JP2007036070A - Substrate elevating device and substrate processing device - Google Patents

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Takeshi Ito
毅 伊藤
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Tokyo Electron Ltd
東京エレクトロン株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate elevating device and a substrate processing device capable of safely elevating the substrate without causing one side hit of a lifter pin even in a vacuum processing device. <P>SOLUTION: A hollow surrounding tube 34 of an elevating plate 32 has an opening at its ceiling part 34a and a lower part of the lifter pin rear-anchor-part 9 is inserted in the opening. A ball bear 35 is arranged on the upper surface 32a of the elevating plate 32 and a ball bear 36 is arranged on a ceiling part inner surface 34b of the surrounding tube 34 facing to the elevating plate 32. The ball bear 35 press contacts to the lower surface of a flange 9a provided at the part 9. The ball bear 36 press contacts the upper surface of the flange 9a, so that the lifter pin 8 is supported with the flange 9a of the part 9 sandwiched. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、処理室内でフラットパネルディスプレイ(FPD)製造用のガラス基板などの被処理基板を昇降するための基板昇降装置、および、この基板昇降装置を備え、被処理基板に対してドライエッチング等の処理を施す基板処理装置に関する。 The present invention includes a substrate lifting device for lifting a substrate to be processed such as a glass substrate for a flat panel display (FPD) for the production in the process chamber, and comprises a substrate lifting device, dry etching or the like to the substrate to be processed processing a substrate processing apparatus for performing a.

例えば、FPD製造プロセスにおいては、被処理基板であるガラス基板に対して、ドライエッチングやスパッタリング、CVD(化学気相成長)等のプラズマ処理が多用されている。 For example, in the FPD manufacturing process, the glass substrate as a substrate to be processed, dry etching, sputtering, plasma processing such as CVD (chemical vapor deposition) is often used. このようなプラズマ処理は、例えば、チャンバー内に一対の平行平板電極(上部および下部電極)を配置した基板処理装置において行うことができる。 Such a plasma treatment, for example, can be performed in the substrate processing apparatus arranged a pair of parallel plate electrodes (upper and lower electrodes) in a chamber. このような基板処理装置では、下部電極として機能する載置台に被処理基板を載置し、処理ガスをチャンバー内に導入するとともに、電極の少なくとも一方に高周波電力を印加して電極間に高周波電界を形成し、この高周波電界により処理ガスのプラズマを形成して被処理基板に対してプラズマ処理が施される。 Such a substrate processing apparatus, a substrate to be processed is placed on the stage which functions as a lower electrode, thereby introducing a processing gas into the chamber, a high frequency electric field by applying a high frequency power to at least one of the electrodes between the electrodes forming a plasma processing is applied to the target substrate to form a plasma of the processing gas by the high frequency electric field.

ところで、基板処理装置の載置台には、基板載置面に対し突没可能な複数のリフターピンが設けられており、被処理基板を基板処理装置に搬入出する際には、これらのリフターピンが上昇することにより、被処理基板を載置台の載置面から離間させ、搬送機構との受渡しが行われる。 Incidentally, the mounting table of a substrate processing apparatus, a plurality of lifter pins capable project and retract with respect to the substrate mounting surface is provided with, at the time of loading and unloading a substrate to be processed to the substrate processing apparatus, these lifter pins There by raising, is separated from the mounting surface of the mounting table target substrate, transfer of the transport mechanism. また、基板処理装置でプラズマ処理を行う場合には、リフターピンが下降して被処理基板を載置台の載置面に載置する。 Further, when the plasma treatment in the substrate processing apparatus, the lifter pin mounted on the mounting surface of the mounting table target substrate is lowered.

上記のようなリフターピンは、載置台に形成された穴に挿入された状態で配備される。 Lifter pins as described above, is deployed in a state of being inserted into a hole formed in the mounting table. この穴の径が大きいと、被処理基板へエッチング等の処理を行う際にエッチングむらなどの処理の不均一を生じさせる可能性があるため、通常はリフターピンとの隙間があまり大きくならないような穴径が選択される。 If the diameter of the hole is large, because it may give rise to non-uniformity of processing such as etching unevenness when performing processing such as etching to the substrate to be processed, holes such as usually is not so large clearance between the lifter pin diameter is selected. しかし、プラズマ処理に際しては、載置台の温度変化を伴うことから、熱膨張により載置台に穿設された穴の位置がずれることがある。 However, when the plasma treatment, since it involves a change in temperature of the mounting table, the position of the hole formed in the mounting table by the thermal expansion is shifted. 載置台の穴の位置がずれると、穴の壁(あるいは穴内に配備されたブッシュなどの位置決め部材)と、そこに挿入されたリフターピンとが接触し、片当りを起こしてリフターピンが昇降不能なロック状態になったり、昇降時に摩耗が生じてパーティクルの原因になったりするという問題があった。 When the position of the mounting table bore of shifts, the hole in the wall (or positioning member, such as a bush, which is deployed in the hole), in contact with the lifter pin inserted therein, the lifter pin causing the contact pieces is impossible lifting or in a locked state, wear at the time of the lift there is a problem that or become a cause of particles occurs.

このため、常圧で加熱処理等を行う装置において、リフターピンの下端に当接してこれを押し上げる押し上げ部材にピローボールを配備し、バネの付勢力によりリフターピンの下端をピローボールに当接させることによって、熱膨張による載置台の穴の位置ずれに対してリフターピンを追随させることが提案されている(例えば、特許文献1)。 Therefore, in the apparatus for heat treatment and the like at normal pressure, to deploy the pillow ball push-up member for pushing up this contact with the lower end of the lifter pin, is brought into contact with the lower end of the lifter pin pillow ball by the urging force of the spring it allows it to follow the lifter pin with respect to the position deviation of the holes in the mounting table due to thermal expansion has been proposed (e.g., Patent Document 1).
特開平10−308348号公報 JP 10-308348 discloses

上記特許文献1では、ピローボールを使用して横方向の遊びを持たせることにより、載置台の熱膨張に基づく穴の位置ずれにリフターピンを追随させている点で優れたものである。 In Patent Document 1, by providing the lateral play with pillowtop ball, it is excellent in that it is following the lifter pin to the displacement of the holes due to thermal expansion of the mounting table. しかし、真空装置の場合には、処理室内が真空状態になると、その吸引力によりリフターピンが上方向へ吸引されてしまうため、リフターピンの下端をピローボールに当接させる特許文献1の方法では、リフターピンの下端とピローボールとが非接触の状態となり、ピローボールの機能が奏されなくなる。 However, in the case of the vacuum device, the processing chamber is in a vacuum state, therefore the lifter pin from being sucked upward by suction force, in the method of Patent Document 1 is brought into contact with the lower end of the lifter pin pillow ball , and a lower end and a pillow ball lifter pin becomes a non-contact state, not the function of pillow ball is achieved. このため、真空状態での昇降時に片当りが生じてロック状態になったり、摩耗によるパーティクルが発生したりするおそれがある。 Accordingly, or become locked state occurs partial contact during lifting of the vacuum state, the particles due to wear is likely to or generated.

また、FPD用のガラス基板の処理に用いる載置台は、半導体ウエハの処理に用いる載置台に比べて大型であり、しかも、近年ではガラス基板の大型化に伴い載置台が益々大型化する傾向にあるので、熱膨張に伴う穴の位置のずれも必然的に大きくなっており、片当りを起こす頻度が増加している。 Further, the mounting table used in the treatment of the glass substrate for FPD is large compared to the table used for the processing of semiconductor wafers, moreover, tend to be increasingly large with the mounting table is the size of the glass substrate in recent years since the deviation of the position of the holes due to thermal expansion also become necessarily large, often causing uneven contact is increasing. 従って、FPD用のガラス基板を真空処理するような場合でも、安定したリフターピンの駆動を確保する観点において、従来技術にはさらなる改良の余地が残されていた。 Therefore, even when the glass substrate for FPD such as vacuum treatment, in view of ensuring the driving of stable lifter pin, the prior art had been left room for further improvement.

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、真空処理装置においても、リフターピンの片当りを生じさせず、安定して基板を昇降させることが可能な基板昇降装置および基板処理装置を提供することを課題としている。 The present invention has been made in view of the above circumstances, even in the vacuum processing apparatus, without causing uneven contact of the lifter pin, a stable substrate lifting device capable of lifting a substrate and a substrate processing apparatus It is an object of the present invention to provide.

上記課題を解決するため、本発明の第1の観点は、基板処理装置の基板載置台に備えられ、基板を昇降させる基板昇降装置であって、 To solve the above problems, a first aspect of the present invention is provided in the substrate mounting table of a substrate processing apparatus, a substrate lifting device for lifting the substrate,
前記基板載置台の基板載置面に対して突没可能に設けられ、基板に当接してこれを昇降させるリフターピンと、 A lifter pin project and retract capable provided, elevating them in contact with the substrate relative to the substrate mounting surface of the substrate mounting table,
前記リフターピンを昇降変位させる駆動部と、 A drive unit for lifting displacing the lifter pin,
前記駆動部からの駆動力を前記リフターピンへ伝達する複数の球体と、 A plurality of balls for transmitting the driving force from the driving unit to the lifter pin,
を備えたことを特徴とする、基板昇降装置を提供する。 Characterized by comprising a providing a substrate lifting device.

上記第1の観点によれば、駆動部からの駆動力をリフターピンへ伝達する複数の球体を備えたので、駆動力が球体を介して伝達されることにより、基板載置台が熱膨張してリフターピンを挿入する穴の位置がずれた場合でも、球体の回転を利用して容易に位置を微調整することが可能になり、リフターピンの片当りを防止できる。 According to the first aspect, the driving force from the driving portion so provided with a plurality of spheres transmitted to the lifter pin, by the driving force is transmitted through the sphere, the substrate mounting table is thermally expanded even if the position of the hole for inserting the lifter pin is displaced, it is possible to finely adjust easily position by utilizing the rotation of the sphere, it can be prevented uneven contact of the lifter pin.

また、本発明の第2の観点は、基板処理装置の基板載置台に備えられ、基板を昇降させる基板昇降装置であって、 The second aspect of the present invention is provided in the substrate mounting table of a substrate processing apparatus, a substrate lifting device for lifting the substrate,
前記基板載置台の基板載置面に対して突没可能に設けられ、基板に当接してこれを昇降させるリフターピンと、 A lifter pin project and retract capable provided, elevating them in contact with the substrate relative to the substrate mounting surface of the substrate mounting table,
前記リフターピンを支持する支持部と、 A support portion for supporting the lifter pin,
前記リフターピンを昇降変位させる駆動部と、 A drive unit for lifting displacing the lifter pin,
を有しており、 A has,
前記リフターピンは、その基端部において、複数の球体を介して前記支持部に支持されていることを特徴とする、基板昇降装置を提供する。 The lifter pins at its proximal end, characterized in that it is supported by the support portion via a plurality of spheres, providing a substrate lifting device.

上記第2の観点によれば、リフターピンがその基端部において、複数の球体を介して支持されることにより、基板載置台が熱膨張してリフターピンを挿入する穴の位置がずれた場合でも、球体の回転を利用して容易に位置を微調整することが可能になり、リフターピンの片当りを防止できる。 According to the second aspect, the lifter pins its proximal end, by being supported via a plurality of spheres, if the substrate table is displaced positions of the holes for inserting the lifter pins by thermal expansion But, it is possible to finely adjust easily position by utilizing the rotation of the sphere, it can be prevented uneven contact of the lifter pin.

上記第2の観点において、前記複数の球体は、前記基端部の全体またはその一部分を間に挟み込むように、前記リフターピンの変位方向に配置されていることが好ましい。 In the second aspect, the plurality of spheres, so as to sandwich between the whole or a portion of the proximal portion, it is preferably arranged in the displacement direction of the lifter pin.
このように、複数の球体がリフターピンの基端部を挟み込むようにリフターピンの変位方向に配置されているので、真空装置においてリフターピンに上方向への吸引力が加えられた場合でも、上側に配置された球体に基端部が当接することにより、ロック状態になることなく横方向の位置を微調整できる。 Thus, since a plurality of spheres are arranged in the displacement direction of the lifter pin so as to sandwich the base end portion of the lifter pin, even when the suction force in the upward direction is applied to the lifter pin in a vacuum apparatus, the upper a base end by abutment, can be finely adjust the position of the lateral direction without becoming locked in placed spheres.

また、前記基端部は、前記リフターピンの昇降方向に対して直交する方向に拡大したフランジ部を備えるとともに、該フランジ部は、前記支持部に形成された互いに対向する壁面の間に介在する前記球体に挟持されていることが好ましい。 Moreover, said proximal portion is provided with a flange portion which is enlarged in a direction perpendicular to the lifting direction of the lifter pin, the flange portion is interposed between the walls facing each other formed in the support portion which is preferably clamped on the spherical body.
このように、基端部にフランジ部を設け、このフランジ部と支持部の壁面との間に球体を介在させてフランジ部を支持するようにしたので、簡易な構成で球体の回転を利用した微調整が可能になる。 Thus, the flange portion provided at the proximal end portion. Thus to support the flange portion by interposing a sphere between the wall of the support portion the flange portion, utilizing the rotation of the sphere with a simple structure it is possible to fine-tune.
また、上記場合において、前記支持部は、前記駆動部と連結されていることが好ましい。 In the case above, the support portion is preferably connected to the drive unit.

また、前記基端部は、前記リフターピンの昇降方向に対して直交する方向に拡大したフランジ部を備えるとともに、付勢手段を介して前記フランジ部と平行に連結された付勢板を有しており、 Moreover, said proximal portion, said provided with a flange portion which is enlarged in a direction perpendicular to the lifting direction of the lifter pin has an urging plate which is parallel connected with the flange portion via a biasing means and,
前記フランジ部および前記付勢板は、前記支持部に形成された互いに対向する壁面間に、前記球体を介し、前記付勢手段の付勢力により該球体を押圧した状態で、支持されていることが好ましい。 Said flange portion and said biasing plate, between the wall surface facing to each other are formed on the supporting part, through the sphere, while pressing the spheres by the biasing force of the biasing means, that is supported It is preferred.
このように、基端部にフランジ部を設けるとともに付勢板を備える構成とし、これらと支持部の壁面との間に介在する球体を付勢力により押圧した状態で前記フランジ部および付勢板を支持するようにしたので、球体とフランジ部および付勢板との接触が弾力的かつ確実になされ、球体の回転を利用した微調整が可能になる。 Thus, a structure comprising a biasing plate provided with a flange portion at the base end portion, the flange portion and the biasing plate in a state of pressing by the urging force of the sphere interposed between the wall surface of the support portion since so as to support, contact between the sphere and the flange portion and the biasing plate is made elastically and reliably allows fine adjustment using the rotation of the sphere.

また、上記場合において、前記駆動部と連結され、球体を介して前記基端部に前記駆動部からの駆動力を伝達する伝達部材をさらに備えていることが好ましい。 In the case above, it is connected to the driving unit preferably further comprises a transmitting member for transmitting the driving force from the drive unit to the proximal end through the sphere.

また、上記第1の観点および第2の観点において、前記リフターピンは、基板処理装置からの基板の搬入時および搬出時に減圧環境下で昇降変位することが好ましい。 In the above first and second aspects, the lifter pins are preferably displaced up and down under reduced pressure environment during loading and during unloading of the substrate from the substrate processing apparatus.

本発明の第3の観点は、処理室内において基板を処理する基板処理装置であって、 A third aspect of the present invention is a substrate processing apparatus for processing a substrate in a processing chamber,
基板を載置する載置台と、 A mounting table for mounting a substrate,
上記第1の観点および第2の観点の基板昇降装置を備えたことを特徴とする、基板処理装置を提供する。 Characterized by comprising a substrate lifting device of the first aspect and the second aspect, to provide a substrate processing apparatus.

上記第3の観点の基板処理装置において、前記処理室は、真空状態で基板を処理する真空処理室であることが好ましい。 In the substrate processing apparatus of the third aspect, the processing chamber is preferably a vacuum processing chamber for processing a substrate in a vacuum.
また、前記基板処理装置は、フラットパネルディスプレイの製造に用いられるものであることが好ましい。 The substrate processing apparatus preferably is used in the manufacture of flat panel displays. この場合、基板に対し、プラズマエッチング処理を行なうプラズマエッチング装置であることが好ましい。 In this case, with respect to the substrate it is preferably a plasma etching apparatus for performing a plasma etching process.

本発明の基板昇降装置によれば、真空処理装置においても、リフターピンの昇降時に載置台に形成された穴内での片当りを確実に防止できる。 According to the substrate lifting device of the present invention, even in the vacuum processing apparatus, the uneven contact in the hole formed in the mounting table during the lifting of the lifter pin can be reliably prevented. 従って、片当りによってリフターピンがロック状態となったり、摩耗によってパーティクルが発生したりすることを確実に防止することが可能となる。 Therefore, it becomes lifter pins are locked by partial contact, particles it is possible to reliably prevent or to occur due to wear. また、片当りを防止できることによって、リフターピンの寿命を長期化することが可能になる。 Further, by being able to prevent the contact pieces, it is possible to extend the life of the lifter pin.
よって、本発明の基板昇降装置を採用することにより、信頼性の高い基板処理装置を提供できる。 Therefore, by employing the substrate lifting device of the present invention can provide a highly reliable substrate processing apparatus.

以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について説明する。 Hereinafter, with reference to the drawings will be described a preferred embodiment of the present invention. 図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例であるプラズマエッチング装置を示す断面図である。 Figure 1 is a sectional view showing a plasma etching apparatus which is an example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. このプラズマエッチング装置1は、FPD用ガラス基板(以下、単に「基板」と記す)Gに対し、エッチングを行う容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。 The plasma etching apparatus 1, FPD glass substrate (hereinafter, simply referred to as "substrate") to G, it is configured as a capacitively coupled parallel plate plasma etching apparatus for etching. ここで、FPDとしては、液晶ディスプレイ(LCD)、発光ダイオード(LED)ディスプレイ、エレクトロルミネセンス(Electro Luminescence;EL)ディスプレイ、蛍光表示管(Vacuum Fluorescent Display;VFD)、プラズマディスプレイパネル(PDP)等が例示される。 Here, the FPD, a liquid crystal display (LCD), light emitting diode (LED) display, an electroluminescent (Electro Luminescence; EL) display, fluorescent display tube (Vacuum Fluorescent Display; VFD), etc. The plasma display panel (PDP) It is exemplified. なお、本発明の処理装置は、プラズマエッチング装置にのみ限定されるものではない。 The processing apparatus of the present invention is not limited to the plasma etching apparatus.

このプラズマエッチング装置1は、例えば表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなる角筒形状に成形されたチャンバー2を有している。 The plasma etching apparatus 1, for example the surface has anodized chamber 2 formed into square tube shape composed of (anodized) aluminum. このチャンバー2内の底部には絶縁材からなる角柱状の絶縁板3が設けられており、さらにこの絶縁板3の上には、被処理基板であるFPD用のガラス基板Gを載置するためのサセプタ4が設けられている。 This is the bottom of the chamber 2 is provided with a prism-shaped insulating plate 3 made of an insulating material, further on the insulating plate 3, for mounting the glass substrate G for FPD as a substrate to be processed susceptor 4 is provided of. このサセプタ4は、例えば1800mm×1500mmサイズまたはそれ以上のサイズの基板Gを載置できるように構成されている。 The susceptor 4 is configured to mount the example 1800 mm × 1500 mm size or substrate G more sizes. サセプタ4は導電性材料からなる基材4aを備え、その上面には誘電性材料膜5が設けられるとともに、基材4aの周縁には絶縁膜6が設けられており、周囲が絶縁被覆されている。 The susceptor 4 has a base 4a made of a conductive material, together with the dielectric material layer 5 is provided on its upper surface, the periphery of the base 4a is provided with a dielectric film 6, the ambient is insulating coating there.

サセプタ4の基材4aには、高周波電力を供給するための給電線23が接続されており、この給電線23には整合器24および高周波電源25が接続されている。 The base 4a of the susceptor 4, the high-frequency power feed line 23 is connected for supplying a matching unit 24 and the high frequency power source 25 is connected to the feed line 23. 高周波電源25からは例えば13.56MHzの高周波電力がサセプタ4に供給される。 From the high-frequency power source 25 for example is 13.56MHz high frequency electric power is supplied to the susceptor 4.

チャンバー2の底壁2a、絶縁板3およびサセプタ4には、これらを貫通する挿通孔7が複数箇所(例えば16箇所)に設けられている。 The bottom wall 2a of the chamber 2, the insulating plate 3 and the susceptor 4, an insertion hole 7 which penetrates them are provided at a plurality of positions (e.g., 16 points). 各挿通孔7には、基板Gを昇降させるためのリフターピン8がサセプタ4の基板載置面に対して突没可能に挿入されている。 Each insertion hole 7, the lifter pin 8 for elevating the substrate G is inserted can project and retreat relative to the substrate mounting surface of the susceptor 4. なお、図1では2本のリフターピン8のみを図示している。 Incidentally, it shows only lifter pin 8 of two in FIG. リフターピン8は、その下端において昇降装置30と連結されることにより、上下に変位して基板Gを昇降させる。 Lifter pins 8, by being connected to the lifting device 30 at its lower end, lifting the substrate G is displaced vertically. つまり、リフターピン8と昇降装置30は協働して基板昇降装置として機能する。 That is, the lifter pin 8 and the lifting device 30 cooperate to function as a substrate lifting device. リフターピン8および昇降装置30の詳細については後述する。 For details of the lifter pin 8 and the lifting device 30 will be described later.

前記サセプタ4の上方には、このサセプタ4と平行に対向して上部電極として機能するシャワーヘッド11が設けられている。 Wherein the upper portion of the susceptor 4, the shower head 11 is provided which serves as an upper electrode in parallel to face the susceptor 4. シャワーヘッド11はチャンバー2の上部に支持されており、内部に内部空間12を有するとともに、サセプタ4との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔13が形成されている。 Shower head 11 is supported on the upper portion of the chamber 2, which has an inner space 12 therein, a plurality of discharge holes 13 for discharging the process gas into the surface facing the susceptor 4 is formed. このシャワーヘッド11は接地されており、サセプタ4とともに一対の平行平板電極を構成している。 The shower head 11 is grounded, to constitute a pair of parallel plate electrodes with the susceptor 4.

シャワーヘッド11の上面にはガス導入口14が設けられ、このガス導入口14には、処理ガス供給管15が接続されており、この処理ガス供給管15には、バルブ16およびマスフローコントローラ17を介して、処理ガス供給源18が接続されている。 The upper surface of the shower head 11 is provided a gas inlet 14, this gas inlet 14, is connected to a processing gas supply pipe 15, to the process gas supply pipe 15, a valve 16 and a mass flow controller 17 through, the processing gas supply source 18 is connected. 処理ガス供給源18からは、エッチングのための処理ガスが供給される。 From the processing gas supply source 18, the process gas is supplied for etching. 処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、O ガス、Arガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。 The treatment gas, a halogen-based gas, O 2 gas, Ar gas or the like, usually it is possible to use a gas used in this field.

前記チャンバー2の側壁底部には排気管19が接続されており、この排気管19には排気装置20が接続されている。 Wherein the side wall bottom portion of the chamber 2 is connected to the exhaust pipe 19, an exhaust device 20 is connected to the exhaust pipe 19. 排気装置20はターボ分子ポンプなどの真空ポンプを備えており、これによりチャンバー2内を所定の減圧雰囲気まで真空引き可能なように構成されている。 Exhaust system 20 includes a vacuum pump such as a turbo molecular pump, thereby being configured to be evacuated chamber 2 to a predetermined reduced pressure atmosphere. また、チャンバー2の側壁には基板搬入出口21と、この基板搬入出口21を開閉するゲートバルブ22とが設けられており、このゲートバルブ22を開にした状態で基板Gが隣接するロードロック室(図示せず)との間で搬送されるようになっている。 Further, a substrate outlet 21 in the side wall of the chamber 2, and the gate valve 22 is provided for opening and closing the substrate outlet 21, the load lock chamber substrate G adjacent in a state where the gate valve 22 in the open It is adapted to be transported to and from the (not shown).

前記したように、チャンバー2の底壁2a、絶縁板3およびサセプタ4を貫通して設けられた各挿通孔7には、リフターピン8が挿入されており、このリフターピン8が昇降装置30によって鉛直方向に変位することにより、基板Gがサセプタ4に載置された載置状態と、サセプタ4の上方においてリフターピン8により支持された離間状態と、の切替えが行われる。 As mentioned above, the bottom wall 2a of the chamber 2, in the insertion holes 7 provided through an insulating plate 3 and the susceptor 4, the lifter pin 8 is inserted, by the lifter pin 8 lift device 30 by displacing vertically, a mounting state in which the substrate G is placed on the susceptor 4, a separation state of being supported by the lifter pins 8 above the susceptor 4, the switching of the place. 昇降装置30は、主要な構成として、ステッピングモータ等を内蔵した駆動部31と、該駆動部31に連結され、各リフターピン8と連結して各リフターピン8を同期して昇降変位させる押上げプレート32と、押上げプレート32を案内するガイド軸33を備えている。 Lifting device 30 mainly includes a drive unit 31 having a built-in stepping motor or the like, is connected to the drive unit 31, the lifting be displaced up and down in synchronization with each lifter pin 8 in conjunction with each lifter pin 8 a plate 32, and a guide shaft 33 for guiding the push-up plate 32.

ここで、リフターピン8と昇降装置30を含む本実施形態の基板昇降装置の詳細を図2および図3を参照しながら説明する。 Reference is now made to FIGS. 2 and 3 the details of the substrate lifting device of the present embodiment including a lifter pin 8 and the lifting device 30. 図2は、リフターピン8がサセプタ4の挿通孔7内に退避した非作動状態を示し、図3は、リフターピン8がサセプタ4の基板載置面から突出した作動状態を示している。 Figure 2 is a lifter pin 8 shows a non-operating state in which it is retracted into the insertion hole 7 of the susceptor 4, FIG. 3, the lifter pin 8 shows an operating state of protruding from the substrate mounting surface of the susceptor 4.

リフターピン8の先端とは反対側、すなわちリフターピン基端部9は、円柱ブロック状に形成されており、その縁端には、その昇降方向に対して直交する方向(つまり、円柱ブロックの周方向)に拡大したフランジ9aを有している。 Opposite, i.e. lifter pin proximal end 9 to the distal end of the lifter pin 8 is formed into a cylindrical block-like, in its edge, the direction orthogonal to the elevating direction (i.e., circumference of the cylindrical block It has a flange 9a which is enlarged in the direction). このリフターピン8の上部は、挿通孔7内に、図示しない位置決め用ブッシュにより位置決めされて挿入されている。 Upper portion of the lifter pin 8 into the insertion hole 7 is inserted is positioned by the positioning bushing (not shown).

また、リフターピン8の下部は、チャンバー2の底壁2aから大気側に突出しており、リフターピン基端部9のフランジ9aは、リフターピン8を支持する支持部である押上げプレート32の上面に立設された囲繞筒体34内に収容されている。 The lower the lifter pin 8 protrudes to the atmosphere side from the bottom wall 2a of the chamber 2, the flange 9a of the lifter pin proximal end 9, the upper surface of the push-up plate 32 is a support portion for supporting the lifter pins 8 are accommodated in upright been enclosed tubular body 34. なお、チャンバー2の底壁2aとリフターピン基端部9までの間は、上下に伸縮自在なベローズ10によって覆われているので、挿通孔7内は真空状態に保たれる。 Incidentally, until the bottom wall 2a and the lifter pin base end portion 9 of the chamber 2 are covered with the stretchable bellows 10 up and down, the insertion hole 7 is maintained in a vacuum state.

押上げプレート32の囲繞筒体34は、中空状で天井部34aに開口を有しており、その開口にリフターピン基端部9の下部が挿入されている。 Surrounding tubular body 34 of the push-up plate 32 has an opening in the ceiling portion 34a in the hollow, the lower portion of the lifter pin base end portion 9 is inserted into the opening. そして、押上げプレート32の上面32aにはボールベア35が配備され、押上げプレート32に平行にかつ対向して設けられた囲繞筒体34の天井部内面34bにはボールベア36が配備されている。 Then, the upper surface 32a of the push-up plate 32 is deployed Borubea 35, the ceiling portion inner surface 34b of the surrounding tubular body 34 provided in parallel and opposed to the push-up plate 32 Borubea 36 is deployed. このように、フランジ9aの下面にはボールベア35が当接し、フランジ9aの上面には、ボールベア36が当接することにより、リフターピン基端部9のフランジ9aが挟み込まれるようにしてリフターピン8が支持されている。 Thus, the lower surface of the flange 9a contact Borubea 35 abuts on the upper surface of the flange 9a, by Borubea 36 abuts, the lifter pin 8 as the flange 9a of the lifter pin base end portion 9 is sandwiched is It is supported. なお、ボールベア35およびボールベア36は、フランジ9aの周方向にそれぞれ複数個配備されている(図2および図3では各2つのみ図示)。 Incidentally, Borubea 35 and Borubea 36 are each plurality deployed to have (each only two 2 and 3 shown) in the circumferential direction of the flange 9a.

前記したように、昇降装置30は駆動部31を備えており、押上げプレート32は、この駆動部31とシャフト31aによって連結されている(図1参照)。 As mentioned above, the lifting device 30 is provided with a driving unit 31, the push-up plate 32 are connected by the driving unit 31 and the shaft 31a (see FIG. 1). 例えばシャフト31aには、押上げプレート32と係合する螺旋溝が刻設されており、駆動部31を作動させてこのシャフト31aに所定の回転が与えられると、押上げプレート32が上下に昇降するようになっている。 For example, the shaft 31a, the push-up plate 32 and has a spiral groove for engagement are engraved, by operating the drive unit 31 when a predetermined rotation is imparted to the shaft 31a, the lifting plate 32 up and down It has become way. また、押上げプレート32の貫通孔(不図示)には、ガイド軸33,33が貫装されており、複数のリフターピン8が精度良く同期して昇降変位することを可能にしている。 Further, the push-up plate 32 through holes (not shown), and the guide shaft 33 is fitted through, and allows multiple lifter pins 8 is displaced up and down precisely synchronously.

以上のような構成の昇降装置30において、図2に示す状態から、駆動部31を作動させ、押上げプレート32を上昇させることにより、ボールベア35を介して駆動力が伝達され、リフターピン8が挿通孔7内を上昇していく。 In lifting device 30 configured as described above, from the state shown in FIG. 2 actuates the driving unit 31, by raising the push-up plate 32, the driving force is transmitted through the Borubea 35, lifter pins 8 It rises the insertion hole 7. そして、図3に示すように、リフターピン8を所定の高さでサセプタ4の基板載置面から突出させることができる。 Then, as shown in FIG. 3, it can protrude from the substrate mounting surface of the susceptor 4 lifter pin 8 at a predetermined height.
また、図3に示す状態から、駆動部31を作動させ、押上げプレート32を下降させることにより、ボールベア36を介して駆動力が伝達され、リフターピン8が挿通孔7内を下降していく。 Further, from the state shown in FIG. 3, actuates the driving unit 31, by lowering the lifting plate 32, is the driving force is transmitted via the Borubea 36, ​​lifter pins 8 descends to the insertion hole 7 . そして、図2に示すように、リフターピン8の先端が、サセプタ4の基板載置面と略面一になるまで退避させることができる。 Then, as shown in FIG. 2, the leading end of the lifter pin 8 can be retracted to a substantially flush and the substrate mounting surface of the susceptor 4.

本実施形態の基板昇降装置は、基端部9に対してリフターピン8の変位方向に(すなわち、フランジ9aの上下両側に)、ボールベア35およびボールベア36を配備したので、リフターピン8の作動時および非作動時において、サセプタ4の熱膨張・収縮に伴う挿通孔7の横方向の位置ずれに対し、ボールベア35およびボールベア36の回転を利用し、リフターピン基端部9側が容易に追随することにより、横方向の微調整が可能であるという特長を備えている。 Substrate lifting device of this embodiment, the displacement direction of the lifter pin 8 relative to the proximal portion 9 (i.e., the upper and lower sides of the flanges 9a), since the deploying Borubea 35 and Borubea 36, ​​during operation of the lifter pin 8 and at the time of non-operation, with respect to lateral misalignment of the insertion hole 7 due to thermal expansion and contraction of the susceptor 4, using the rotation of Borubea 35 and Borubea 36, ​​the lifter pins proximal portion 9 side to easily follow the has a feature that it is possible to finely adjust the horizontal direction. 特に、チャンバー2内が真空状態となり、リフターピン8にその変位方向、つまり鉛直方向の吸引力が加わった場合でも、上側のボールベア36により横方向の動き(遊び)が維持されるので、リフターピン8のセンタリングが容易に行われ、挿通孔7の横方向の位置ずれに対する追随性が損なわれることがない。 In particular, the chamber 2 is a vacuum state, the displacement direction lifter pins 8, even if that is the suction force in the vertical direction is applied, since the upper Borubea 36 lateral movement (play) is maintained, the lifter pins 8 the centering is easily performed, and is not impaired followability against lateral positional deviation of the insertion hole 7. 従って、リフターピン8が挿通孔7内で片当りを生じてロック状態になったり、摩耗によってパーティクルが発生したりする事態を回避でき、高い信頼性をもって基板Gを昇降させることができる。 Therefore, it becomes locked lifter pin 8 occurs the uneven contact in the insertion hole 7, it is possible to avoid a situation in which particles or generated by abrasion, it is possible to lift the substrate G with high reliability.

次に、再び図1を参照して、プラズマエッチング装置1における処理動作について説明する。 Next, referring again to FIG. 1, illustrating the processing operation in the plasma etching apparatus 1.
まず、被処理基板である基板Gは、ゲートバルブ22が開放された後、図示しないロードロック室から基板搬入出口21を介してチャンバー2内へと搬入される。 First, the substrate G as a substrate to be processed, after the gate valve 22 is opened, it is carried through the substrate transfer port 21 from the load lock chamber (not shown) into the chamber 2. この際、昇降装置30の駆動部31を作動させ、押上げプレート32を上昇させることにより、リフターピン8を所定の高さでサセプタ4の基板載置面から突出させ、図示しない搬送手段から、基板Gを受取る。 At this time, by operating the driving portion 31 of the lifting device 30, by raising the push-up plate 32, to protrude from the substrate mounting surface of the susceptor 4 lifter pin 8 at a predetermined height, the conveying means not shown, receive the substrate G. その後、再び駆動部31を作動させ、押上げプレート32を下降させることにより、リフターピン8を下降させて基板Gをサセプタ4上に載置する。 Thereafter, by operating the driving unit 31 again by lowering the lifting plate 32, it lowers the lifter pin 8 places the substrate G on the susceptor 4. その後、ゲートバルブ22が閉じられ、排気装置20によって、チャンバー2内が所定の真空度まで真空引きされる。 Thereafter, the gate valve 22 is closed, by the exhaust device 20, the chamber 2 is evacuated to a predetermined vacuum degree.

その後、バルブ16が開放されて、処理ガス供給源18から処理ガスがマスフローコントローラ17によってその流量が調整されつつ、処理ガス供給管15、ガス導入口14を通ってシャワーヘッド11の内部空間12へ導入され、さらに吐出孔13を通って基板Gに対して均一に吐出され、チャンバー2内の圧力が所定の値に維持される。 Thereafter, the valve 16 is opened, while the process gas from the processing gas supply source 18 is adjusted its flow by the mass flow controller 17, the processing gas supply pipe 15, into the interior space 12 of the shower head 11 through the gas inlet 14 is introduced, uniformly discharged to the substrate G further through the discharge hole 13, the pressure in the chamber 2 is maintained at a predetermined value.

この状態で高周波電源25から整合器24を介して高周波電力がサセプタ4に印加されると、下部電極としてのサセプタ4と上部電極としてのシャワーヘッド11との間に高周波電界が生じ、処理ガスが解離してプラズマ化し、これにより基板Gにエッチング処理が施される。 When high-frequency power through a matching unit 24 from the high frequency power source 25 in this state is applied to the susceptor 4, it causes a high frequency electric field between the shower head 11 as the susceptor 4 and the upper electrode as the lower electrode, the process gas dissociated into a plasma, thereby etching the substrate G is performed.

このようにしてエッチング処理を施した後、高周波電源25からの高周波電力の印加を停止し、ガス導入を停止した後、チャンバー2内を所定の圧力まで減圧する。 It was subjected to an etching process in this manner, to stop the application of the RF power from the RF power supply 25, after stopping the gas introduction, to reduce the pressure in the chamber 2 to a predetermined pressure. そして、ゲートバルブ22を開放し、前記と同様に昇降装置30の駆動部31を作動させてリフターピン8を上昇させ、図示しない搬送手段に基板Gを受け渡す。 Then, by opening the gate valve 22, the and actuates the drive unit 31 of the lifting device 30 similarly increases the lifter pins 8, receiving and transferring the substrates G to the conveying means (not shown). 基板Gは、基板搬入出口21を介してチャンバー2内から図示しないロードロック室へ搬出され、一つの基板Gに対するエッチング処理が終了する。 Substrate G is conveyed to the load lock chamber (not shown) from the chamber 2 through the substrate transfer port 21, the etching process for one substrate G is completed.

次に、図4〜図6を参照しながら、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置について説明を行う。 Next, with reference to FIGS. 4 to 6, a description is given of a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention. 図4は、基板処理装置の一例であるプラズマエッチング装置100の要部構成を示す断面図である。 Figure 4 is a cross-sectional view showing the main parts of the plasma etching apparatus 100 which is an example of the substrate processing apparatus. プラズマエッチング装置100は、基板昇降装置を除き、図1のプラズマエッチング装置1と同様の構成であるため、ここでは相違点のみを説明し、同一の構成については説明および図示を省略する。 The plasma etching apparatus 100, except the substrate lifting device is omitted because the same configuration as the plasma etching apparatus 1 of FIG. 1, here describes only differences the description and illustration of the same structure.

プラズマエッチング装置100のチャンバー2の底壁2a、絶縁板(図示省略)およびサセプタ4には、これらを貫通する挿通孔7が複数箇所に設けられている。 The bottom wall 2a of the chamber 2 of the plasma etching apparatus 100, the insulating plate (not shown) and the susceptor 4, an insertion hole 7 which penetrates them are provided at a plurality of positions. 各挿通孔7には、基板Gを昇降させるため、複数のリフターピン80がサセプタ4の基板載置面に対して突没可能に挿入されている。 Each insertion hole 7, for lifting the substrate G, a plurality of lifter pins 80 are inserted can project and retreat relative to the substrate mounting surface of the susceptor 4. なお、図4では2本のリフターピンのみを図示している。 Incidentally, it shows only two of the lifter pin in FIG.
リフターピン80は、その下端において、駆動部51を備えた昇降装置50と連結されることにより、上下に変位して、基板Gを昇降させる。 Lifter pin 80 has at its lower end, by being connected to the lifting device 50 with a drive 51, displaced vertically, thereby lifting the substrate G. つまり、リフターピン80と昇降装置50は協働して基板昇降装置として機能する。 That is, the lifter pin 80 and the lifting device 50 functions in cooperation as substrate lifting device.

昇降装置50は、主要な構成として、駆動部51と、この駆動部51に連結された駆動力伝達部(主として伝達ロッド52、ワイヤ54および押上げロッド57を含む)と、一対のガイド軸64の端部に形成されたストッパー58と、リフターピン80に連結してこれを支持する支持部としての昇降ブロック59とを備えている。 Elevating device 50 includes, as main components, a driving section 51, connected to the driving force transmission unit to the driving unit 51 and the (mainly including transfer rod 52, the wire 54 and push-up rod 57), a pair of guide shafts 64 a stopper 58 formed on the end of, and a lifting block 59 as a support portion for supporting the linked to the lifter pin 80.

駆動部51は、図示しないエアシリンダなどの駆動機構を備え、この駆動機構はリフターピン80の数に対応する本数の伝達ロッド52に連結されている。 Drive unit 51 is provided with a driving mechanism such as an air cylinder, not shown, the drive mechanism is connected to the transmission rod 52 in the number corresponding to the number of the lifter pins 80. つまり、各伝達ロッド52の一端側が、それぞれ駆動部51に連結されることにより、各伝達ロッド52は、図4中矢印で示す方向に同期して進退する。 That is, one end of each transmission rod 52, by being connected to each drive unit 51, the transmission rod 52 moves forward and backward in synchronization with the direction indicated by the arrow in FIG. 4. なお、図4では、伝達ロッド52を2本のみ図示している。 In FIG. 4, the transmission rod 52 only two are shown.

伝達ロッド52の他端側は、連結具53を介して可撓性のワイヤ54に連結され、このワイヤ54を介して、リフターピン基端部81に駆動部51からの駆動力を伝達する伝達部材としての押上げロッド57に連結されている。 The other end of the transmission rod 52 is connected to a flexible wire 54 via a connector 53, via the wire 54, for transmitting a driving force from the driving portion 51 to the lifter pin base end portion 81 transmits It is connected to the lifting rod 57 as members. ワイヤ54は、合成樹脂等からなる可撓性のチューブ55により非固着状態で被覆されており、伝達ロッド52の動きに追従してチューブ55内を往復動する。 Wire 54 is coated with a non-stuck by a flexible tube 55 made of synthetic resin or the like, reciprocating in the tube 55 to follow the movement of the transmission rod 52. ワイヤ54の他端側には、連結具56を介して押上げロッド57が連結され、この押上げロッド57は、ワイヤ54の動きに応じて上下に変位可能になっている。 The other end of the wire 54, connector 56 is connected is pushed up rod 57 through, the push-up rod 57 is adapted to be vertically displaced in accordance with the movement of the wire 54.

図5は、リフターピン80がサセプタ4の挿通孔7内に退避した非作動状態を拡大して示し、図6は、リフターピン80がサセプタ4の基板載置面から突出した作動状態を拡大して示すものである。 5 shows lifter pin 80 is an enlarged inoperative retracted into the insertion hole 7 of the susceptor 4, 6, expand the operating state of the lifter pin 80 is protruded from the substrate mounting surface of the susceptor 4 It illustrates Te.
リフターピン80の上部は、挿通孔7内の図示しない位置決め用ブッシュに挿入されている。 The top of the lifter pins 80 are inserted into positioning bushing (not shown) in the insertion hole 7. リフターピン80の下部は、チャンバー2の底壁2aから大気側に突出しており、リフターピン基端部81を有している。 Bottom of the lifter pin 80 protrudes to the atmospheric side from the bottom wall 2a of the chamber 2, and a lifter pin base end portion 81. なお、チャンバー2の底壁2aとリフターピン基端部81までの間は、上下に伸縮自在なベローズ84によって覆われているので、挿通孔7内は真空状態に保たれる。 Incidentally, until the bottom wall 2a and the lifter pin base end portion 81 of the chamber 2 are covered with the stretchable bellows 84 up and down, the insertion hole 7 is maintained in a vacuum state.

リフターピン基端部81は、上部が閉塞した円筒状に形成され、その下端には、昇降方向に対して直交する方向(つまり、リフターピン基端部81の周方向)に拡大したフランジ81aを有している。 The lifter pin base end portion 81 is formed in a cylindrical shape with its upper part closed, in its lower end, a direction perpendicular to the lifting direction (i.e., the circumferential direction of the lifter pin base end portion 81) of the flange 81a which is expanded It has. また、このリフターピン基端部81の内部は中空になって凹部81bが形成されており、この凹部81b内には、後述するボールベア63との当接面81cが形成されている。 Further, the inside of the lifter pin base end portion 81 is formed with a recess 81b is hollow, inside the recess 81b, abutment surface 81c of the Borubea 63 to be described later is formed. また、リフターピン基端部81には、付勢手段としての複数のバネ82(2つのみ図示)が設けられ、このバネ82を介して付勢板83がフランジ81aに対して平行に配設されている。 Also, the lifter pin base end portion 81, a plurality of springs 82 (only two shown) is provided as a biasing means, disposed parallel to respect the biasing plate 83 via a spring 82 is a flange 81a It is.

昇降ブロック59は、その貫通孔(不図示)にガイド軸64,64が貫装されることにより、ガイド軸64,64に案内されて上下に昇降自在に支持されている。 Lifting block 59, by the guide shaft 64, 64 is fitted through into the through-hole (not shown), and is vertically movably supported vertically by being guided by the guide shaft 64 and 64. これらガイド軸64,64により、昇降ブロック59に連結されたリフターピン80が精度良く昇降変位できるようになっている。 These guide shafts 64 and 64, the lifter pins 80 connected to the lifting block 59 is adapted to be precisely displaced up and down. ガイド軸64,64の端部には、ストッパー58が設けられており、昇降ブロック59の最下降位置を規制している。 At the end of the guide shaft 64, 64, a stopper 58 is provided, and regulates the lowermost position of the lifting block 59. また、昇降ブロック59の中央部には開口59bが形成され、ストッパー58の中央部には開口58aが形成されており、これらの開口59bおよび開口58a内には、押上げロッド57が挿入されている。 Also, lifting the center portion of the block 59 opening 59b is formed in the central portion of the stopper 58 has an opening 58a is formed, inside the openings 59b and the opening 58a, are inserted push-up rod 57 there.

昇降ブロック59には、囲繞筒体60が立設されている。 The lifting block 59, surrounds cylinder 60 is erected. この囲繞筒体60は、中空状で天井部60aに開口を有しており、その開口にリフターピン基端部81の下部が挿入されている。 The surrounding cylinder 60 has an opening in the ceiling portion 60a in the hollow, the lower portion of the lifter pin base end portion 81 is inserted into the opening. そして、昇降ブロック59の上面59aにはボールベア61が配備され、昇降ブロック59の上面59aに平行かつ対向して設けられた囲繞筒体60の天井部内面60bにはボールベア62が配備されている。 Then, the upper surface 59a of the lifting block 59 Borubea 61 is deployed, Borubea 62 on the ceiling portion inner surface 60b of the surrounding tubular body 60 provided in parallel and opposed to the upper surface 59a of the lifting block 59 is deployed. つまり、フランジ81aと平行に設けられた付勢板83の下面にはボールベア61が当接し、フランジ81aの上面には、ボールベア62が当接することにより、リフターピン基端部81のフランジ81aと付勢板83が弾力を持って上下からボールベア61とボールベア62に挟み込まれるようにしてリフターピン80が支持されている。 That is, the lower surface of the biasing plate 83 provided parallel to the flange 81a Borubea 61 abuts on the upper surface of the flange 81a, by Borubea 62 abuts, with the flange 81a of the lifter pin base end portion 81 the lifter pin 80 as energized plate 83 is sandwiched Borubea 61 and Borubea 62 from above and below with elastic is supported. なお、ボールベア61およびボールベア62は、フランジ81aの周方向にそれぞれ複数個配備されている(図5および図6では各2つのみ図示)。 Incidentally, Borubea 61 and Borubea 62 are each plurality deployed with that (FIG. 5 and the only two of which are shown in FIG. 6) in the circumferential direction of the flange 81a.

押上げロッド57は、その一端側で連結具56によってワイヤ54に連結されており(図4参照)、ストッパー58の開口58aおよび昇降ブロック59の開口59b内に挿入されている。 Lifting rod 57 is connected to the wire 54 by the connector 56 at one end thereof (see FIG. 4), it is inserted into the opening 59b of the opening 58a and the lifting blocks 59 of the stopper 58. 押上げロッド57の他端側には、先端ブロック57aが形成されており、さらにその先端には複数のボールベア63が配設されている。 The other end of the push-up rod 57 is formed distal the block 57a are further provided a plurality of Borubea 63 at its distal end.

以上のような構成の昇降装置50において、図5に示す状態から、駆動部51を作動させ、伝達ロッド52を進出させることにより、ワイヤ54がチューブ55内を全体的にスライドし、押上げロッド57を上昇させる。 In lifting device 50 configured as described above, from the state shown in FIG. 5, by operating the driving unit 51, by advancing the transmission rod 52, the wire 54 is totally slide in the tube 55, the push-up rod 57 to raise the. そして、図6に示すように、押上げロッド57の先端ブロック57aが、リフターピン基端部81に形成された凹部81b内に嵌め込まれるような状態になり、先端ブロック57aに配備されたボールベア63が凹部81b内の当接面81cに当接する。 Then, as shown in FIG. 6, the distal end block 57a of the push-up rod 57, to the status be fitted into the recess 81b formed in the lifter pin base end portion 81, Borubea deployed in front end block 57a 63 There abuts against the abutment surface 81c of the recess 81b. このようにして、伝達ロッド52の動きがリフターピン80に伝達され、リフターピン80が挿通孔7内を上昇していく。 In this way, the movement of the transmission rod 52 is transmitted to the lifter pin 80, the lifter pin 80 rises to the insertion hole 7. これにより、リフターピン80を所定の高さでサセプタ4の基板載置面から突出させることができる。 Thus, it is possible to protrude from the substrate mounting surface of the susceptor 4 and the lifter pin 80 at a predetermined height.

また、図6に示す状態から、駆動部51を作動させ、伝達ロッド52を引き込むことにより、その動きがワイヤ54を介して押上げロッド57に伝達され、押上げロッド57が下降する。 Further, from the state shown in FIG. 6, by operating the driving unit 51, by drawing the transmission rod 52, the movement is transmitted to the push-up rod 57 through the wire 54, the lifting rod 57 is lowered. これにより、押上げロッド57の先端ブロック57aに配備されたボールベア63とリフターピン基端部81の凹部81b内の当接面81cとの当接が解除され、リフターピン80と昇降ブロック59は、その自重によって昇降ブロック59の下端がストッパー58に当接する位置まで下降し、図5に示すように、リフターピン80の先端が、サセプタ4の基板載置面と略面一になるまで退避させることができる。 This will release the contact between the abutment surface 81c of the recess 81b of Borubea 63 and lifter pin base end portion 81 which is deployed to the distal end block 57a of the push-up rod 57, the lifter pin 80 and the elevating block 59, the lower end of the elevating block 59 by its own weight is lowered to a position abutting the stopper 58, as shown in FIG. 5, the front end of the lifter pin 80 is retracted to a substrate mounting surface substantially flush of the susceptor 4 can.

本実施形態の基板昇降装置では、リフターピン基端部81に対してその変位方向にボールベア61および62を配備した。 In the substrate lifting device of the present embodiment has been deployed Borubea 61 and 62 to the displacement direction with respect to the lifter pin base end portion 81. すなわち、フランジ81aの上側にボールベア62を、付勢板83の下側にボールベア61を配備したので、リフターピン80の作動時および非作動時において、サセプタ4の熱膨張・収縮に伴う挿通孔7の横方向の位置ずれに対してボールベア61および62の回転を利用し、リフターピン基端部81側が容易に追随することにより、横方向の微調整が可能であるという特長を備えている。 That is, the Borubea 62 on the upper side of the flange 81a, so have deployed Borubea 61 on the lower side of the biasing plate 83, at the working time and non-operation of the lifter pin 80, the insertion hole 7 due to thermal expansion and contraction of the susceptor 4 lateral utilizing rotation of Borubea 61 and 62 relative to the position deviation by the lifter pin base end portion 81 side is easily follow, and a feature that it is possible to finely adjust the horizontal direction. 特に、チャンバー2内が真空状態となり、リフターピン80にその変位方向、つまり鉛直方向の吸引力が加わった場合でも、上側のボールベア62により横方向の動き(遊び)が維持されるので、リフターピン80のセンタリングが容易に行われ、挿通孔7の横方向の位置ずれに対する追随性が損なわれることがない。 In particular, it chamber 2 is a vacuum state, the displacement direction lifter pin 80, even if that is the suction force in the vertical direction is applied, since the upper Borubea 62 lateral movement (play) is maintained, the lifter pins 80 centering is easily performed, it is not impaired followability against lateral positional deviation of the insertion hole 7.

また、リフターピン80の作動時においても、リフターピン基端部81の凹部81b内に挿入される押上げロッド57の先端ブロック57aは、ボールベア63を介して当接面81cを押し上げるので、リフターピン基端部81の横方向の動き(遊び)が確保され、挿通孔7の横方向の位置ずれに対する追随性が保たれる。 Further, even when the operation of the lifter pin 80, the distal end block 57a of the push-up rod 57 which is inserted into the recess 81b of the lifter pin base end portion 81, so push the abutment surface 81c through the Borubea 63, lifter pins is secured lateral movement of the base end portion 81 (play) is followability against lateral positional deviation of the insertion hole 7 is maintained.

さらに、リフターピン基端部81のフランジ81aと、付勢板83とは、これらの間に介在するバネ82により、リフターピン80の変位方向に常時付勢され押し広げられているので、ボールベア61および62との接触が常に図られ、リフターピン基端部81が囲繞筒体60内で上下方向にガタつくことがなく、安定して横方向に微調整される。 Further, a flange 81a of the lifter pin base end portion 81, the urging plate 83, by a spring 82 interposed between them, so are widened is always biased in the displacement direction of the lifter pin 80, Borubea 61 and contact with 62 is always achieved, not vibrate in the vertical direction in the lifter pin base end portion 81 surrounding cylinder within 60, it is finely adjusted laterally stable.
従って、リフターピン80が挿通孔7内で片当りを生じてロック状態になったり、摩耗によってパーティクルが発生したりする事態を回避でき、高い信頼性をもって基板Gを昇降させることができる。 Therefore, it becomes locked lifter pin 80 is caused to uneven contact in the insertion hole 7, it is possible to avoid a situation in which particles or generated by abrasion, it is possible to lift the substrate G with high reliability.

以上、代表的な実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。 Having described the present invention by way of exemplary embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications are possible.
例えば、図1では、下部電極に高周波電力を印加するRIEタイプの容量結合型平行平板プラズマエッチング装置を例示して説明したが、これに限らず、上部電極に高周波電力を供給するタイプであってもよく、また容量結合型に限らず誘導結合型であってもよい。 For example, in FIG. 1, has been illustrated and described the RIE type of capacitive coupling type parallel plate plasma etching apparatus for applying a high-frequency power to the lower electrode is not limited thereto, of a type supplying a high frequency power to the upper electrode at best, also may be inductively coupled not only to the capacitive coupling type. さらに、エッチング装置に限らず、アッシング、CVD成膜等の他のプラズマ処理装置に適用することができる。 Further, not limited to the etching apparatus, an ashing can be applied to other plasma processing apparatus such as CVD deposition.

また、被処理基板はFPD用ガラス基板Gに限られず半導体ウエハであってもよい。 Further, the target substrate may be a semiconductor wafer is not limited to a glass substrate G for FPD.

また、第1実施形態に係る図1のプラズマエッチング装置1の昇降装置30では、押上げプレート32の上面32aのボールベア35と、押上げプレート32に対向する囲繞筒体34の天井部内面34bのボールベア36との間にリフターピン基端部9のフランジ9aを挟持してリフターピン8を支持する構造としたが、第2実施形態のプラズマエッチング装置100の昇降装置50におけるリフターピン基端部81と同様に、付勢板を配備してリフターピン8の変位方向にボールベア35およびボールベア36を押圧するようにしてもよい。 Moreover, the lifting device 30 of the plasma etching apparatus 1 of FIG. 1 according to the first embodiment, the Borubea 35 of the upper surface 32a of the push-up plate 32, the ceiling portion inner surface 34b of the surrounding tubular body 34 which faces the push-up plate 32 Although the structure for supporting the lifter pins 8 by sandwiching the flange 9a of the lifter pin base end portion 9 between the Borubea 36, ​​lifter pins proximal end 81 of the lifting device 50 of the plasma etching apparatus 100 of the second embodiment and similarly, it may be pressed to Borubea 35 and Borubea 36 in the displacement direction of the lifter pin 8 deploying a biasing plate.

また、第1実施形態および第2実施形態では、リフターピン基端部のフランジと平行に対向する壁面の側にボールベアを配備したが、これに限るものではない。 In the first embodiment and the second embodiment has been deployed Borubea on the side of the flange and parallel to the opposing wall surface of the lifter pin proximal end, it is not limited thereto. 例えば、図1の昇降装置30において、押上げプレート32の上面32aと囲繞筒体34の天井部内面34bにボールベア35および36を配設する替りに、ボールベアをリフターピン基端部9側(つまり、フランジ9aの上下両面)に配備してもよい。 For example, the lifting device 30 of FIG. 1, instead of disposing the Borubea 35 and 36 to the ceiling portion inner surface 34b of the surrounding tubular body 34 and the upper surface 32a of the push-up plate 32, the lifter pin base end portion 9 side Borubea (i.e. it may be deployed in both upper and lower surfaces) of the flange 9a. あるいは、上側のボールベアをフランジ9aに配備し、下側のボールベアを押上げプレート32に配備してもよく、これとは逆に、上側のボールベアを囲繞筒体34に配備し、下側のボールベアをフランジ9aに配備してもよい。 Alternatively, deployed upper Borubea the flange 9a, may be deployed below the Borubea the push-up plate 32, on the contrary, to deploy the upper Borubea the surrounding tubular body 34, the lower Borubea the may be deployed to the flange 9a. さらにボールベアは、フランジ9aと囲繞筒体34との間および押上げプレート32とフランジ9aとの間に介在配備してもよい。 Further Borubea may be interposed deployed and between the push-up plate 32 and the flange 9a of the surrounding tubular body 34 and the flange 9a.

また、上記実施形態では、リフターピン基端部にフランジや付勢板を設けてボールベアと係合させるようにしたが、フランジや付勢板に限らず、ボールベアと係合して横方向の位置調整が可能な構造であれば制限なく採用することができる。 Further, in the above embodiment, so as to engage and Borubea by the flange and the biasing plate provided in the lifter pin proximal end, not only the flange and the biasing plate, lateral position engaged with Borubea adjustment can be employed without limitation as long as the structure possible.

本発明の第1実施形態に係る基板昇降装置を備えたプラズマエッチング装置を示す概略断面図。 Sectional view schematically showing a plasma etching apparatus provided with a substrate lifting device according to the first embodiment of the present invention. 第1実施形態の基板昇降装置におけるリフターピンの下降状態の説明に供するプラズマエッチング装置の要部断面図。 Fragmentary cross-sectional view of a plasma etching apparatus for explaining lowered position of the lifter pin of the substrate lifting device of the first embodiment. 第1実施形態の基板昇降装置におけるリフターピンの上昇状態の説明に供するプラズマエッチング装置の要部断面図。 Fragmentary cross-sectional view of a plasma etching apparatus for explaining rising state of the lifter pin of the substrate lifting device of the first embodiment. 本発明の第2実施形態に係る基板昇降装置を備えたプラズマエッチング装置を示す要部断面図。 Partial cross-sectional view showing a plasma etching apparatus provided with a substrate lifting device according to a second embodiment of the present invention. 第2実施形態の基板昇降装置におけるリフターピンの下降状態の説明に供するプラズマエッチング装置の要部断面図。 Fragmentary cross-sectional view of a plasma etching apparatus for explaining lowered position of the lifter pin of the substrate lifting device of the second embodiment. 第2実施形態の基板昇降装置におけるリフターピンの上昇状態の説明に供するプラズマエッチング装置の要部断面図。 Fragmentary cross-sectional view of a plasma etching apparatus for explaining rising state of the lifter pin of the substrate lifting device of the second embodiment.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 プラズマエッチング装置 2 チャンバー 3 絶縁板 4 サセプタ 5 誘電性材料膜 6 絶縁膜 7 挿通孔 8 リフターピン 9 リフターピン基端部 9a フランジ 10 ベローズ 11 シャワーヘッド 20 排気装置 25 高周波電源 30 昇降装置 31 駆動部 32 押上げプレート 33 ガイド軸 34 囲繞筒体 35 ボールベア 36 ボールベア 1 plasma etching apparatus 2 chamber 3 insulating plate 4 susceptor 5 dielectric material film 6 insulating film 7 through hole 8 lifter pin 9 lifter pin base end portion 9a flange 10 bellows 11 showerhead 20 exhaust apparatus 25 high-frequency power supply 30 lifting device 31 drive unit 32 push-up plate 33 guide shaft 34 surrounds cylinder 35 Borubea 36 Borubea

Claims (12)

  1. 基板処理装置の基板載置台に備えられ、基板を昇降させる基板昇降装置であって、 Provided on the substrate mounting table of a substrate processing apparatus, a substrate lifting device for lifting the substrate,
    前記基板載置台の基板載置面に対して突没可能に設けられ、基板に当接してこれを昇降させるリフターピンと、 A lifter pin project and retract capable provided, elevating them in contact with the substrate relative to the substrate mounting surface of the substrate mounting table,
    前記リフターピンを昇降変位させる駆動部と、 A drive unit for lifting displacing the lifter pin,
    前記駆動部からの駆動力を前記リフターピンへ伝達する複数の球体と、 A plurality of balls for transmitting the driving force from the driving unit to the lifter pin,
    を備えたことを特徴とする、基板昇降装置。 Characterized by comprising a substrate lifting device.
  2. 基板処理装置の基板載置台に備えられ、基板を昇降させる基板昇降装置であって、 Provided on the substrate mounting table of a substrate processing apparatus, a substrate lifting device for lifting the substrate,
    前記基板載置台の基板載置面に対して突没可能に設けられ、基板に当接してこれを昇降させるリフターピンと、 A lifter pin project and retract capable provided, elevating them in contact with the substrate relative to the substrate mounting surface of the substrate mounting table,
    前記リフターピンを支持する支持部と、 A support portion for supporting the lifter pin,
    前記リフターピンを昇降変位させる駆動部と、 A drive unit for lifting displacing the lifter pin,
    を有しており、 A has,
    前記リフターピンは、その基端部において、複数の球体を介して前記支持部に支持されていることを特徴とする、基板昇降装置。 The lifter pins at its proximal end, characterized in that it is supported by the support portion via a plurality of balls, the substrate lifting device.
  3. 前記複数の球体は、前記基端部の全体またはその一部分を間に挟み込むように、前記リフターピンの変位方向に配置されていることを特徴とする、請求項2に記載の基板昇降装置。 Wherein the plurality of spheres, so as to sandwich between the whole or a portion of the proximal portion, characterized in that it is arranged in the displacement direction of the lifter pin, a substrate lifting device according to claim 2.
  4. 前記基端部は、前記リフターピンの昇降方向に対して直交する方向に拡大したフランジ部を備えるとともに、該フランジ部は、前記支持部に形成された互いに対向する壁面の間に介在する前記球体に挟持されていることを特徴とする、請求項2に記載の基板昇降装置。 The spherical body said proximal portion is provided with a flange portion which is enlarged in a direction perpendicular to the lifting direction of the lifter pin, the flange portion is interposed between the walls facing each other formed in the support portion characterized in that it is sandwiched, the substrate lifting device according to claim 2.
  5. 前記支持部は、前記駆動部と連結されていることを特徴とする、請求項4に記載の基板昇降装置。 The support portion is characterized by being connected to the drive unit, the substrate lifting device according to claim 4.
  6. 前記基端部は、前記リフターピンの昇降方向に対して直交する方向に拡大したフランジ部を備えるとともに、付勢手段を介して前記フランジ部と平行に連結された付勢板を有しており、 Said proximal portion, said provided with a flange portion which is enlarged in a direction perpendicular to the lifting direction of the lifter pin has an urging plate which is parallel connected with the flange portion via a biasing means ,
    前記フランジ部および前記付勢板は、前記支持部に形成された互いに対向する壁面間に、前記球体を介し、前記付勢手段の付勢力により該球体を押圧した状態で、支持されていることを特徴とする、請求項2に記載の基板昇降装置。 Said flange portion and said biasing plate, between the wall surface facing to each other are formed on the supporting part, through the sphere, while pressing the spheres by the biasing force of the biasing means, that is supported and wherein, the substrate lifting device according to claim 2.
  7. 前記駆動部と連結され、球体を介して前記基端部に前記駆動部からの駆動力を伝達する伝達部材をさらに備えたことを特徴とする、請求項6に記載の基板昇降装置。 Wherein connected to a drive unit, characterized in that it further comprising a transmitting member for transmitting the driving force from the drive unit to the proximal end through the sphere, the substrate lifting device according to claim 6.
  8. 前記リフターピンは、基板処理装置からの基板の搬入時および搬出時に減圧環境下で昇降変位することを特徴とする、請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板昇降装置。 The lifter pin, characterized in that the lifting displacement under reduced pressure environment during loading and during unloading of the substrate from the substrate processing apparatus, a substrate lifting device according to any one of claims 1 to 7.
  9. 処理室内において基板を処理する基板処理装置であって、 A substrate processing apparatus for processing a substrate in a processing chamber,
    基板を載置する載置台と、 A mounting table for mounting a substrate,
    請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の基板昇降装置を備えたことを特徴とする、基板処理装置。 Characterized by comprising a substrate lifting device according to any one of claims 1 to 8, the substrate processing apparatus.
  10. 前記処理室は、真空状態で基板を処理する真空処理室であることを特徴とする、請求項9に記載の基板処理装置。 The processing chamber is characterized by a vacuum processing chamber for processing a substrate in a vacuum, the substrate processing apparatus according to claim 9.
  11. フラットパネルディスプレイの製造に用いられるものである、請求項10に記載の基板処理装置。 It is used in the manufacture of flat panel displays, a substrate processing apparatus according to claim 10.
  12. 基板に対し、プラズマエッチング処理を行なうプラズマエッチング装置であることを特徴とする、請求項11に記載の基板処理装置。 To the substrate, characterized in that it is a plasma etching apparatus for performing plasma etching process, a substrate processing apparatus according to claim 11.

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