形成される。この載置台200の形状は基板Gの形状に応じて決定される。このような載置台200の具体的構成の詳細については後述する。
As shown in FIG. 1, the
載置台200の上方には,これと平行に対向するように,上部電極として機能するガス導入手段としてのシャワーヘッド110が対向配置されている。シャワーヘッド110は処理室102の上部に支持されており,内部にバッファ室122を有するとともに,載置台200と対向する下面には処理ガスを吐出する多数の吐出孔124が形成されている。上部電極であるシャワーヘッド110はグランドに接地されており,下部電極である載置台200とともに一対の平行平板電極を構成している。
Above the mounting table 200, a
シャワーヘッド110の上面にはガス導入口126が設けられ,ガス導入口126にはガス導入管128が接続されている。ガス導入管128には,開閉バルブ130,マスフローコントローラ(MFC)132を介して処理ガス供給源134からなるガス供給手段が接続されている。
A
処理ガス供給源134からの処理ガスは,マスフローコントローラ(MFC)132によって所定の流量に制御され,ガス導入口126を通ってシャワーヘッド110のバッファ室122に導入される。処理ガス(エッチングガス)としては,例えばCF4ガスなどのハロゲン系のガス,O2ガス,Arガスなど,通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
The processing gas from the processing
処理室102の側壁には基板搬入出口104を開閉するためのゲートバルブ106が設けられている。また,処理室102の側壁の下方には排気口が設けられ,排気口には排気管108を介して真空ポンプ(図示せず)を含む排気装置109が接続される。この排気装置109により処理室102の室内を排気することによって,プラズマ処理中に処理室102内を所定の真空雰囲気(たとえば10mTorr=約1.33Pa)に維持することができる。
A
(載置台の構成)
次に,本実施形態にかかる載置台200の具体的構成について説明する。載置台200は,複数(ここでは2つ)のプレートを上下に積層して構成される。具体的には,載置台200は,その最上部に配置される最上部プレートとしての電極プレート210と,その下側に積層される下側プレートとしての温度調整用プレート220とにより構成される。これらのうち電極プレート210は下部電極の本体を構成するプレートであり,温度調整用プレート220は電極プレート210の温度を調整するためのプレートである。これら電極プレート210と温度調整用プレート220とは密着して取り付けられている。
(Configuration of mounting table)
Next, a specific configuration of the mounting table 200 according to the present embodiment will be described. The mounting table 200 is configured by stacking a plurality of (here, two) plates vertically. Specifically, the mounting table 200 includes an
電極プレート210は,例えばセラミックや石英の絶縁部材からなるベース部材230を介して処理室102内の底部に取付けられている。また,載置台200の外枠を構成し,電極プレート210,温度調整用プレート220,ベース部材230の周りを囲むように,例えばセラミックや石英の絶縁部材からなる矩形枠状の外枠部202が配設される。
The
電極プレート210は,例えば板状のアルミニウムより構成されており,基板Gの載置面212が形成される表面はアルマイト処理されている。電極プレート210には,整合器114を介して高周波電源116の出力端子が電気的に接続されている。高周波電源116の出力周波数は,比較的高い周波数たとえば13.56MHzに選ばれる。高周波電源116からの高周波電力は電極プレート210に印加されることにより,載置台200の載置面212に載置された基板Gの上には処理ガスのプラズマが生成されて,基板G上に所定のプラズマエッチング処理が施される。
The
温度調整用プレート220は,電極プレート210と同様の部材例えば板状のアルミニウムより構成されており,その内部には温度調整用媒体が流れる流路222が形成されている。図示しない媒体供給源から所定の温度に調整された温度調整用媒体が流路222を流れることにより,電極プレート210の温度を所定の温度に調整することができる。なお,温度調整用プレート220は,上記の構成に限られるものではなく,例えば内部にヒータを設け,電極プレート210を加熱するようにしてもよい。
The
載置台200の複数箇所に載置面212に対する基板Gのロード及びアンロードをアシストするのに基板Gを押し上げるための複数のリフターピン(押し上げピン)242が設けられている。例えば図2に示すように,載置台200の載置面212の中央部に1つのリフターピン(中央部リフターピン)242が設けられるとともに,載置面212の周辺部に10個のリフターピン(周辺部リフターピン)242が各辺ごとに複数離間して設けられている。図2に示す例では,周辺部リフターピン242は,載置面212の長手方向の互いに平行な2つの辺にはそれぞれ3つずつ離間して設けられ,他の平行な2つの辺にはそれぞれ2つずつ離間して設けられている。なお,リフターピン242の数はこれに限られるものではなく,基板Gのサイズに合わせて決定することが好ましい。
A plurality of lifter pins (push-up pins) 242 for pushing up the substrate G to assist loading and unloading of the substrate G with respect to the
各リフターピン242は載置面212から同時に突没して,協働して基板Gを水平に支持するための支持レベルを提供する。例えば図示しない搬送アームによって基板Gを載置面212に対してロード及びアンロードする際には,図1に示すように基板Gは載置面212から浮いた状態で各リフターピン242に支持される。
Each
各リフターピン242は,図1に示すように電極プレート210に上下に貫通して形成されたピン挿通孔214を昇降自在に構成される。各リフターピン242の中間部には,リフターピン242の昇降を案内する昇降ガイド体300が設けられている。この昇降ガイド体300の具体的構成例は後述する。各リフターピン242の下端部は水平方向にスライド移動自在に構成された支持体243を介してスライドプレート250に支持されている。これにより,後述するようにリフターピン242が昇降ガイド体300ごと電極プレート210に追従して水平方向に移動しても,支持体243が水平方向にスライドするので,リフターピン242の昇降ガイド体300より下方も常に鉛直に保持することができる。
As shown in FIG. 1, each
スライドプレート250は,処理室102の底部の下側に各リフターピン242ごとに設けられたスライドガイド252に沿って昇降するようになっている。処理室102の底部下側には,スライドプレート250を昇降駆動させるためのモータ254が取付けられている。モータ254は,プラズマ処理装置を制御する図示しない制御部に接続されている。制御部からの指令によりモータ254を駆動してスライドプレート250を昇降させることによって,これに伴って各リフターピン242が昇降し,各リフターピン242の先端を載置面212から突没させることができる。
The
(リフターピンと昇降ガイド体の配設位置)
ところで,本実施形態の載置台200のように,電極プレート210と温度調整用プレート220を上下に積層した下部電極を有する載置台では,リフターピン242と昇降ガイド体300の配設する位置によっては,後述するようにリフターピン242の破損などの問題を招く虞があるので,本実施形態の載置台200では,そのような問題が発生しないようにリフターピン242と昇降ガイド体300を配設している。
(Location of lifter pin and lifting guide body)
By the way, in the mounting table having the lower electrode in which the
ここで,本実施形態のリフターピン242と昇降ガイド体300の配設位置について,比較例と比較しながら説明する。図3A,図3Bは,本実施形態の場合と比較するためのリフターピンと昇降ガイド体の配設例とその作用を示す図であり,図4A,図4Bは,本実施形態におけるリフターピンと昇降ガイド体の配設例とその作用を示す図である。
Here, the arrangement positions of the
図3Aは,リフターピン242を電極プレート210と温度調整用プレート220をそれぞれ貫通するピン挿通孔214,224に配置するとともに,昇降ガイド体300を下側の温度調整用プレート220に対して水平方向に移動できないように位置規制した場合である。この場合は,例えば昇降ガイド体300を温度調整用プレート220の下側に固定して水平方向に位置規制する。なお,昇降ガイド体300の上面と温度調整用プレート220の下面に位置決めピンを設けて水平方向に位置規制するようにしてもよい。
In FIG. 3A, the
もし,仮に図3Aに示すようにリフターピン242と昇降ガイド体300を配設すると,次のような問題が生じる。以下,その問題点について説明する。載置台200の温度調整用プレート220の流路222に温度調整用媒体を流通させて温度調整を行ったり,プラズマを発生させたりすると,電極プレート210と温度調整用プレート220の温度は上昇するので,これらはいずれも熱膨張する。
If the
このとき,温度調整用プレート220の流路222には所定の温度に調整された温度調整用媒体が流れているため,一定の温度に保たれる。これに対して,電極プレート210は,処理室内にその上側の表面が露出しているので,プラズマの生成に伴う影響や処理室内の温度の影響などを受けやすい。このため,電極プレート210と温度調整用プレート220とは温度差が生じて,熱膨張量に差がでる蓋然性が高い。
At this time, since the temperature adjusting medium adjusted to a predetermined temperature flows through the
例えばプラズマが生成され,電極プレート210の温度上昇が発生した場合には,電極プレート210の方が温度調整用プレート220よりも温度が高くなるので,電極プレート210の方が温度調整用プレート220よりも熱膨張量も大きくなる。
For example, when plasma is generated and the temperature rise of the
このような熱膨張量の違いにより,図3Bに示すように電極プレート210と温度調整用プレート220との接触面には水平方向に相対的な位置ずれが生じるため,電極プレート210のピン挿通孔214と温度調整用プレート220のピン挿通孔224との間に位置ずれが生じる。
Due to the difference in the amount of thermal expansion, as shown in FIG. 3B, the contact surface between the
近年では,基板のサイズも益々大型化しており,これを載置する載置台200の各プレートのサイズも大型化している。このような載置台200を構成する電極プレート210と温度調整用プレート220のサイズが大きいほど,その熱膨張量も大きくなるので,電極プレート210と温度調整用プレート220との水平方向の位置ずれも無視できないほど大きくなる。
In recent years, the size of the substrate has become larger and the size of each plate of the mounting table 200 on which the substrate is placed has also increased. As the size of the
このように,電極プレート210と温度調整用プレート220の位置ずれが大きくなるに連れて電極プレート210のピン挿通孔214とリフターピン242とのクリアランスが崩れる。そして,電極プレート210のピン挿通孔214の壁がリフターピン242に接触して,電極プレート210がリフターピン242を水平方向に押しつけるようになると,リフターピン242自体に図3Bの矢印に示すような剪断力が働く。
Thus, as the positional deviation between the
このため,図3Bに点線に示すようにリフターピン242が曲ってしまう虞がある。また,これよりもさらに位置ずれが大きくなると,リフターピン242が破損してしまう虞もある。また,リフターピン242に上述したような剪断力が働いている状態で,リフターピン242を昇降させると,リフターピン242が破損したり,電極プレート210が破損したりする虞がある。
For this reason, the
そこで,本実施形態では,図4Aに示すようにリフターピン242を電極プレート210を貫通するピン挿通孔214に配置するとともに,温度調整用プレート220に昇降ガイド体300の径よりも大きな径の通し孔226を形成し,この通し孔226に昇降ガイド体300を通して,上側の電極プレート210に対して水平方向に移動できないように位置規制する。例えば昇降ガイド体300の上面と電極プレート210の下面に位置決めピンを設けて水平方向に位置規制する。また昇降ガイド体300を電極プレート210の下側に固定して水平方向に位置規制してもよい。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 4A, the
これにより,たとえ電極プレート210と温度調整用プレート220との接触面に水平方向の相対的な位置ずれが生じても,図4Bに示すように,昇降ガイド体300が電極プレート210とともに移動するので,電極プレート210のピン挿通孔214とリフターピン242とのクリアランスは保持される。このため,リフターピン242が傾くことはなく,またリフターピン242に剪断力が働くこともないので,リフターピン242を昇降させても,リフターピン242が破損したり,電極プレート210が破損したりすることはない。
As a result, even when the horizontal displacement of the contact surface between the
(昇降ガイド体の具体的構成例)
次に,このような本実施形態にかかる昇降ガイド体300の具体的な構成を図面を参照しながら説明する。図5は,本実施形態における昇降ガイド体の構成例を示す断面図である。ここでは,昇降ガイド体300を温度調整用プレート220に対して水平方向に移動可能に取付けるとともに,電極プレート210に対しては水平方向に移動不能に位置規制した場合の具体例を挙げて説明する。
(Specific configuration example of lifting guide body)
Next, a specific configuration of the lifting
先ず,昇降ガイド体300の内部構成について説明する。図5に示すように昇降ガイド体300は略円筒状のガイド本体302を備え,その内部にリフターピン242が挿設される。図5に示すリフターピン242は,先端に配置されるピン本体244と,このピン本体244の下端部を支持する支持棒246とを有する。ピン本体244の先端は,基板Gの裏側に接触することから,例えば球面状に成形される。支持棒246は,ピン本体244よりも径が若干大きく形成されており,その下端には拡径された基部248が設けられている。さらに基部248の下端には,補助棒249が設けられている。
First, the internal configuration of the lifting
ガイド本体302内には,上記ピン本体244と支持棒246とが上下に挿通可能な挿通孔312が形成されている。この挿通孔312の上部のピン孔314は電極プレート210のピン挿通孔214と同じ径(又は若干大きな径)に構成されており,挿通孔312の下部の芯出し孔316は上部のピン挿通孔214よりさらに拡径されている。具体的には挿通孔312の上部のピン孔314はピン本体244が遊嵌可能な径で構成され,挿通孔312の下部の芯出し孔316は支持棒246が遊嵌可能な径で構成される。
In the guide
芯出し孔316には,支持棒246に嵌挿された芯出し用リフタブッシュ320が配設されている。この芯出し用リフタブッシュ320は,電極プレート210のピン挿通孔214の中心にリフターピン242の中心を合わせるためのものである。
In the centering
ところで,リフターピン242の下方(昇降ガイド体300の下方)は,通常,大気圧雰囲気(常圧雰囲気)に晒されており,これに対してリフターピン242の上方(電極プレート210の上方)の処理室102は真空圧雰囲気になることから,これらの間の連通を断つ必要がある。このため,ガイド本体302の下端と,支持棒246の基部248との間には,支持棒246を包囲するように,例えば金属製の伸縮可能なベローズ322が配設される。具体的には,ベローズ322の底部は支持棒246の基部248に固定されている一方,ベローズ322の頂部にはフランジ324が配設される。フランジ324はガイド本体302の下端に取付けられている。
By the way, the lower part of the lifter pin 242 (below the elevating guide body 300) is usually exposed to an atmospheric pressure atmosphere (normal pressure atmosphere), on the other hand, above the lifter pin 242 (above the electrode plate 210). Since the
このような昇降ガイド体300内の構成により,リフターピン242は昇降ガイド体300内の芯出し用リフタブッシュ320によって電極プレート210のピン挿通孔214の中心を通るように昇降させることができる。
With such a configuration in the elevating
次に,昇降ガイド体300の配設例について説明する。昇降ガイド体300は,その上面が電極プレート210の下面に密着するように,温度調整用プレート220の通し孔226に遊嵌された状態で温度調整用プレート220の上面に取付けられる。
Next, an arrangement example of the lifting
具体的には,昇降ガイド体300の上部にはフランジ部330が形成されており,温度調整用プレート220の上側表面に開口する通し孔226の上部はフランジ部330が遊嵌可能な程度に拡径されている。この拡径されたフランジ挿入孔228にフランジ部330が挿入されて,温度調整用プレート220のフランジ挿入孔228が形成される表面にボルト340で取付けられている。
Specifically, a
このボルト340は,フランジ部330に形成されたボルト孔332の底面に,滑り易く表面加工がされているワッシャ342を介して取り付けてもよい。これにより,フランジ部330がボルト340で温度調整用プレート220に固定されていても,ボルト340とフランジ部330との間に介在するワッシャ342の表面が滑り易くなっているので,昇降ガイド体300は温度調整用プレート220に対して水平方向に移動可能となる。
The
また,昇降ガイド体300の上面は,昇降ガイド体300のピン孔314の中心が電極プレート210のピン挿通孔214の中心に合うように,水平方向に移動不能に位置規制されている。具体的には,昇降ガイド体300の上面と電極プレート210の下面に形成された位置決め孔352に挿入された位置決め部材の一例としての位置決めピン350により,水平方向に移動不能に位置規制されている。
Further, the position of the upper surface of the lifting
このような位置決め部材を用いることによって,昇降ガイド体300を電極プレート210の下面に対して水平方向の位置を簡単に規制することができる。なお,位置決めピン350は,ピン孔314の周りに複数(ここでは2つ)設けることが好ましい。
By using such a positioning member, the position of the elevating
位置決め孔352の径は,位置決めピン350がはめ込みで固定されるようになっており,位置決め孔352は位置決めピン350の長さよりも若干深くなるように形成されている。これにより,位置決めピン350は水平方向には移動不能になるとともに,位置決めピン350の長手方向に空間ができるため,位置決めピン350が熱膨張しても位置決め孔352に内部応力が発生しないようにすることができる。
The diameter of the
なお,昇降ガイド体300やその近傍には,大気圧雰囲気と真空圧雰囲気との気密性を保持したり,プラズマの侵入を防止したりするため,複数の気密保持部材例えばOリングが取付けられる。
A plurality of hermetic holding members such as O-rings are attached to the lifting
具体的には例えば昇降ガイド体300のピン孔314には,ピン本体244との間にOリング362が介在している。また,昇降ガイド体300の上面には,電極プレート210の下面との間に,ピン孔314を囲むようにOリング364が介在している。これらOリング362,364は,主にピン挿通孔214からのプラズマの侵入を防ぐために設けられている。
Specifically, for example, an O-
また,昇降ガイド体300の上面には,電極プレート210の下面との間に,位置決めピン350よりも外側を囲むようにOリング366が介在している。温度調整用プレート220の上面には,電極プレート210の下面との間に,昇降ガイド体300のフランジ部330の周りを囲むようにOリング368が介在している。これらOリング366,368は,主にリフターピン242の下方(昇降ガイド体300の下方)の大気圧雰囲気(常圧雰囲気)と,リフターピン242の上方(電極プレート210の上方)の処理室102との間の気密性を保持するために設けられている。
In addition, an O-
このような構成の昇降ガイド体300においては,上述したように電極プレート210の方が温度調整用プレート220よりも大きく熱膨張することによって,これらの接触面に水平方向の相対的な位置ずれが生じても,昇降ガイド体300は位置決めピン350によって水平方向に位置規制されているので,電極プレート210に追従して移動する。従って,電極プレート210のピン挿通孔214と昇降ガイド体300のピン孔314とは位置ずれしないため,この状態でリフターピン242を昇降させても,リフターピン242が破損したり,電極プレート210が破損したりすることはない。このように,本実施形態にかかる載置台200によれば,電極プレート210が温度調整用プレート220に対して位置ずれすることに起因するリフターピン242や電極プレート210の破損を防止することができる。
In the elevating
なお,昇降ガイド体300が挿通される通し孔226の大きさは,電極プレート210と温度調整用プレート220とが水平方向に相対的な位置ずれする場合に想定される最大の位置ずれ量に応じて決定することが好ましい。例えば温度調整用プレート220に対する電極プレート210の最大位置ずれ量をLとすれば,昇降ガイド体300の外径よりも通し孔226の内径の方が少なくとも2L以上大きくなるようにすればよい。これにより,例えば処理条件(例えば設定温度,処理室内圧力,下部電極に印加する高周波電力)によって電極プレート210の熱膨張量が異なる場合に,どの処理条件で基板処理を実行する場合にも対応することができる。
The size of the through
図5に示す昇降ガイド体300は,温度調整用プレート220の方に取付けるので,例えば温度調整用プレート220に昇降ガイド体300を取り付けてから,その上に電極プレート210を取り付けることができるので,組み立てを容易にすることができる。
Since the elevating
なお,図5における昇降ガイド体300は,温度調整用プレート220の方に取付けるようにしているが,例えば図6に示すように昇降ガイド体300を電極プレート210の方にボルト344などで固定するようにしてもよい。この場合,電極プレート210の下面に位置決めピンを設ける代わりに,電極プレート210の下面に位置決め孔としてのザグリ216を設け,このザグリ216にフランジ部330の上部を嵌挿するようにしてもよい。これにより,昇降ガイド体300は電極プレート210の下面に位置決めされ,水平方向に位置規制される。
The elevating
また,昇降ガイド体300は,図6に示すようにフランジ部330とガイド本体302とを別体にしてこれらをボルトなどで連結して構成してもよく,一体で構成してもよい。
Further, as shown in FIG. 6, the elevating
また,ベローズ322は,そのフランジ324を,昇降ガイド体300に取り付ける代わりに,温度調整用プレート220の下に設けた取付部材304に取り付けるようにしてもよい。この取付部材304は,温度調整用プレート220から下方に突出したガイド本体302を隙間をあけて覆う形状(例えばカップ状)に形成し,通し孔226の下側の開口を囲うように設けられる。そして,取付部材304の下面に形成された貫通孔からリフターピン242の支持棒246が貫通するように温度調整用プレート220に取り付ける。ベローズ322のフランジ324は,取付部材304の下面に形成された貫通孔を囲むように取り付けられる。
Further, the
なお,温度調整用プレート220と取付部材304との間にはシール用のOリング306を設けることが好ましい。また,芯出し用リフタブッシュ320は,図6に示すように離間して複数(例えば2つ)設けるようにしてもよい。これにより,リフターピン242の芯出し精度をより向上させることができる。
A sealing O-
このような構成の昇降ガイド体300においては,上述したように電極プレート210の方が温度調整用プレート220よりも大きく熱膨張することによって,これらの接触面に水平方向の相対的な位置ずれが生じても,昇降ガイド体300は電極プレート210に固定されているとともに,ザグリ216によって水平方向に位置規制されているので,電極プレート210に追従して移動する。従って,電極プレート210のピン挿通孔214と昇降ガイド体300のピン孔314とは位置ずれしないため,この状態でリフターピン242を昇降させても,リフターピン242が破損したり,電極プレート210が破損したりすることはない。
In the elevating
また,電極プレート210のザグリ216にフランジ部330の上部をはめ込んでボルト344で固定するだけで,容易に昇降ガイド体300を電極プレート210に位置決めできる。これにより,電極プレート210の方に昇降ガイド体300を取り付けるとともに,温度調整用プレート220の方にリフターピン242をベローズ322を介して取り付けて,昇降ガイド体300内にリフターピン242が挿入されるように,温度調整プレート220の上に電極プレート210を取り付けることができるので,容易に組み立てることができる。
Further, the elevating
ところで,上述したような載置台200に設けられる複数のリフターピン242のうち,すべてのリフターピン242について図4A,図5,図6に示すような構成にしてもよく,また熱膨張によって温度調整用プレート220に対する電極プレート210の位置ずれ量が大きくなる蓋然性が高い位置に配置されているリフターピン242についてのみ,図4A,図5,図6に示すような構成にしてもよい。
By the way, among the plurality of lifter pins 242 provided on the mounting table 200 as described above, all the lifter pins 242 may be configured as shown in FIGS. 4A, 5 and 6, and the temperature is adjusted by thermal expansion. Only the
例えば図2に示すように配置される複数のリフターピン242のうち,載置台200の載置面212の中央部に配置されるリフターピン242については,熱膨張による電極プレート210の位置ずれがほとんど発生しないのに対して,中央部から離れるほど電極プレート210の位置ずれが大きくなる傾向がある。これは電極プレート210の熱膨張がその中央部から周辺部へ向けて放射状に膨張するからである。
For example, among the plurality of lifter pins 242 arranged as shown in FIG. 2, the
従って,電極プレート210の位置ずれが大きくなる載置面212の周辺部に配置される周辺部リフターピン242だけを図4A,図5,図6に示すような構成にするようにしてもよい。この場合,載置面212の中央部に配置される中央部リフターピン242は例えば図3Aに示すような構成にしてもよい。
Therefore, only the peripheral lifter pins 242 arranged in the peripheral part of the mounting
以上,添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが,本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば,特許請求の範囲に記載された範疇内において,各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり,それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。 As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described referring an accompanying drawing, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to the example which concerns. It will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made within the scope of the claims, and these are naturally within the technical scope of the present invention. Understood.
本発明は,液晶ディスプレイ用基板などの基板を載置する載置台及び基板処理装置に適用可能である。 The present invention is applicable to a mounting table and a substrate processing apparatus for mounting a substrate such as a liquid crystal display substrate.
100 プラズマ処理装置
102 処理室
104 基板搬入出口
106 ゲートバルブ
108 排気管
109 排気装置
110 シャワーヘッド
114 整合器
116 高周波電源
122 バッファ室
124 吐出孔
126 ガス導入口
128 ガス導入管
130 開閉バルブ
132 マスフローコントローラ(MFC)
134 処理ガス供給源
200 載置台
202 外枠部
210 電極プレート
212 載置面
214,224 ピン挿通孔
216 ザグリ
220 温度調整用プレート
222 流路
226 通し孔
228 フランジ挿入孔
230 ベース部材
242 リフターピン(中央部リフターピン,周辺部リフターピン)
243 支持体
244 ピン本体
246 支持棒
248 基部
250 スライドプレート
252 スライドガイド
254 モータ
300 昇降ガイド体
302 ガイド本体
304 取付部材
306 Oリング
312 挿通孔
314 ピン孔
316 芯出し孔
320 芯出し用リフタブッシュ
322 ベローズ
324 フランジ
330 フランジ部
332 ボルト孔
340 ボルト
342 ワッシャ
344 ボルト
350 位置決めピン
352 位置決め孔
362,364 Oリング
366,368 Oリング
369 Oリング
G 基板
DESCRIPTION OF
134 Processing
243
Claims (8)
前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと,
前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え,
前記昇降ガイド体は,前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置されるとともに,前記最上部プレートに対して水平方向に移動不能に位置規制されることを特徴とする基板載置台。 A substrate mounting table having electrodes formed by laminating a plurality of plates vertically,
A lifter pin provided so as to be movable up and down through a pin insertion hole penetrating the uppermost plate disposed at the uppermost portion of the plurality of plates;
A lifting guide body for guiding the lifting and lowering of the lifter pin,
The elevating guide body is disposed through a through hole of a lower plate stacked on the lower side of the uppermost plate, and is positioned so as to be immovable in a horizontal direction with respect to the uppermost plate. Substrate mounting table.
真空引可能に構成された処理室と,
処理ガスを前記処理室に供給するガス供給手段と,
前記処理室内の上方に配置され,前記ガス供給手段からのガスを前記載置台上の基板に向けて導入するガス導入手段と,
前記処理室内の下方に配置された基板載置台とを備え,
前記基板載置台は,複数のプレートを上下に積層してなる電極と,前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと,前記最上部プレートに対して水平方向に移動不能に位置規制され,前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備える基板載置台とを備えることを特徴とする基板処理装置。 A substrate processing apparatus for performing plasma processing on a substrate,
A processing chamber configured to be evacuated;
Gas supply means for supplying a processing gas to the processing chamber;
A gas introduction means disposed above the processing chamber and introducing the gas from the gas supply means toward the substrate on the mounting table;
A substrate mounting table disposed below the processing chamber,
The substrate mounting table includes: an electrode formed by stacking a plurality of plates vertically; a lifter pin provided with a pin insertion hole penetrating through the uppermost plate disposed at the uppermost part of the plurality of plates; A substrate processing apparatus comprising: a substrate mounting table including a lifting guide body that is positioned so as to be immovable in a horizontal direction with respect to the uppermost plate and guides the lifting and lowering of the lifter pins.
前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと,
前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え,
前記昇降ガイド体は,その上部が前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿されて固定されることにより水平方向に移動不能に位置規制されるとともに,前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置されることを特徴とする基板載置台。 A substrate mounting table having electrodes formed by laminating a plurality of plates vertically,
A lifter pin provided so as to be movable up and down through a pin insertion hole penetrating the uppermost plate disposed at the uppermost portion of the plurality of plates;
A lifting guide body for guiding the lifting and lowering of the lifter pin,
The elevating guide body is positioned so as to be immovable in the horizontal direction by being inserted into and fixed to a positioning hole formed in the lower surface of the uppermost plate, and the lower side of the uppermost plate. A substrate mounting table, wherein the substrate mounting table is disposed through a through hole of a lower plate stacked on the substrate.
真空引可能に構成された処理室と,
処理ガスを前記処理室に供給するガス供給手段と,
前記処理室内の上方に配置され,前記ガス供給手段からのガスを前記載置台上の基板に向けて導入するガス導入手段と,
前記処理室内の下方に配置された基板載置台とを備え,
前記基板載置台は,複数のプレートを上下に積層してなる電極と,前記複数のプレートのうちの最上部に配置される最上部プレートを貫通するピン挿通孔を昇降自在に設けられたリフターピンと,前記リフターピンの昇降を案内する昇降ガイド体とを備え,
前記昇降ガイド体は,その上部が前記最上部プレートの下面に形成された位置決め孔に嵌挿されて固定されることにより水平方向に移動不能に位置規制されるとともに,前記最上部プレートの下側に積層される下側プレートの通し孔を通して配置されることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for performing plasma processing on a substrate,
A processing chamber configured to be evacuated;
Gas supply means for supplying a processing gas to the processing chamber;
A gas introduction means disposed above the processing chamber and introducing the gas from the gas supply means toward the substrate on the mounting table;
A substrate mounting table disposed below the processing chamber,
The substrate mounting table includes: an electrode formed by stacking a plurality of plates vertically; a lifter pin provided with a pin insertion hole penetrating through the uppermost plate disposed at the uppermost part of the plurality of plates; A lifting guide body for guiding the lifting and lowering of the lifter pin,
The elevating guide body is positioned so as to be immovable in the horizontal direction by being inserted into and fixed to a positioning hole formed in the lower surface of the uppermost plate, and the lower side of the uppermost plate. A substrate processing apparatus, wherein the substrate processing apparatus is disposed through a through hole of a lower plate laminated on the substrate.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008004581A JP4951536B2 (en) | 2007-03-27 | 2008-01-11 | Substrate mounting table and substrate processing apparatus |
KR1020080028026A KR100978962B1 (en) | 2007-03-27 | 2008-03-26 | Substrate stage and substrate processing apparatus |
TW097110775A TWI437659B (en) | 2007-03-27 | 2008-03-26 | A substrate stage and a substrate processing device |
CN2008100885368A CN101276777B (en) | 2007-03-27 | 2008-03-27 | Substrate mounting stage and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007080563 | 2007-03-27 | ||
JP2007080563 | 2007-03-27 | ||
JP2008004581A JP4951536B2 (en) | 2007-03-27 | 2008-01-11 | Substrate mounting table and substrate processing apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008270721A true JP2008270721A (en) | 2008-11-06 |
JP4951536B2 JP4951536B2 (en) | 2012-06-13 |
Family
ID=39996007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008004581A Active JP4951536B2 (en) | 2007-03-27 | 2008-01-11 | Substrate mounting table and substrate processing apparatus |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4951536B2 (en) |
KR (1) | KR100978962B1 (en) |
CN (1) | CN101276777B (en) |
TW (1) | TWI437659B (en) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011525717A (en) * | 2008-06-24 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Large foot lift pin |
KR20110119678A (en) * | 2009-01-29 | 2011-11-02 | 램 리써치 코포레이션 | Pin lifting system |
JP2015515760A (en) * | 2012-04-26 | 2015-05-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Method and apparatus for preventing erosion of ESC adhesives |
CN106582915A (en) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 合肥优亿科机电科技有限公司 | Automatic electrode probing device of super clean bench |
KR101748252B1 (en) * | 2015-06-10 | 2017-06-19 | 에이피티씨 주식회사 | An apparatus for manufacturing a semiconductor having a liftpin and a method of assembling the same |
WO2017126534A1 (en) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device |
JP6420937B1 (en) * | 2017-05-25 | 2018-11-07 | 日本碍子株式会社 | Wafer susceptor |
KR20190098919A (en) * | 2018-02-15 | 2019-08-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma processing apparatus |
JP2019145770A (en) * | 2018-02-15 | 2019-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing apparatus |
CN110289242A (en) * | 2018-03-19 | 2019-09-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Base adjusting device, chamber and semiconductor processing equipment |
WO2019185124A1 (en) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Vat Holding Ag | Pin lifting device having a coupling for receiving and releasing a support pin |
CN110610895A (en) * | 2019-09-29 | 2019-12-24 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | Spring thimble mechanism for platform and vacuum plasma processing cavity |
JP2020136474A (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-31 | 日本特殊陶業株式会社 | Substrate holding member and substrate holding mechanism |
JP2020155458A (en) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate lift mechanism, substrate supporter, and substrate processing device |
WO2021099403A1 (en) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | Vat Holding Ag | Method for monitoring, determining the position of, and positioning a pin-lifting system |
KR20210082217A (en) * | 2018-11-30 | 2021-07-02 | 교세라 가부시키가이샤 | sample holder |
CN113261078A (en) * | 2019-01-07 | 2021-08-13 | 株式会社爱发科 | Vacuum processing apparatus and method for cleaning vacuum processing apparatus |
JP2022501811A (en) * | 2018-09-17 | 2022-01-06 | バット ホールディング アーゲー | Pin lift device |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101591771B (en) * | 2008-05-30 | 2011-03-16 | 财团法人工业技术研究院 | Device for positioning and supporting base of vacuum equipment |
KR101594928B1 (en) * | 2014-03-06 | 2016-02-17 | 피에스케이 주식회사 | Apparatus and method for treating a substrate |
CN107851600A (en) * | 2015-07-29 | 2018-03-27 | 堺显示器制品株式会社 | Fulcrum post and film formation device |
CN106582914A (en) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 合肥优亿科机电科技有限公司 | Electrode probing device for super clean bench |
JP6863784B2 (en) * | 2017-03-16 | 2021-04-21 | 株式会社Screenホールディングス | Board processing equipment |
JP6615153B2 (en) * | 2017-06-16 | 2019-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate mounting mechanism, and substrate processing method |
JP2019052914A (en) * | 2017-09-14 | 2019-04-04 | 日本電産サンキョー株式会社 | Inspection device |
CN113035682B (en) * | 2019-12-25 | 2023-03-31 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | Lower electrode assembly and plasma processing device thereof |
KR102372101B1 (en) * | 2021-06-08 | 2022-03-10 | 주식회사 기가레인 | Lift drive assembly |
CN113421812B (en) * | 2021-06-23 | 2024-03-26 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Semiconductor process equipment and bearing device thereof |
KR102396865B1 (en) * | 2021-12-08 | 2022-05-12 | 주식회사 미코세라믹스 | Electro static chuck |
CN115418625B (en) * | 2022-08-02 | 2023-09-29 | 拓荆科技股份有限公司 | Wafer tray, vapor deposition equipment and film preparation method |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03130205U (en) * | 1990-04-13 | 1991-12-27 | ||
JPH05121529A (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nikon Corp | Electrostatic attraction apparatus |
JPH06224287A (en) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Manufacture of electrostatic chuck |
JPH10102259A (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Substrate knock-up mechanism |
JP2001185606A (en) * | 1999-10-13 | 2001-07-06 | Tokyo Electron Ltd | Installation stand device for semiconductor processing, plasma processor and vacuum processor |
JP2002313700A (en) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Canon Inc | Heating device and cooling device |
JP2004214312A (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Ulvac Japan Ltd | Substrate processing apparatus |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59191229U (en) * | 1983-06-06 | 1984-12-19 | 豊興工業株式会社 | positioning device |
US5783492A (en) * | 1994-03-04 | 1998-07-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method, plasma processing apparatus, and plasma generating apparatus |
KR100694780B1 (en) * | 2005-08-16 | 2007-03-14 | 주식회사 제우스 | Lift pin unit used in oven chamber for LCD glass substrate |
-
2008
- 2008-01-11 JP JP2008004581A patent/JP4951536B2/en active Active
- 2008-03-26 TW TW097110775A patent/TWI437659B/en active
- 2008-03-26 KR KR1020080028026A patent/KR100978962B1/en active IP Right Grant
- 2008-03-27 CN CN2008100885368A patent/CN101276777B/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03130205U (en) * | 1990-04-13 | 1991-12-27 | ||
JPH05121529A (en) * | 1991-10-25 | 1993-05-18 | Nikon Corp | Electrostatic attraction apparatus |
JPH06224287A (en) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Manufacture of electrostatic chuck |
JPH10102259A (en) * | 1996-09-30 | 1998-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Substrate knock-up mechanism |
JP2001185606A (en) * | 1999-10-13 | 2001-07-06 | Tokyo Electron Ltd | Installation stand device for semiconductor processing, plasma processor and vacuum processor |
JP2002313700A (en) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Canon Inc | Heating device and cooling device |
JP2004214312A (en) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Ulvac Japan Ltd | Substrate processing apparatus |
Cited By (40)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011525717A (en) * | 2008-06-24 | 2011-09-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Large foot lift pin |
KR20110119678A (en) * | 2009-01-29 | 2011-11-02 | 램 리써치 코포레이션 | Pin lifting system |
JP2012516563A (en) * | 2009-01-29 | 2012-07-19 | ラム リサーチ コーポレーション | Pin lifting system |
US9011602B2 (en) | 2009-01-29 | 2015-04-21 | Lam Research Corporation | Pin lifting system |
KR101670106B1 (en) * | 2009-01-29 | 2016-10-27 | 램 리써치 코포레이션 | Pin lifting system |
JP2015515760A (en) * | 2012-04-26 | 2015-05-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | Method and apparatus for preventing erosion of ESC adhesives |
KR101748252B1 (en) * | 2015-06-10 | 2017-06-19 | 에이피티씨 주식회사 | An apparatus for manufacturing a semiconductor having a liftpin and a method of assembling the same |
US10923381B2 (en) | 2016-01-19 | 2021-02-16 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
CN108475658B (en) * | 2016-01-19 | 2023-12-22 | 住友大阪水泥股份有限公司 | Electrostatic chuck device |
CN108475658A (en) * | 2016-01-19 | 2018-08-31 | 住友大阪水泥股份有限公司 | Electrostatic chuck apparatus |
JPWO2017126534A1 (en) * | 2016-01-19 | 2018-09-20 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device |
WO2017126534A1 (en) * | 2016-01-19 | 2017-07-27 | 住友大阪セメント株式会社 | Electrostatic chuck device |
CN106582915A (en) * | 2016-12-31 | 2017-04-26 | 合肥优亿科机电科技有限公司 | Automatic electrode probing device of super clean bench |
JP6420937B1 (en) * | 2017-05-25 | 2018-11-07 | 日本碍子株式会社 | Wafer susceptor |
US11121010B2 (en) * | 2018-02-15 | 2021-09-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
KR20190098919A (en) * | 2018-02-15 | 2019-08-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma processing apparatus |
KR102640515B1 (en) * | 2018-02-15 | 2024-02-23 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | Plasma processing apparatus |
US11756808B2 (en) * | 2018-02-15 | 2023-09-12 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP7122212B2 (en) | 2018-02-15 | 2022-08-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing equipment |
JP2019145770A (en) * | 2018-02-15 | 2019-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | Plasma processing apparatus |
US20210358779A1 (en) * | 2018-02-15 | 2021-11-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
CN110289242A (en) * | 2018-03-19 | 2019-09-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Base adjusting device, chamber and semiconductor processing equipment |
CN110289242B (en) * | 2018-03-19 | 2021-08-13 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | Base adjusting device, chamber and semiconductor processing equipment |
CN111971785A (en) * | 2018-03-27 | 2020-11-20 | Vat控股公司 | Pin lifting device with coupling means for receiving and releasing a supporting pin |
JP2021519515A (en) * | 2018-03-27 | 2021-08-10 | バット ホールディング アーゲー | Pin lifting device with a connection for receiving and releasing support pins |
US11784086B2 (en) | 2018-03-27 | 2023-10-10 | Vat Holding Ag | Pin lifting device with coupling for receiving and releasing a supporting pin |
WO2019185124A1 (en) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Vat Holding Ag | Pin lifting device having a coupling for receiving and releasing a support pin |
JP7174770B2 (en) | 2018-03-27 | 2022-11-17 | バット ホールディング アーゲー | A pin lifting device having connections for receiving and releasing support pins |
JP2022501811A (en) * | 2018-09-17 | 2022-01-06 | バット ホールディング アーゲー | Pin lift device |
JP7368460B2 (en) | 2018-09-17 | 2023-10-24 | バット ホールディング アーゲー | pin lift device |
KR20210082217A (en) * | 2018-11-30 | 2021-07-02 | 교세라 가부시키가이샤 | sample holder |
KR102564196B1 (en) | 2018-11-30 | 2023-08-07 | 교세라 가부시키가이샤 | sample holder |
CN113261078A (en) * | 2019-01-07 | 2021-08-13 | 株式会社爱发科 | Vacuum processing apparatus and method for cleaning vacuum processing apparatus |
US11901162B2 (en) | 2019-01-07 | 2024-02-13 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus and method of cleaning vacuum processing apparatus |
JP2020136474A (en) * | 2019-02-19 | 2020-08-31 | 日本特殊陶業株式会社 | Substrate holding member and substrate holding mechanism |
JP7445386B2 (en) | 2019-02-19 | 2024-03-07 | 日本特殊陶業株式会社 | Substrate holding member and substrate holding mechanism |
JP7198694B2 (en) | 2019-03-18 | 2023-01-04 | 東京エレクトロン株式会社 | SUBSTRATE LIFT MECHANISM, SUBSTRATE SUPPORTER, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS |
JP2020155458A (en) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate lift mechanism, substrate supporter, and substrate processing device |
CN110610895A (en) * | 2019-09-29 | 2019-12-24 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | Spring thimble mechanism for platform and vacuum plasma processing cavity |
WO2021099403A1 (en) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | Vat Holding Ag | Method for monitoring, determining the position of, and positioning a pin-lifting system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101276777A (en) | 2008-10-01 |
KR20080087746A (en) | 2008-10-01 |
TWI437659B (en) | 2014-05-11 |
JP4951536B2 (en) | 2012-06-13 |
TW200904732A (en) | 2009-02-01 |
CN101276777B (en) | 2010-08-11 |
KR100978962B1 (en) | 2010-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4951536B2 (en) | Substrate mounting table and substrate processing apparatus | |
KR102002216B1 (en) | Substrate lifting mechanism, substrate mounting table, and substrate processing apparatus | |
JP4597894B2 (en) | Substrate mounting table and substrate processing apparatus | |
KR102434559B1 (en) | Mounting table and plasma processing apparatus | |
KR101088289B1 (en) | Loading table, processing apparatus and processing system | |
KR101035249B1 (en) | Substrate mounting table and substrate processing apparatus | |
JP5219377B2 (en) | Substrate mounting table and substrate processing apparatus | |
KR20190100457A (en) | Semiconductor manufacturing device and processing method | |
JP2015167159A (en) | Board mounting device and board treatment device | |
CN111710641B (en) | Substrate lifting mechanism, substrate supporter and substrate processing apparatus | |
US20150086302A1 (en) | Substrate processing apparatus and maintenance method thereof | |
KR20160035982A (en) | Gate valve and substrate processing system | |
KR20090031038A (en) | Lift pin module and device for manufacturing flat display device using the same | |
KR101235623B1 (en) | Lift Pin Assembly and Plasma Processingg Apparatus | |
KR101256485B1 (en) | Processing chamber for substrate processing apparatus | |
KR102622055B1 (en) | Apparatus and method of attaching pad on edge ring | |
TW202029263A (en) | Static electric chuck and plasma treatment device thereof capable of preventing chuck from generating arc under high radio frequency power | |
CN117672794A (en) | Plasma edge etching equipment and cavity switching method | |
JP2023137547A (en) | Substrate mounting table, substrate processing device, and substrate processing method | |
CN117136430A (en) | Shared substrate and shadow ring lifting device | |
KR100710597B1 (en) | Plasma processing apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101201 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110407 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111101 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120306 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120312 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150316 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4951536 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |