JPH10102259A - Substrate knock-up mechanism - Google Patents

Substrate knock-up mechanism

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JPH10102259A
JPH10102259A JP25850496A JP25850496A JPH10102259A JP H10102259 A JPH10102259 A JP H10102259A JP 25850496 A JP25850496 A JP 25850496A JP 25850496 A JP25850496 A JP 25850496A JP H10102259 A JPH10102259 A JP H10102259A
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elevating
substrate
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貴博 滝澤
Toshimichi Ishida
敏道 石田
Yuichiro Yamada
雄一郎 山田
Hiroshi Tanabe
浩 田辺
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent infiltration of electric discharge by constituting the mechanism in such a manner that only the lifting direction of pins is restrained in connecting parts between the pins and pin lifting means. SOLUTION: The rear surfaces of lower electrodes 3 are provided with plural pin lifting guides 18. The pins 19, pin holes 20 and guides 18 are respectively concentrically disposed. Right end rollers 22 of levers 21 connected to the piston rod 42a of a pin lifting cylinder 42 are fitted into grooves 23a at the bottom ends of the pins 19 so that only the lifting direction of the pins 19 is restrained in the connecting parts to the pins 19. The directions exclusive of the lifting direction of the pins are thereby not restrained and, therefore, the pins 19 and the guides 18 are movable integrally as the electrodes 3 expand thermally. As a result, the spacings formed by the rear surface of the substrate, the pins 19 and the pin holes 20 during the treatment may be minimazed at the lower electrodes 3 heated to a high temp. Even if the lower electrodes 3 expand thermally, the operation of the mechanism is ensured and the infiltration of the electric charge is prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶用ガラス基板
等の比較的大型の基板に対して、プラズマによる薄膜形
成やエッチングを行う製造装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing apparatus for forming a thin film by plasma or etching a relatively large substrate such as a glass substrate for liquid crystal.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体や液晶パネルの製造装置に
おいては、基板の大型化のためにバッチ処理から枚葉処
理へとその生産形態が移行してきている。上記枚葉処理
では、基板を一枚ずつ反応容器内で処理するために、処
理する度毎に電極上に未処理の基板を搬送手段により反
応容器に対して搬入し、処理済みの基板を反応容器から
搬出する必要がある。そこで、従来から基板の反応容器
に対する搬入、搬出のために、電極の下側からピンによ
り基板を突き上げる機構が多く用いられてきている。以
下に、従来の基板突き上げ機構について、液晶用プラズ
マCVD装置を例に取り、図4を用いて説明する。所定
の真空度まで排気されたチャンバ1内に昇降可能でヒー
タ2を有し、所定温度(例えば400℃まで)加熱され
た下部電極3と、該下部電極3と対向して上部電極4と
がチャンバ1内に設置されている。上記上部電極4は、
処理ガスの導入パイプ5と整合器6と高周波電源7が接
続され、絶縁体8を介して、チャンバ上蓋9に取り付け
られている。基板10は、搬送アーム11によって、予
め下降している上記下部電極3と上記上部電極4の間に
搬入される。その後、ピン昇降シリンダ12の上昇駆動
により、そのピンテーブル13上に固定された4本のピ
ン14が上記下部電極3に設けられたピン穴15を貫通
する形で、上記ピン14により上記基板10が上記搬送
アーム11の水平移動位置よりも高い位置まで持ち上げ
られる。この状態で、上記搬送アーム11を上記下部電
極3の上方から後退(図4においては右方向に退避移
動)させ、その後、ピン昇降シリンダ12の下降駆動に
よりピン14の先端を下部電極3の表面より下降させる
ことによって、基板10は下部電極3に載置され、ヒー
タ2により加熱される。下部電極3は処理を行うため基
板10を載置したまま電極昇降シリンダ16によって所
定の位置まで上昇する。このとき、ピン14は下降した
ままである。上部電極4の導入パイプ5を介してSiH
、NH、N、H等の処理ガスを供給しながら高
周波電源7から整合器6を介して上部電極4に高周波電
力を印加すると、上部電極4と下部電極3との間でプラ
ズマが発生し、基板10の表面に例えば窒化膜等が形成
される。処理の終わった基板10は、電極昇降シリンダ
16により下部電極3に載置されたまま元の位置まで下
降する。その後、ピン昇降シリンダ12の上昇駆動によ
りピン14によって搬送アーム11の水平移動位置より
も高い位置まで基板10が持ち上げられ、搬送アーム1
1に受け渡される。このようにして処理が終了する。
2. Description of the Related Art In recent years, in a semiconductor or liquid crystal panel manufacturing apparatus, the production mode has shifted from batch processing to single-wafer processing in order to increase the size of a substrate. In the above-described single-wafer processing, in order to process substrates one by one in a reaction vessel, each time processing is performed, an unprocessed substrate is loaded onto the electrode by a transport means into the reaction vessel, and the processed substrate is reacted. Must be removed from container. Therefore, conventionally, a mechanism for pushing up the substrate with a pin from the lower side of the electrode has been often used to carry the substrate in and out of the reaction container. Hereinafter, a conventional substrate pushing-up mechanism will be described with reference to FIG. 4 taking a plasma CVD apparatus for liquid crystal as an example. A lower electrode 3 having a heater 2 which can be raised and lowered into a chamber 1 evacuated to a predetermined degree of vacuum and is heated to a predetermined temperature (for example, up to 400 ° C.), and an upper electrode 4 opposed to the lower electrode 3 It is installed in the chamber 1. The upper electrode 4 is
The processing gas introduction pipe 5, the matching device 6, and the high frequency power supply 7 are connected, and are attached to the chamber upper lid 9 via the insulator 8. The substrate 10 is carried by the transfer arm 11 between the lower electrode 3 and the upper electrode 4 which have been lowered in advance. Thereafter, the four pins 14 fixed on the pin table 13 are passed through the pin holes 15 provided in the lower electrode 3 by the ascending drive of the pin elevating cylinder 12 so that the substrate 10 Is lifted to a position higher than the horizontal movement position of the transfer arm 11. In this state, the transfer arm 11 is retracted from above the lower electrode 3 (retracts to the right in FIG. 4), and then the tip of the pin 14 is moved downward by the pin elevating cylinder 12 to move the surface of the lower electrode 3. By lowering further, the substrate 10 is placed on the lower electrode 3 and heated by the heater 2. The lower electrode 3 is raised to a predetermined position by the electrode lifting cylinder 16 with the substrate 10 placed thereon for processing. At this time, the pin 14 remains lowered. SiH via the introduction pipe 5 of the upper electrode 4
When high-frequency power is applied to the upper electrode 4 from the high-frequency power source 7 via the matching device 6 while supplying a processing gas such as NH 3 , N 2 , and H 2 , plasma is generated between the upper electrode 4 and the lower electrode 3. Is generated, for example, a nitride film is formed on the surface of the substrate 10. The substrate 10 after the processing is lowered to the original position while being placed on the lower electrode 3 by the electrode lifting cylinder 16. Thereafter, the substrate 10 is raised to a position higher than the horizontal movement position of the transfer arm 11 by the pins 14 by the ascending drive of the pin lifting cylinder 12, and the transfer arm 1
Handed over to 1. Thus, the process ends.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、半導体や液
晶パネルの製造における基板を加熱し処理する工程にお
いて、例えばアルミ製の電極では特に熱膨張が大きいた
め、従来の基板突き上げ機構ではピンとピン穴の相対位
置がずれることになり、電極の膨張を見込んで例えば直
径5mmのピンに対し、ピンの周囲に3mm程度のすき
間を形成するように大きめのピン穴を設ける必要があっ
た。そのため、ピン穴へ放電の入り込む空間が増え、基
板裏面に放電痕を発生するという欠点を有していた。本
発明は、高温に加熱される電極において、処理中に電極
上で基板裏面とピンとピン穴で形成されるすき間を最小
にするとともに、電極が膨張しても確実に動作し、放電
の回り込みを防止する基板突き上げ機構を提供すること
を目的とする。
However, in the process of heating and processing a substrate in the manufacture of semiconductors and liquid crystal panels, for example, aluminum electrodes have a particularly large thermal expansion. The relative position is shifted, and in view of the expansion of the electrode, for example, a pin having a diameter of 5 mm has to be provided with a large pin hole so as to form a gap of about 3 mm around the pin. Therefore, there is a disadvantage that the space where the discharge enters the pin hole is increased, and a discharge mark is generated on the back surface of the substrate. The present invention minimizes the gap formed between the back surface of the substrate, the pin, and the pin hole on the electrode during processing in the electrode heated to a high temperature, operates reliably even if the electrode expands, and prevents the discharge from flowing around. It is an object of the present invention to provide a mechanism for pushing up a substrate.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段及びその作用効果】本発明
は、上記目的を達成するため、ピン昇降ガイドを電極裏
面に設けることでピンとピン穴とピン昇降ガイドを同心
に設けるとともに、ピンとピン昇降手段との連結部にお
いてピンの昇降方向のみを拘束することで基板裏面とピ
ンとピン穴の隙間を最小にするようにしたものである。
具体的には、本発明の第1態様によれば、真空状態で処
理ガスのプラズマによって基板を処理する反応室内で、
上記基板を載置しかつ基板加熱手段と電極昇降手段を有
した電極に対して上記基板を昇降させる基板突き上げ機
構において、上記電極の貫通穴を貫通する基板突き上げ
用ピンと、上記電極に備えられ、かつ、貫通穴を有して
該貫通穴内で上記ピンが同心状態で昇降して上記ピンの
昇降を案内するピン昇降ガイドと、上記ピンに対して、
上記ピンの昇降方向には一体的に移動する一方、上記基
板加熱手段により上記電極が加熱されるときの上記電極
の熱膨張に応じて上記昇降方向とは異なる方向には移動
可能に連結された駆動部を昇降駆動して上記ピンを昇降
駆動させるピン昇降駆動機構と、を備えるように構成し
ている。
In order to achieve the above object, the present invention provides a pin elevating guide on the back surface of an electrode so that a pin, a pin hole, and a pin elevating guide are provided concentrically. The gap between the pin and the pin hole is minimized by restraining only the pin elevating direction at the connection portion with the means.
Specifically, according to the first aspect of the present invention, in a reaction chamber for processing a substrate by plasma of a processing gas in a vacuum state,
A substrate lifting mechanism for mounting and lowering the substrate with respect to the electrode having the substrate heating means and the electrode lifting and lowering means, wherein the substrate lifting pin is provided in the electrode, and the substrate lifting pin is provided in the electrode. And, a pin elevating guide that has a through hole and guides the elevating of the pin by elevating and lowering the pin concentrically in the through hole, and for the pin,
The pins are integrally moved in the elevating direction, while being movably connected in a direction different from the elevating direction according to the thermal expansion of the electrodes when the electrodes are heated by the substrate heating means. And a pin elevating drive mechanism that drives the drive unit up and down to drive the pins up and down.

【0005】また、本発明の第2態様によれば、第1態
様において、上記ピン昇降駆動機構は、ピン昇降手段
と、該ピン昇降手段の駆動により揺動軸回りに揺動され
るピン昇降用レバーとを備えるとともに、上記駆動部
は、上記ピン昇降用レバーの一端に回転可能に備えられ
たローラを備え、上記ピンの下端に該ピンの上記昇降方
向とは直交する方向に延びた溝を有し、上記ピン昇降駆
動機構の上記駆動部のローラを上記溝内に、上記基板加
熱手段により上記電極が加熱されるときの上記電極の熱
膨張に応じて上記昇降方向とは直交する方向沿いに移動
可能に、嵌合して、上記ピン昇降手段の駆動により上記
ピン昇降用レバーが揺動されて上記ローラが昇降し、該
ローラに嵌合された上記溝を有する上記ピンが昇降する
ように構成することもできる。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the pin lifting / lowering drive mechanism includes a pin lifting / lowering means, and a pin lifting / lowering pivoted about a pivot axis by driving the pin lifting / lowering means. A driving lever, and the driving unit includes a roller rotatably provided at one end of the pin lifting lever, and a groove extending at a lower end of the pin in a direction perpendicular to the lifting direction of the pin. A direction perpendicular to the elevating direction according to the thermal expansion of the electrode when the electrode is heated by the substrate heating means, the roller of the drive unit of the pin elevating drive mechanism being in the groove. The pin is lifted and lowered by driving the pin raising and lowering means so that the roller moves up and down, and the pin having the groove fitted to the roller moves up and down. Can also be configured Kill.

【0006】また、本発明の第3態様によれば、第1,
2態様において、上記電極を昇降させるとともに、該電
極の昇降動作と同期して上記ピンを昇降させる電極昇降
機構をさらに備えるように構成することもできる。
Further, according to a third aspect of the present invention, the first,
In the second aspect, it is possible to further comprise an electrode lifting mechanism that raises and lowers the electrode and raises and lowers the pin in synchronization with the raising and lowering operation of the electrode.

【0007】また、本発明の第4態様によれば、第2態
様において、上記電極を昇降させるとともに、該電極の
昇降動作と同期して上記ピンを昇降させる電極昇降機構
をさらに備え、上記電極昇降機構は、上記電極を昇降さ
せる電極昇降手段と、上記電極昇降手段の上記電極の昇
降の際及び上記ピン昇降機構の昇降駆動の際に支点回り
に回転させて上記ピン昇降用レバーを揺動させるレバー
とを備えるように構成することもできる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the second aspect, the apparatus further comprises an electrode lifting mechanism for raising and lowering the electrode and raising and lowering the pin in synchronization with the lifting and lowering operation of the electrode. An elevating mechanism for raising and lowering the electrode; and rotating the pin elevating lever by rotating about a fulcrum when the electrode elevating means elevates and lowers the electrode and when the pin elevating mechanism drives the elevating mechanism. The lever may be configured to include a lever for causing the lever to move.

【0008】本発明の上記各態様によれば、電極の温度
を室温から高温まで変化させても、上記電極と上記ピン
と上記ガイドは上記電極の熱膨張に応じて一体的に移動
することができ、熱膨張によってピンとピン穴の相対位
置は変化しないため、基板突き上げ機構が確実に動作で
きて、ピン近傍での放電の回り込みを防止し、商品の品
質を向上させることができる。
According to the above aspects of the present invention, even when the temperature of the electrode is changed from room temperature to a high temperature, the electrode, the pin, and the guide can move integrally according to the thermal expansion of the electrode. Since the relative position between the pin and the pin hole does not change due to thermal expansion, the substrate push-up mechanism can be reliably operated, the discharge is prevented from wrapping around the pin, and the quality of the product can be improved.

【0009】[0009]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ピンとピ
ン昇降手段との連結部においてピンの昇降方向のみ拘束
し他の方向には拘束しないようにすることにより、例え
ば電極の温度を室温から高温まで変化させて電極が熱膨
張したときピンは電極と一体的に昇降方向とは異なる方
向に移動することができる。よって、熱膨張によってピ
ンとピン穴の相対位置は変化しないため、基板突き上げ
機構が確実に動作できるとともに、電極上面に載置され
た基板とピンとピン穴のすき間を小さくすることがで
き、ピン近傍での放電の回り込みを防止し、製品の品質
を向上させることができる。
As described above, according to the present invention, the connection between the pin and the pin elevating means is restricted only in the elevating direction of the pin and not in the other direction. When the electrode is thermally expanded by changing the temperature from high to high, the pin can move integrally with the electrode in a direction different from the elevating direction. Therefore, since the relative position between the pin and the pin hole does not change due to thermal expansion, the substrate pushing-up mechanism can operate reliably, and the gap between the substrate and the pin mounted on the upper surface of the electrode and the pin hole can be reduced. Can be prevented from sneaking around the discharge, and the quality of the product can be improved.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下、本発明の種々の実施の形態
について、図1〜3を用いて説明する。本発明の第1実
施形態にかかる基板突き上げ機構は、下部電極3の裏面
に複数のピン昇降ガイド18を設け、個々に基板突き上
げ用ピン19とピン穴20とピン昇降ガイド18を同心
に設け、ピン19とピン昇降手段との連結部においてピ
ン19の昇降方向のみを拘束したものであり、ピン19
とピン昇降ガイド18とが下部電極3の熱膨張に伴い一
体となって移動できるようにしたものである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Various embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. In the substrate lifting mechanism according to the first embodiment of the present invention, a plurality of pin lifting guides 18 are provided on the back surface of the lower electrode 3, and the substrate lifting pins 19, the pin holes 20, and the pin lifting guides 18 are provided concentrically, respectively. In the connecting portion between the pin 19 and the pin elevating means, only the elevating direction of the pin 19 is restricted.
The pin lift guide 18 and the pin lift guide 18 can be moved together with the thermal expansion of the lower electrode 3.

【0011】図1は上記第1実施形態にかかる基板突き
上げ機構を示しており、ピン昇降手段として揺動リンク
を利用している。反応室の一例としてのチャンバ1内に
おいて、加熱手段としてヒータ2を内蔵しかつ電極昇降
シリンダ16により昇降可能なアルミニウム製の下部電
極3において、取付フランジ17により固定された円柱
状のガイド18は、4本のピン19が同心状態でかつガ
イド18の貫通穴内を貫通して昇降するように嵌合され
てピン19の昇降を案内する。焼き付き防止のため、例
えばガイド18はセラミック、ピン19はニッケルとい
う組み合わせで構成されるのが好ましい。下部電極3の
各ピン穴20と同心に配置するために各ガイド18は、
下部電極3に設けられた円形の座ぐり穴3aに嵌合され
ている。一例として、各ピン19と各ピン穴20とは
0.1〜0.5mm程度のわずかな隙間で構成されてい
る。レバー21は、ピン昇降シリンダ42による昇降動
作をチャンバ1内へ導入し、ピン19の昇降のための揺
動を行う。すなわち、ピン昇降シリンダ42のピストン
42aが図1において大略横方向沿いに往復移動するよ
うにピン昇降シリンダ42がチャンバ1の下端に固定さ
れ、そのピストン42aの先端には、大略L字状レバー
21の下端21aが枢着されている。レバー21は揺動
軸21cの回りに揺動可能に支持されている。レバー2
1の右端21bに回転自在に取り付けられたローラ22
は、ピン19の下端に取り付けられたボス23に形成さ
れた溝23aの中をレバー21の揺動軸21c回りの左
右方向の揺動によって移動し、ピン19を昇降させる。
溝23aの幅は、ローラ22の直径に対してわずかな隙
間を持たせているので、ガイド18とピン19とは下部
電極3の熱膨張にともなって移動できるという作用を有
する。また、レバー21の下端21a及びピン昇降シリ
ンダ42のピストン42aの先端に一端が枢着された連
結棒24、レバー21及びピン19のボス23によっ
て、他の3本のピン19とも連結されているため、ピン
昇降シリンダ42の駆動により、ピン19は4本同時に
昇降する。この4本のピン19を同時に昇降させる具体
的な構成例としては、図1のような2つのレバー21と
その間を連結する連結棒24のセットがもう1組配置さ
れ、かつ、2本の連結棒24が同時に同様に移動するよ
うに図示しないレバーで連結されることにより、4本の
ピン19を4個のレバー21の反時計方向の揺動により
同時に上昇させることができる。
FIG. 1 shows a substrate push-up mechanism according to the first embodiment, in which a swing link is used as a pin elevating means. In a chamber 1 as an example of a reaction chamber, a columnar guide 18 fixed by a mounting flange 17 in an aluminum lower electrode 3 which incorporates a heater 2 as a heating means and can be raised and lowered by an electrode lifting cylinder 16 is provided. The four pins 19 are fitted concentrically so as to go up and down through the through holes of the guides 18 to guide the pins 19 up and down. In order to prevent image sticking, for example, it is preferable that the guide 18 is formed of a ceramic and the pin 19 is formed of a combination of nickel. Each guide 18 is arranged concentrically with each pin hole 20 of the lower electrode 3.
It is fitted in a circular counterbore 3a provided in the lower electrode 3. As an example, each pin 19 and each pin hole 20 are formed with a slight gap of about 0.1 to 0.5 mm. The lever 21 introduces the elevating operation by the pin elevating cylinder 42 into the chamber 1 and swings for elevating the pin 19. That is, the pin lifting cylinder 42 is fixed to the lower end of the chamber 1 so that the piston 42a of the pin lifting cylinder 42 reciprocates substantially in the horizontal direction in FIG. Is pivotally mounted at the lower end 21a. The lever 21 is swingably supported around a swing shaft 21c. Lever 2
Roller 22 rotatably attached to the right end 21b of the first roller 21
Moves in the groove 23a formed in the boss 23 attached to the lower end of the pin 19 by swinging the lever 21 around the swing shaft 21c in the left-right direction, and moves the pin 19 up and down.
Since the width of the groove 23 a has a small gap with respect to the diameter of the roller 22, the guide 18 and the pin 19 have an effect that they can move with the thermal expansion of the lower electrode 3. In addition, the lower end 21a of the lever 21 and the connecting rod 24 having one end pivotally connected to the tip of the piston 42a of the pin elevating cylinder 42, the lever 21 and the boss 23 of the pin 19 are also connected to the other three pins 19. Therefore, the four pins 19 are raised and lowered simultaneously by driving the pin lifting cylinder 42. As a specific configuration example for simultaneously raising and lowering the four pins 19, another set of two levers 21 and a connecting rod 24 connecting between them as shown in FIG. When the rods 24 are connected by levers (not shown) so as to move in the same manner, the four pins 19 can be simultaneously raised by swinging the four levers 21 counterclockwise.

【0012】上記構成によれば、ピン昇降シリンダ42
のピストンロッド42aが右方向に移動するように駆動
されるとき、4本のレバー21がそれぞれ揺動軸21c
回りに反時計方向に揺動し、4個のローラ22によりボ
ス23を介して4本のピン19を同時に押し上げて、基
板10を下部電極3の表面から突き上げる。一方、ピン
昇降シリンダ42のピストンロッド42aが左方向に移
動するように駆動されるとき、4本のレバー21がそれ
ぞれ揺動軸21c回りに時計方向に揺動し、4個のロー
ラ22によりボス23を介して4本のピン19を同時に
押し下げて、基板10を下部電極3の表面に載置する。
ヒータ2の熱により、ピン19の昇降方向とは異なる方
向、例えば、昇降方向とは直交する方向に下部電極3が
熱膨張するとき、下部電極3に固定されたボス18と該
ボス18内を移動するピン19とが、下部電極3の熱膨
張に応じて、一体的に移動する。このとき、ピン19の
下端のボス23もピン19と一体的に移動するが、ボス
23の溝23a内のピン昇降シリンダ側に連結されたロ
ーラ22は、溝23a内の内面を転動することにより、
ピン19の移動を妨げることがない。
According to the above configuration, the pin lifting cylinder 42
When the piston rod 42a is driven so as to move rightward, the four levers 21 are respectively driven by the pivot shafts 21c.
The substrate 10 is swung in a counterclockwise direction, and the four pins 19 are simultaneously pushed up by the four rollers 22 via the bosses 23 to push up the substrate 10 from the surface of the lower electrode 3. On the other hand, when the piston rod 42a of the pin elevating cylinder 42 is driven to move to the left, the four levers 21 swing clockwise around the swing shaft 21c, respectively, and the bosses are rotated by the four rollers 22. The four pins 19 are simultaneously depressed via 23, and the substrate 10 is placed on the surface of the lower electrode 3.
When the lower electrode 3 thermally expands in a direction different from the elevating direction of the pins 19 due to the heat of the heater 2, for example, in a direction orthogonal to the elevating direction, the boss 18 fixed to the lower electrode 3 and the inside of the boss 18 The moving pin 19 moves integrally according to the thermal expansion of the lower electrode 3. At this time, the boss 23 at the lower end of the pin 19 also moves integrally with the pin 19, but the roller 22 connected to the pin lifting cylinder side in the groove 23a of the boss 23 rolls on the inner surface in the groove 23a. By
The movement of the pin 19 is not hindered.

【0013】なお、ピン19、下部電極3の昇降手段と
しては、シリンダの代わりに、モータを用いても同様の
効果が得られる。また、ピン19の本数は4本とした
が、3本以上で基板サイズに応じた本数とする。なお、
50は下部電極3と電極昇降シリンダ16のピストンロ
ッド16aの駆動板16bとを連結するロッド、51は
駆動板16bとチャンバ1との間に設けられチャンバ1
内と外部とを遮断するベローズであり、電極昇降シリン
ダ16のピストンロッド16aの昇降駆動時において
も、チャンバ1内の所定の真空度を維持できるように、
チャンバ1の内外をベローズ51で遮断している。
A similar effect can be obtained by using a motor instead of a cylinder as the means for raising and lowering the pin 19 and the lower electrode 3. Although the number of pins 19 is four, the number of pins is three or more according to the substrate size. In addition,
50 is a rod connecting the lower electrode 3 and the driving plate 16b of the piston rod 16a of the electrode lifting cylinder 16, and 51 is provided between the driving plate 16b and the chamber 1 and the chamber 1
It is a bellows for shutting off the inside and the outside, so that a predetermined degree of vacuum in the chamber 1 can be maintained even when the piston rod 16a of the electrode lifting cylinder 16 is driven up and down.
The inside and outside of the chamber 1 are shut off by a bellows 51.

【0014】上記第1実施形態によれば、下部電極3の
裏面に複数のピン昇降ガイド18を設け、個々にピン1
9とピン穴20とピン昇降ガイド18を同心に設け、ピ
ン19の下端のボス23の溝23a内に、ピン昇降手段
であるピン昇降シリンダ42のピストンロッド42aに
連結されたレバー21の右端ローラ22を嵌合して、ピ
ン19とピン昇降手段との連結部においてピン19の昇
降方向のみを拘束するようにしている。よって、上記連
結部においては、ピン昇降手段によりピン昇降方向以外
の方向に拘束されていないので、ピン19とピン昇降ガ
イド18とが下部電極3の熱膨張に伴い一体となって移
動できる。よって、高温に加熱される下部電極3におい
て、処理中に下部電極3上で基板10の裏面とピン19
とピン穴20で形成される隙間を最小にすることができ
るとともに、下部電極3が熱膨張しても確実に動作し、
放電の回り込みを防止することができる。
According to the first embodiment, a plurality of pin lifting guides 18 are provided on the back surface of the lower electrode 3, and
9, a pin hole 20 and a pin elevating guide 18 are provided concentrically, and a right end roller of a lever 21 connected to a piston rod 42 a of a pin elevating cylinder 42 serving as a pin elevating means is provided in a groove 23 a of a boss 23 at a lower end of the pin 19. The pin 22 is fitted so as to restrict only the lifting direction of the pin 19 at the connection between the pin 19 and the pin lifting / lowering means. Therefore, since the connecting portion is not restrained in a direction other than the pin lifting direction by the pin lifting means, the pin 19 and the pin lifting guide 18 can move integrally with the thermal expansion of the lower electrode 3. Therefore, in the lower electrode 3 heated to a high temperature, the back surface of the substrate 10
And the gap formed by the pin hole 20 can be minimized, and even if the lower electrode 3 thermally expands, it operates reliably,
It is possible to prevent the discharge from wraparound.

【0015】また、上記第1実施形態において、電極昇
降シリンダ16とピン昇降シリンダ42とを同期制御す
る制御装置100をさらに配置することもできる。この
場合、この制御装置100の同期制御により、電極昇降
シリンダ16の駆動により下部電極3が薄膜形成位置ま
で上昇するとき、同時に、ピン昇降シリンダ42を駆動
してピン19も下部電極3とともに上昇して、ピン19
の先端と下部電極3の上面との間に大きなくぼみが形成
されないようにすることができる。このようにすること
により、ピン穴内への放電の入り込む空間を常に小さく
保つことができ、ピン穴内への放電の回り込みを効果的
に防止することができる。
In the first embodiment, a control device 100 for synchronously controlling the electrode lifting cylinder 16 and the pin lifting cylinder 42 may be further provided. In this case, by the synchronous control of the control device 100, when the lower electrode 3 is raised to the thin film forming position by driving the electrode lifting cylinder 16, at the same time, the pin lifting cylinder 42 is driven to move the pin 19 together with the lower electrode 3. And pin 19
Between the tip of the lower electrode 3 and the upper surface of the lower electrode 3 can be prevented from being formed. By doing so, the space into which the discharge enters the pin hole can always be kept small, and it is possible to effectively prevent the discharge from flowing into the pin hole.

【0016】本発明の第2実施形態にかかる基板突き上
げ機構は、下部電極昇降手段によって、下部電極3の昇
降と基板10の突き上げピン19の昇降を同期させるも
のであり、上記第1実施形態の作用効果に加えて、下部
電極3を昇降させても下部電極3の上面とピン19の先
端との隙間が変化しないようにするものである。図2に
は、上記第2実施形態にかかる基板突き上げ機構を示
し、図3はその一部拡大図を示す。この第2実施形態で
は、上記第1実施形態にかかる揺動リンク機構を利用し
た基板突き上げ機構において、ピン昇降シリンダ42の
代わりに、下部電極3の電極昇降シリンダ16をレバー
26,29によって連結して使用するものである。
The substrate lifting mechanism according to the second embodiment of the present invention synchronizes the lifting and lowering of the lower electrode 3 with the lifting and lowering of the push-up pins 19 of the substrate 10 by the lower electrode lifting and lowering means. In addition to the function and effect, even when the lower electrode 3 is moved up and down, the gap between the upper surface of the lower electrode 3 and the tip of the pin 19 does not change. FIG. 2 shows a substrate pushing-up mechanism according to the second embodiment, and FIG. 3 shows a partially enlarged view thereof. In the second embodiment, in the substrate lifting mechanism using the swing link mechanism according to the first embodiment, the electrode lifting cylinder 16 of the lower electrode 3 is connected by levers 26 and 29 instead of the pin lifting cylinder 42. Is used.

【0017】この第2実施形態においては、チャンバ1
の下端に、ピストンロッド52aが下向きに移動するピ
ン昇降シリンダ52が固定されており、このピストンロ
ッド52aの下端にプッシャー25が固定されている。
このプッシャー25の左端にはローラ25aが回転可能
に備えられている。ローラ25aは、プッシャー25の
下降に応じてレバー26の右端26aを上方から下向き
に押し下げる。ローラ25aはレバー26の右端26a
に上方から接触可能となっているだけで、ローラ25a
が上昇するときにはローラ25aはレバー26の右端2
6aから分離可能となっている。レバー26は、その中
間部が支点26dにより回転可能に支持されている。こ
のレバー26の中間部のやや左側の部分にバネ27の上
端が固定され、バネ27の下端はチャンバ1の設置床に
固定されており、バネ27の付勢力により、レバー26
はその支点26d回りに、常時反時計方向に回転する方
向に付勢されている。レバー26の中間部の上部の二股
部26bには、上記各ピン19に、ボス23及びローラ
22を介して連結されたレバー21の下端ピン21dが
相対的に回転可能に嵌合され、レバー26が時計方向に
回転するとレバー21が反時計方向に揺動される一方、
レバー26が反時計方向に回転するとレバー21が時計
方向に揺動されるようにしている。レバー26の左端2
6cは、電極昇降シリンダ16のピストンロッド16a
に固定された駆動板16bの一端に下向きに突出固定さ
れたレバー29の下端ローラ29aに当接可能となって
いる。下端ローラ29aはレバー26の左端26cに下
側から上向きに当接可能となっているだけで、下端ロー
ラ29aが下降するときにはレバー26の左端26cか
ら分離可能となっている。
In the second embodiment, the chamber 1
A pin elevating cylinder 52 in which a piston rod 52a moves downward is fixed to a lower end of the piston rod 52, and a pusher 25 is fixed to a lower end of the piston rod 52a.
A roller 25a is rotatably provided at the left end of the pusher 25. The roller 25 a pushes the right end 26 a of the lever 26 downward from above in response to the lowering of the pusher 25. The roller 25a is a right end 26a of the lever 26.
Can be contacted from above only with the roller 25a.
When the roller rises, the roller 25a is moved to the right end 2 of the lever 26.
6a. The intermediate portion of the lever 26 is rotatably supported by a fulcrum 26d. The upper end of a spring 27 is fixed to a slightly left portion of the intermediate portion of the lever 26, and the lower end of the spring 27 is fixed to the installation floor of the chamber 1.
Is always urged to rotate counterclockwise around its fulcrum 26d. A lower end pin 21d of a lever 21 connected to each of the pins 19 via a boss 23 and a roller 22 is rotatably fitted to the upper forked portion 26b of the intermediate portion of the lever 26, and When the lever rotates clockwise, the lever 21 swings counterclockwise,
When the lever 26 rotates counterclockwise, the lever 21 swings clockwise. Left end 2 of lever 26
6c is a piston rod 16a of the electrode lifting cylinder 16.
The lower end roller 29a of the lever 29, which is fixed downward at one end of the drive plate 16b, is fixed. The lower end roller 29a can only contact the left end 26c of the lever 26 upward from below, and can be separated from the left end 26c of the lever 26 when the lower end roller 29a descends.

【0018】このような構成において、ピン19を上昇
させるときは、まず、ピン昇降シリンダ12の駆動によ
りプッシャー25が図3において点線で示すように下降
し、プッシャー先端のローラ25aを介してレバー26
の右端26aを点線で示すように下向きに押す。この結
果、この下向きの押圧力は、レバー26に支点26d回
りの時計方向の回転を点線で示すように付与して、二股
部26bを介してレバー21の下端ピン21dをその揺
動軸21c回りに反時計方向に揺動させるような回転力
として伝達され、ローラ22及びボス23を介して、前
記したようにピン19を上昇させる。図3のような2つ
のレバー21とその間を連結する連結棒24のセットが
もう1組配置され、かつ、2本の連結棒24が同時に同
様に移動するように図示しないレバーで連結されること
により、4本のピン19を4個のレバー21の反時計方
向の揺動により同時に上昇させる。よって、下部電極3
の上面に載置されていた基板10を4本のピン19で上
昇させる。
In this configuration, when the pin 19 is raised, first, the pusher 25 is lowered by driving the pin lifting cylinder 12 as shown by a dotted line in FIG. 3, and the lever 26 is moved through the roller 25a at the tip of the pusher.
Is pressed downward as shown by the dotted line. As a result, this downward pressing force imparts clockwise rotation about the fulcrum 26d to the lever 26 as shown by a dotted line, and causes the lower end pin 21d of the lever 21 to rotate around its pivot shaft 21c via the forked portion 26b. As described above, the pin 19 is lifted through the roller 22 and the boss 23 through the roller 22 and the boss 23. Another set of two levers 21 and a connecting rod 24 connecting between them as shown in FIG. 3 is arranged, and the two connecting rods 24 are connected by levers (not shown) so as to simultaneously move simultaneously. Thus, the four pins 19 are simultaneously raised by the counterclockwise swing of the four levers 21. Therefore, the lower electrode 3
The substrate 10 placed on the upper surface is raised by four pins 19.

【0019】一方、ピン昇降シリンダ52が逆に駆動さ
れてプッシャー25が上昇して、プッシャー25のロー
ラ25aがレバー26の右端26aから離れると、バネ
27の付勢力により、レバー26は支点26d回りに反
時計方向に回転し、二股部26bを介してレバー21を
その揺動軸21c回りに時計方向に揺動させる。このと
き、4本のレバー21が連結棒24などにより同時に時
計方向に揺動されるため、4本のピン19は同時に下降
する。
On the other hand, when the pin lifting cylinder 52 is driven in reverse and the pusher 25 rises and the roller 25a of the pusher 25 moves away from the right end 26a of the lever 26, the lever 26 rotates around the fulcrum 26d by the urging force of the spring 27. Then, the lever 21 is rotated counterclockwise to swing the lever 21 clockwise around the swing shaft 21c via the forked portion 26b. At this time, since the four levers 21 are simultaneously swung clockwise by the connecting rod 24 or the like, the four pins 19 are simultaneously lowered.

【0020】また、電極昇降シリンダ16の駆動により
そのピストンロッド16aを上昇させて下部電極3を上
昇させると、電極昇降シリンダ16のピストンロッド1
6aの上昇動作に伴い、レバー29も上昇し、レバー2
9の下端ローラ29aがレバー26の左端26cを上向
きに押し上げてレバー26がその支点26d回りに時計
方向に回転する。よって、上記ピン昇降シリンダ52の
プッシャー25のローラ25aによりレバー26の右端
26aが押し下げられたときと同様にレバー26が時計
方向に回転させられるため、4本のピン19が同時に上
昇させられる。この結果、下部電極3の上昇動作に伴い
4本のピン19が同時に上昇することができる。
When the lower electrode 3 is raised by driving the piston rod 16a by driving the electrode lifting cylinder 16, the piston rod 1 of the electrode lifting cylinder 16 is moved upward.
6a, the lever 29 also rises, and the lever 2
The lower end roller 29a of 9 pushes up the left end 26c of the lever 26 upward, and the lever 26 rotates clockwise around its fulcrum 26d. Therefore, the lever 26 is rotated clockwise in the same manner as when the right end 26a of the lever 26 is pushed down by the roller 25a of the pusher 25 of the pin elevating cylinder 52, so that the four pins 19 are simultaneously raised. As a result, the four pins 19 can be raised simultaneously with the raising operation of the lower electrode 3.

【0021】一方、電極昇降シリンダ16の逆駆動によ
り、下部電極3が下降すると、バネ27の作用によりレ
バー26が反時計方向に回転して各レバー21が時計方
向に揺動するため、4本のピン19も下部電極3の動作
にともない同期して下降する。これにより、下部電極3
を昇降させても4本のピン19が同期して昇降させるこ
とができ、各ピン19の先端と下部電極3の上面との位
置関係が昇降動作に拘わらず変わらないという作用を有
する。このように位置関係が変わらない結果として、下
部電極が薄膜形成位置に位置しても、ピン19の先端と
下部電極3の上面との間に大きなくぼみが形成されない
ようにすることができる。このようにすることにより、
ピン穴内への放電の入り込む空間を常に小さく保つこと
ができ、ピン穴内への放電の回り込みを効果的に防止す
ることができる。
On the other hand, when the lower electrode 3 is lowered by the reverse drive of the electrode lifting cylinder 16, the lever 26 rotates counterclockwise by the action of the spring 27, and each lever 21 swings clockwise. Also lowers in synchronization with the operation of the lower electrode 3. Thereby, the lower electrode 3
The four pins 19 can be moved up and down in synchronism with each other, and the positional relationship between the tip of each pin 19 and the upper surface of the lower electrode 3 does not change regardless of the elevating operation. As a result of the positional relationship not changing, it is possible to prevent a large depression from being formed between the tip of the pin 19 and the upper surface of the lower electrode 3 even when the lower electrode is located at the thin film forming position. By doing this,
The space into which the discharge enters the pin hole can always be kept small, and the sneak of the discharge into the pin hole can be effectively prevented.

【0022】なお、上記ではピン19の昇降機構と下部
電極3の駆動機構を同期するよう機械的に連結したが、
ピン19の昇降機構と下部電極3の駆動機構をそれぞれ
独立に制御し、同期させても同様の効果が得られる。
Although the mechanism for raising and lowering the pin 19 and the mechanism for driving the lower electrode 3 are mechanically connected in the above description,
The same effect can be obtained even if the lifting mechanism of the pin 19 and the driving mechanism of the lower electrode 3 are independently controlled and synchronized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1実施形態において、揺動リンク
を用いた基板突き上げ機構を示す概略説明図である。
FIG. 1 is a schematic explanatory view showing a substrate pushing-up mechanism using a swing link in a first embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の第2実施形態において、ピンと電極
の昇降を同期させた基板突き上げ機構を示す概略説明図
である。
FIG. 2 is a schematic explanatory view showing a substrate push-up mechanism in which a pin and an electrode are vertically moved in a second embodiment of the present invention.

【図3】 図2の一部拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2;

【図4】 従来の基板突き上げ機構の概略説明図であ
る。
FIG. 4 is a schematic explanatory view of a conventional substrate push-up mechanism.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 チャンバ 2 ヒータ 3 下部電極 4 上部電極 17 取付フランジ 18 ガイド 19 ピン 20 ピン穴 21,26,29 レバー 22,25a,29a ローラ 23 ボス 24 連結棒 25 プッシャー 27 バネ Reference Signs List 1 chamber 2 heater 3 lower electrode 4 upper electrode 17 mounting flange 18 guide 19 pin 20 pin hole 21, 26, 29 lever 22, 25a, 29a roller 23 boss 24 connecting rod 25 pusher 27 spring

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/68 H01L 21/205 // H01L 21/205 21/302 B (72)発明者 田辺 浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内────────────────────────────────────────────────── ─── Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 21/68 H01L 21/205 // H01L 21/205 21/302 B (72) Inventor Hiroshi Tanabe 1006 Odakadoma, Kadoma-shi, Osaka Address Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 真空状態で処理ガスのプラズマによって
基板(10)を処理する反応室(1)内で、上記基板を
載置しかつ基板加熱手段(2)と電極昇降手段(16)
を有した電極(3)に対して上記基板を昇降させる基板
突き上げ機構において、 上記電極の貫通穴(20)を貫通する基板突き上げ用ピ
ン(19)と、 上記電極に備えられ、かつ、貫通穴を有して該貫通穴内
で上記ピンが同心状態で昇降して上記ピンの昇降を案内
するピン昇降ガイド(18)と、 上記ピンに対して、上記ピンの昇降方向には一体的に移
動する一方、上記基板加熱手段により上記電極が加熱さ
れるときの上記電極の熱膨張に応じて上記昇降方向とは
異なる方向には移動可能に連結された駆動部(23,2
2)を昇降駆動して上記ピンを昇降駆動させるピン昇降
駆動機構(21,42)と、 を備えるようにしたことを特徴とする基板突き上げ機
構。
1. A substrate heating means (2) and an electrode lifting / lowering means (16) for mounting said substrate in a reaction chamber (1) for processing a substrate (10) by plasma of a processing gas in a vacuum state.
A substrate push-up mechanism that raises and lowers the substrate with respect to the electrode (3) having: a substrate push-up pin (19) penetrating through the through-hole (20) of the electrode; and a through-hole provided in the electrode. A pin elevating guide (18) for guiding the elevating and lowering of the pin by concentrically raising and lowering the pin in the through hole; and moving integrally with the pin in the elevating direction of the pin. On the other hand, a drive unit (23, 2) movably connected in a direction different from the elevating direction according to the thermal expansion of the electrode when the electrode is heated by the substrate heating means.
2) a pin lifting drive mechanism (21, 42) for driving the pins up and down by driving the pins up and down.
【請求項2】 上記ピン昇降駆動機構は、ピン昇降手段
(42)と、該ピン昇降手段の駆動により揺動軸(21
c)回りに揺動されるピン昇降用レバー(21)とを備
えるとともに、上記駆動部は、上記ピン昇降用レバーの
一端に回転可能に備えられたローラ(22)を備え、 上記ピンの下端に該ピンの上記昇降方向とは直交する方
向に延びた溝(23d)を有し、上記ピン昇降駆動機構
の上記駆動部のローラを上記溝内に、上記基板加熱手段
により上記電極が加熱されるときの上記電極の熱膨張に
応じて上記昇降方向とは直交する方向沿いに移動可能
に、嵌合して、 上記ピン昇降手段の駆動により上記ピン昇降用レバーが
揺動されて上記ローラが昇降し、該ローラに嵌合された
上記溝を有する上記ピンが昇降するようにした請求項1
に記載の基板突き上げ機構。
2. The pin lifting / lowering drive mechanism includes a pin lifting / lowering means (42) and a swing shaft (21) driven by the pin lifting / lowering means.
c) a pin raising / lowering lever (21) swinging around; and the driving unit includes a roller (22) rotatably provided at one end of the pin lifting / lowering lever, and a lower end of the pin. The pin has a groove (23d) extending in a direction perpendicular to the elevating direction of the pin, and the electrode of the pin elevating drive mechanism is heated by the substrate heating means in the groove in the roller of the driving unit. The pin is moved movably along a direction perpendicular to the elevating direction according to the thermal expansion of the electrode when the electrode is moved, and the pin elevating means is swung by the driving of the pin elevating means, whereby the roller is rotated. The pin having the groove fitted to the roller is moved up and down to move up and down.
2. The substrate push-up mechanism according to 1.
【請求項3】 上記電極を昇降させるとともに、該電極
の昇降動作と同期して上記ピンを昇降させる電極昇降機
構(16,26,27,100)をさらに備えるように
した請求項1又は2に記載の基板突き上げ機構。
3. The apparatus according to claim 1, further comprising an electrode lifting mechanism (16, 26, 27, 100) for raising and lowering the electrode and raising and lowering the pin in synchronization with the raising and lowering operation of the electrode. The substrate push-up mechanism described in the above.
【請求項4】 上記電極を昇降させるとともに、該電極
の昇降動作と同期して上記ピンを昇降させる電極昇降機
構(16,26,27)をさらに備え、 上記電極昇降機構は、上記電極を昇降させる電極昇降手
段(16)と、上記電極昇降手段の上記電極の昇降の際
及び上記ピン昇降機構の昇降駆動の際に支点回りに回転
させて上記ピン昇降用レバーを揺動させるレバー(2
6)とを備えるようにした請求項2に記載の基板突き上
げ機構。
4. An electrode raising / lowering mechanism (16, 26, 27) for raising / lowering the electrode and raising / lowering the pin in synchronization with the raising / lowering operation of the electrode, wherein the electrode raising / lowering mechanism raises / lowers the electrode. An electrode elevating means (16) for rotating the pin elevating means by rotating it around a fulcrum when the electrode elevating means elevates and lowers the electrode and when the pin elevating mechanism is driven up and down.
3. The substrate push-up mechanism according to claim 2, further comprising: (6).
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10308348A (en) * 1997-05-07 1998-11-17 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment device
EP1420081A2 (en) * 2002-10-11 2004-05-19 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film formation apparatus and thin film formation method employing the apparatus
WO2004095568A1 (en) * 2003-04-21 2004-11-04 Tokyo Electron Limited Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate
JP2008500709A (en) * 2004-05-28 2008-01-10 オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト Lift pin with roller glide to reduce friction
CN100367485C (en) * 2003-04-21 2008-02-06 东京毅力科创株式会社 Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate
JP2008270721A (en) * 2007-03-27 2008-11-06 Tokyo Electron Ltd Substrate mounting base and substrate processing device
KR101218570B1 (en) * 2010-05-28 2013-01-18 주성엔지니어링(주) Lift pin assembly
KR101240391B1 (en) * 2005-05-24 2013-03-08 주성엔지니어링(주) Lift pin assembly
KR101347315B1 (en) * 2012-07-26 2014-01-03 이병칠 A lift housing unit for oven chamber
KR20170067144A (en) * 2015-12-07 2017-06-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate Processing Apparatus, Method of Detaching Substrate from Vacuum Suction Table of Substrate Processing Apparatus, and Method of Placing Substrate onto Vacuum Suction Table of Substrate Processing Apparatus

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326584A (en) * 1994-05-30 1995-12-12 Tokyo Electron Ltd Processing device
JPH08124818A (en) * 1994-10-26 1996-05-17 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326584A (en) * 1994-05-30 1995-12-12 Tokyo Electron Ltd Processing device
JPH08124818A (en) * 1994-10-26 1996-05-17 Tokyo Electron Ltd Heat treatment device

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10308348A (en) * 1997-05-07 1998-11-17 Tokyo Electron Ltd Substrate treatment device
EP1420081A3 (en) * 2002-10-11 2006-05-03 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film formation apparatus and thin film formation method employing the apparatus
EP1420081A2 (en) * 2002-10-11 2004-05-19 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film formation apparatus and thin film formation method employing the apparatus
CN100367485C (en) * 2003-04-21 2008-02-06 东京毅力科创株式会社 Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate
KR100770463B1 (en) 2003-04-21 2007-10-26 동경 엘렉트론 주식회사 Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate
WO2004095568A1 (en) * 2003-04-21 2004-11-04 Tokyo Electron Limited Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate
KR100854804B1 (en) * 2003-04-21 2008-08-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Device for applying semiconductor treatment to treatment subject substrate
US7422655B2 (en) 2003-04-21 2008-09-09 Tokyo Electron Limited Apparatus for performing semiconductor processing on target substrate
JP2008500709A (en) * 2004-05-28 2008-01-10 オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト Lift pin with roller glide to reduce friction
KR101240391B1 (en) * 2005-05-24 2013-03-08 주성엔지니어링(주) Lift pin assembly
JP2008270721A (en) * 2007-03-27 2008-11-06 Tokyo Electron Ltd Substrate mounting base and substrate processing device
KR101218570B1 (en) * 2010-05-28 2013-01-18 주성엔지니어링(주) Lift pin assembly
KR101347315B1 (en) * 2012-07-26 2014-01-03 이병칠 A lift housing unit for oven chamber
KR20170067144A (en) * 2015-12-07 2017-06-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Substrate Processing Apparatus, Method of Detaching Substrate from Vacuum Suction Table of Substrate Processing Apparatus, and Method of Placing Substrate onto Vacuum Suction Table of Substrate Processing Apparatus
US11195736B2 (en) 2015-12-07 2021-12-07 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, method of detaching substrate from vacuum suction table of substrate processing apparatus, and method of placing substrate onto vacuum suction table of substrate processing apparatus

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