JP4030302B2

JP4030302B2 - Vacuum processing equipment

Info

Publication number: JP4030302B2
Application number: JP2001384040A
Authority: JP
Inventors: 進新井
Original assignee: Ulvac Inc
Current assignee: Ulvac Inc
Priority date: 2001-12-18
Filing date: 2001-12-18
Publication date: 2008-01-09
Anticipated expiration: 2021-12-18
Also published as: JP2003183830A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はガラス基板、半導体基板等の基板を物理的、化学的に処理するための真空処理装置に関するものであり、更に詳しくは、処理室内で基板を載置し処理するべく昇降されるサセプタと、サセプタとは異なった動きで昇降される基板とを同一の駆動源で昇降させることが可能な真空処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、百万個単位のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が形成されたＬＣＤ（液晶ディスプレイパネル）がテレビや小型コンピュータに多用されるようになっているほか、テレビではＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）も採用されるようになっているが、これらは何れも、比較的面積の大きいガラス基板面に対し、真空加熱下に、ＣＶＤ（化学的気相成長）、スパッタリング、蒸着などの方法によって成膜処理を施し、要すればイオン注入処理、熱処理、エッチング処理を施して製造されている。
【０００３】
例えば、ＬＣＤ用のガラス基板には３５０×４５０×１（何れもｍｍ）サイズのもの、最近では７３０×９２０×１（何れもｍｍ）サイズのものが使用されるようになっているが、これらのガラス基板に対し、プラズマＣＶＤ法によって薄膜を形成させる真空処理装置においては、成膜用の真空チャンバー内に設けられヒータを内蔵するサセプタ（載置台）上に、外部からガラス基板を搬送ロボットによって搬入し載置して３００℃〜５００℃の温度に加熱し、ガラス基板の端面や裏面側には薄膜が形成されないように、ガラス基板の端縁から内側へ細幅の部分を覆うようにマスクを重ねて成膜することが行われている。
【０００４】
そして、このような系において、当初はガラス基板Ｇを真空チャンバーに搬入し搬出する搬送ロボットとして上下方向の動作が可能なロボットハンドを有するものが使用されたが、ガラス基板のサイズが大になるにつれて、ロボットハンドの動作時における振動が大になってガラス基板Ｇが位置ズレを起す等の問題を生ずるようになった。従って、これに対処し得るものとして、ロボットハンドの上下方向の動作をなくし、基板を載置するサセプタと、基板を支持する昇降ピンとを独立して上下方向に動作させることにより、ロボットハンドからサセプタへのガラス基板Ｇの移載時にトラブルを招かないようにした真空処理装置が採用されている。
【０００５】
（従来例）
図１１は従来例のプラズマＣＶＤ装置２を示す部分破断側面図、図１２は図１１における［１２］−［１２］線方向の部分破断側面図であり、何れの図も上方の真空チャンバは断面で示されている。図１１、図１２を参照して、排気管１１０ｖによって真空排気される真空チャンバ１１０の内部には、載置されるガラス基板Ｇを加熱するためのヒータを内蔵（図示を省略）したアルミニウム製のサセプタ１２３が設置されており、真空チャンバ１１０の底壁の中央部を遊貫するパイプ状の昇降軸１２４によって支持されている。そして、昇降軸１２４は、真空チャンバ１１０の底壁と一体的なフレーム１１２に昇降可能に取り付けられたサセプタ昇降ベース１２７に立設されており、かつ、昇降軸１２４を囲うように真空チャンバ１１０の底壁側とサセプタ昇降ベース１２７の上面とに連結して設けられた二点鎖線で示すサセプタ側ベローズ１２８によって減圧雰囲気に設けられている。そして、サセプタ昇降ベース１２７はフレーム１１２に取り付けられた駆動モータ１２５によりボールネジ１２６を介して昇降される。
【０００６】
また、真空チャンバー１１０内でサセプタ１２３を上下方向に遊貫し、ガラス基板Ｇの周縁部を下方から支持するように配置されて、ガラス基板Ｇを昇降させる複数本の昇降ピン１３２が設けられており、昇降ピン１３２はそれらの下端に当接して支持するピン支持板１３３によって昇降され、ピン支持板１３３は、真空チャンバー１１０の底壁を昇降軸１２４の外周側で遊貫する４本の支柱１３４によって支持されている。そして、それぞれの支柱１３４は、支柱１３４を囲うように、真空チャンバー１１０の底面側と基板昇降ベース１３７の上面とに連結して設けられた基板側ベローズ１３８によって減圧雰囲気に設けられている。なお、基板昇降ベース１３７の中央部には上記の昇降軸１２４を遊貫させる開口１３１が形成されている。そして、基板昇降ベース１３７はフレーム１１２に取り付けられた駆動モータ１３５によりボールネジ１３６を介し、サセプタ昇降ベース１２７とは独立して昇降される。
【０００７】
すなわち、従来例のプラズマＣＶＤ装置２は、ロボットハンドによって搬入されるガラス基板Ｇに対し、駆動モータ１３５によって基板昇降ベース１３７を上昇させて、支柱１３４、ピン支持板１３３と共に昇降ピン１３２を上昇させ、昇降ピン１３２の上端にガラス基板Ｇを受け取った後、ロボットハンドを退避させ、次いで、駆動モータ１２５によってサセプタ昇降ベース１２７を上昇させ、昇降軸１２４と共にサセプタ１２３を上昇させて、ガラス基板Ｇの下面にサセプタ１２３の上面を当接させ、そのことによって加熱されるガラス基板Ｇに成膜を施すようにしたものである。
【０００８】
しかしながら、上記のように２台の駆動源を有する真空処理装置は、搬送ロボットが中央の搬送室に設置され、搬送室の外周側面に複数の真空チャンバーが配置されたマルチチャンバー方式のものとする場合には、各真空チャンバーの底壁の下方に駆動モータ、昇降機構が設置されることになって、多数の部品を要し部品コストを上昇させるほか、真空チャンバーの底壁の下方は昇降用機器類が錯綜した状態となり、メンテナンスの作業性を著しく低下させたものとなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、１基の真空チャンバーに付いて昇降用駆動源は１台でありながら、サセプタと基板とを異なった動きで昇降させることが可能な真空処理装置を提供することを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は請求項１の構成によって解決されるが、その解決手段を説明すれば、次の如くである。
【００１１】
請求項１の真空処理装置は、真空チャンバと、真空チャンバ内に設置されたサセプタと、サセプタを昇降させるサセプタ昇降ベースと、サセプタ昇降ベースを昇降移動させる駆動モータと、サセプタに遊貫され上端で基板を支持可能な複数の昇降ピンと、昇降ピンの下端に当接して昇降ピンをサセプタに対して上下移動させるピン支持板と、ピン支持板を昇降移動させる基板昇降ベースと、サセプタへ基板を移載し又はサセプタから基板を移載させるロボットハンドとを備え、サセプタ昇降ベースは、基板にサセプタの上面を当接させる基板処理位置と、基板処理位置よりも低位置でありサセプタの上面から昇降ピンの上端を突出させる基板授受位置と、基板を載置したロボットハンドが真空チャンバへ挿入され又は真空チャンバから引き戻される基板搬出入位置との間を移動可能であり、基板授受位置と基板搬出入位置との間の移動過程でサセプタとロボットハンドとの間で基板の授受が行なわれる真空処理装置であって、基板昇降ベースをサセプタに向けて上昇させるバネと、
サセプタ昇降ベースが基板処理位置にある時に、ピン支持板を昇降ピンの下端と当接しない上限位置を定める上昇規制手段と、サセプタ昇降ベースを基板授受位置から基板搬出入位置へ下降させる時にのみ基板昇降ベースをサセプタ昇降ベースに係止させて、サセプタ昇降ベースと共に基板昇降ベースを上限位置から所定の下降位置へ下降させる係止手段とを備えている装置である。
【００１２】
このような真空処理装置は、基板の搬出入に際し、サセプタ昇降ベースを基板搬出入位置に下降させ、かつ、昇降ピンを下降させるべく、通常はバネによってサセプタの方へ上昇されて上限位置にある基板昇降ベースをサセプタ昇降ベースに係止して所定の下降位置へ引き下げるので、基板昇降ベースを昇降させるための駆動源を必要としない。
【００１３】
請求項２の真空処理装置は、基板昇降ベースがサセプタ昇降ベースの上方に配置されていると共に、係止手段は、上端が基板昇降ベースに固定されてサセプタ昇降ベースを遊貫するシャフトと、シャフトの下端に設けられ、基板授受位置から基板搬出入位置へサセプタ昇降ベースが下降する際にサセプタ昇降ベースとシャフトを係止させる係止部材とからなる装置である。このような真空処理装置は、基板の搬入、搬出時におけるサセプタ昇降ベースへの基板昇降ベースの係止を最も簡便に行い得る。
【００１４】
請求項３の真空処理装置は、サセプタがサセプタ昇降ベースに対して真空チャンバの底壁を貫通する昇降軸を介して取り付けられ、ピン支持板は基板昇降ベースに対して真空チャンバの底壁を貫通する支持部材を介して取り付けられていると共に、支持部材は昇降軸の外周側に設置されている装置である。このような真空処理装置は、昇降ピンが上下方向に貫通しており、かつ基板を上面に載置させるサセプタの昇降軸と、昇降ピンを昇降させるピン支持板の支持部材とをそれぞれ同軸上で昇降をさせることができ、サセプタとピン支持板とを高い位置精度に維持することが可能である。
【００１５】
請求項４の真空処理装置は、基板昇降ベースとサセプタ昇降ベースとの間に昇降軸の周囲を囲む第１ベローズが設置されていると共に、真空チャンバの底壁と基板昇降ベースとの間に支持部材の周囲を囲む第２ベローズが第１ベローズと同一径として設置されている装置である。このような装置は昇降軸および支持部材を真空シールするベローズの構成を単純、簡素化させるほか、大気圧が基板昇降ベースを下方へ押し下げる力または上方へ押し上げる力として働くことはないので、基板昇降ベースを下降させるに際し、大気圧の力についての配慮を必要としない。
【００１６】
請求項５の真空処理装置は、バネの付勢力が調整可能とされている装置である。このような装置は、バネに掛かる重量、例えば基板昇降ベース、支持部材、ピン支持板、昇降ピン等の重量が変わる場合のほか、基板の重量が変更されるような場合にもバネの付勢力を適切に調整することによって駆動源の駆動力が不足または過大となることを防ぎ得る。
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の真空処理装置は、上述したように、真空チャンバと、真空チャンバ内に設置されたサセプタと、サセプタを昇降させるサセプタ昇降ベースと、サセプタ昇降ベースを昇降移動させる駆動モータと、サセプタに遊貫され上端で基板を支持可能な複数の昇降ピンと、昇降ピンの下端に当接して昇降ピンをサセプタに対して上下移動させるピン支持板と、ピン支持板を昇降移動させる基板昇降ベースと、サセプタへ基板を移載し又はサセプタから基板を移載させるロボットハンドとを備え、サセプタ昇降ベースは、基板にサセプタの上面を当接させる基板処理位置と、基板処理位置よりも低位置でありサセプタの上面から昇降ピンの上端を突出させる基板授受位置と、基板を載置したロボットハンドが真空チャンバへ挿入され又は真空チャンバから引き戻される基板搬出入位置との間を移動可能であり、基板授受位置と基板搬出入位置との間の移動過程でサセプタとロボットハンドとの間で基板の授受が行なわれる真空処理装置であって、基板昇降ベースをサセプタに向けて上昇させるバネと、サセプタ昇降ベースが基板処理位置にある時に、ピン支持板を昇降ピンの下端に当接させない上限位置を定める上昇規制手段と、サセプタ昇降ベースを基板授受位置から基板搬出入位置へ下降させる時にのみ基板昇降ベースをサセプタ昇降ベースに係止させて、サセプタ昇降ベースと共に基板昇降ベースを上限位置から所定の下降位置へ引き下げる係止手段とを備えている装置である。
【００１８】
真空チャンバー内でサセプタを支持し真空チャンバーの底壁を遊貫して真空チャンバー外へ導出されサセプタ昇降ベースに立設される昇降軸、および真空チャンバー内のピン支持板を支持し真空チャンバーの底壁を遊貫して真空チャンバー外へ導出され基板昇降ベースに立設される支持部材は、何れもベローズによって減圧雰囲気とされる。支持部材は昇降軸とは別個に減圧雰囲気とされてもよく、また、昇降軸とその外周側の支持部材を囲うように、基板昇降ベースの下面からサセプタ昇降ベースの上面までの第１ベローズと、真空チャンバーの底壁から基板昇降ベースの上面までの第２ベローズとを同軸に設けて、真空シールするようにしてもよく、そのことによってベローズの構成は単純、簡素化される。
【００１９】
しかし、第１ベローズと第２ベローズを基板昇降ベースの上下で同軸に設ける場合には、第１ベローズと第２ベローズの外径および内径を同一にすることが望ましい。例えば、第２ベローズに比して第１ベローズの径を大にすると、真空チャンバーと共にベローズ内が真空下にある時、大気圧は基板昇降ベースを押し下げるように作用するので、基板昇降ベースを真空チャンバー側へ付勢するバネには本来のバネ力に加えて大気圧以上の力を与えることが必要であり、そのようなバネの存在下に、サセプタ昇降ベースを基板授受位置Ｍから基板搬出入位置Ｌへ下降させ、サセプタ昇降ベースに係止される基板昇降ベースをバネに抗して引き下げるには駆動力の大きい駆動源が必要になるからである。また、第１ベローズに比して第２ベローズの径を大にすると、大気圧は基板昇降ベースを押し上げるように作用するので、この基板昇降ベースをサセプタ昇降ベースによって引き下げるに際しても大きい駆動力を必要とする。
【００２０】
下端を静止部に固定し上端によって基板昇降ベースをサセプタに向けて上昇させるバネにはコイルバネを使用し得るほか、板バネ類、窒素ガス等を封入したガスダンパも使用し得る。このバネには、基板昇降ベース、支持部材、ピン支持板、昇降ピン、基板等の重量が掛かるので、バネはこれらの負荷重量から受ける力以上の付勢力で基板昇降ベースをサセプタに向けて上昇させることを要するが、負荷重量が変更される場合には、それに応じてバネの付勢力を調整し得るものであることが好ましい。何故ならば、バネの付勢力が過大であると、基板昇降ベースを引き下げる時に駆動力の大きい駆動源を必要とするからである。例えばコイルバネを使用する場合には、バネの付勢力はコイルバネの長さによって変わるので、コイルバネの長さを調整し得るようにしておくことが望ましい。一例として、コイルバネの軸芯部にネジ付きシャフトを挿通させておき、コイルバネが介装される両端の部材の少なくとも一方の位置をネジ付きシャフトに螺合させたナットによって移動させることにより、コイルバネの長さを調整することができる。
【００２１】
また、基板昇降ベースを上方の真空チャンバー側へ付勢する場合における付勢の上限位置は、真空チャンバー、真空チャンバーに固定されたフレーム、その他の静止部にストッパーを設けておき、そのストッパーに基板昇降ベースを当接させることによって設定することができる。そして、ストッパーは如何なる形状のものであってもよいが、上限位置を調整することの可能なものであることが好ましく、例えば静止部に付勢の方向と同一の方向に螺着されたボルトをストッパーとし、付勢された基板昇降ベースをボルトの先端に当接させて位置決めするようにしてもよい。
【００２２】
サセプタ昇降ベースを基板授受位置Ｍから基板搬出入位置へ下降させる時に、サセプタ昇降ベースに基板昇降ベースを係止させて同期的に下降させるにはどのような方法を採用してもよいが、基板昇降ベースから下向きにシャフトを設けてサセプタ昇降ベースに遊挿し、サセプタ昇降ベースの下面側においてシャフトの下端部に遊挿穴の径より大きい係止用ナットを螺着させるのが最も簡便である。係止用ナットの螺着によって基板昇降ベースが係止されて引き下げ始める位置を調整することができる。また、遊挿穴の下面側に係止用ナットが嵌まり込む窪みを形成しておくことにより、遊挿穴の径を比較的大とした場合にもシャフトは確実に係止される。
【００２３】
サセプタ昇降ベースを昇降させるには、駆動源にモータを使用し、モータのネジ付き回転軸を正回転または逆回転させることによって、ネジ付き回転軸に螺合されたボールネジを昇降させ、ボールネジに一体的に取り付けたサセプタ昇降ベースを昇降させるようにしてもよく、また、空気圧シリンダ等のシリンダ類のロッドによってサセプタ昇降ベースを直接に昇降させるようにしてもよい。すなわち、サセプタ昇降ベースはどのような方法で昇降させてもよい。
【００２４】
【実施例】
次に本発明の真空処理装置を実施例により図面を参照して具体的に説明する。
【００２５】
（実施例）
図１は実施例のプラズマＣＶＤ装置１の部分破断側面図、図２は図１における［２］−［２］線方向の側面図、図３は図２における［３］−［３］線方向の部分破断側面図であり、図１、図３において真空チャンバー１０は断面で示されている。また、図１、図３に示した真空チャンバー１０には、プラズマ励起用のカソードや成膜用原料ガスの供給ライン等は図示を省略されている。図１、図２、図３を参照して、プラズマＣＶＤ装置１は概略的には真空チャンバー１０内でサセプタ２３を昇降させる大気側のサセプタ昇降ベース２７、および真空チャンバー１０内でガラス基板Ｇを昇降させる大気側の基板昇降ベース３７が、真空チャンバー１０の底壁側に固定されたフレーム１２に取り付けられているものであるが、以下にその詳細を説明する。
【００２６】
真空チャンバー１０は排気管１０ｖによって真空排気され、真空チャンバー１０の内部には、一点鎖線で示すように、後述の昇降軸２４内を通るリード２９ｔと接続されたヒータ２９を内蔵するアルミニウム製のサセプタ２３が設置されており、サセプタ２３を上下方向に遊貫し、ガラス基板Ｇの周縁部を下方から支持するように配置されて、ガラス基板Ｇを昇降させる複数本の昇降ピン３２が設けられており、これらの昇降ピン３２の下端に当接して昇降ピン３２と共にガラス基板Ｇを昇降させるピン支持板３３が設けられている。そして、サセプタ２３を昇降させるサセプタ昇降ベース２７と、ピン支持板３３を昇降させる基板昇降ベース３７は上述したように真空チャンバー１０の底壁側のフレーム１２に昇降可能に取り付けられている。
【００２７】
すなわち、フレーム１２は、真空チャンバー１０の底壁側に固定された天井板１３、底板１４、両者を繋ぐ垂直な背板１５、および背板１５と対向する位置で、底板１４を真空チャンバー１０に固定する２本の固定柱１６からなる立体的な形状を有している。そして、背板１５の外面側には、駆動モータ２５と、そのネジ付き回転軸２５ｓが固定されており、ネジ付き回転軸２５ｓが正回転または逆回転されることによって回転軸２５ｓに螺合されたボールネジ２６が昇降し、ボールネジ２６と一体的なサセプタ昇降ベース２７が共に昇降される。円ａ内に示したボールネジ２６の断面を拡大してに円Ａ内に示した。また、図２、図３に示すように、背板１５の外面側には、基板昇降ベース３７を真空チャンバー１０側へ付勢するコイルバネ３９が取り付けられているが、このコイルバネ３９については後述する。他方、背板１５の内面側にはサセプタ昇降ベース２７および基板昇降ベース３７の昇降を導く上下方向の２本のガイドレール１２ｒが、それぞれのガイド２７ｇ、３７ｇと共に取り付けられている。
【００２８】
そして、真空チャンバー１０内のサセプタ２３は真空チャンバー１０の底壁の中央部の開口１１を遊貫するパイプ状の昇降軸２４によって支持されている。この昇降軸２４は後述の基板昇降ベース３７に形成された開口３１を遊貫してサセプタ昇降ベース２７に立設されており、上記開口３１の下面の外周部とサセプタ昇降ベース２７の上面との間に昇降軸２４を囲うよう第１ベローズ２８が取り付けられている。そして、サセプタ昇降ベース２７は駆動モータ２５によってボールネジ２６を介し、後述するように、基板搬入搬出位置Ｌ、基板授受位置Ｍ、基板処理（成膜）位置Ｈの間を昇降される。図４はフレーム１２と、それに昇降可能に取り付けられたサセプタ昇降ベース２７、その側壁２７Ｗ、駆動モータ２５、第１ベローズ２８等を示す斜視図であるが、サセプタ昇降ベース２７はフレーム１２に固定された上下方向のガイドレール１２ｒに跨がるガイド２７ｇに取り付けられており、ガイドレール１２ｒに沿って昇降する。なお、上端のガイド３７ｇには後述する基板昇降ベース３７が取り付けられる。
【００２９】
図１、図２、図３へ戻り、真空チャンバー１０内でサセプタ２３を上下方向に遊貫し、ガラス基板Ｇの周縁部を下方から支持するように配置されて、ガラス基板Ｇを昇降させる複数本の昇降ピン３２が設けられており、これらの昇降ピン３２の下端に当接して昇降ピン３２と共にガラス基板Ｇを昇降させるピン支持板３３が設けられている。なお、昇降ピン３２は頭部を有し、下端が支持されない時には、頭部がサセプタ２３の上面に設けられた窪み２３ｈに収容されて垂下され、サセプタ２３の上面はフラット化される。上記のピン支持板３３は昇降軸２４の外周部分に配置され真空チャンバー１０の底壁および底壁と一体的なフランジ１７を遊貫する支持部材としての４本の支持パイプ３４によって支持されており、４本の支持パイプ３４はサセプタ昇降ベース２７の上方に位置する基板昇降ベース３７の開口３１の周囲に立設されている。そして、これらの支持パイプ３４は真空チャンバー１０の底壁側のフランジ１７における支持パイプ３４の外周部分と、基板昇降ベース３７の開口３１の外周部分との間に取り付けられた第２ベローズ３８によって囲われている。なお支持パイプ３４は支柱としてもよい。
【００３０】
また、図２、特に図３を参照して、フレーム１２の背板１５に固定された下方の固定部材１８と上方の固定部材２０との間にネジ付きシャフト１９が挟持されており、同シャフト１９の周囲に、請求項１におけるバネとしての、コイルバネ３９が介装されている。すなわち、基板昇降ベース３７の背部３７ｂに固定され、フレーム１２の背板１５を遊貫し外面側へ導出されたＬ字形状のブラケット２１と、ネジ付きシャフト１９に螺合された付勢力調整ナット１９ｎとの間にコイルバネ３９が介装されており、このコイルバネ３９によって、ブラケット２１、従ってブラケット２１と一体的な基板昇降ベース３７はサセプタ２３に向けて上昇されるが、請求項１における上昇規制手段としての、固定部材２０に螺着された位置決めボルト２０ｂの先端にブラケット２１が当接することによって上限位置が決められており、後述の図７に示す基板昇降ベース３７の上限位置Ｕが設定されている。そして、コイルバネ３９には、ブラケット２１を介して基板昇降ベース３７、支持パイプ３４、ピン支持板３３、昇降ピン３２、更にはガラス基板Ｇの重量が掛かるが、コイルバネ３９にはこれらの負荷重量に抗して基板昇降ベース３７を上昇させるだけの付勢力を要するので、ネジ付きシャフト１９上における付勢力調整ナット１９ｎの位置を調節することによってコイルバネ３９の長さを調整し付勢力を調整し得るようになっている。
【００３１】
更に、基板昇降ベース３７には、請求項１における係止手段としての、シャフト３５が上端部を固定して下向き取り付けられており、シャフト３５の下端部はサセプタ昇降ベース２７を遊挿されている。そして、サセプタ昇降ベース２７の下面側には、円ｂ内に囲んだ部分を拡大した図Ｂに示すように、サセプタ昇降ベース２７の遊挿穴２２に設けられた窪み２２ｈに嵌まり込む、同じく請求項１における係止手段としての、係止用ナット３６が螺着されている。この係止用ナット３６はサセプタ昇降ベース２７を後述の図９に示す基板授受位置Ｍから図１０に示す基板搬入搬出位置Ｌへ下降させる時にのみ、シャフト３５をサセプタ昇降ベース２７に係止させて基板昇降ベース３７を図７に示す上限位置Ｕから所定の下降位置Ｄへ引き下げるためのものである。
【００３２】
そして、図５は上記のピン支持板３３、基板昇降ベース３７等を一点鎖線で示したフレーム１２、サセプタ昇降ベース２７と共に示す斜視図であるが、基板昇降ベース３７はフレーム１２の背板１５に取り付けられた両側のレール１２ｒにそれぞれ跨がるガイド３７ｇに導かれて昇降する。六角形状のピン支持板３３は中央部の４箇所で４本の支持パイプ３４に固定され、中心位置の１個の座３３ｂと外周角部の６個の座部３３ｂにおいて昇降ピン３２の下端に当接して支持する。
【００３３】
本実施例のプラズマＣＶＤ装置１は以上のように構成されるが、次にその作用のステップを図６から図１０によって説明する。
【００３４】
図６は図１と同様な側面図であるが、図２、図３に示したコイルバネ３９を対応する高さ位置に付加的に示している。すなわち、図６において、サセプタ昇降ベース２７は駆動モータ２５と、そのネジ付き回転軸２５ｓに取り付けられたボールネジ２６によって下降されて最下の基板搬入搬出位置Ｌにあり、それの下降に伴い、基板昇降ベース３７のシャフト３５の下端部がサセプタ昇降ベース２７の下面側の係止用ナット３６によって係止され、基板昇降ベース３７が引き下げられて下降位置Ｄにある。従ってコイルバネ３９は基板昇降ベース３７に固定されたブラケット２１によって押し縮められ、第２ベローズ３８は引き伸ばされた状態にある。そのことによって、基板昇降ベース３７とは支持パイプ３４を介して接続されているピン支持板３３に下端を支持されている昇降ピン３２の上端は、ガラス基板Ｇを支持する高さよりも若干低い位置、すなわち、搬入されてくるガラス基板Ｇと接触しない位置とされる。そして、この状態において搬送ロボットのハンド４１に載置されてガラス基板Ｇが真空チャンバ１０内へ搬入されてくる。
【００３５】
図７は、サセプタ昇降ベース２７が図６の基板搬入搬出位置Ｌから基板授受位置Ｍへ上昇された状態であり、それに伴ってコイルバネ３９および第２ベローズ３８は元の長さに復帰し、基板昇降ベース３７も上限位置Ｕへ上昇され、そのことによって昇降ピン３２の上端にガラス基板Ｇが支持されて、ロボットハンド４１の上面から持ち上げられた状態を示す。すなわち、ガラス基板Ｇはロボットハンド４１上から昇降ピン３２の上端へ移載されてロボットハンド４１は退避される。なお、図７には基板昇降ベース３７の上昇前の下降位置Ｄに対応するブラケット２１の位置を一点鎖線で示した。
【００３６】
図８は図７の状態でロボットハンド４１が退避された後、サセプタ昇降ベース２７が基板授受位置Ｍから成膜位置Ｈへ上昇されて、第１ベローズ２８を押し縮めると共に、内蔵ヒータ２９によって昇温されたサセプタ２３がガラス基板Ｇに当接した状態を示し、そのことによってガラス基板Ｇが所定の温度に加熱されてプラズマＣＶＤによる成膜が開始される。なお、図７から図８へのサセプタ昇降ベース２７の上昇過程において、基板昇降ベース３７は高さ位置を変えることなく上限位置Ｕにあり、コイルバネ３９も長さを変えない。そして、サセプタ２３の上昇によって昇降ピン３２が持ち上げられることにより、ピン支持板３３による支持が外され、昇降ピン３２の頭部がサセプタ２３に設けた窪み２３ｈ内に収容されて垂下され、ガラス基板Ｇはサセプタ２３に密接する。
【００３７】
図９はサセプタ昇降ベース２７を図８の成膜位置Ｈから基板授受位置Ｍへ下降させた状態を示す図であり、この間、基板昇降ベース３７は高さ位置を変えず、コイルバネ３９も長さを変えない。従って昇降ピン３２の下端は再びピン支持板３３によって支持される。他方、第１ベローズ２８は元の長さに復帰される。すなわち、図９は図７と同様の状態であり、この状態において、成膜済みのガラス基板Ｇとサセプタ２３との間へロボットハンド４１が挿入される。
【００３８】
図１０はサセプタ昇降ベース２７を図９の基板授受位置Ｍから基板搬入搬出位置Ｌへ下降させた状態を示す図である。すなわち、サセプタ昇降ベース２７の下降に伴い、基板昇降ベース３７のシャフト３５の下端部が係止用ナット３６によってサセプタ昇降ベース２７に係止されて下降されることにより、基板昇降ベース３７が上限位置Ｕから下降位置Ｄへ引き下げられて、コイルバネ３９が基板昇降ベース３７に固定されたブラケット２１によって押し縮められ、第２ベローズ３８は引き伸ばされた状態となり、昇降ピン３２は下降される。すなわち図１０の状態は図６の状態と同じである。そして、図９の状態から図１０の状態へ移行する間に、昇降ピン３２が下降されることにより、図９において昇降ピン３２支持されていた成膜済みのガラス基板Ｇはロボットハンド４１へ移載される。続いて成膜済みのガラス基板Ｇはロボットハンド４１によって真空チャンバ１０から搬出される。そして、コイルバネ３９に掛かる負荷重量が変更される場合には、それに応じて付勢力調整ナット１９ｎによりコイルバネ３９の長さが調整される。図６から図１０までに説明したように、本実施例のプラズマＣＶＤ装置１はサセプタ昇降ベース２７および基板昇降ベース３７の昇降をサセプタ昇降ベース２７の駆動モータ２５によって行うものであり、それに伴って部品点数が削減されて部品コストを低下させるほか、昇降用機器類が単純、簡素化されることによりメンテナンス時の作業性が向上される。また、図６と図７との間におけるガラス基板Ｇの搬入持、図９と図１０との間の成膜済みのガラス基板Ｇの搬出持において、ロボットハンド４１の高さ位置を変えずに昇降ピン３２を昇降させて、ロボットハンド４１と昇降ピン３２との間でガラス基板Ｇを移し変えるので、ロボットハンド４１を上下動させることなく、ロボットハンド４１とサセプタ２３との間でのガラス基板Ｇの授受が可能である。
【００３９】
以上、本発明の真空処理装置を実施例によって説明したが、勿論、本発明はこれに限られることなく本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００４０】
例えば本実施例においては、基板昇降ベース３７の上下の面に外径および内径が同一の第１ベローズ２８と第２ベローズ３８を設けたものについて、昇降の挙動が異なるサセプタ昇降ベース２７と基板昇降ベース３７を駆動モータ２５で昇降させる場合を示したが、これ以外の真空処理装置においても、サセプタ昇降ベースと基板昇降ベースを１台の駆動モータで昇降させることは可能である。例えば図１１に示した従来例のプラズマＣＶＤ装置２、すなわち、昇降軸１２４を減圧雰囲気とする昇降軸側ベローズ１２８、および４本の支柱１３４のそれぞれに同様な支柱側ベローズ１３８を有するものについて、基板昇降ベース１３７の駆動モータ１３５を取り外し、実施例１のプラズマＣＶＤ装置１と同様に、基板昇降ベース１３７はコイルバネの付勢力によってサセプタ１２３へ向けて上昇させて上限位置としておき、サセプタ昇降ベース１２７を基板授受位置から基板搬出入位置へ下降させる時に、例えばシャフトを介して基板昇降ベース１３７をサセプタ昇降ベース１２７に係止させて、基板昇降ベース１３７を上限位置から下降位置へ引き下げるようにしてもよい。
【００４１】
また本実施例においては、ピン支持板３３を支持するための支持部材として４本の支持パイプ３４を使用したが、これに代えて昇降軸２４の外周を囲う同軸の１本のパイプとしてもよい。
また本実施例においては、真空処理装置としてプラズマＣＶＤ装置を例示したが、それ以外の成膜装置や熱処理装置、イオン注入装置、ドライエッチング装置、ないしはアッシング装置についても本発明を適用することができる。
【００４２】
【発明の効果】
本発明の真空処理装置は、以上に説明したような形態で実施され、次に記載するような効果を奏する。
【００４３】
請求項１の真空処理装置によれば、基板の搬出入に際し、例えば搬入される基板が昇降ピンと接触しないように、サセプタ昇降ベースを基板授受位置から基板搬出入位置へに下降させる時に、基板昇降ベースをサセプタ昇降ベースに係止させて、サセプタ昇降ベースと共に基板昇降ベースを上限位置から所定の下降位置へ下降させるので、昇降の挙動が異なるサセプタ昇降ベースと基板昇降ベースの昇降をサセプタ昇降ベースの駆動源で行うことができ、特にマルチチャンバ式の真空処理装置とした場合において、部品点数が削減されて部品コストを大幅に低減させ、かつ真空チャンバの下方の昇降関連機器が簡素化されてメンテナンス時における作業性を大幅に容易化させる。また、サイズの大きい基板の搬出入に際し、ロボットハンドが上下方向へ移動する動作を必要としないので、上下方向への動作時においてロボットハンドが振動し、そのことにより基板が位置ズレするようなトラブルを発生させない。
【００４４】
請求項２の真空処理装置によれば、基板昇降ベースに下向きに固定され下端部がサセプタ昇降ベースに遊貫されるシャフトと、サセプ基板昇降ベースタが下降される時にサセプタ昇降ベースとシャフトを係止させる係止部材とによって、サセプタ昇降ベースに基板昇降ベースを係止させるので、基板の搬出入時におけるサセプタ昇降ベースと基板昇降ベースの下降を簡易な手段で行なうことができ、かつその駆動はサセプタ昇降ベース用の駆動源で行ない得る。
【００４５】
請求項３の真空処理装置によれば、サセプタは真空チャンバの底壁を貫通する昇降軸を介して昇降ベースに取り付けられ、ピン支持板は真空チャンバの底壁を貫通する支持部材を介して基板昇降ベース取り付けられており、支持部材は昇降軸の外周側に設置されているので、昇降ピンが上下方向に貫通しており、かつ基板を上面に載置させるサセプタの昇降軸と、昇降ピンを昇降させるピン支持板の支持部材とをそれぞれ同軸上で昇降をさせることができ、サセプタとピン支持板とを高い位置精度に維持できるほか、昇降軸および支持部材をそれぞれ囲って真空シールするベローズの取り付けを容易化させる。
【００４６】
請求項４の真空処理装置によれば、同一径の第１ベローズと第２ベローズが基板昇降ベース挟んで設けられているので、基板昇降ベースには大気圧が作用せず、バネの付勢力によって上昇されて上限位置にある基板昇降ベースを引き下げるに要する駆動力が過大になることを防ぎ得る。
【００４７】
請求項５の真空処理装置によれば、バネの付勢力が調整可能とされているので、基板昇降ベース、支持部材、ピン支持板、昇降ピン等の重量が変更される場合や、基板の重量が変更される場合にも、バネの付勢力を適切に調整することによって対応することができ、真空処理装置の適用範囲を簡易に拡大させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例のプラズマＣＶＤ装置の部分破断側面図である。
【図２】図１における［２］−［２］線方向の側面図である。
【図３】図２における［３］−［３］線方向の部分破断側面図である。
【図４】フレームに取り付けたサセプタ昇降ベース回りの斜視図である。
【図５】フレームに取り付けた基板昇降ベース回りの斜視図である。
【図６】図６から図１０までは、真空チャンバー内へガラス基板が搬入され、成膜後に搬出されるまでにおける、サセプタ昇降ベースと基板昇降ベースとの昇降のステップを示す図であり、図６は基板がロボットハンドに載置されて搬入された状態を示す。
【図７】図６に続いて、ガラス基板が昇降ピンによって持ち上げられて、ロボットハンドが退避されんとする状態を示す。
【図８】図７に続いて、サセプタが上昇されてガラス基板に当接した状態を示し、ガラス基板が加熱され、成膜が行われる。
【図９】図８における成膜の完了後、サセプタが下降されて、ガラス基板とサセプタとの間に、ロボットハンドが挿入された状態を示す。
【図１０】図９に続いて、サセプタが下降されると共に、ピン支持板も下降されて昇降ピンによるガラス基板の支持が外されて、ロボットハンドにガラス基板が載置された状態を示す。
【図１１】従来例のプラズマＣＶＤ装置の部分破断側面図である。
【図１２】図１１における［１２］−［１２］線方向の部分破断側面図である。
【符号の説明】
１実施例のプラズマＣＶＤ装置
２従来例のプラズマＣＶＤ装置
１０真空チャンバ
１１開口
１２フレーム
１２ｒガイドレール
１５背板
１６固定柱
１７フランジ
１８バネ固定部材
１９ネジ付きシャフト
１９ｎ付勢力調整ナット
２０バネ固定部材
２０ｂ位置決めボルト
２１ブラケット
２２遊挿穴
２２ｈ遊挿穴の窪み
２３サセプタ
２４昇降軸
２５駆動モータ
２６ボ−ルネジ
２７サセプタ昇降ベース
２７ｇガイド
２８第１ベローズ
３１開口
３２昇降ピン
３３ピン支持板
３４支持パイプ
３５シャフト
３６係止用ナット
３７基板昇降ベース
３７ｇガイド
３８第２ベローズ
３９コイルバネ
４１ロボットハンド
Ｄ下降位置
Ｇガラス基板
Ｈ成膜位置
Ｌ基板搬出入位置
Ｍ基板授受位置
Ｕ上限位置 [0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a vacuum processing apparatus for physically and chemically processing a substrate such as a glass substrate or a semiconductor substrate. More specifically, the present invention relates to a susceptor that is moved up and down to place and process a substrate in a processing chamber. The present invention relates to a vacuum processing apparatus capable of moving a substrate moved up and down differently from a susceptor with the same drive source.
[0002]
[Prior art]
In recent years, LCDs (liquid crystal display panels) in which millions of TFTs (thin film transistors) are formed are widely used in televisions and small computers, and televisions also employ PDPs (plasma display panels). However, in any of these cases, a glass substrate surface having a relatively large area is subjected to film formation by a method such as CVD (Chemical Vapor Deposition), sputtering, or vapor deposition under vacuum heating. In this case, it is manufactured by performing an ion implantation process, a heat treatment, and an etching process.
[0003]
For example, a glass substrate for LCD having a size of 350 × 450 × 1 (both mm), and recently, a substrate having a size of 730 × 920 × 1 (both mm) has been used. In a vacuum processing apparatus for forming a thin film on a glass substrate by plasma CVD, a glass substrate is externally transferred by a robot on a susceptor (mounting table) provided in a vacuum chamber for film formation and incorporating a heater. It is carried in and placed and heated to a temperature of 300 ° C. to 500 ° C., and a mask is formed so as to cover a narrow portion from the edge of the glass substrate to the inside so that a thin film is not formed on the end surface or back side of the glass substrate. The film is formed by stacking layers.
[0004]
In such a system, a robot having a robot hand that can move in the vertical direction is used as a transfer robot that initially loads and unloads the glass substrate G into the vacuum chamber. However, the size of the glass substrate increases. As a result, the vibration during the operation of the robot hand becomes large, causing problems such as the glass substrate G being displaced. Therefore, as a countermeasure for this, the robot hand can be moved from the robot hand to the susceptor by moving the susceptor for placing the substrate and the lifting pins for supporting the substrate independently in the vertical direction. A vacuum processing apparatus that does not cause a trouble when the glass substrate G is transferred to is adopted.
[0005]
  (Conventional example)
  11 is a partially broken side view showing a conventional plasma CVD apparatus 2, FIG. 12 is a partially broken side view in the [12]-[12] line direction in FIG. 11, and the upper vacuum chamber is a cross section in any figure. It is shown in Referring to FIGS. 11 and 12, the inside of the vacuum chamber 110 that is evacuated by the exhaust pipe 110v has a built-in heater (not shown) for heating the glass substrate G to be placed. A susceptor 123 is installed and supported by a pipe-shaped lifting shaft 124 that penetrates the center of the bottom wall of the vacuum chamber 110. The elevating shaft 124 is erected on a susceptor elevating base 127 that is attached to a frame 112 integral with the bottom wall of the vacuum chamber 110 so as to be elevable. The elevating shaft 124 surrounds the elevating shaft 124. The susceptor side bellows 128 indicated by a two-dot chain line connected to the bottom wall side and the upper surface of the susceptor elevating base 127 is provided in a reduced pressure atmosphere. The susceptor elevating base 127 is a frame.112It is moved up and down via a ball screw 126 by a drive motor 125 attached to the motor.
[0006]
Further, a plurality of elevating pins 132 for elevating and lowering the glass substrate G are provided so as to penetrate the susceptor 123 in the vertical direction in the vacuum chamber 110 and to support the peripheral portion of the glass substrate G from below. The lift pins 132 are lifted and lowered by a pin support plate 133 that abuts and supports the lower ends of the lift pins 132, and the pin support plate 133 has four struts that pass through the bottom wall of the vacuum chamber 110 on the outer peripheral side of the lift shaft 124. 134. Each column 134 is provided in a reduced-pressure atmosphere by a substrate-side bellows 138 that is connected to the bottom surface side of the vacuum chamber 110 and the top surface of the substrate lifting base 137 so as to surround the column 134. Note that an opening 131 through which the lifting shaft 124 passes is formed at the center of the substrate lifting base 137. The substrate lifting base 137 is lifted and lowered independently of the susceptor lifting base 127 via a ball screw 136 by a drive motor 135 attached to the frame 112.
[0007]
That is, the plasma CVD apparatus 2 of the conventional example raises the substrate raising / lowering base 137 by the drive motor 135 to the glass substrate G carried by the robot hand, and raises the raising / lowering pins 132 together with the columns 134 and the pin support plate 133. Then, after receiving the glass substrate G at the upper end of the lift pins 132, the robot hand is retracted, and then the susceptor lift base 127 is lifted by the drive motor 125, and the susceptor 123 is lifted together with the lift shaft 124. The upper surface of the susceptor 123 is brought into contact with the lower surface, so that the film is formed on the glass substrate G heated.
[0008]
However, the vacuum processing apparatus having two drive sources as described above is of a multi-chamber type in which a transfer robot is installed in a central transfer chamber and a plurality of vacuum chambers are arranged on the outer peripheral side surface of the transfer chamber. In this case, a drive motor and a lifting mechanism are installed below the bottom wall of each vacuum chamber, which requires a large number of parts and increases the cost of the parts. The equipment is in a complicated state, and maintenance workability is significantly reduced.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and provides a vacuum processing apparatus capable of moving up and down a susceptor and a substrate with different movements while attaching to a single vacuum chamber and having only one lift driving source. The task is to do.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The above problem can be solved by the structure of claim 1. The means for solving the problem will be described as follows.
[0011]
  The vacuum processing apparatus according to claim 1 comprises:With vacuum chamber,A susceptor installed in the vacuum chamber,A susceptor lift base for lifting the susceptor and,A drive motor that moves the susceptor lift base up and down;,A plurality of elevating pins that can pass through the susceptor and support the substrate at the upper end;,A pin support plate that contacts the lower end of the lifting pin and moves the lifting pin up and down relative to the susceptor;,A substrate lifting base for moving the pin support plate up and down;,A robot hand for transferring a substrate to a susceptor or transferring a substrate from a susceptor.,The susceptor lift base is,A substrate processing position where the upper surface of the susceptor contacts the substrate;,A substrate transfer position that is lower than the substrate processing position and protrudes from the upper surface of the susceptor to the upper end of the lifting pins.,The robot hand on which the substrate is placed can be moved between the substrate loading / unloading position where it is inserted into the vacuum chamber or pulled back from the vacuum chamber.,A vacuum processing apparatus in which a substrate is transferred between a susceptor and a robot hand during a movement process between a substrate transfer position and a substrate carry-in / out position.,A spring that raises the substrate lift base toward the susceptor;,
Ascending restriction means for determining an upper limit position where the pin support plate does not contact the lower end of the elevating pin when the susceptor elevating base is in the substrate processing position;,Only when lowering the susceptor lift base from the substrate transfer position to the substrate loading / unloading position, the substrate lift base is locked to the susceptor lift base, and the substrate lift base together with the susceptor lift base is lowered from the upper limit position to a predetermined lowered position. With meansDevice.
[0012]
  Such a vacuum processing apparatus usually uses a spring to lower the susceptor lifting / lowering base to the substrate loading / unloading position and lower the lifting pins when loading / unloading the substrate.SusceptorRaised toUpper limit positionThe board lift base inLocked to the susceptor lifting base and loweredTherefore, a drive source for raising and lowering the substrate raising / lowering base is not required.
[0013]
  The vacuum processing apparatus according to claim 2 comprises:The substrate elevating base is disposed above the susceptor elevating base, and the locking means includes a shaft whose upper end is fixed to the substrate elevating base and passes through the susceptor elevating base.,It is provided at the lower end of the shaft, and includes a susceptor lifting base and a locking member for locking the shaft when the susceptor lifting base is lowered from the substrate transfer position to the substrate carry-in / out position.Device. Such a vacuum processing apparatus can most easily perform the locking of the substrate lifting base to the susceptor lifting base during loading and unloading of the substrate.
[0014]
  The vacuum processing apparatus according to claim 3 is:The susceptor is attached to the susceptor lifting base via a lifting shaft that penetrates the bottom wall of the vacuum chamber.,The pin support plate is attached to the substrate lifting base via a support member that penetrates the bottom wall of the vacuum chamber.,The support member is installed on the outer peripheral side of the lifting shaftDevice.In such a vacuum processing apparatus, the elevating pins penetrate vertically, and the elevating shaft of the susceptor that places the substrate on the upper surface and the support member of the pin support plate that elevates the elevating pins are coaxially arranged. It can be moved up and down, and the susceptor and pin support plate can be maintained with high positional accuracy..
[0015]
  The vacuum processing apparatus according to claim 4 is:A first bellows surrounding the lifting shaft is installed between the substrate lifting base and the susceptor lifting base.,A second bellows surrounding the support member is installed between the bottom wall of the vacuum chamber and the substrate lifting base with the same diameter as the first bellows.Device. Such a deviceBesides simplifying and simplifying the bellows structure that vacuum seals the lifting shaft and support member,Since atmospheric pressure does not work as a force that pushes the substrate lifting base downward or pushes it upward,,There is no need to consider atmospheric pressure when lowering the substrate lift base..
[0016]
  The vacuum processing apparatus according to claim 5 is:The biasing force of the springIt is a device that can be adjusted. Such a device can be used not only when the weight applied to the spring, such as the weight of the substrate lifting base, support member, pin support plate, lifting pin, etc., but also when the weight of the substrate is changed.EnergizingBy appropriately adjusting the force, the driving force of the driving source can be prevented from becoming insufficient or excessive.
[0017]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
  As described above, the vacuum processing apparatus of the present invention is as follows.With vacuum chamber,A susceptor installed in the vacuum chamber,A susceptor lift base for lifting the susceptor and,A drive motor that moves the susceptor lift base up and down;,A plurality of elevating pins that can pass through the susceptor and support the substrate at the upper end;,A pin support plate that contacts the lower end of the lifting pin and moves the lifting pin up and down relative to the susceptor;,A substrate lifting base for moving the pin support plate up and down;,A robot hand for transferring a substrate to a susceptor or transferring a substrate from a susceptor.,The susceptor lift base is,A substrate processing position where the upper surface of the susceptor contacts the substrate;,A substrate transfer position that is lower than the substrate processing position and protrudes from the upper surface of the susceptor to the upper end of the lifting pins.,The robot hand on which the substrate is placed can be moved between the substrate loading / unloading position where it is inserted into the vacuum chamber or pulled back from the vacuum chamber.,A vacuum processing apparatus in which a substrate is transferred between a susceptor and a robot hand during a movement process between a substrate transfer position and a substrate carry-in / out position.,A spring that raises the substrate lift base toward the susceptor;,An ascending restriction means for determining an upper limit position at which the pin support plate is not brought into contact with the lower end of the elevating pin when the susceptor elevating base is in the substrate processing position;,Locking means for locking the substrate lifting base to the susceptor lifting base only when lowering the susceptor lifting base from the substrate transfer position to the substrate loading / unloading position and pulling the substrate lifting base together with the susceptor lifting base from the upper limit position to the predetermined lowering position And hasDevice.
[0018]
The susceptor is supported in the vacuum chamber, passes through the bottom wall of the vacuum chamber, is led out of the vacuum chamber and is lifted up and down on the susceptor lifting base, and supports the pin support plate in the vacuum chamber and supports the bottom of the vacuum chamber. The supporting members that pass through the walls and are led out of the vacuum chamber and are erected on the substrate lifting base are made into a reduced pressure atmosphere by the bellows. The support member may be in a reduced pressure atmosphere separately from the lift shaft, and the first bellows from the lower surface of the substrate lift base to the upper surface of the susceptor lift base so as to surround the lift shaft and the support member on the outer periphery thereof. The second bellows from the bottom wall of the vacuum chamber to the upper surface of the substrate elevating base may be provided coaxially and vacuum sealed, thereby simplifying and simplifying the configuration of the bellows.
[0019]
However, when the first bellows and the second bellows are provided coaxially above and below the substrate lifting base, it is desirable that the first bellows and the second bellows have the same outer diameter and inner diameter. For example, if the diameter of the first bellows is made larger than that of the second bellows, when the inside of the bellows is under vacuum together with the vacuum chamber, the atmospheric pressure acts to push down the substrate lifting base. In addition to the original spring force, it is necessary to apply a force higher than atmospheric pressure to the spring biased to the chamber side. In the presence of such a spring, the susceptor lifting base is moved in and out of the substrate transfer position M. This is because a driving source having a large driving force is required to lower the position to the position L and pull down the substrate lifting base locked to the susceptor lifting base against the spring. Also, if the diameter of the second bellows is made larger than that of the first bellows, the atmospheric pressure acts to push up the substrate lifting base, so a large driving force is required even when the substrate lifting base is pulled down by the susceptor lifting base. And
[0020]
  The lower end is fixed to the stationary part, and the substrate lifting base isRaise towards the susceptorCoil for springSpringIn addition, it is also possible to use a gas damper in which a leaf spring, nitrogen gas or the like is sealed. Since the weight of the board elevating base, support member, pin support plate, elevating pin, board, etc. is applied to this spring, the spring exceeds the force received from these load weights.EnergizingThe board lift base with forceRaise towards the susceptorHowever, if the load weight is changed, the springEnergizingIt is preferable that the force can be adjusted. Because of the springEnergizingThis is because if the force is excessive, a driving source having a large driving force is required when the substrate lifting base is pulled down. CoilSpringWhen using the springEnergizingForce coilSpringBecause it depends on the length of the coilSpringIt is desirable to be able to adjust the length. As an example, coilSpringInsert the threaded shaft through the shaft core of theSpringThe coil is moved by moving the position of at least one of the members at both ends where the screw is interposed by a nut screwed to the threaded shaft.SpringThe length of can be adjusted.
[0021]
In addition, when the substrate lifting base is urged toward the upper vacuum chamber, the upper limit position of urging is that a stopper is provided on the vacuum chamber, a frame fixed to the vacuum chamber, and other stationary parts, and the substrate is placed on the stopper. It can be set by bringing the lifting base into contact. The stopper may have any shape, but it is preferable that the upper limit position can be adjusted. For example, a bolt screwed to the stationary part in the same direction as the urging direction is used. A stopper may be used to position the biased substrate lifting base in contact with the tip of the bolt.
[0022]
When the susceptor elevating base is lowered from the substrate transfer position M to the substrate carry-in / out position, any method may be adopted to lock the substrate elevating base to the susceptor elevating base and lower it synchronously. It is most convenient to provide a shaft downward from the lifting base and loosely insert it into the susceptor lifting base, and screw a locking nut larger than the diameter of the loose insertion hole to the lower end of the shaft on the lower surface side of the susceptor lifting base. The position at which the substrate lifting base is locked by screwing the locking nut can be adjusted. Further, by forming a recess into which the locking nut is fitted on the lower surface side of the loose insertion hole, the shaft is reliably locked even when the diameter of the loose insertion hole is relatively large.
[0023]
To raise and lower the susceptor elevating base, a motor is used as the drive source, and the ball screw screwed to the screwed rotation shaft is raised and lowered by rotating the screwed rotation shaft of the motor forward or backward, and integrated with the ball screw The attached susceptor lifting base may be lifted or lowered, or the susceptor lifting base may be lifted directly by a rod of a cylinder such as a pneumatic cylinder. That is, the susceptor lifting base may be lifted and lowered by any method.
[0024]
【Example】
Next, the vacuum processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
[0025]
(Example)
1 is a partially broken side view of the plasma CVD apparatus 1 of the embodiment, FIG. 2 is a side view in the direction [2]-[2] in FIG. 1, and FIG. 3 is in the direction [3]-[3] in FIG. FIG. 4 is a partially cutaway side view of the vacuum chamber 10 in FIG. 1 and FIG. 3. Further, in the vacuum chamber 10 shown in FIGS. 1 and 3, illustration of a cathode for plasma excitation, a supply line for film forming raw material gas, and the like is omitted. With reference to FIGS. 1, 2, and 3, the plasma CVD apparatus 1 schematically shows a susceptor ascending / descending base 27 for raising and lowering the susceptor 23 in the vacuum chamber 10, and a glass substrate G in the vacuum chamber 10. The atmospheric substrate lift base 37 to be lifted and lowered is attached to the frame 12 fixed to the bottom wall side of the vacuum chamber 10, and the details will be described below.
[0026]
The vacuum chamber 10 is evacuated by an exhaust pipe 10v. Inside the vacuum chamber 10, as shown by a one-dot chain line, an aluminum susceptor incorporating a heater 29 connected to a lead 29t passing through an elevating shaft 24 described later. 23 is installed, is provided so as to pass through the susceptor 23 in the vertical direction, and support the peripheral portion of the glass substrate G from below, and is provided with a plurality of lifting pins 32 that lift and lower the glass substrate G. In addition, a pin support plate 33 is provided in contact with the lower ends of the elevating pins 32 to elevate the glass substrate G together with the elevating pins 32. The susceptor elevating base 27 for elevating the susceptor 23 and the substrate elevating base 37 for elevating the pin support plate 33 are attached to the frame 12 on the bottom wall side of the vacuum chamber 10 so as to be elevable.
[0027]
That is, the frame 12 has a ceiling plate 13 fixed to the bottom wall side of the vacuum chamber 10, a bottom plate 14, a vertical back plate 15 connecting the two, and a position facing the back plate 15. It has a three-dimensional shape composed of two fixed columns 16 to be fixed. A drive motor 25 and a screwed rotary shaft 25s are fixed to the outer surface of the back plate 15, and the screwed rotary shaft 25s is screwed into the rotary shaft 25s by rotating forward or backward. The ball screw 26 moves up and down, and the susceptor lifting base 27 integrated with the ball screw 26 is lifted and lowered together. The cross section of the ball screw 26 shown in the circle a is enlarged and shown in the circle A. As shown in FIGS. 2 and 3, a coil spring 39 for urging the substrate lifting base 37 toward the vacuum chamber 10 is attached to the outer surface side of the back plate 15. The coil spring 39 will be described later. . On the other hand, two guide rails 12r in the vertical direction that guide the raising and lowering of the susceptor lifting base 27 and the substrate lifting base 37 are attached to the inner surface side of the back plate 15 together with the guides 27g and 37g.
[0028]
The susceptor 23 in the vacuum chamber 10 is supported by a pipe-like lifting shaft 24 that passes through the opening 11 at the center of the bottom wall of the vacuum chamber 10. The elevating shaft 24 passes through an opening 31 formed in a substrate elevating base 37 which will be described later, and is erected on the susceptor elevating base 27, and the outer peripheral portion of the lower surface of the opening 31 and the upper surface of the susceptor elevating base 27 are A first bellows 28 is attached so as to surround the elevating shaft 24 therebetween. The susceptor elevating base 27 is moved up and down between a substrate loading / unloading position L, a substrate transfer position M, and a substrate processing (film formation) position H by a drive motor 25 via a ball screw 26 as will be described later. FIG. 4 is a perspective view showing the frame 12 and a susceptor elevating base 27 attached to the frame 12 so as to be movable up and down, a side wall 27W thereof, a drive motor 25, a first bellows 28, and the like. It is attached to a guide 27g straddling the vertical guide rail 12r, and moves up and down along the guide rail 12r. A substrate elevating base 37 described later is attached to the upper end guide 37g.
[0029]
Returning to FIGS. 1, 2, and 3, a plurality of susceptors 23 are vertically penetrated in the vacuum chamber 10 so as to support the peripheral portion of the glass substrate G from below, and the glass substrate G is moved up and down. Elevating pins 32 are provided, and a pin support plate 33 is provided for contacting the lower ends of these elevating pins 32 and elevating the glass substrate G together with the elevating pins 32. In addition, the raising / lowering pin 32 has a head, and when the lower end is not supported, the head is accommodated in a recess 23h provided on the upper surface of the susceptor 23 and suspended, and the upper surface of the susceptor 23 is flattened. The pin support plate 33 is disposed on the outer peripheral portion of the lifting shaft 24 and is supported by four support pipes 34 as support members that penetrate the flange 17 integral with the bottom wall of the vacuum chamber 10 and the bottom wall. The four support pipes 34 are erected around the opening 31 of the substrate lifting base 37 located above the susceptor lifting base 27. These support pipes 34 are surrounded by a second bellows 38 attached between the outer peripheral portion of the support pipe 34 in the flange 17 on the bottom wall side of the vacuum chamber 10 and the outer peripheral portion of the opening 31 of the substrate lifting base 37. It has been broken. The support pipe 34 may be a support column.
[0030]
  Further, referring to FIG. 2, particularly FIG. 3, a threaded shaft 19 is sandwiched between a lower fixing member 18 fixed to the back plate 15 of the frame 12 and an upper fixing member 20. A coil as a spring in claim 1 around 19Spring39 is interposed. That is, it is fixed to the back portion 37b of the substrate lifting base 37, loosely penetrates the back plate 15 of the frame 12, and is led to the outer surface side, and screwed to the threaded shaft 19.ForceCoil between adjustment nut 19nSpring39 is installed, this coilSpring39, the bracket 21 and thus the substrate lifting base 37 integral with the bracket 21 isIt ’s raised towards the susceptor 23,As a rise restricting means in claim 1At the tip of the positioning bolt 20b screwed to the fixing member 20Bracket 21 isContactThe upper limit position is determined by,As shown in FIG.Of the substrate lifting base 37Upper limit positionU is set. And coilSpring39, a substrate lifting base 37 through a bracket 21;Support pipe34, the pin support plate 33, the lifting pins 32, and the weight of the glass substrate G are applied.Spring39InResists the weight of the load and raises the substrate lifting base 37.RaiseOnlyEnergizingForce on the threaded shaft 19ForceCoil by adjusting the position of the adjusting nut 19nSpringAdjust the length of 39EnergizingThe power can be adjusted.
[0031]
  Furthermore, the substrate lifting base 37 includesAs locking means in claim 1The shaft 35 is fixed downward with its upper end fixed, and the lower end of the shaft 35 is loosely inserted into the susceptor lifting base 27. Then, on the lower surface side of the susceptor elevating base 27, as shown in FIG. B in which a portion surrounded by the circle b is enlarged, the susceptor elevating base 27 is fitted into a recess 22h provided in the loose insertion hole 22 of the susceptor elevating base 27.Similarly, as the locking means in claim 1A locking nut 36 is screwed. This locking nut 36 connects the susceptor elevating base 27 to the later described.As shown in FIG.From board transfer position MAs shown in FIG.When lowering to substrate loading / unloading position LonlyThe shaft 35 is locked to the susceptor elevating base 27 to fix the substrate elevating base 37.Upper limit position shown in FIG.From UPredetermined lowering positionIt is for lowering to D.
[0032]
5 is a perspective view showing the pin support plate 33, the substrate lifting base 37 and the like together with the frame 12 and the susceptor lifting base 27 shown by a one-dot chain line. The substrate lifting base 37 is attached to the back plate 15 of the frame 12. The guides 37g straddling the rails 12r on both sides attached are led up and down. The hexagonal pin support plate 33 is fixed to the four support pipes 34 at four locations in the center, and is located at the lower end of the elevating pin 32 at one seat 33b at the center and six seats 33b at the outer corners. Abut and support.
[0033]
The plasma CVD apparatus 1 of the present embodiment is configured as described above. Next, steps of the operation will be described with reference to FIGS.
[0034]
  FIG. 6 is a side view similar to FIG.As shown in FIG. 2 and FIG.coilSpring39 is additionally shown at the corresponding height position. That is, in FIG. 6, the susceptor elevating base 27 is lowered to the lowest substrate loading / unloading position L by the drive motor 25 and the ball screw 26 attached to the screwed rotating shaft 25s. Shaft 35 of lifting base 37Is locked by a locking nut 36 on the lower surface side of the susceptor lifting base 27.The substrate lifting base 37 is pulled downLower position DIt is in. Therefore coilSpring39 is compressed by the bracket 21 fixed to the substrate elevating base 37, and the second bellows 38 is stretched. Accordingly, the upper end of the lift pins 32 supported at the lower ends by the pin support plate 33 connected to the substrate lift base 37 via the support pipe 34 is slightly lower than the height at which the glass substrate G is supported. In other words, the position does not contact the glass substrate G that is carried in. In this state, the glass substrate G is loaded into the vacuum chamber 10 by being placed on the hand 41 of the transfer robot.
[0035]
  7 shows a state where the susceptor elevating base 27 is raised from the substrate loading / unloading position L of FIG. 6 to the substrate transfer position M. Accordingly, the coil spring 39 and the second bellows 38 are restored to their original lengths. Lift base 37Upper limit positionIn this state, the glass substrate G is supported on the upper end of the elevating pins 32 and is lifted from the upper surface of the robot hand 41. That is, the glass substrate G is transferred from the top of the robot hand 41 to the upper end of the lift pins 32, and the robot hand 41 is retracted. In FIG.Lowering the substrate lifting base 37 before risingThe position of the bracket 21 corresponding to the position D is indicated by a one-dot chain line.
[0036]
  In FIG. 8, after the robot hand 41 is retracted in the state of FIG. 7, the susceptor elevating base 27 is raised from the substrate transfer position M to the film forming position H, and the first bellows 28 is pressed and shrunk and lifted by the built-in heater 29. The heated susceptor 23 is in contact with the glass substrate G, whereby the glass substrate G is heated to a predetermined temperature and film formation by plasma CVD is started. In the process of raising the susceptor lifting base 27 from FIG. 7 to FIG. 8, the substrate lifting base 37 does not change its height position.Upper limit positionU, coilSpring39 does not change the length. The lift pins 32 are lifted by raising the susceptor 23 to remove the support by the pin support plate 33, the heads of the lift pins 32 are accommodated in the recesses 23h provided in the susceptor 23, and suspended. G is in close contact with the susceptor 23.
[0037]
  FIG. 9 is a view showing a state in which the susceptor elevating base 27 is lowered from the film forming position H of FIG. 8 to the substrate transfer position M. During this time, the substrate elevating base 37 does not change its height position, and the coilSpring39 does not change the length. Therefore, the lower end of the lifting pin 32 is again supported by the pin support plate 33.Ru. On the other hand, the first bellows 28 is returned to its original length. That is, FIG. 9 is the same state as FIG. 7, and in this state,The robot hand 41 is inserted between the film-formed glass substrate G and the susceptor 23.
[0038]
  10 shows that the susceptor elevating base 27 is lowered from the substrate transfer position M in FIG. 9 to the substrate loading / unloading position L.It is a figure which shows the state made to do. That is, to lower the susceptor elevating base 27AccompanyingThe shaft 35 of the substrate lifting base 37The lower end of theBy being locked and lowered by the susceptor elevating base 27, the substrate elevating base 37 is lowered from the upper limit position U to the lowered position D, and the coilSpring39 is compressed by the bracket 21 fixed to the substrate elevating base 37, and the second bellows 38 is extended.The lift pin 32 is lowered..That is, the state of FIG. 10 is the same as the state of FIG.. AndDuring the transition from the state of FIG. 9 to the state of FIG. 10, the raising and lowering pins 32 are lowered, so that the film-formed glass substrate G supported by the raising and lowering pins 32 in FIG. 9 is transferred to the robot hand 41. Ru.Subsequently, the film-formed glass substrate G is unloaded from the vacuum chamber 10 by the robot hand 41.. And coilSpringIf the load weight on 39 is changed,ForceCoil by adjusting nut 19nSpringThe length of 39 is adjusted. As described with reference to FIGS. 6 to 10, the plasma CVD apparatus 1 of this embodiment moves the susceptor lifting base 27 and the substrate lifting base 37 up and down by the drive motor 25 of the susceptor lifting base 27. In addition to reducing the number of parts and lowering the part cost, the workability during maintenance is improved by simplifying and simplifying the lifting equipment.Further, in carrying in / out of the glass substrate G between FIG. 6 and FIG. 7 and in carrying out the film-formed glass substrate G between FIG. 9 and FIG. 10, the height position of the robot hand 41 is not changed. Since the glass substrate G is moved between the robot hand 41 and the lift pins 32 by moving the lift pins 32 up and down, the glass substrate between the robot hand 41 and the susceptor 23 without moving the robot hand 41 up and down. G can be exchanged.
[0039]
As mentioned above, although the vacuum processing apparatus of this invention was demonstrated by the Example, of course, this invention is not restricted to this, A various deformation | transformation is possible based on the technical idea of this invention.
[0040]
  For example, in the present embodiment, the first and second bellows 28 and 38 having the same outer diameter and inner diameter are provided on the upper and lower surfaces of the substrate lifting base 37. Although the case where the base 37 is moved up and down by the drive motor 25 is shown, the susceptor lift base and the substrate lift base can be lifted and lowered by a single drive motor even in other vacuum processing apparatuses. For exampleAs shown in FIG.Conventional exampleofPlasma CVD apparatus 2, that is, an elevating shaft side bellows in which the elevating shaft 124 has a reduced pressure atmosphere128For each of the four columns 134 having the same column side bellows 138, the drive motor 135 of the substrate lifting base 137 is removed, and the substrate lifting base 137 is a coil spring as in the plasma CVD apparatus 1 of the first embodiment.Power ofByRaise it toward the susceptor 123 and set it as the upper limit position., Susceptor lifting base 127From board transfer positionLower to board loading / unloading positionSometimes,For example, the substrate lifting base 137 is locked to the susceptor lifting base 127 via a shaft., Substrate lifting base 137Upper limit positionFromLower positionYou may make it pull down to.
[0041]
In this embodiment, four support pipes 34 are used as support members for supporting the pin support plate 33, but instead of this, a single coaxial pipe surrounding the outer periphery of the lifting shaft 24 may be used. .
In this embodiment, the plasma CVD apparatus is exemplified as the vacuum processing apparatus. However, the present invention can be applied to other film forming apparatuses, heat treatment apparatuses, ion implantation apparatuses, dry etching apparatuses, or ashing apparatuses. .
[0042]
【The invention's effect】
The vacuum processing apparatus of the present invention is implemented in the form as described above, and has the following effects.
[0043]
  According to the vacuum processing apparatus of the first aspect, when the substrate is carried in and out, for example, the substrate carried in is raised and lowered.Avoid contact with pins,When lowering the susceptor lift base from the board transfer position to the board loading / unloading position,Lock the substrate lift base to the susceptor lift base and use it together with the susceptor lift baseBoard lift baseFrom the upper limit position to the predetermined lowering positionSince the susceptor lift base and the substrate lift base, which are different in the lift behavior, can be lifted by the drive source of the susceptor lift base, the number of parts is reduced especially in the case of a multi-chamber vacuum processing apparatus. The cost of parts is greatly reduced, and the lifting-related equipment below the vacuum chamber is simplified, and the workability during maintenance is greatly facilitated.In addition, when moving a large substrate in and out, the robot hand does not need to move up and down, so the robot hand vibrates during the up and down operation, causing the substrate to be displaced. Does not generate.
[0044]
  According to the vacuum processing apparatus of claim 2,The susceptor elevating base is fixed to the susceptor elevating base by a shaft fixed downward to the substrate elevating base and having a lower end loosely penetrated by the susceptor elevating base, and a locking member that engages the susceptor elevating base and the shaft when the susceptor elevating base is lowered. Because the board lift base is locked,The susceptor elevating base and the substrate elevating base can be lowered by a simple means when the substrate is carried in and out, and the driving can be performed by a driving source for the susceptor elevating base..
[0045]
  According to the vacuum processing apparatus of claim 3,The susceptor is attached to the lifting base via a lifting shaft that penetrates the bottom wall of the vacuum chamber.,The pin support plate is attached to the substrate lift base via a support member that penetrates the bottom wall of the vacuum chamber, and the support member is installed on the outer peripheral side of the lift shaft.,The elevating pin penetrates in the vertical direction, and the elevating shaft of the susceptor for placing the substrate on the upper surface and the support member of the pin support plate for elevating the elevating pin can be raised and lowered on the same axis. And pin support plate can be maintained with high positional accuracy,The attachment of the bellows that surrounds the support members and vacuum seals is facilitated.
[0046]
  According to the vacuum processing apparatus of claim 4, the sameoneThe first and second bellows of the diameterBecause it is provided across the substrate lifting base, Atmospheric pressure does not act on the substrate lifting base,It is raised by the spring biasing force and is in the upper limit positionIt is possible to prevent an excessive driving force required to pull down the substrate lifting base.
[0047]
  According to the vacuum processing apparatus of claim 5,The biasing force of the springSince the weight of the board lift base, support member, pin support plate, lift pin, etc. is changed or the weight of the board is changed, the spring can be adjusted.EnergizingThis can be dealt with by appropriately adjusting the force, and the application range of the vacuum processing apparatus can be easily expanded.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a partially cutaway side view of a plasma CVD apparatus according to an embodiment.
FIG. 2 is a side view taken along line [2]-[2] in FIG.
3 is a partially cutaway side view in the [3]-[3] line direction in FIG. 2;
FIG. 4 is a perspective view around a susceptor lifting base attached to a frame.
FIG. 5 is a perspective view around a substrate lifting base attached to a frame.
FIGS. 6 to 10 are diagrams showing steps of raising / lowering the susceptor raising / lowering base and the substrate raising / lowering base until the glass substrate is carried into the vacuum chamber and carried out after film formation. Reference numeral 6 denotes a state in which the substrate is loaded on the robot hand.
FIG. 7 shows a state where the glass substrate is lifted by the lifting pins and the robot hand is about to be retracted, following FIG. 6;
FIG. 8 shows a state in which the susceptor is lifted and is in contact with the glass substrate following FIG. 7, and the glass substrate is heated to form a film.
9 shows a state in which the susceptor is lowered after the film formation in FIG. 8 is completed, and the robot hand is inserted between the glass substrate and the susceptor.
FIG. 10 shows a state where the glass substrate is placed on the robot hand after the susceptor is lowered and the pin support plate is also lowered and the support of the glass substrate by the lifting pins is removed, following FIG.
FIG. 11 is a partially broken side view of a conventional plasma CVD apparatus.
12 is a partially cutaway side view in the [12]-[12] line direction in FIG. 11;
[Explanation of symbols]
    1 Plasma CVD apparatus of an embodiment
    2 Conventional plasma CVD equipment
  10 Vacuum chamber
  11 Opening
  12 frames
  12r guide rail
  15 Backboard
  16 Fixed column
  17 Flange
  18 Spring fixing member
  19 Threaded shaft
  19nForceAdjustment nut
  20 Spring fixing member
  20b Positioning bolt
  21bracket
  22 Free insertion hole
  22h Recessed hole
  23 Susceptor
  24 Lifting shaft
  25 Drive motor
  26 Ball screw
  27 Susceptor lifting base
  27g guide
  28th1Bellows
  31 opening
  32 Lifting pins
  33 pin support plate
  34 Support pipe
  35 shaft
  36 Locking nut
  37 Substrate lifting base
  37g guide
  38th2Bellows
  39 Coil spring
  41 Robot Hand
  DLower position
  G Glass substrate
  H Deposition position
  L Board loading / unloading position
  M Board position
  UUpper limit position

Claims

A vacuum chamber, a susceptor disposed within the vacuum chamber, and a susceptor elevating base for elevating the susceptor, and a drive motor for vertically moving the susceptor elevating base, capable of supporting the substrate at the top is loosely fitted to the susceptor A plurality of elevating pins , a pin support plate that makes contact with the lower end of the elevating pin and moves the elevating pin up and down relative to the susceptor, a substrate elevating base that elevates and moves the pin support plate, and the substrate to the susceptor A robot hand for transferring or transferring the substrate from the susceptor ,
The susceptor elevating base is a substrate processing position where the upper surface of the susceptor abuts the substrate , a substrate transfer position which is lower than the substrate processing position and protrudes the upper end of the elevating pin from the upper surface of the susceptor , The robot hand on which the substrate is placed is movable between a substrate loading / unloading position inserted into the vacuum chamber or pulled back from the vacuum chamber, and between the substrate transfer position and the substrate loading / unloading position. A vacuum processing apparatus in which the substrate is transferred between the susceptor and the robot hand during a movement process ,
A spring for raising the substrate lifting base toward the susceptor ;
When the susceptor elevating base is in the substrate processing position, ascending restriction means that sets the pin support plate as an upper limit position that does not contact the lower end of the elevating pin ;
The substrate lifting base is locked to the susceptor lifting base only when the susceptor lifting base is lowered from the substrate transfer position to the substrate loading / unloading position, and the substrate lifting base together with the susceptor lifting base is lowered from the upper limit position by a predetermined amount. A vacuum processing apparatus comprising: locking means for pulling down to a position .

The substrate lifting base is disposed above the susceptor lifting base,
The locking means is provided at a lower end of the shaft , the shaft having an upper end fixed to the substrate lifting base and passing through the susceptor lifting base, and the susceptor lifting base from the substrate transfer position to the substrate loading / unloading position. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the vacuum processing apparatus includes a locking member that locks the susceptor lifting base and the shaft when moving down .

The susceptor is attached to the susceptor lifting base via a lifting shaft that penetrates the bottom wall of the vacuum chamber ,
The pin support plate is attached to the substrate lifting base via a support member that penetrates the bottom wall of the vacuum chamber ,
The vacuum processing apparatus according to claim 2 , wherein the support member is installed on an outer peripheral side of the lifting shaft .

Between the substrate lifting base and the susceptor lifting base, a first bellows surrounding the lifting shaft is installed ,
4. The second bellows surrounding the periphery of the support member is installed between the bottom wall of the vacuum chamber and the substrate lifting base with the same diameter as the first bellows . Vacuum processing equipment.

The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein an urging force of the spring is adjustable.