JP3356354B2 - Processing equipment - Google Patents

Processing equipment

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JP3356354B2
JP3356354B2 JP14115694A JP14115694A JP3356354B2 JP 3356354 B2 JP3356354 B2 JP 3356354B2 JP 14115694 A JP14115694 A JP 14115694A JP 14115694 A JP14115694 A JP 14115694A JP 3356354 B2 JP3356354 B2 JP 3356354B2
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造工程においては、気密に構成
された処理室内に設置された載置台に被処理体を載置固
定して成膜やエッチングなどの各種処理を施している。
その際には、図5に示すように、ロードロック室101
に設置された搬送アーム102により被処理体Wを処理
室103内に搬入し、載置台104の上方に位置決めし
てから、載置台104に内装されたリフタピン105を
上昇させ、被処理体Wを支持し、搬送アーム102を後
退させた後、リフタピン105を下降させるか、または
載置台104を上昇させることにより、被処理体Wを載
置台104の載置面に載置し、チャック手段により固定
した後、処理室103内に導入した処理ガスにより所定
の処理を施している。
2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing process, an object to be processed is mounted and fixed on a mounting table installed in an airtight processing chamber, and various processes such as film formation and etching are performed.
At that time, as shown in FIG.
The workpiece W is carried into the processing chamber 103 by the transfer arm 102 installed in the processing chamber 103, and is positioned above the mounting table 104. Then, the lifter pins 105 provided in the mounting table 104 are lifted, and the processing object W is removed. After supporting and moving the transfer arm 102 backward, the lifter pin 105 is lowered, or the mounting table 104 is raised, so that the object to be processed W is mounted on the mounting surface of the mounting table 104 and fixed by the chuck means. After that, predetermined processing is performed by the processing gas introduced into the processing chamber 103.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来の処理装置においては、載置台104を昇降
駆動する機構106とリフタピンを昇降駆動する機構1
07とが別途必要であった。そこで、それぞれの機構に
ついてモータやエアシリンダなどのアクチュエータを設
置せねばならず、アクチュエータ取り付けスペースを確
保するために、装置の肥大化、機構の複雑化、駆動シー
ケンスの開発・管理の複雑化といった問題を抱えてい
た。
However, in the conventional processing apparatus as described above, the mechanism 106 for driving the mounting table 104 up and down and the mechanism 1 for driving the lifter pin up and down.
07 was required separately. Therefore, actuators such as motors and air cylinders must be installed for each mechanism, and in order to secure space for mounting the actuators, problems such as the enlargement of the device, the complexity of the mechanism, and the complexity of development and management of the drive sequence are required. I was having.

【0004】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、その目的とするところは、リフタピン用の
駆動機構を簡略化することにより、装置を小型・単純化
することが可能であり、その結果、コストの低減および
信頼性の向上を図ることが可能な新規かつ改良された処
理装置を提供することである。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to simplify and reduce the size of the apparatus by simplifying the drive mechanism for lifter pins. Accordingly, it is an object of the present invention to provide a new and improved processing apparatus capable of reducing costs and improving reliability.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に記載の処理装置は、気密処理室内に設け
られた載置台に載置された被処理体に対してプラズマま
たは熱による処理を施すための処理装置において、前記
載置台と前記処理室内に搬入された被処理体とを相対的
に移動させて前記被処理体を前記載置台に設置する載置
台駆動手段と、前記載置台に対して相対運動可能であ
り、前記被処理体を支持可能なリフタピンと、前記リフ
タピンを上方に付勢する付勢手段と、前記リフタピン
前記被処理体の搬入位置よりも所定量以上、上方に突出
しないように制限するための第1の制限手段と、前記リ
フタピンを前記載置台よりも所定量以上、上方に突出し
ないように制限するための第2の制限手段と、を備えた
ことを特徴としている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus, comprising: a processing unit configured to apply a plasma or heat to an object mounted on a mounting table provided in an airtight processing chamber; in the processing apparatus for performing processing by a table driving means and a target object carried into the mounting table in the process chamber is relatively moved installing the workpiece in the mounting table, is movable relative the mounting table, before SL and capable of supporting the lifter pins the object to be processed, and biasing means for biasing the lifter pins upwards, the lifter pin
Wherein a predetermined amount or more than the loading position of the object to be processed, a first limiting means for limiting so as not to protrude <br/> upward, the Li
Project the lid pin upward by more than a specified amount from the mounting table.
And a second restricting means for restricting the error from occurring.

【0006】また請求項2に記載の処理装置は前記処
理室に固定的に取り付けられた前記第1の制限手段と、
前記リフタピンと一体的に昇降する第1の係合部とを互
いに係合させることにより、前記リフタピンの上方への
運動を制限して、前記リフタピンを前記被処理体の搬入
位置よりも所定量以上、上方に突出しないように制限す
ことを特徴としている。また請求項3記載の処理装置
は、前記載置台と一体的に昇降する前記第2の制限手段
と、前記リフタピンと一体的に昇降する第2の係合部と
を互いに係合させることにより、前記リフタピンの上方
への運動を制限して、前記リフタピンを前記載置台より
も所定量以上、上方に突出しないように制限することを
特徴としている。さらに請求項に記載の処理装置は、
搬送アームにより前記被処理体を前記被処理体の搬入位
に保持することが可能である。さらにまた請求項
記載の処理装置は、前記載置台が前記被処理体の搬入位
よりも上方の位置において前記被処理体を保持するこ
とを特徴としている。
Further processing equipment according to claim 2, wherein the processing
Said first limiting means fixedly attached to the laboratory,
The lifter pin and the first engaging portion that moves up and down integrally
When the lifter pin is
The movement is restricted, and the lifter pin is loaded into the workpiece.
Restrict so that it does not protrude upward by more than a predetermined amount from the position
It is characterized in that that. A processing device according to claim 3.
The second restricting means which moves up and down integrally with the mounting table;
And a second engaging portion that moves up and down integrally with the lifter pin.
By engaging with each other,
The lifter pin from the mounting table
Must not protrude upward beyond a predetermined amount.
Features. Further, the processing device according to claim 4 is
The object to be processed is moved into and out of the object by the transfer arm.
Can be held in place. Further, in the processing apparatus according to the fifth aspect , the mounting table may be a loading position of the processing target.
The object to be processed is held at a position above the placement .

【0007】[0007]

【作用】次に上記構成にかかる処理装置の動作を説明す
る。まず、上記搬送アームにより被処理体を上記処理室
内に搬入し、所定の位置に位置決めする。ついで、上記
載置台を被処理体の方向に前進させると、上記付勢手段
により被処理体方向に付勢されている上記リフタピンも
上記載置台の運動に伴って前進する。その際に、このリ
フタピンは上記載置台に設置された上記第2の制限手段
により上記載置台の運動よりも所定量以上先行しないよ
うに制御されているので、上記リフタピンが急に突出し
て被処理体に損傷を与えるようなことはない。そして所
定量分だけ上記載置台よりも先行して突出する上記リフ
タピンの先端が被処理体に当接し、被処理体を支持した
後、一旦上記載置台の運動が停止される。ついで、被処
理体を支える上記搬送アームを引っ込めてから、再び上
記載置台を前進させる。しかし、その際には、リフタピ
ンの運動は上記第1の制限手段により被処理体の支持位
置以上に前進しないように制限されているので、上記載
置台のみが被処理体方向に前進し、被処理体を上記載置
台の載置面にて支持することが可能となる。このよう
に、本発明によれば、簡単な構造で、上記載置台と上記
リフタピンに支持された上記被処理体を近接せしめるこ
とにより上記被処理体を上記載置台に移載することが可
能である。必要な場合には、さらに上記載置台を所定の
処理位置にまで前進させた後、上記載置台を停止し、所
定の処理を被処理体に対して施すことが可能である。
Next, the operation of the processing apparatus according to the above configuration will be described. First, the object to be processed is carried into the processing chamber by the transfer arm, and is positioned at a predetermined position. Next, when the mounting table is advanced in the direction of the object to be processed, the lifter pins urged in the direction of the object by the urging means also advance with the movement of the mounting table. At this time, the lifter pins are controlled by the second restricting means installed on the mounting table so as not to precede the movement of the mounting table by a predetermined amount or more. No damage to the body. Then, the tip of the lifter pin, which protrudes ahead of the mounting table by a predetermined amount, comes into contact with the object to be processed and supports the object, and then the movement of the mounting table is temporarily stopped. Next, after retracting the transfer arm supporting the object to be processed, the mounting table is advanced again. However, at this time, since the movement of the lifter pin is restricted by the first restricting means so as not to advance beyond the support position of the object, only the mounting table described above advances in the direction of the object, and The processing body can be supported on the mounting surface of the mounting table. As described above, according to the present invention, it is possible to transfer the object to be processed to the mounting table by bringing the mounting table and the processing object supported by the lifter pins close to each other with a simple structure. is there. If necessary, it is possible to further advance the mounting table to a predetermined processing position, stop the mounting table, and perform predetermined processing on the object.

【0008】一連の処理が終了した後は、上記載置台を
被処理体とともに後退させる。その間に、上記リフタピ
ンは上記第1の制限手段により所定の位置に保持されて
おり、上記載置台の後退に伴い、その先端が被処理体に
当接し、被処理体を支持することになる。それから、上
記載置台をさらに上記所定量分だけ後退させた後、一旦
上記載置台を停止する。この時点で、被処理体は上記リ
フタピンのみにより支持されているので、上記搬送アー
ムにより把持することが可能である。上記搬送アームに
より被処理体を把持した後、さらに上記載置台をさらに
後退させると、上記リフタピンは上記第2の制限手段に
より上記載置台よりも所定量以上先行しないように制限
されているので、上記リフタピンは上記付勢手段の付勢
力に抗して上記載置台とともに後退し、上記被処理体を
解放する。その後、上記搬送アームにより被処理体を上
記処理室外に搬出することにより一連の作業が完了す
る。
After a series of processes is completed, the mounting table is retracted together with the object to be processed. In the meantime, the lifter pin is held at a predetermined position by the first restricting means, and the tip of the lifter pin comes into contact with the object to be processed as the mounting table is retracted, thereby supporting the object to be processed. Then, after the mounting table is further retracted by the predetermined amount, the mounting table is temporarily stopped. At this point, since the object to be processed is supported only by the lifter pins, it can be gripped by the transfer arm. After gripping the object to be processed by the transfer arm, when the mounting table is further retracted, the lifter pins are limited by the second limiting means so as not to be more than a predetermined amount ahead of the mounting table, The lifter pin retreats together with the mounting table against the urging force of the urging means, and releases the object. Thereafter, the workpiece is carried out of the processing chamber by the transfer arm, thereby completing a series of operations.

【0009】[0009]

【実施例】以下に添付図面を参照しながら、本発明に基
づいて構成された処理装置をプラズマCVD装置に適用
した一実施例について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which a processing apparatus constructed according to the present invention is applied to a plasma CVD apparatus will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0010】図1に示すプラズマCVD装置1は、導電
性材料、たとえばアルミニウムなどから成る円筒あるい
は矩形状に成形された処理室2を有しており、この処理
室2内に、被処理体、たとえば半導体ウェハWを載置す
るための略円筒状の載置台3が収容される。この載置台
3は、アルミニウムなどより形成された複数の部材をボ
ルトなどにより組み付けることにより構成することが可
能であり、その内部には、被処理体を所定の温度にまで
加熱するためのヒータなどの加熱手段4や上記載置台3
の過熱を防止するための冷却手段5が内設されるととも
に、後述するように、駆動機構6により昇降駆動するこ
とが可能なように構成されている。
A plasma CVD apparatus 1 shown in FIG. 1 has a processing chamber 2 formed of a cylindrical or rectangular shape made of a conductive material such as aluminum or the like. For example, a substantially cylindrical mounting table 3 for mounting the semiconductor wafer W is accommodated. The mounting table 3 can be configured by assembling a plurality of members made of aluminum or the like with bolts or the like, and has a heater or the like for heating the object to be processed to a predetermined temperature. Heating means 4 and mounting table 3
A cooling means 5 for preventing overheating is provided internally, and is configured to be able to be driven up and down by a drive mechanism 6 as described later.

【0011】上記加熱手段4としては、たとえば窒化ア
ルミニウムなどの絶縁性焼結体にタングステンなどの導
電性抵抗発熱体をインサートした構成を採用することが
可能であり、この抵抗発熱体が電力供給リード7により
電力源8から所望の電力を受けて発熱し、半導体ウェハ
Wの処理面の温度を所望する温度、たとえば350℃〜
400℃にまで加熱することができるように構成されて
いる。また上記冷却手段5としては、たとえば冷水など
の冷媒を循環させることが可能な冷却ジャケットを採用
することが可能であり、上記載置台3が過熱し過ぎない
ように温度調整することができるように構成されてい
る。
As the heating means 4, for example, it is possible to adopt a structure in which a conductive resistance heating element such as tungsten is inserted into an insulating sintered body such as aluminum nitride. 7 receives heat from the power source 8 and generates heat, and the temperature of the processing surface of the semiconductor wafer W becomes a desired temperature, for example, 350 ° C.
It is configured so that it can be heated to 400 ° C. Further, as the cooling means 5, for example, a cooling jacket capable of circulating a coolant such as cold water can be employed, and the temperature can be adjusted so that the mounting table 3 is not overheated. It is configured.

【0012】また上記載置台3は、上面中央部が凸状に
された円板状で、この中央上面には、被処理体を保持す
るためのチャック部として、たとえば静電チャック7が
被処理体である半導体ウェハWと略同径大、好ましくは
ウェハWの径よりも若干小さい径で設けられている。こ
の静電チャック70は、ウェハWを載置保持する面とし
てポリベンズイミダゾール(PBI)樹脂などの高分子
絶縁材料からなる2枚のフィルム間に銅箔などの導電膜
71を挟持した静電チャックシートより構成されてお
り、その導電膜71には、電圧供給リード9により、途
中高周波をカットするフィルタ10、たとえばコイルを
介して可変直流電圧源11が接続されている。したがっ
て、その導電膜71に直流高電圧を印加することによ
り、静電チャック70の上側フィルムの上面にウェハW
をクーロン力により吸着保持し得るように構成されてい
る。
The mounting table 3 has a disk shape with a central upper surface formed in a convex shape. On the central upper surface, for example, an electrostatic chuck 7 is provided as a chuck portion for holding an object to be processed. It is provided with a diameter substantially equal to the diameter of the semiconductor wafer W as a body, and preferably slightly smaller than the diameter of the wafer W. The electrostatic chuck 70 has a conductive film 71 such as a copper foil sandwiched between two films made of a polymer insulating material such as polybenzimidazole (PBI) resin as a surface on which the wafer W is placed and held. The conductive film 71 is connected to a variable DC voltage source 11 via a voltage supply lead 9 via a filter 10 that cuts off high-frequency waves, for example, a coil. Therefore, by applying a DC high voltage to the conductive film 71, the wafer W is placed on the upper surface of the upper film of the electrostatic chuck 70.
Is configured to be able to be sucked and held by Coulomb force.

【0013】さらに上記載置台3には、給電リード12
により、途中ブロッキングコンデンサ13を介して高周
波電源14が接続されており、プロセス時には、たとえ
ば13.56MHzの高周波電力を上記給電リード12
を介して上記載置台3に印加することが可能である。か
かる構成により上記載置台3は下部電極として作用し、
被処理体Wに対向するように設けられた上部電極15と
の間にグロー放電を生じさせ、上記処理室2内に導入さ
れた処理ガス、たとえばTEOSガスをプラズマ化し、
そのプラズマ粒子を被処理体の処理面に化学気相反応さ
せSiO2を成膜させることが可能である。
The mounting table 3 further includes a power supply lead 12.
, A high-frequency power supply 14 is connected via a blocking capacitor 13 on the way, and during processing, for example, 13.56 MHz high-frequency power is supplied to the power supply lead 12.
Can be applied to the mounting table 3 via. With such a configuration, the mounting table 3 functions as a lower electrode,
A glow discharge is generated between the processing chamber 2 and the upper electrode 15 provided so as to face the processing target W, and a processing gas, for example, a TEOS gas introduced into the processing chamber 2 is turned into plasma.
The plasma particles can be subjected to a chemical vapor reaction on the processing surface of the processing object to form a SiO 2 film.

【0014】上記上部電極15は、上記載置台3の載置
面上方に、これより約10〜20mm程度離間させて配
置されている。この上部電極は中空に形成され、その中
空部に処理ガス供給管16が接続され、処理ガス源17
より流量制御器(MFC)18を介して所定の処理ガ
ス、たとえばTEOSガスなどの処理ガスを導入するこ
とが可能である。なお上記上部電極15の下面には多数
の小孔19が穿設されており、この小孔19から処理ガ
スを噴出させることにより、処理ガスを上記処理室2内
に均一拡散させることが可能なように構成されている。
The upper electrode 15 is disposed above the mounting surface of the mounting table 3 with a distance of about 10 to 20 mm therefrom. The upper electrode is formed to be hollow, and a processing gas supply pipe 16 is connected to the hollow portion.
It is possible to introduce a predetermined processing gas, for example, a processing gas such as TEOS gas, through a flow rate controller (MFC) 18. A large number of small holes 19 are formed in the lower surface of the upper electrode 15, and the processing gas can be uniformly diffused into the processing chamber 2 by ejecting the processing gas from the small holes 19. It is configured as follows.

【0015】さらに上記処理室2の下方には真空ポンプ
などからなる排気系に連通する排気口20が設けられて
おり、上記処理室2内を所定の圧力に、たとえば0.5
Torrに真空排気することが可能である。また上記載
置台3と上記処理室2の内壁との間には複数のバッフル
孔が穿設されたバッフル板21が、上記載置台3を囲む
ように配置されている。このバッフル板21は、プロテ
クトリングあるいは排気リングとも称されるもので、排
気流の流れを整え、処理室2内から処理ガスなどを均一
に排気するためのものである。
Further, an exhaust port 20 communicating with an exhaust system such as a vacuum pump is provided below the processing chamber 2 so that the inside of the processing chamber 2 is maintained at a predetermined pressure, for example, 0.5 mm.
It is possible to evacuate to Torr. A baffle plate 21 having a plurality of baffle holes is arranged between the mounting table 3 and the inner wall of the processing chamber 2 so as to surround the mounting table 3. The baffle plate 21 is also called a protect ring or an exhaust ring, and is for adjusting the flow of the exhaust gas and uniformly exhausting the processing gas and the like from the processing chamber 2.

【0016】また上記処理室2の側部には被処理体搬入
出口22が設けられ、この搬入出口22が図示しない駆
動機構により自動開閉するゲートバルブ23を介してロ
ードロック室24に連通している。そしてこのロードロ
ック室24内には被処理体である半導体ウェハWを一枚
ずつ処理室2内に挿脱することが可能な搬送アーム25
を備えた搬送機構26が設置されている。
A processing object loading / unloading port 22 is provided at a side portion of the processing chamber 2. The loading / unloading port 22 communicates with a load lock chamber 24 via a gate valve 23 which is automatically opened and closed by a drive mechanism (not shown). I have. In the load lock chamber 24, a transfer arm 25 capable of inserting and removing the semiconductor wafers W to be processed into and out of the processing chamber 2 one by one.
Is provided.

【0017】次に図2〜図4を参照しながら、本発明に
基づいて構成された載置台駆動機構6の構成について説
明する。
Next, the configuration of the mounting table drive mechanism 6 configured according to the present invention will be described with reference to FIGS.

【0018】図示のように、この載置台駆動機構6は、
上記搬送アーム25と上記載置台3との間で被処理体の
受け渡しを行うためのリフタピン30を駆動するリフタ
ピン駆動部と、載置台3自体を駆動する載置台駆動部と
から構成されている。
As shown in the figure, the mounting table driving mechanism 6
A lifter pin drive unit for driving lifter pins 30 for transferring the object to be processed between the transfer arm 25 and the mounting table 3, and a mounting table drive unit for driving the mounting table 3 itself.

【0019】上記リフタピン駆動部は、上記載置台3と
上記静電チャック70とを貫通するように設けられたリ
フタピン用穴31内を昇降運動可能な複数のリフタピン
30と、それらのリフタピン30を支持する支柱32と
を備えている。そしてその支柱32の中程には、水平方
向に張り出す張り出し部33が設けられており、その張
り出し部33の上面と上記載置台3の下面とがリフトピ
ン部ベローズ34により連絡されており、上記載置台3
と上記リフタピン30とが相対的に移動した場合であっ
ても、その伸縮動作により上記リフタピン駆動部を気密
に保持することが可能なように構成されている。
The lifter pin drive section includes a plurality of lifter pins 30 that can move up and down in lifter pin holes 31 provided so as to penetrate the mounting table 3 and the electrostatic chuck 70, and support the lifter pins 30. And a supporting column 32. A projecting portion 33 projecting in the horizontal direction is provided in the middle of the column 32, and the upper surface of the projecting portion 33 and the lower surface of the mounting table 3 are connected by a lift pin portion bellows 34. Table 3
Even when the lifter pin 30 and the lifter pin 30 relatively move, the lifter pin drive unit can be kept airtight by the expansion and contraction operation.

【0020】そして、上記張りだし部33の端部付近に
は、上記処理室2の底部2aに固定された第1の制限手
段35が設けられている。この第1の制限手段35はそ
の上端35aが内側に突出しており、この突出部35a
の下面とリフタピンの上記張りだし部33の上面とが係
合することにより、上記リフタピン30の上方への運動
を制限することが可能である。この第1の制限手段35
による上記リフタピン30の第1の制限位置は、そのリ
フタピン30の先端がウェハWを支持する位置に設定さ
れているので、この第1の制限位置において、上記搬送
アーム25よりウェハWを上記リフタピン30が受け取
り、リフタピン30のみによりウェハWを支持すること
が可能である。
A first limiting means 35 fixed to the bottom 2a of the processing chamber 2 is provided near the end of the overhanging portion 33. The first restricting means 35 has an upper end 35a projecting inward, and the projecting portion 35a
The upward movement of the lifter pin 30 can be restricted by engaging the lower surface of the lifter pin with the upper surface of the overhang portion 33 of the lifter pin. This first limiting means 35
Is set at a position where the tip of the lifter pin 30 supports the wafer W, the wafer W is transferred from the transfer arm 25 to the lifter pin 30 at the first limit position. And the wafer W can be supported only by the lifter pins 30.

【0021】また上記張りだし部33の下面には、バネ
などの付勢手段38が設置されている。この付勢手段3
8は、上記処理室2の底部2aと上記張りだし部33の
下面との間に付勢力を作用させるもので、したがって、
上記リフタピン30を上記処理室2の底部2aに相対し
て離隔させるように付勢するものである。
A biasing means 38 such as a spring is provided on the lower surface of the overhang 33. This urging means 3
8 is for applying an urging force between the bottom portion 2a of the processing chamber 2 and the lower surface of the overhang portion 33.
The lifter pins 30 are biased so as to be separated from the bottom 2 a of the processing chamber 2.

【0022】さらに上記リフタピンの支柱32の下端に
も水平方向張り出し部36が設けられている。そして、
この張り出し部36の上面と、上記載置台3とともに昇
降運動可能な第2の制限手段37として構成され内側に
突出する突出部37aの下面とが係合することにより、
上記リフタピン30の先端が上記載置台3の載置面より
も所定量S以上、上方に突出しないように、その運動を
制限することが可能なように構成されている。
Further, a horizontal projection 36 is provided at the lower end of the column 32 of the lifter pin. And
The upper surface of the overhang portion 36 engages with the lower surface of a protruding portion 37a which is configured as a second restricting means 37 that can move up and down together with the mounting table 3 and protrudes inward.
The movement of the lifter pin 30 can be restricted so that the tip of the lifter pin 30 does not protrude above the mounting surface of the mounting table 3 by a predetermined amount S or more.

【0023】上記載置台駆動部は、上記載置台3をその
下面から支持する複数本の案内軸40と、それらの案内
軸40を支持するベース41と、そのベース41を駆動
軸カップリング42を介して昇降駆動するモータ43を
備えている。なお上記案内軸40は、上記処理室2の底
部2aと上記リフタピン用支柱32の張り出し部38を
貫通するように形成された案内路内を昇降自在に配置さ
れており、その案内路の周囲は、上記載置台3の下面と
上記処理室2の底部2aとを連絡するように、載置台駆
動用ベローズ44により連絡されており、上記載置台3
と上記処理室2の底部2aとが相対的に移動した場合で
あっても、その伸縮動作により上記載置台駆動部を気密
に保持することが可能なように構成されている。かかる
構成により、上記モータ43の駆動力をカップリング4
2を介して昇降動力に変換することにより、ベース41
を昇降駆動させることが可能であり、そしてベース41
の昇降運動にしたがってベース41に支持された上記案
内軸40および上記載置台3を、所望量だけ昇降駆動す
ることが可能なように構成されている。
The mounting table drive section includes a plurality of guide shafts 40 for supporting the mounting table 3 from below, a base 41 for supporting the guide shafts 40, and a drive shaft coupling 42 for connecting the base 41 to the drive shaft coupling 42. The motor 43 is driven up and down through the motor 43. The guide shaft 40 is disposed so as to be able to move up and down in a guide passage formed so as to penetrate the bottom portion 2a of the processing chamber 2 and the overhanging portion 38 of the lifter pin support 32. The lower surface of the mounting table 3 and the bottom 2a of the processing chamber 2 are connected to each other by the mounting table driving bellows 44 so that the lower surface of the mounting table 3 is connected to the bottom 2a of the processing chamber 2.
Even when the bottom part 2a of the processing chamber 2 relatively moves, the table drive unit can be kept airtight by the expansion and contraction operation. With this configuration, the driving force of the motor 43 is
By converting the power into lifting power through the base 41, the base 41
Can be driven up and down, and the base 41
The guide shaft 40 supported by the base 41 and the mounting table 3 described above can be driven up and down by a desired amount in accordance with the vertical movement.

【0024】次に図1の装置概略図および図2〜図4の
動作説明図を参照しながら、上記実施例に基づく処理装
置の動作について説明する。
Next, the operation of the processing apparatus according to the above embodiment will be described with reference to the schematic view of the apparatus in FIG. 1 and the operation explanatory views in FIGS.

【0025】まずロードロック室24および処理室2を
所定の圧力、たとえば0.1Torr」に減圧してか
ら、上記ゲートバルブ23を開放し、上記搬送アーム2
5により、半導体ウェハなどの被処理体を上記処理室2
内に搬入し、図2に示すようなウェハ受け渡し位置に位
置決めする。この位置においては、上記リフタピン30
は上記第2の制限手段37により上記載置台3の載置面
から所定量S分だけ突出するように位置決めされている
とともに、上記リフタピン30を押し上げる付勢手段3
8は上記リフタピン用支柱32の張り出し部3により
圧縮された状態に保持されている。
First, the pressure in the load lock chamber 24 and the processing chamber 2 is reduced to a predetermined pressure, for example, 0.1 Torr.
5, the object to be processed such as a semiconductor wafer is transferred to the processing chamber 2
And positioned at a wafer transfer position as shown in FIG. In this position, the lifter pin 30
Is positioned by the second restricting means 37 so as to protrude from the mounting surface of the mounting table 3 by a predetermined amount S, and the urging means 3 pushes up the lifter pin 30.
8 is held in a compressed state by the projecting portion 3 3 of the lifter pins supporting columns 32.

【0026】ついで、図3に示すように、上記モータ4
3を駆動し、上記案内軸40を介して上記載置台3を上
昇駆動すると、その上昇運動に伴い、上記リフタピン3
0も、上記第2の制限手段37により上記載置台3の載
置面から所定量S分だけ突出した状態を保持しながら、
上記付勢手段38の付勢力により上昇する。しかしなが
ら、図3に示すように、上記リフタピン用張り出し部3
が上記第1の制限手段35に当接すると、上記リフタ
ピン30の上昇運動は停止する。そして、このリフタピ
ン30の運動により、上記リフタピン30の先端が上記
搬送アーム25により保持された被処理体Wの裏面を押
し上げ支持し、上記搬送アーム25からリフタピン30
への被処理体Wの受け渡しが完了する。それから、上記
搬送アーム25を後退させる。
Next, as shown in FIG.
When the mounting table 3 is driven upward through the guide shaft 40, the lifter pin 3 is moved.
0, while maintaining the state in which the second restricting means 37 protrudes from the mounting surface of the mounting table 3 by the predetermined amount S,
It is raised by the urging force of the urging means 38. However, as shown in FIG.
When 3 comes into contact with the first limiting means 35, the lifting movement of the lifter pin 30 stops. The movement of the lifter pin 30 causes the tip of the lifter pin 30 to push up and support the back surface of the workpiece W held by the transfer arm 25, and the lifter pin 30 is moved from the transfer arm 25.
The transfer of the workpiece W to the object is completed. Then, the transfer arm 25 is moved backward.

【0027】ついで、図4に示すように、さらに上記モ
ータ43が駆動され、上記載置台3がさらに上昇駆動す
る。その際に、上記リフタピン30の上方への運動は上
記第1の制限手段35により制限されているので、上記
載置台3のみが上昇運動し、上記リフタピン30が相対
的に上記載置台3内に引き込むように動作するので、結
果的に上記リフタピン30より上記載置台3の載置面に
対して被処理体Wが受け渡される。その後、被処理体W
を静電チャック70により吸着保持しながら、上記載置
台3を所定の処理位置にまで移動させ、セットアップが
完了する。
Next, as shown in FIG. 4, the motor 43 is further driven, and the mounting table 3 is further driven upward. At this time, since the upward movement of the lifter pins 30 is restricted by the first limiting means 35, only the mounting table 3 moves upward, and the lifter pins 30 are relatively moved into the mounting table 3. Since the operation is performed so as to be retracted, the processing target object W is transferred to the mounting surface of the mounting table 3 from the lifter pin 30 as a result. Then, the object to be processed W
The mounting table 3 is moved to a predetermined processing position while attracting and holding by the electrostatic chuck 70, and the setup is completed.

【0028】ついで、上記上部電極15より所定の処理
ガス、たとえばTEOSガスを上記処理室2内に導入す
るとともに、上記載置台3に、たとえば13.56MH
zの高周波を印加することにより、処理ガスをプラズマ
化し、被処理体Wの処理面に化学気相反応させることに
より、所望の成膜処理を行うことが可能である。
Next, a predetermined processing gas, for example, a TEOS gas, is introduced from the upper electrode 15 into the processing chamber 2 and, at the same time, 13.56 MH is supplied to the mounting table 3.
By applying a high frequency of z, the processing gas is turned into plasma, and a chemical vapor reaction is performed on the processing surface of the processing target W, so that a desired film forming process can be performed.

【0029】一連のプロセスが終了後、被処理体の搬出
動作が行われるが、この搬出動作は、基本的には、図2
〜図4に関連して説明した被処理体の搬入動作を逆に行
うものである。すなわち、まず図4に示すように、被処
理体Wを載置した状態の上記載置台3を下降させる。そ
の際に、上記リフタピン30は付勢手段38により上方
に付勢されているので、上記載置台3のみが下降し、結
果的に、上記リフタピン30のみが上記載置台3の載置
面から突出し、被処理体Wをその先端により支持するこ
とになり、上記載置台3から上記リフタピン30へ被処
理体Wが受け渡される。
After a series of processes is completed, an unloading operation of the object to be processed is performed.
4 is carried out in reverse. That is, first, as shown in FIG. 4, the mounting table 3 on which the workpiece W is mounted is lowered. At this time, since the lifter pins 30 are urged upward by the urging means 38, only the mounting table 3 is lowered, and as a result, only the lifter pins 30 protrude from the mounting surface of the mounting table 3. The workpiece W is supported by its tip, and the workpiece W is delivered from the mounting table 3 to the lifter pins 30.

【0030】さらに上記載置台3を下降させると、上記
リフタピン30は上記第2の制限手段37により上記載
置台3の載置面より所定量S以上突出しないように制限
されているので、上記載置台3とともに被処理体Wを先
端に支持したまま下降する。このようにして、上記載置
台3を上記搬送アーム25に被処理体Wを受け渡す位置
まで下降させた後一旦停止する。ついで上記搬送アーム
25を処理室内に前進させ、上記リフタピン30のみに
より支持されている被処理体Wを把持する。その後、図
2に示すように、さらに上記載置台3を上記リフタピン
30とともに下降させることにより、上記リフタピン3
0から上記搬送アーム25への被処理体Wの受け渡しが
完了する。そして搬送アーム25が処理が終了した被処
理体Wを上記ロードロック室24に搬出することにより
一連の動作が終了する。
When the mounting table 3 is further lowered, the lifter pins 30 are restricted by the second restricting means 37 so as not to protrude from the mounting surface of the mounting table 3 by a predetermined amount S or more. The workpiece W is lowered together with the table 3 while supporting the workpiece W at the tip. In this manner, the mounting table 3 is lowered to the position where the workpiece W is transferred to the transfer arm 25, and then temporarily stopped. Next, the transfer arm 25 is advanced into the processing chamber, and the workpiece W supported only by the lifter pins 30 is gripped. Thereafter, as shown in FIG. 2, the mounting table 3 is further lowered together with the lifter pins 30 so that the lifter pins 3 are lowered.
0, the transfer of the workpiece W to the transfer arm 25 is completed. Then, the transfer arm 25 carries out the processed object W to the load lock chamber 24, thereby completing a series of operations.

【0031】なお以上において、プラズマCVD装置に
本発明を適用した一実施例に基づいて構成される処理装
置を説明したが、本発明はかかる実施例に限定されな
い。たとえば熱CVD装置を始めとして、載置台あるい
はサセプタ上に被処理体を載置して処理を行う様々な半
導体処理装置、たとえばエッチング装置、アッシング装
置、スパッタ装置などにも適用可能である。
Although the processing apparatus constructed based on one embodiment in which the present invention is applied to the plasma CVD apparatus has been described above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, the present invention can be applied to various semiconductor processing apparatuses, such as a thermal CVD apparatus, which perform processing by mounting an object on a mounting table or a susceptor, such as an etching apparatus, an ashing apparatus, and a sputtering apparatus.

【0032】また本発明は、特許請求の範囲に記載した
範囲内でさまざまな変更および修正を行うことが可能で
ある。特に、リフタピンの構造については、さまざまな
変更及び修正が可能であり、たとえばリフタピンを介し
て被処理体を接地させる構造を採用することも可能であ
る。あるいは、また被処理体と静電チャックとの間に形
成される微小空間に伝熱ガスを供給し、被処理体の温度
制御の応答性を高める構成においては、上記リフタピン
昇降用の穴を介して伝熱ガスを供給する構成を採用する
ことも可能である。また被処理体として、半導体ウェハ
の他にも、液晶基板を形成するガラス基板をプラズマま
たは熱により成膜、エッチング、アッシングする処理装
置にも本願発明は適用可能である。
In the present invention, various changes and modifications can be made within the scope of the claims. In particular, various changes and modifications can be made to the structure of the lifter pin. For example, a structure in which the object to be processed is grounded via the lifter pin can be adopted. Alternatively, in a configuration in which a heat transfer gas is supplied to a minute space formed between the object to be processed and the electrostatic chuck to improve the responsiveness of temperature control of the object to be processed, the lifter pin may be moved through the hole for raising and lowering the lifter pin. It is also possible to adopt a configuration in which the heat transfer gas is supplied by using a heat transfer gas. In addition to the semiconductor wafer, the present invention can be applied to a processing apparatus for forming, etching, and ashing a glass substrate on which a liquid crystal substrate is formed by plasma or heat.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リフタピンの昇降用の駆動機構を簡略化し、載置台の昇
降に連動してリフタピンを昇降させることができるの
で、従来のリフタピン駆動用部材の分だけスペースを省
略することが可能となり、装置の小型化、単純化を図る
ことができ、コストの低減および信頼性の向上を図るこ
とが可能となる。
As described above, according to the present invention,
The drive mechanism for lifting and lowering the lifter pins can be simplified, and the lifter pins can be moved up and down in conjunction with the lifting and lowering of the mounting table. In addition, simplification can be achieved, and cost can be reduced and reliability can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に基づいて構成された処理装置をプラズ
マCVD装置に適用した一実施例の概略的な断面図であ
る。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an embodiment in which a processing apparatus configured according to the present invention is applied to a plasma CVD apparatus.

【図2】本発明に基づいて構成された載置台/リフタピ
ン駆動機構の動作を説明する説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating an operation of a mounting table / lifter pin drive mechanism configured based on the present invention.

【図3】本発明に基づいて構成された載置台/リフタピ
ン駆動機構の動作を説明する説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating an operation of a mounting table / lifter pin drive mechanism configured based on the present invention.

【図4】本発明に基づいて構成された載置台/リフタピ
ン駆動機構の動作を説明する説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram illustrating an operation of a mounting table / lifter pin drive mechanism configured based on the present invention.

【図5】従来の載置台/リフタピン駆動機構を有するプ
ラズマCVD装置の概略を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a conventional plasma CVD apparatus having a mounting table / lifter pin drive mechanism.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 処理装置 2 処理室 3 載置台 30 リフタピン 32 リフタピン用支柱 33 張り出し部 34 リフタピン用ベローズ 35 第1の制限手段 36 張り出し部 37 第2の制限手段 40 載置台用案内軸 41 ベース 42 カップリング 43 モータ 44 載置台用ベローズ REFERENCE SIGNS LIST 1 processing apparatus 2 processing chamber 3 mounting table 30 lifter pin 32 lifter pin support 33 overhanging part 34 lifter pin bellows 35 first restricting means 36 overhanging part 37 second limiting means 40 mounting table guide shaft 41 base 42 coupling 43 motor 44 Bellows for mounting table

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 気密処理室内に設けられた載置台に載置
された被処理体に対してプラズマまたは熱による処理を
施すための処理装置において、 前記載置台と前記処理室内に搬入された被処理体とを相
対的に移動させて前記被処理体を前記載置台に設置する
載置台駆動手段と、 前記載置台に対して相対運動可能であり、前記被処理体
を支持可能なリフタピンと、 前記リフタピンを上方に付勢する付勢手段と、 前記リフタピンを前記被処理体の搬入位置よりも所定量
以上、上方に突出しないように制限するための第1の制
限手段と、前記リフタピンを前記載置台よりも所定量以上、上方に
突出しないように制限するための第2の制限手段と、 を備えたことを特徴とする、処理装置。
1. A mounting table provided in an airtight processing chamber.
Processed by plasma or heat
In the processing apparatus for performing, the mounting table and the processing chamberWithinCheck with the loaded workpiece
The object to be processed is set on the mounting table by moving the object in the opposite direction.
The mounting table driving means and the mounting table can be moved relative to each other.RecordProcessing body
A lifter pin capable of supporting the lifter pin;UpwardUrging means for urging, the lifter pinIs a predetermined amount more than the loading position of the object.
Above, project upwardThe first system to restrict not to
Means,Place the lifter pin above the mounting table by a predetermined amount or more.
Second restricting means for restricting from protruding;  A processing device comprising:
【請求項2】 前記処理室に固定的に取り付けられた前
記第1の制限手段と、前記リフタピンと一体的に昇降す
る第1の係合部とを互いに係合させることにより、前記
リフタピンの上方への運動を制限して、前記リフタピン
を前記被処理体の搬入位置よりも所定量以上、上方に突
出しないように制限することを特徴とする、請求項1に
記載の処理装置。
2. Before being fixedly attached to the processing chamber.
The first restricting means and the lifter pin move up and down integrally with the lifter pin.
By engaging the first engaging portion with each other,
Restricting the upward movement of the lifter pin,
Projecting upward by a predetermined amount or more from the loading position of the object.
2. The method according to claim 1, wherein
The processing device according to the above.
【請求項3】 前記載置台と一体的に昇降する前記第2
の制限手段と、前記リフタピンと一体的に昇降する第2
の係合部とを互いに係合させることにより、前記リフタ
ピンの上方への運動を制限して、前記リフタピンを前記
載置台よりも所定量以上、上方に突出しないように制限
することを特徴とする、請求項1または2に記載の処理
装置。
3. The second unit which moves up and down integrally with the mounting table.
And a second unit that moves up and down integrally with the lifter pin.
The lifter by engaging the engaging portions of the lifter with each other.
Limiting the upward movement of the pin
Restricted so that it does not protrude upward beyond the mounting table by a predetermined amount
3. The processing according to claim 1, wherein the processing is performed.
apparatus.
【請求項4】 さらに、前記被処理体を前記被処理体の
搬入位置に保持するための搬送アームを備えたことを特
徴とする、請求項1、2または3のいずれかに記載の処
理装置。
4. The method according to claim 1, further comprising the step of:
Characterized by comprising a transfer arm for holding the loading position, the processing apparatus according to claim 1, 2 or 3.
【請求項5】 前記載置台が前記被処理体の搬入位置
りも上方の位置において前記被処理体を保持することを
特徴とする、請求項1、2、3または4のいずれかに記
載の処理装置。
5. The mounting table is characterized in that for holding the workpiece at the loading position by <br/> remote upper position of the object to be processed, according to claim 1, 2, 3 or 4 A processing device according to any one of the above.
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