JP2020155458A - Substrate lift mechanism, substrate supporter, and substrate processing device - Google Patents
Substrate lift mechanism, substrate supporter, and substrate processing device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020155458A JP2020155458A JP2019049875A JP2019049875A JP2020155458A JP 2020155458 A JP2020155458 A JP 2020155458A JP 2019049875 A JP2019049875 A JP 2019049875A JP 2019049875 A JP2019049875 A JP 2019049875A JP 2020155458 A JP2020155458 A JP 2020155458A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bellows
- substrate
- lifter pin
- pin
- lift mechanism
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本開示の例示的実施形態は、基板リフト機構、基板支持器、及び基板処理装置に関するものである。 An exemplary embodiment of the present disclosure relates to a substrate lift mechanism, a substrate support, and a substrate processing apparatus.
電子デバイス(例えばフラットパネルディスプレイ)の製造においては基板処理装置が用いられている。基板処理装置の一種は、特許文献1に記載されている。特許文献1に記載された基板処理装置は、チャンバ及び基板載置機構を備えている。 Substrate processing devices are used in the manufacture of electronic devices (eg, flat panel displays). A type of substrate processing apparatus is described in Patent Document 1. The substrate processing apparatus described in Patent Document 1 includes a chamber and a substrate mounting mechanism.
基板載置機構は、サセプタ、リフタピン、及び駆動部を含んでいる。サセプタは、チャンバ内に設けられており、その載置面上に載置される基板を支持するように構成されている。リフタピンは、その先端において基板を支持するように構成されている。リフタピンは、チャンバの内側から外側まで伸びており、チャンバの外側で駆動部に接続されている。駆動部は、リフタピンを昇降させて、リフタピンの先端を載置面に対して上方の位置と載置面の下方の位置との間で移動させる。リフタピンは、チャンバの貫通孔を通って延在しており、チャンバの外側にフランジを提供している。チャンバの内部空間の気密を確保するために、ベローズが、リフタピンを囲むようにフランジとチャンバとの間に設けられている。 The board mounting mechanism includes a susceptor, a lifter pin, and a drive unit. The susceptor is provided in the chamber and is configured to support the substrate mounted on the mounting surface thereof. The lifter pin is configured to support the substrate at its tip. The lifter pin extends from the inside to the outside of the chamber and is connected to the drive on the outside of the chamber. The drive unit raises and lowers the lifter pin to move the tip of the lifter pin between a position above the mounting surface and a position below the mounting surface. The lifter pin extends through the through hole of the chamber and provides a flange on the outside of the chamber. In order to ensure the airtightness of the internal space of the chamber, a bellows is provided between the flange and the chamber so as to surround the lifter pin.
リフタピンの水平移動を許容し、且つ、リフタピンの周りの空間を封止する複数のベローズの全長を短くすることが求められている。 It is required to allow horizontal movement of the lifter pin and shorten the total length of a plurality of bellows that seal the space around the lifter pin.
一つの例示的実施形態において、基板処理装置のチャンバ内に設けられたステージの上面に対して基板を昇降させるための基板リフト機構が提供される。基板リフト機構は、リフタピン、駆動機構、複数のベローズ、及び規制機構を備える。リフタピンは、その先端で基板を支持するように構成されている。駆動機構は、リフタピンの水平移動を許容するようにリフタピンを支持し、リフタピンを昇降させるように構成されている。複数のベローズは、リフタピンの周りの空間を封止するためにリフタピンを囲むように垂直方向に沿って配列されている。複数のベローズは、第1のベローズ及び第2のベローズを含む。第1のベローズは、複数のベローズのうち最も上に設けられている。第1のベローズは、上端及び下端を有する。第1のベローズの上端は固定端である。第1のベローズの下端は、リフタピンと共に水平移動可能である。第2のベローズは、第1のベローズの下方に設けられている。第2のベローズは、リフタピンの昇降に連動して垂直方向に伸縮可能である。規制機構は、第1のベローズの垂直方向における伸縮を規制するように構成されている。 In one exemplary embodiment, a substrate lift mechanism for raising and lowering a substrate with respect to an upper surface of a stage provided in a chamber of a substrate processing apparatus is provided. The board lift mechanism includes a lifter pin, a drive mechanism, a plurality of bellows, and a regulation mechanism. The lifter pin is configured to support the substrate at its tip. The drive mechanism is configured to support the lifter pin so as to allow horizontal movement of the lifter pin and raise and lower the lifter pin. A plurality of bellows are arranged vertically so as to surround the lifter pin to seal the space around the lifter pin. The plurality of bellows includes a first bellows and a second bellows. The first bellows is provided at the top of the plurality of bellows. The first bellows has an upper end and a lower end. The upper end of the first bellows is a fixed end. The lower end of the first bellows is horizontally movable with the lifter pin. The second bellows is provided below the first bellows. The second bellows can be expanded and contracted in the vertical direction in conjunction with the raising and lowering of the lifter pin. The regulatory mechanism is configured to regulate the vertical expansion and contraction of the first bellows.
一つの例示的実施形態によれば、リフタピンの水平移動を許容し、且つ、リフタピンの周りの空間を封止する複数のベローズの全長を短くすることが可能となる。 According to one exemplary embodiment, it is possible to allow horizontal movement of the lifter pin and reduce the overall length of the plurality of bellows that seal the space around the lifter pin.
以下、種々の例示的実施形態について説明する。 Hereinafter, various exemplary embodiments will be described.
一つの例示的実施形態において、基板処理装置のチャンバ内に設けられたステージの上面に対して基板を昇降させるための基板リフト機構が提供される。基板リフト機構は、リフタピン、駆動機構、複数のベローズ、及び規制機構を備える。リフタピンは、その先端で基板を支持するように構成されている。駆動機構は、リフタピンの水平移動を許容するようにリフタピンを支持し、リフタピンを昇降させるように構成されている。複数のベローズは、リフタピンの周りの空間を封止するためにリフタピンを囲むように垂直方向に沿って配列されている。複数のベローズは、第1のベローズ及び第2のベローズを含む。第1のベローズは、複数のベローズのうち最も上に設けられている。第1のベローズは、上端及び下端を有する。第1のベローズの上端は固定端である。第1のベローズの下端は、リフタピンと共に水平移動可能である。第2のベローズは、第1のベローズの下方に設けられている。第2のベローズは、リフタピンの昇降に連動して垂直方向に伸縮可能である。規制機構は、第1のベローズの垂直方向における伸縮を規制するように構成されている。 In one exemplary embodiment, a substrate lift mechanism for raising and lowering a substrate with respect to an upper surface of a stage provided in a chamber of a substrate processing apparatus is provided. The board lift mechanism includes a lifter pin, a drive mechanism, a plurality of bellows, and a regulation mechanism. The lifter pin is configured to support the substrate at its tip. The drive mechanism is configured to support the lifter pin so as to allow horizontal movement of the lifter pin and raise and lower the lifter pin. A plurality of bellows are arranged vertically so as to surround the lifter pin to seal the space around the lifter pin. The plurality of bellows includes a first bellows and a second bellows. The first bellows is provided at the top of the plurality of bellows. The first bellows has an upper end and a lower end. The upper end of the first bellows is a fixed end. The lower end of the first bellows is horizontally movable with the lifter pin. The second bellows is provided below the first bellows. The second bellows can be expanded and contracted in the vertical direction in conjunction with the raising and lowering of the lifter pin. The regulatory mechanism is configured to regulate the vertical expansion and contraction of the first bellows.
上記実施形態の基板リフト機構では、第1のベローズの下端が固定端である上端に対して水平移動可能である。したがって、複数のベローズの中でのリフタピンの水平移動が許容される。また、上記実施形態の基板リフト機構では、第1のベローズの垂直方向における伸縮が規制されているので、複数のベローズを含むベローズ群の垂直方向における伸縮は第2のベローズによってもたらされる。したがって、第1のベローズの垂直方向におけるピッチ当りのストローク長とは無関係に、第2のベローズを選択することができる。故に、第2のベローズの長さを短くすることができ、複数のベローズの全長を短くすることができる。 In the substrate lift mechanism of the above embodiment, the lower end of the first bellows can be horizontally moved with respect to the upper end which is a fixed end. Therefore, horizontal movement of the lifter pin in a plurality of bellows is allowed. Further, in the substrate lift mechanism of the above embodiment, since the expansion and contraction of the first bellows in the vertical direction is restricted, the expansion and contraction of the bellows group including the plurality of bellows in the vertical direction is brought about by the second bellows. Therefore, the second bellows can be selected regardless of the stroke length per pitch in the vertical direction of the first bellows. Therefore, the length of the second bellows can be shortened, and the total length of the plurality of bellows can be shortened.
一つの例示的実施形態において、規制機構は、第1のストッパ及び第2のストッパを含んでいてもよい。この実施形態において、第1のストッパは、第1のベローズの垂直方向における縮小を規制するように設けられる。第2のストッパは、第1のベローズの垂直方向における伸張を規制するように設けられる。 In one exemplary embodiment, the regulatory mechanism may include a first stopper and a second stopper. In this embodiment, the first stopper is provided to regulate the vertical shrinkage of the first bellows. The second stopper is provided to regulate the vertical extension of the first bellows.
一つの例示的実施形態において、第1のベローズの下端はフランジを含む。第1のストッパは、第1のベローズの垂直方向における縮小を規制するようにフランジの上又は上方で延在していてもよい。第2のストッパは、第1のベローズの垂直方向における伸張を規制するようにフランジの下又は下方で延在していてもよい。 In one exemplary embodiment, the lower end of the first bellows includes a flange. The first stopper may extend above or above the flange to regulate the vertical shrinkage of the first bellows. The second stopper may extend below or below the flange to regulate the vertical extension of the first bellows.
一つの例示的実施形態において、第1のベローズの内径は、第2のベローズの内径よりも大きくてもよい。この実施形態によれば、リフタピンのより大きな水平移動が許容される。 In one exemplary embodiment, the inner diameter of the first bellows may be larger than the inner diameter of the second bellows. According to this embodiment, greater horizontal movement of the lifter pin is allowed.
一つの例示的実施形態において、第2のベローズの外径は、第1のベローズの外径よりも小さくてもよい。この実施形態によれば、第2のベローズを構成する材料が削減される。 In one exemplary embodiment, the outer diameter of the second bellows may be smaller than the outer diameter of the first bellows. According to this embodiment, the material constituting the second bellows is reduced.
一つの例示的実施形態において、リフタピンは、部分的に、チャンバに形成された貫通孔及びステージに形成された貫通孔の中で延在しており、ステージの熱変形に連動して水平移動可能である。駆動機構はチャンバに固定されている。第1のベローズの上端は、チャンバに形成された貫通孔を封止するようにチャンバに固定されている。 In one exemplary embodiment, the lifter pins extend partially through the through-holes formed in the chamber and through-holes formed in the stage and can move horizontally in conjunction with thermal deformation of the stage. Is. The drive mechanism is fixed to the chamber. The upper end of the first bellows is fixed to the chamber so as to seal the through hole formed in the chamber.
一つの例示的実施形態において、基板リフト機構は、ピンガイドを更に備えていてもよい。ピンガイドは、筒形状を有し、ステージの下方で延在している。ピンガイドは、ステージに形成された貫通孔に繋がる内孔を提供している。ピンガイドは、ステージに固定されている。リフタピンは、ピンガイドの内孔の中で部分的に延在している。 In one exemplary embodiment, the substrate lift mechanism may further include pin guides. The pin guide has a tubular shape and extends below the stage. The pin guide provides an inner hole leading to a through hole formed in the stage. The pin guide is fixed to the stage. The lifter pin partially extends in the inner hole of the pin guide.
一つの例示的実施形態において、リフタピンは、ピン本体及び柱状のピンホルダを含んでいてもよい。ピン本体は、リフタピンの先端を含み、垂直方向に沿って延在している。ピンホルダは、ピン本体を支持し、ピン本体から下方に延在している。 In one exemplary embodiment, the lifter pin may include a pin body and a columnar pin holder. The pin body includes the tip of the lifter pin and extends along the vertical direction. The pin holder supports the pin body and extends downward from the pin body.
一つの例示的実施形態において、駆動機構は、センタリングユニット、駆動軸、及び駆動装置を含んでいてもよい。センタリングユニットは、リフタピンの水平移動を許容するようにリフタピンを支持する。駆動軸は、センタリングユニットの下方で垂直方向に沿って延在している。駆動装置は、駆動軸を昇降させるように構成されている。 In one exemplary embodiment, the drive mechanism may include a centering unit, a drive shaft, and a drive device. The centering unit supports the lifter pin so as to allow horizontal movement of the lifter pin. The drive shaft extends vertically below the centering unit. The drive device is configured to raise and lower the drive shaft.
一つの例示的実施形態において、センタリングユニットは、ベース及びテーブルを含む。ベースは、駆動軸の上方に設けられており駆動軸によって支持されている。テーブルは、水平移動可能であるようにベース上で支持されている。リフタピンの下端は、テーブルに固定されている。第2のベローズの下端は、第2のベローズの下端開口を封止するようにテーブルに固定されている。 In one exemplary embodiment, the centering unit includes a base and a table. The base is provided above the drive shaft and is supported by the drive shaft. The table is supported on the base so that it can be moved horizontally. The lower end of the lifter pin is fixed to the table. The lower end of the second bellows is fixed to the table so as to seal the lower end opening of the second bellows.
別の例示的実施形態においては、基板支持器が提供される。基板支持器は、ステージ及び上述した例示的実施形態のうち何れかの基板リフト機構を備える。ステージは、基板処理装置のチャンバ内に設けられる。基板リフト機構は、ステージの上面に対して基板を昇降させるように構成される。 In another exemplary embodiment, a substrate support is provided. The substrate support comprises a stage and a substrate lift mechanism in any of the exemplary embodiments described above. The stage is provided in the chamber of the substrate processing apparatus. The board lift mechanism is configured to raise and lower the board with respect to the upper surface of the stage.
一つの例示的実施形態において、基板支持器は、ステージ内に設けられたヒータを更に備えていてもよい。 In one exemplary embodiment, the substrate support may further include a heater provided within the stage.
更に別の例示的実施形態においては、基板処理装置が提供される。基板処理装置は、上述した例示的実施形態の基板支持器及びチャンバを備える。基板支持器のステージは、チャンバの内部空間の中に収容されている。 In yet another exemplary embodiment, a substrate processing apparatus is provided. The substrate processing apparatus includes the substrate support and chamber of the above-described exemplary embodiment. The stage of the substrate support is housed in the interior space of the chamber.
一つの例示的実施形態において、基板処理装置は、成膜装置であってもよい。 In one exemplary embodiment, the substrate processing apparatus may be a film forming apparatus.
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。 Hereinafter, various exemplary embodiments will be described in detail with reference to the drawings. The same reference numerals are given to the same or corresponding parts in each drawing.
図1は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置を概略的に示す図である。図1は、一つの例示的実施形態に係る基板処理装置を部分的に破断して示している。図1に示す基板処理装置1は、基板Sに対する基板処理において用いられる装置である。一実施形態において、基板処理装置1は、成膜装置である。基板処理装置1は、例えばフラットパネルディスプレイの製造において用いられる。基板Sは、略矩形のガラス基板であり得るが、これに限定されるものではない。 FIG. 1 is a diagram schematically showing a substrate processing apparatus according to one exemplary embodiment. FIG. 1 shows a partially broken substrate processing apparatus according to one exemplary embodiment. The substrate processing apparatus 1 shown in FIG. 1 is an apparatus used in substrate processing for a substrate S. In one embodiment, the substrate processing device 1 is a film forming device. The substrate processing device 1 is used, for example, in the manufacture of a flat panel display. The substrate S can be a substantially rectangular glass substrate, but is not limited thereto.
基板処理装置1は、チャンバ10及び基板支持器12を備えている。チャンバ10は、内部空間を提供する容器である。チャンバ10は、略角筒形状を有し得る。チャンバ10は、例えばアルミニウムから形成されている。チャンバ10は、例えばアルマイト処理(陽極酸化処理)された表面を有する。
The substrate processing device 1 includes a
チャンバ10の側壁は、開口10pを提供している。基板Sは、チャンバ10の内部空間とチャンバ10の外側との間で搬送されるときに、開口10pを通過する。基板処理装置1は、ゲートバルブ10gを更に備え得る。ゲートバルブ10gは、チャンバ10の側壁に沿って設けられている。ゲートバルブ10gは、開口10pを開閉するために用いられる。
The side wall of the
一実施形態において、基板処理装置1は、ガスシャワー14を更に備え得る。ガスシャワー14は、チャンバ10の上部開口を閉じるように設けられている。ガスシャワー14は、その内部にガス拡散室14dを提供している。ガス拡散室14dには、ガス導入ポート14iが接続している。ガス導入ポート14iには、管16が接続されている。管16には、ガスソース18が、バルブ20及び流量制御器22を介して接続されている。ガスソース18は、基板処理装置1における基板処理で用いられるガスのソースである。流量制御器22は、例えばマスフローコントローラである。ガスシャワー14は、複数のガス吐出孔14aを更に提供している。複数のガス吐出孔14aは、ガス拡散室14dから下方に延びており、チャンバ10の内部空間に向けて開口している。基板処理装置1では、ガスソース18からのガスは、ガス拡散室14dに導入される。ガス拡散室14dに導入されたガスは、複数のガス吐出孔14aからチャンバ10の内部空間に吐出される。
In one embodiment, the substrate processing apparatus 1 may further include a
チャンバ10は、底部10bを有する。底部10bには、一つ以上の排気孔10eが形成されている。基板処理装置1は、一つ以上の排気ユニット24を更に備えている。図示された例では、複数の排気孔10eが底部10bに形成されており、基板処理装置1は複数の排気ユニット24を備えている。一つ以上の排気ユニット24の各々は、管26、圧力調整器28、及び排気装置30を含んでいる。管26は、対応の排気孔10eに接続されている。管26には、圧力調整器28を介して排気装置30が接続されている。圧力調整器28は、例えば自動圧力調整弁である。排気装置30は、ドライポンプ、ターボ分子ポンプといった一つ以上の減圧ポンプを含む。
The
基板支持器12は、ステージ40及び一つ以上の基板リフト機構50を有している。ステージ40は、チャンバ10の内部空間の中に収容されている。ステージ40は、スペーサ42を介してチャンバ10の底部上に設けられている。スペーサ42は、例えば絶縁体から形成されている。ステージ40は、例えばアルミニウムから形成されている。ステージ40は、その上に基板が載置される上面を有している。基板処理装置1では、基板Sは、ステージ40の上面の上に載置された状態で処理される。一実施形態において、ステージ40の内部には、ヒータHTが設けられていてもよい。ヒータHTは、抵抗加熱素子であり得る。
The
一つ以上の基板リフト機構50は、ステージ40の上面に対して基板Sを昇降させるように構成されている。一つ以上の基板リフト機構50の各々は、リフタピン52を有する。一つ以上の基板リフト機構50の各々は、リフタピン52の先端(上端)を第1位置と第2位置との間で移動させるよう、リフタピン52を昇降させる。第1位置は、ステージ40の上面に対して上方の位置である。第2位置は、ステージ40の上面と同一の水平レベルかステージ40の上面に対して下方の位置である。リフタピン52の先端が第1位置にあるときには、基板Sはステージ40の上面に対して上方に位置する。リフタピン52の先端が第1位置にあるときには、搬送装置とリフタピン52の先端との間で基板Sが受け渡される。リフタピン52の先端が第2位置にあるときには、基板Sはステージ40の上面の上に配置される。
One or more
一実施形態において、基板処理装置1は、制御部CUを更に備え得る。制御部CUは、CPUといったプロセッサ、メモリといった記憶装置、キーボードといった入力装置、表示装置等を有するコンピュータ装置であり得る。制御部CUは、記憶装置に記憶されている制御プログラムをプロセッサによって実行し、記憶装置に記憶されているレシピデータに従って基板処理装置1の各部を制御するように構成されている。 In one embodiment, the substrate processing apparatus 1 may further include a control unit CU. The control unit CU may be a computer device having a processor such as a CPU, a storage device such as a memory, an input device such as a keyboard, a display device, and the like. The control unit CU is configured to execute a control program stored in the storage device by a processor and control each part of the substrate processing device 1 according to the recipe data stored in the storage device.
基板処理装置1が複数の基板リフト機構50を備える場合には、これら基板リフト機構50は同一の構成を有し得る。したがって、以下では、一つの基板リフト機構50について詳細に説明する。以下の説明では、図1に加えて、図2及び図3を参照する。図2及び図3の各々は、一つの例示的実施形態に係る基板リフト機構の断面図である。
When the substrate processing device 1 includes a plurality of
基板リフト機構50は、上述のリフタピン52、駆動機構54、複数のベローズ56、及び規制機構58を備えている。リフタピン52は、略円柱形状を有しており、垂直方向に沿って延在している。リフタピン52は、上述したように、その先端(上端)で基板Sを支持するように構成されている。
The
一実施形態において、リフタピン52は、ピン本体52m及びピンホルダ52aを含んでいる。ピン本体52mは、略円柱形状を有している。ピン本体52mは、垂直方向に沿って延在している。ピン本体52mは、リフタピン52の先端を提供している。ピンホルダ52aは、略円柱形状を有している。ピンホルダ52aは、ピン本体52mを支持しており、ピン本体52mから下方に延在している。
In one embodiment, the
チャンバ10の底部10bには、垂直方向に沿って延びる貫通孔10hが形成されている。また、ステージ40には、垂直方向に沿って延びる貫通孔40hが形成されている。一実施形態において、基板リフト機構50は、ピンガイド60を更に備えている。ピンガイド60は、略円筒形状の部材である。ピンガイド60は、その内孔が貫通孔40hに繋がるように、ステージ40に固定されている。ピンガイド60は、ステージ40から下方に延在している。例えばピンガイド60の下端は、貫通孔10hの上下の開口端の間に位置している。貫通孔10hは、ピンガイド60の水平移動が生じてもピンガイド60およびリフタピン52に干渉しないように設定されたサイズを有している。なお、ピンガイド60の水平移動は、例えばステージ40の熱変形(例えば熱膨張)によって発生し得る。
A through
リフタピン52は、部分的に、貫通孔10h及び貫通孔40hの中で延在している。一実施形態においては、リフタピン52は、部分的に、ピンガイド60の中でも延在している。具体的に、ピン本体52mは、貫通孔40h及びピンガイド60の内孔の中で垂直方向に沿って延在している。ピン本体52mは、貫通孔40h及びピンガイド60の内孔の中で昇降可能である。ピンホルダ52aの上端部分は、ピンガイド60の内孔の中で延在している。ピンホルダ52aは、チャンバ10の底部10bの下方に延在している。ピンホルダ52aの上端部分は、ピンガイド60の内孔の中で昇降可能である。
The
駆動機構54は、チャンバ10に、例えば底部10bに固定されている。駆動機構54は、リフタピン52の水平移動を許容するようにリフタピン52を支持している。駆動機構54は、リフタピンを昇降させるように構成されている。一実施形態において、駆動機構54は、センタリングユニット62、駆動軸64、及び駆動装置66を含んでいる。
The
センタリングユニット62は、リフタピン52の下端を支持している。センタリングユニット62は、リフタピン52の水平移動を許容するようにリフタピン52を支持している。センタリングユニット62は、例えば、ベース62b及びテーブル62tを有する。テーブル62tは、ベース62b上に設けられている。リフタピン52の下端は、テーブル62tに固定されている。テーブル62tは、水平移動可能であるようにベース62b上に支持されている。リフタピン52の水平移動をもたらす力がリフタピン52に加わると、リフタピン52に連動してベース62b上の基準位置に対するテーブル62tの水平移動が生じる。テーブル62tは、リフタピン52の水平移動をもたらす力がリフタピン52に対して加わっていない場合には、ベース62b上の基準位置に復帰する。テーブル62tの基準位置への復帰は、例えばマグネットの磁力及び/又は弾性部材の復元力によって実現される。
The centering
駆動軸64は、センタリングユニット62のベース62bの下方で垂直方向に沿って延在している。駆動軸64は、センタリングユニット62、具体的にはベース62bを支持している。駆動軸64は、その下方に設けられた駆動装置66に接続されている。駆動装置66は、駆動軸64を昇降させるように構成されている。駆動装置66は、例えばモータを含み得る。駆動装置66が駆動軸64を昇降させると、センタリングユニット62を介してリフタピン52が昇降する。
The
一実施形態において、駆動機構54は、複数の軸68及びテーブル70を更に備え得ていてもよい。複数の軸68は、例えばリニア軸である。複数の軸68は、互いに平行に、垂直方向に沿って延在している。複数の軸68は、リフタピン52の周りで配列されている。複数の軸68の上端は、部材72を介してチャンバ10の底部10bに固定されている。部材72は、リング状の板材であり、リフタピン52を囲むように配置されている。複数の軸68の下端は、部材74に固定されている。部材74は、リング状の板材であり、駆動軸64を囲むように配置されている。駆動装置66は、部材74の下方に設けられている。
In one embodiment, the
テーブル70は、複数の軸68に沿って上下にスライド可能であるように構成されている。一実施形態では、テーブル70は、複数の軸受を有し得る。複数の軸受の各々は、滑り軸受又はボール軸受であり得る。複数の軸68の各々は、対応の軸受の中で、部分的に延在している。この実施形態では、複数の軸受が複数の軸68に沿って滑らかに移動するので、テーブル70の滑らかな直線運動が実現される。センタリングユニット62は、テーブル70上に設けられている。センタリングユニット62のベース62bは、テーブル70に固定されている。駆動軸64の上端は、ジョイント76を介してテーブル70に固定されている。駆動軸64は、テーブル70よりも下方で、垂直方向に沿って延在している。
The table 70 is configured to be slidable up and down along a plurality of
複数のベローズ56は、チャンバ10の底部10bの下方に設けられている。複数のベローズ56は、リフタピン52の周りの空間を封止するために、リフタピン52を囲むように垂直方向に沿って配列されている。複数のベローズ56は、チャンバ10の底部10bの貫通孔10hを封止して、チャンバ10の内部空間の気密を確保する。複数のベローズ56は、第1のベローズ561及び一つ以上の第2のベローズ562を含んでいる。図示された例では、複数のベローズ56は、複数の第2のベローズ562を含んでいる。
The plurality of
第1のベローズ561は、複数のベローズ56のうち最も上に設けられている。第1のベローズ561は、上端561a及び下端561bを有する。第1のベローズ561の上端561aは、固定端であり、チャンバ10の底部10bに固定されている。第1のベローズ561の上端561aは、例えばフランジであり、リング形状を有している。第1のベローズ561の上端561aは、チャンバ10の貫通孔10hを封止するように、チャンバ10の底部10bに固定されている。第1のベローズ561の上端561aとチャンバ10の底部10bとの間には、Oリングといった封止部材が設けられていてもよい。
The first bellows 561 is provided at the top of the plurality of bellows 56. The first bellows 561 has an
第1のベローズ561の下端561bは、リフタピン52と共に水平移動可能である。第1のベローズ561の下端561bは、例えばフランジであり、リング形状を有している。一実施形態においては、駆動機構54は、ガイド78を更に有する。ガイド78は、軸受を有する。ガイド78の軸受は、滑り軸受又はボール軸受であり得る。リフタピン52、具体的にはピンホルダ52aは、ガイド78の軸受の内孔を通って延在している。第1のベローズ561の下端561bは、ガイド78上に設けられており、ガイド78に固定されている。第1のベローズ561の下端561bとガイド78との間には、Oリングといった封止部材が設けられていてもよい。図2に示すリフタピン52の水平移動が生じると、リフタピン52及びガイド78と共に第1のベローズ561の下端561bの水平移動が、図3に示すように生じる。
The
一つ以上の第2のベローズ562は、第1のベローズ561の下方に設けられている。図2及び図3に示すように、一つ以上の第2のベローズ562は、リフタピン52の昇降に連動して垂直方向に伸縮可能である。一つ以上の第2のベローズ562の各々は、その全体がリフタピン52と共に水平移動可能であるように構成されている。即ち、一つ以上の第2のベローズ562の各々は、その上端と下端との間で水平方向の変位量の差を生じることなく、水平移動可能である。
One or more
一つ以上の第2のベローズ562の上端562aは、ガイド78に固定されている。上端562aは、例えばフランジであり、リング形状を有している。第2のベローズ562の上端562aとガイド78との間には、Oリングといった封止部材が設けられていてもよい。なお、複数のベローズ56が複数の第2のベローズ562を含む場合には、上端562aは複数の第2のベローズ562のうち最も上に設けられた第2のベローズの上端である。複数のベローズ56が複数の第2のベローズ562を含む場合には、垂直方向に沿って隣り合う第2のベローズ562間にはガイド562gが設けられ得る。
The
一つ以上の第2のベローズ562の下端562bは、その下端開口を閉じるようにセンタリングユニット62のテーブル62tに固定されている。下端562bは、例えばフランジであり、リング形状を有している。第2のベローズ562の下端562bとテーブル62tとの間には、Oリングといった封止部材が設けられていてもよい。なお、複数のベローズ56が複数の第2のベローズ562を含む場合には、下端562bは複数の第2のベローズ562のうち最も下に設けられた第2のベローズの下端である。別の実施形態において、第2のベローズ562の下端562bは、テーブル62tとは別の部材に直接的に固定されていてもよく、当該別の部材を介してテーブル62tに間接的に固定されていてもよい。この別の部材には、ピンホルダ52aが、垂直に延在するよう溶接などで固定されている。Oリングといった封止部材は、この別の部材と第2のベローズ562の下端562bとの間に設けられていてもよい。この別の部材は、フランジ形状を有していてもよい。
The
図2及び図3に示すように、一実施形態においては、第1のベローズ561の内径は、第2のベローズ562の内径よりも大きくてもよい。一実施形態においては、第2のベローズ562の外径は、第1のベローズ561の外径よりも小さくてもよい。 As shown in FIGS. 2 and 3, in one embodiment, the inner diameter of the first bellows 561 may be larger than the inner diameter of the second bellows 562. In one embodiment, the outer diameter of the second bellows 562 may be smaller than the outer diameter of the first bellows 561.
規制機構58は、第1のベローズ561の垂直方向における伸縮を規制するように構成されている。一実施形態において、規制機構58は、第1のストッパ581及び第2のストッパ582を含んでいてもよい。第1のストッパ581は、第1のベローズ561の垂直方向における縮小を規制するように設けられている。第2のストッパ582は、第1のベローズ561の垂直方向における伸張を規制するように設けられている。
The
一実施形態において、第1のストッパ581は、第1のベローズ561の垂直方向における縮小を規制するように第1のベローズ561の下端561bのフランジの上又は上方で延在している。一例において、第1のストッパ581は、柱状の部材である。第1のストッパ581の上端は、第1のベローズ561の上端561aのフランジに固定されている。第1のストッパ581は、第1のベローズ561の側方の領域で、垂直方向に沿って延在している。第1のストッパ581の下端は、第1のベローズ561の下端561bのフランジに対面又は当接している。なお、第1のストッパ581の上端は、チャンバ10の底部10bに固定されていてもよい。また、第1のストッパ581の下端には、第1のストッパ581に対する第1のベローズ561の下端561bの滑からな水平移動のために、ボールベアリング又はボールトランスファユニットが設けられていてもよい。
In one embodiment, the
一実施形態において、第2のストッパ582は、第1のベローズ561の垂直方向における伸張を規制するように第1のベローズ561の下端561bのフランジの下又は下方で延在している。一例において、第2のストッパ582は、L字状の断面形状を有する部材である。第2のストッパ582の上端は、第1のベローズ561の上端561aのフランジに、直接的に又は間接的に固定されている。図示された例では、第2のストッパ582の上端は、部材72及びチャンバ10の底部10bを介して、第1のベローズ561の上端561aのフランジに固定されている。第2のストッパ582は、第1のベローズ561の側方の領域で、垂直方向に沿って延在し、且つ、第1のベローズ561の下端561bのフランジの下又は下方で、水平方向に延在している。一例において、第2のストッパ582の下端は、ガイド78の下面に対面または当接している。第2のストッパ582の下端には、第2のストッパ582に対する第1のベローズ561の下端561b又はガイド78の滑からな水平移動のために、ボールベアリング又はボールトランスファユニットが設けられていてもよい。
In one embodiment, the
以上説明した基板リフト機構50では、第1のベローズ561の下端561bが、固定端である上端561aに対して水平移動可能である。したがって、複数のベローズ56の中でのリフタピン52の水平移動が許容される。また、基板リフト機構50では、第1のベローズ561の垂直方向における伸縮が規制されているので、複数のベローズ56を含むベローズ群の垂直方向における伸縮は第2のベローズ562によってもたらされる。したがって、第1のベローズ561の垂直方向におけるピッチ当りのストローク長とは無関係に、第2のベローズ562を選択することができる。故に、第2のベローズ562の長さを短くすることができ、複数のベローズ56の全長を短くすることができる。
In the
また、複数のベローズ56の全長を短くすることができるので、複数の軸68の各々の長さを短くすることができる。その結果、複数の軸68の剛性を向上させることができる。また、複数のベローズ56の全長を短くすることができるので、チャンバ10の底部10bの下方において一つ以上の基板リフト機構50が占めるスペースが少なくなる。
Further, since the total length of the plurality of
また、第2のベローズ562の各々は、その上端と下端との間で水平方向の変位量の差を生じることなく、リフタピン52と共に水平移動可能である。したがって、第2のベローズ562の内部でのリフタピン52の相対的な水平移動を考慮する必要がない。故に、第2のベローズ562の径を小さくすることができる。
Further, each of the second bellows 562 can be horizontally moved together with the
一実施形態においては、上述したように、第1のベローズ561の内径は、第2のベローズ562の内径よりも大きい。この実施形態によれば、リフタピン52のより大きな水平移動が許容される。
In one embodiment, as described above, the inner diameter of the first bellows 561 is larger than the inner diameter of the second bellows 562. According to this embodiment, a larger horizontal movement of the
一実施形態においては、上述したように、第2のベローズ562の外径は、第1のベローズ561の外径よりも小さい。この実施形態によれば、第2のベローズ562を構成する材料が削減される。 In one embodiment, as described above, the outer diameter of the second bellows 562 is smaller than the outer diameter of the first bellows 561. According to this embodiment, the materials constituting the second bellows 562 are reduced.
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。 Although various exemplary embodiments have been described above, various omissions, substitutions, and changes may be made without being limited to the above-mentioned exemplary embodiments. It is also possible to combine elements in different embodiments to form other embodiments.
例えば、基板処理装置1は、他の基板処理を行うように構成された装置であってもよい。そのような基板処理としては、プラズマエッチングが例示される。即ち、基板処理装置1は、プラズマエッチング装置であってもよい。基板処理装置1は、プラズマエッチング装置である場合には、ステージに電気的に接続された高周波電源及び整合器を備え得る。この例において、ガスシャワー14は容量結合型プラズマエッチング装置の上部電極を構成する。この例において、ガスシャワー14及びチャンバ10は、電気的に接地され得る。別の例では、基板処理装置1は、誘導結合型のプラズマエッチング装置であってもよい。
For example, the substrate processing apparatus 1 may be an apparatus configured to perform other substrate processing. Plasma etching is exemplified as such a substrate treatment. That is, the substrate processing device 1 may be a plasma etching device. In the case of a plasma etching apparatus, the substrate processing apparatus 1 may include a high frequency power supply and a matching device electrically connected to the stage. In this example, the
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。 From the above description, it is understood that the various embodiments of the present disclosure are described herein for purposes of explanation and that various modifications can be made without departing from the scope and gist of the present disclosure. Will. Therefore, the various embodiments disclosed herein are not intended to be limiting, and the true scope and gist is indicated by the appended claims.
50…基板リフト機構、52…リフタピン、54…駆動機構、56…ベローズ、561…第1のベローズ、561a…上端、561b…下端、562…第2のベローズ、58…規制機構。 50 ... Board lift mechanism, 52 ... Lifter pin, 54 ... Drive mechanism, 56 ... Bellows, 561 ... First bellows, 561a ... Upper end, 561b ... Lower end, 562 ... Second bellows, 58 ... Regulatory mechanism.
Claims (14)
その先端で基板を支持するように構成されたリフタピンと、
前記リフタピンの水平移動を許容するように該リフタピンを支持し、該リフタピンを昇降させるように構成された駆動機構と、
前記リフタピンの周りの空間を封止するために前記リフタピンを囲むように垂直方向に沿って配列された複数のベローズであり、
該複数のベローズのうち最も上に設けられており、固定端である上端及び前記リフタピンと共に水平移動可能な下端を有する第1のベローズと、
前記第1のベローズの下方に設けられており、前記リフタピンの昇降に連動して垂直方向に伸縮可能である第2のベローズと、
を含む、該複数のベローズと、
前記第1のベローズの垂直方向における伸縮を規制するように構成された規制機構と、
を備える基板リフト機構。 A substrate lift mechanism for raising and lowering a substrate with respect to the upper surface of a stage provided in a chamber of a substrate processing apparatus.
A lifter pin configured to support the substrate at its tip,
A drive mechanism configured to support the lifter pin so as to allow horizontal movement of the lifter pin and raise and lower the lifter pin.
A plurality of bellows arranged vertically so as to surround the lifter pin in order to seal the space around the lifter pin.
A first bellows, which is provided at the top of the plurality of bellows and has an upper end which is a fixed end and a lower end which is horizontally movable together with the lifter pin.
A second bellows, which is provided below the first bellows and can expand and contract in the vertical direction in conjunction with the raising and lowering of the lifter pin,
With the plurality of bellows, including
A regulatory mechanism configured to regulate the vertical expansion and contraction of the first bellows,
A board lift mechanism equipped with.
前記第1のベローズの垂直方向における縮小を規制するように設けられた第1のストッパと、
前記第1のベローズの垂直方向における伸張を規制するように設けられた第2のストッパと、
を含む、請求項1に記載の基板リフト機構。 The regulatory mechanism
A first stopper provided to regulate the vertical shrinkage of the first bellows, and
With a second stopper provided to regulate the vertical extension of the first bellows,
The substrate lift mechanism according to claim 1.
前記第1のストッパは、前記第1のベローズの垂直方向における縮小を規制するように前記フランジの上又は上方で延在し、
前記第2のストッパは、前記第1のベローズの垂直方向における伸張を規制するように前記フランジの下又は下方で延在する、
請求項2に記載の基板リフト機構。 The lower end of the first bellows includes a flange.
The first stopper extends above or above the flange to regulate the vertical shrinkage of the first bellows.
The second stopper extends below or below the flange to limit the vertical extension of the first bellows.
The substrate lift mechanism according to claim 2.
前記駆動機構は前記チャンバに固定され、
前記第1のベローズの前記上端は、前記チャンバに形成された前記貫通孔を封止するように前記チャンバに固定される、
請求項1〜5の何れか一項に記載の基板リフト機構。 The lifter pin partially extends in the through hole formed in the chamber and the through hole formed in the stage, and can move horizontally in conjunction with the thermal deformation of the stage.
The drive mechanism is fixed to the chamber and
The upper end of the first bellows is fixed to the chamber so as to seal the through hole formed in the chamber.
The substrate lift mechanism according to any one of claims 1 to 5.
前記ピンガイドは、前記ステージに固定されており、
前記リフタピンは、前記ピンガイドの内孔の中で部分的に延在している、
請求項6に記載の基板リフト機構。 Further provided with a pin guide having a tubular shape, extending below the stage and providing an inner hole connected to the through hole formed in the stage.
The pin guide is fixed to the stage and
The lifter pin partially extends in the inner hole of the pin guide.
The substrate lift mechanism according to claim 6.
前記ピン本体は、前記先端を含み、垂直方向に沿って延在しており、
前記ピンホルダは、前記ピン本体を支持し、前記ピン本体から下方に延在する、
請求項1〜7の何れか一項に記載の基板リフト機構。 The lifter pin includes a pin body and a columnar pin holder.
The pin body includes the tip and extends along the vertical direction.
The pin holder supports the pin body and extends downward from the pin body.
The substrate lift mechanism according to any one of claims 1 to 7.
前記リフタピンの水平移動を許容するように該リフタピンを支持するセンタリングユニットと、
前記センタリングユニットの下方で垂直方向に沿って延在する駆動軸と、
前記駆動軸を昇降させるように構成された駆動装置と、
を含む、
請求項1〜8の何れか一項に記載の基板リフト機構。 The drive mechanism
A centering unit that supports the lifter pin so as to allow horizontal movement of the lifter pin, and
A drive shaft extending vertically below the centering unit,
A drive device configured to raise and lower the drive shaft,
including,
The substrate lift mechanism according to any one of claims 1 to 8.
前記駆動軸の上方に設けられており該駆動軸によって支持されたベースと、
水平移動可能であるように前記ベース上で支持されたテーブルと、
を含み、
前記リフタピンの下端は、前記テーブルに固定されており、
前記第2のベローズの下端は、該第2のベローズの下端開口を閉じるように前記テーブルに固定されている、
請求項9に記載の基板リフト機構。 The centering unit is
A base provided above the drive shaft and supported by the drive shaft,
With a table supported on the base so that it can be moved horizontally,
Including
The lower end of the lifter pin is fixed to the table.
The lower end of the second bellows is fixed to the table so as to close the lower end opening of the second bellows.
The substrate lift mechanism according to claim 9.
請求項1〜10の何れか一項に記載の基板リフト機構であり、前記ステージの上面に対して基板を昇降させるように構成された、該基板リフト機構と、
を備える基板支持器。 The stage provided in the chamber of the substrate processing equipment and
The substrate lift mechanism according to any one of claims 1 to 10, wherein the substrate lift mechanism is configured to raise and lower the substrate with respect to the upper surface of the stage.
Substrate support with.
その内部空間の中に、前記基板支持器の前記ステージを収容するチャンバと、
を備える基板処理装置。 The substrate support according to claim 11 or 12,
In the internal space, a chamber for accommodating the stage of the substrate support and
Substrate processing device.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019049875A JP7198694B2 (en) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | SUBSTRATE LIFT MECHANISM, SUBSTRATE SUPPORTER, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS |
KR1020200027767A KR102356931B1 (en) | 2019-03-18 | 2020-03-05 | Substrate lift mechanism, substrate supporter and substrate treatment apparatus |
CN202010157227.2A CN111710641B (en) | 2019-03-18 | 2020-03-09 | Substrate lifting mechanism, substrate supporter and substrate processing apparatus |
TW109107601A TWI836026B (en) | 2019-03-18 | 2020-03-09 | Substrate lifting mechanism, substrate supporter and substrate processing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019049875A JP7198694B2 (en) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | SUBSTRATE LIFT MECHANISM, SUBSTRATE SUPPORTER, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020155458A true JP2020155458A (en) | 2020-09-24 |
JP7198694B2 JP7198694B2 (en) | 2023-01-04 |
Family
ID=72536409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019049875A Active JP7198694B2 (en) | 2019-03-18 | 2019-03-18 | SUBSTRATE LIFT MECHANISM, SUBSTRATE SUPPORTER, AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7198694B2 (en) |
KR (1) | KR102356931B1 (en) |
CN (1) | CN111710641B (en) |
TW (1) | TWI836026B (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113471125A (en) * | 2021-06-15 | 2021-10-01 | 杭州大和热磁电子有限公司 | Automatic opening and closing structure of corner-leaning tray |
CN114351122A (en) * | 2021-12-14 | 2022-04-15 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | Carrier plate transmission lifting system for heterojunction CVD equipment |
US20220336258A1 (en) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling lift pin movement |
CN118073268A (en) * | 2024-04-22 | 2024-05-24 | 盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司 | Wafer lifting device and wafer lifting method |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI831544B (en) * | 2021-12-31 | 2024-02-01 | 南韓商細美事有限公司 | Lift pin unit, substrate support unit and substrate treating apparatus comprising the same |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003174071A (en) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | System for processing substrate |
JP2007036070A (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Tokyo Electron Ltd | Substrate elevating device and substrate processing device |
KR100843106B1 (en) * | 2008-03-14 | 2008-07-03 | 주식회사 아이피에스 | Vacuum processing apparatus |
JP2008533697A (en) * | 2005-01-18 | 2008-08-21 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | Wafer support pin member |
JP2008270721A (en) * | 2007-03-27 | 2008-11-06 | Tokyo Electron Ltd | Substrate mounting base and substrate processing device |
KR20090031038A (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-25 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Lift pin module and device for manufacturing flat display device using the same |
JP2010087473A (en) * | 2008-07-31 | 2010-04-15 | Canon Anelva Corp | Substrate alignment apparatus and substrate processing apparatus |
JP2010245564A (en) * | 2002-01-10 | 2010-10-28 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus |
KR20110045327A (en) * | 2009-10-26 | 2011-05-04 | 주식회사 테스 | Apparatus for processing a substrate |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6120609A (en) * | 1996-10-25 | 2000-09-19 | Applied Materials, Inc. | Self-aligning lift mechanism |
JP2006080291A (en) * | 2004-09-09 | 2006-03-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | Substrate processing apparatus |
JP2008045575A (en) * | 2006-08-10 | 2008-02-28 | Hitachi Constr Mach Co Ltd | Hydraulic drive mechanism for hydraulic shovel |
JP4795899B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate mounting mechanism and substrate delivery method |
JP5561664B2 (en) * | 2006-09-08 | 2014-07-30 | 株式会社 エスアンドデイ | Lift pin mechanism |
KR100843107B1 (en) * | 2007-01-31 | 2008-07-03 | 주식회사 아이피에스 | Vacuum processing apparatus |
JP5759177B2 (en) * | 2008-02-08 | 2015-08-05 | ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation | Plasma processing apparatus, method for processing semiconductor substrate, and axis perpendicular displacement bellows unit |
JP6235293B2 (en) * | 2013-10-02 | 2017-11-22 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing equipment |
-
2019
- 2019-03-18 JP JP2019049875A patent/JP7198694B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-05 KR KR1020200027767A patent/KR102356931B1/en active IP Right Grant
- 2020-03-09 TW TW109107601A patent/TWI836026B/en active
- 2020-03-09 CN CN202010157227.2A patent/CN111710641B/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003174071A (en) * | 2001-12-06 | 2003-06-20 | Hitachi Kokusai Electric Inc | System for processing substrate |
JP2010245564A (en) * | 2002-01-10 | 2010-10-28 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus |
JP2008533697A (en) * | 2005-01-18 | 2008-08-21 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | Wafer support pin member |
JP2007036070A (en) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Tokyo Electron Ltd | Substrate elevating device and substrate processing device |
JP2008270721A (en) * | 2007-03-27 | 2008-11-06 | Tokyo Electron Ltd | Substrate mounting base and substrate processing device |
KR20090031038A (en) * | 2007-09-21 | 2009-03-25 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Lift pin module and device for manufacturing flat display device using the same |
KR100843106B1 (en) * | 2008-03-14 | 2008-07-03 | 주식회사 아이피에스 | Vacuum processing apparatus |
JP2010087473A (en) * | 2008-07-31 | 2010-04-15 | Canon Anelva Corp | Substrate alignment apparatus and substrate processing apparatus |
KR20110045327A (en) * | 2009-10-26 | 2011-05-04 | 주식회사 테스 | Apparatus for processing a substrate |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220336258A1 (en) * | 2021-04-16 | 2022-10-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for controlling lift pin movement |
CN113471125A (en) * | 2021-06-15 | 2021-10-01 | 杭州大和热磁电子有限公司 | Automatic opening and closing structure of corner-leaning tray |
CN113471125B (en) * | 2021-06-15 | 2024-03-22 | 杭州大和热磁电子有限公司 | Automatic opening and closing structure of corner leaning tray |
CN114351122A (en) * | 2021-12-14 | 2022-04-15 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | Carrier plate transmission lifting system for heterojunction CVD equipment |
CN114351122B (en) * | 2021-12-14 | 2023-08-08 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | Carrier plate transmission lifting system for heterojunction CVD equipment |
CN118073268A (en) * | 2024-04-22 | 2024-05-24 | 盛吉盛半导体科技(无锡)有限公司 | Wafer lifting device and wafer lifting method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI836026B (en) | 2024-03-21 |
KR20200111102A (en) | 2020-09-28 |
JP7198694B2 (en) | 2023-01-04 |
CN111710641B (en) | 2023-06-20 |
CN111710641A (en) | 2020-09-25 |
TW202045848A (en) | 2020-12-16 |
KR102356931B1 (en) | 2022-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2020155458A (en) | Substrate lift mechanism, substrate supporter, and substrate processing device | |
JP6650841B2 (en) | Substrate lifting mechanism, substrate mounting table and substrate processing device | |
JP4951536B2 (en) | Substrate mounting table and substrate processing apparatus | |
JP3205145U (en) | Board lift pin actuator | |
US7718925B2 (en) | Substrate heat treatment apparatus | |
JP2015167159A (en) | Board mounting device and board treatment device | |
KR102362059B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
US8568554B2 (en) | Movable gas introduction structure and substrate processing apparatus having same | |
JP2007069991A (en) | Lifting mechanism and conveying device | |
KR102418315B1 (en) | substrate processing equipment | |
KR20160035982A (en) | Gate valve and substrate processing system | |
US20220336258A1 (en) | Apparatus for controlling lift pin movement | |
KR20170099401A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2007080935A (en) | Substrate heat treatment apparatus | |
KR20120115146A (en) | Loading unit and processing system | |
CN111033695A (en) | Inner wall and substrate processing apparatus | |
JP4030302B2 (en) | Vacuum processing equipment | |
US20070077354A1 (en) | Thermal conditioning plate with gas gap leak | |
KR20220022096A (en) | Vacuum processing apparatus and method for controlling vacuum processing apparatus | |
US20230144827A1 (en) | Substrate processing apparatus | |
US11217469B2 (en) | Substrate transfer apparatus | |
JP7515340B2 (en) | Vacuum processing apparatus and method for controlling the vacuum processing apparatus | |
JP2023114542A (en) | Substrate processing apparatus and positional difference correction method | |
KR20240013050A (en) | Substrate support structure and substrate processing apparatus | |
CN115332048A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20211122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221108 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7198694 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |