JP2008258362A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】スイッチング電流を低減することによってセルトランジスタのサイズを小さくし、小型の半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】複数の磁気抵抗素子R01等と、複数のスイッチング素子とを含むメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、ディジット線DL00等を有する。複数の磁気抵抗素子は、互いに実質的に平行に配置されたソース線SL00等及びビット線BL00等に接続され、STT(Spin Torque Transfer)書き込み方式によりデータを書き込まれる。複数のスイッチング素子は、それぞれ複数の磁気抵抗素子に直列に接続され、ソース線及びビット線に対して実質的に垂直に配置されたワード線WL4n等により制御される。ディジット線は、所定の磁界が磁気抵抗素子に対して発生するように磁気抵抗素子に近接し、かつ、ソース線に実質的に平行に配置される。
【選択図】図5
【解決手段】複数の磁気抵抗素子R01等と、複数のスイッチング素子とを含むメモリセルアレイを有する半導体記憶装置において、ディジット線DL00等を有する。複数の磁気抵抗素子は、互いに実質的に平行に配置されたソース線SL00等及びビット線BL00等に接続され、STT(Spin Torque Transfer)書き込み方式によりデータを書き込まれる。複数のスイッチング素子は、それぞれ複数の磁気抵抗素子に直列に接続され、ソース線及びビット線に対して実質的に垂直に配置されたワード線WL4n等により制御される。ディジット線は、所定の磁界が磁気抵抗素子に対して発生するように磁気抵抗素子に近接し、かつ、ソース線に実質的に平行に配置される。
【選択図】図5
Description
本発明は、磁気抵抗素子に対してデータを記憶保持する半導体記憶装置に関する。
従来例の磁気抵抗素子を用いてデータを記憶保持するMRAM(Magneto-resistive Random Access Memory)が非特許文献1に開示されている。フォールデッド構成のMRAMは、読み出しの対象であるメモリセルが接続されるビット線とリファレンスビット線とが、平行でかつ近接し、レイアウト上、メモリセル内が対称に構成されるため、同相ノイズをキャンセルでき、優れた読み出し性能を有する。
図9は、従来例に係るMRAMのメモリセルのレイアウト構成を示す平面図である。また、図10は、図9のA−A’における断面図である。図9及び図10において、ビット線BL及びソース線SLは互いに平行に配置され、ワード線WLは、ビット線BL及びソース線SLに対して垂直に配置される。TMR(Tunnel Magnetic Resistance)素子は、ビット線BLとストラップ配線STとの間に配置され、活性領域AAに形成されたトランジスタを介してソース線SLに接続される。
Takaharu Tsuji et al., "A 1.2V 1Mbit Embedded MRAM Core with Folded Bit-Line Array Architecture", 2004 Symposium on VLSI Circuits Digest of Technical Papers, pp.450-453, Hawaii, U.S.A., June 2004.
Thomas W. Andre et al., "A 4-Mb 0.18-μm 1T1MTJ Toggle MRAM With Balanced Three Input Sensing Scheme and Locally Mirrored Unidirectional Write Drivers", IEEE Journal of Solid-State Circuits, pp.301-309, Vol. 40, No.1, January 2005.
M. Hosomi et al., "A Novel Nonvolatile Memory with Spin Torque Transfer Magnetization Switching: Spin-RAM", IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), pp.459-462, Washington, D.C., U.S.A., December 2005.
W. C. Jeong et al., "Highly scalable MRAM using field assisted current induced switching", 2005 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, pp.184-185, Kyoto, Japan, June 2005.
一般的なSTT−MRAM(Spin Torque Transfer-Magneto-resistive Random Access Memory)においては、TMR素子等の磁気抵抗素子にデータを書き込むとき、磁気抵抗素子に流す電流の向きを変えるための一定以上のスイッチング電流を必要とする。上記従来例に係るMRAMでは、データの書き込みに十分な磁界を磁気抵抗素子に発生させるためのスイッチング電流が大きく、セルトランジスタのサイズW(ゲート幅;図9参照)を小さくすることが困難である、という問題があった。
本発明の目的は以上の問題点を解決し、スイッチング電流を低減することによってセルトランジスタのサイズを小さくし、小型の半導体記憶装置を提供することにある。
第1の発明に係る半導体記憶装置は、互いに実質的に平行に配置されたソース線及びビット線に接続され、STT(Spin Torque Transfer)書き込み方式によりデータを書き込まれる複数の磁気抵抗素子と、それぞれ前記複数の磁気抵抗素子に直列に接続され、前記ソース線及び前記ビット線に対して実質的に垂直に配置されたワード線により制御される複数のスイッチング素子とを備えた少なくとも1つのメモリセルアレイを備えた半導体記憶装置において、所定の磁界が前記磁気抵抗素子に対して発生するように前記磁気抵抗素子に近接し、かつ、前記ソース線に実質的に平行に配置されたディジット線を備えたことを特徴とする。
上記半導体記憶装置において、前記ビット線は、前記磁気抵抗素子の容易軸に対して実質的に平行に配置されることを特徴とする。
また、上記半導体記憶装置において、前記磁気抵抗素子は、前記ディジット線よりも上に配置されたことを特徴とする。
さらに、上記半導体記憶装置において、前記磁気抵抗素子と前記ビット線との間に配置され、前記磁気抵抗素子と前記ビット線とを接続するための配線層をさらに備え、前記磁気抵抗素子は、前記ビット線よりも前記ディジット線に近接して配置されることを特徴とする。
またさらに、上記半導体記憶装置において、前記複数の磁気抵抗素子のうち同一活性領域に存在する2つの磁気抵抗素子は、前記配線層と前記ビット線とのコンタクトを共用することを特徴とする。
また、上記半導体記憶装置において、前記少なくとも1つのメモリセルアレイは、前記ビット線を共用しない複数のメモリセルアレイであって、前記複数のメモリセルアレイは、前記ディジット線を共用することを特徴とする。
さらに、上記半導体記憶装置において、前記ディジット線は、一端において所定の電源に接続され、他端において接地されることを特徴とする。
本発明に係る半導体記憶装置によれば、所定の磁界が磁気抵抗素子に対して発生するように磁気抵抗素子に近接し、かつ、ソース線に実質的に平行に配置されたディジット線を備えることによって、スイッチング電流を低減することができるので、セルトランジスタのサイズを小さくし、半導体記憶装置全体を小型化できるという有利な効果を奏する。
以下、本発明に係る実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各実施の形態において、同様の構成要素については同一の符号を付している。
実施の形態.
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態に係る半導体記憶装置は、例えばSTT(Spin Torque Transfer)書き込み方式によりデータを書き込まれる複数の磁気抵抗素子を備えることによりデータを記憶保持するSTT−MRAM(Spin Torque Transfer Magneto-resistive Random Access Memory)である。
図1は、本発明の実施の形態に係る半導体記憶装置の構成を示すブロック図である。本実施の形態に係る半導体記憶装置は、例えばSTT(Spin Torque Transfer)書き込み方式によりデータを書き込まれる複数の磁気抵抗素子を備えることによりデータを記憶保持するSTT−MRAM(Spin Torque Transfer Magneto-resistive Random Access Memory)である。
図1において、STT−MRAMは、列アドレスバッファ1と、列デコーダ及びWLドライバ2と、ダミーメモリ列3と、メモリセルアレイ4と、ドライバ回路5と、行アドレスバッファ6と、行デコーダ及びBLドライバ7と、2ビット信号及び切り替え信号生成器8と、センスアンプ回路10とを備えて構成される。列アドレスバッファ1は、外部から入力される列アドレス信号RA0−xを一時的に保管する。列デコーダ及びWLドライバ2は、列アドレスバッファ1から入力した列アドレス信号RA0−xをデコードして、書き込み又は読み出しを行う、メモリセルアレイ4内の所望のメモリセルにアクセスするためのワード線(WL)を選択する。行アドレスバッファ6は、外部から入力される行アドレス信号CA0−xを一時的に保管する。行デコーダ及びBLドライバ7は、行アドレスバッファ6から入力した行アドレス信号CA0−xをデコードして、書き込み又は読み出しを行う、メモリセルアレイ4内の所望のメモリセルにアクセスするためのビット線(BL)を選択するために行選択線(CSL)を選択する。
メモリセルアレイ4は、フォールデッド構成で、データを蓄積するための例えばTMR(Tunnel Magnetic Resistance)素子等の磁気抵抗素子と、その磁気抵抗素子への電流の経路を開閉するためのトランジスタとを含む複数のメモリセルを備える。メモリセルアレイ4において、各メモリセルが接続されるビット線(BL)及びワード線(WL)が選択されることによって、そのメモリセルに対してデータの書き込み又は読み出しが行われる。ダミーメモリ列3は、メモリセルアレイ4に隣接して配置され、メモリセルアレイ4の各メモリセルと同一の構成を有する複数のダミーメモリセルを備える。メモリセルアレイ4内の所望のメモリセルに接続されるワード線が活性化されたとき、ダミーメモリ列3のワード線を同時に活性化させ、後述のセンスアンプ回路10により、所望のメモリセルから流れる読み出し電流と、ダミーメモリセルから流れるリファレンス電流とを比較することによって、メモリセル内に蓄積されたデータが「0」であるか、「1」であるかを判別する。
2ビット信号及び切り替え信号生成器8は、2ビットの書き込みデータD0,D1と、ドライバ回路5の書き込み動作及び読み出し動作を切り替えるための切り替え信号R/Wとを生成し、ドライバ回路5に出力する。ドライバ回路5は、2ビット信号生成器8から入力される切り替え信号R/Wによって書き込み動作に切り替えられたとき、書き込みデータD0,D1をメモリセルアレイ4に書き込む一方、2ビット信号生成器8から入力される切り替え信号R/Wによって読み出し動作に切り替えられたとき、メモリセルアレイ4の所望のメモリセルから読み出したデータQ0,Q1を、センスアンプ回路10を介して出力する。センスアンプ回路10は、メモリセルアレイ4から読み出した電圧を、デジタルレベルとして取り扱いが可能になるレベルにまで増幅して出力するための回路である。なお、読み出し線LIOF0,LIOF1及びリファレンス読み出し線LIOB0,LIOB1上には、それぞれ寄生容量C5,C7,C6,C8が存在する。
図2は、図1のダミーメモリ列3及びメモリセルアレイ4の詳細な構成を示す回路図である。図2において、メモリセルアレイ4は、それぞれが互いに直列に接続されたトランジスタ及び磁気抵抗素子を有する複数のメモリセル(MC)を、格子状に配置する。本実施の形態においては、2ビットのデータを記憶保持できるように、上下2段のメモリセルMC0,MC1が対をなしている。例えば、磁気抵抗素子Ri0(i=0,1,…,M)には書き込みデータD0,D1のうち1ビット目のデータD0が記憶保持され、磁気抵抗素子Ri1(i=0,1,…,M)には2ビット目のデータD1が記憶保持される。各メモリセルは、配置されている行に応じて、所定のソース線SLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)と、所定のビット線BLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)と、所定のリファレンスビット線BL_Bix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)とに接続され、配置されている列に応じて、所定のワード線WLy(y=0,1,…,4n,4n+1,4n+2,4n+3,…)に接続される。各ディジット線DLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)は、所定の磁界が磁気抵抗素子に対して発生するように磁気抵抗素子に近接し、かつ、ソース線SLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)に実質的に平行に配置され、一端において電源電位VDDと接続され、他端において接地電位Vgnd(GND)と接続される。
ダミーメモリ列3は、前述のように、メモリセルアレイ4内の各メモリセルと同様の構成を有する複数のダミーメモリセル(DMC)を備える。各ダミーメモリセルは、配置されている行に応じて、所定のソース線SLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)と、所定のビット線BLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)と、所定のリファレンスビット線BL_Bix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)とに接続され、ダミーメモリセル内の各トランジスタは、それぞれダミーワード線DWL0〜DWL3に接続される。ダミーメモリセルの磁気抵抗素子Rmax,Rmin(以下、リファレンス抵抗Rmax,Rminという。)は、リファレンス電流を生成するために利用される。なお、リファレンス抵抗Rmaxの抵抗値と、リファレンス抵抗Rminの抵抗値との間には、次式(1)が成り立つ。
[数1]
Rmax>Rmin (1)
Rmax>Rmin (1)
また、各ビット線BLi0,BLi1(i=0,1,…,m,…,M)及び各リファレンスBL_Bi0,BL_Bi1(i=0,1,…,m,…,M)上には、それぞれ図示しない寄生抵抗R1,R3,R2,R4が存在し、各ビット線BLi0,BLi1(i=0,1,…,m,…,M)及び各リファレンスビット線BL_Bi0,BL_Bi1(i=0,1,…,m,…,M)とグラウンドとの間には、それぞれ図示しない寄生容量C1,C3,C2,C4が存在する。
図3は、図1のドライバ回路5の詳細な構成を示す回路図である。図3において、ドライバ回路5は、データの書き込み時、複数のトランジスタ及び演算回路により、行選択線CSLi(i=0,1,…m,…M)に入力される信号に応じて、メモリセルアレイ4のうちいずれか1対の所望のメモリセルMC0,MC1を選択するためにソース線SLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)、ビット線BLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)、及びリファレンスビット線BL_Bix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)に印加される信号のレベルを制御し、メモリセルアレイ4の所望のメモリセルMC0,MC1の磁気抵抗素子に、2ビットの書き込みデータD0,D1をそれぞれ書き込む。同様に、ドライバ回路5は、データの読み出し時、所望のメモリセルMC0,MC1の磁気抵抗素子からの読み出し電流をそれぞれ読み出し線LIOFx,LIOBx(x=0,1)を介してセンスアンプ回路10に出力する。
具体的には、書き込みデータD0,D1の書き込み時、まず、ディジット線DLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)に電流を流すためにDLE線をハイレベル電圧(イネーブル)にし、その後、外部から入力された列アドレス信号RA0−x及び行アドレス信号CA0−xに応じて、所望のメモリセルにアクセスするために、例えば、図2のワード線WL4n〜WL4n+3と図3の列選択線CSLiとを、列デコーダ及びWLドライバ2及び行デコーダ及びBLドライバ7によりハイレベル電圧(イネーブル)にする。次に、2ビット信号及び切り替え信号生成器8からの切り替え信号R/Wにより、図3中のREAD線及びBLEQ線がロウレベル電圧(ディスエーブル)に制御され、ドライバ回路5が書き込み動作に切り替えられる。
次に、ドライバ回路5は、書き込みデータD0が「0」である場合、データ書込用ビット線制御線であるBBP0線及びBFP0線をハイレベル電圧(電源電位VDD)に制御し、データ書込用ソース線制御線であるS0線をロウレベル電圧(接地電位Vgnd)に制御することで、メモリセルアレイ4の所望のメモリセルMC0のトランジスタ及び磁気抵抗素子Ri0にバイアス電圧(VDD−Vgnd)を印加し、ビット線BLi0からソース線SLi0への方向に電流を流して、磁気抵抗素子Ri0に「0」のデータを書き込む。一方、書き込みデータD0が「1」である場合、BBP0線及びBFP0線をロウレベル電圧(接地電位Vgnd)に制御し、S0線をハイレベル電圧(電源電位VDD)に制御することで、磁気抵抗素子Ri0にバイアス電圧(Vgnd−VDD)を印加し、ソース線SLi0からビット線BLi0への方向に電流を流して、磁気抵抗素子Ri0に「1」のデータを書き込む。
同様に、書き込みデータD1が「0」である場合、ドライバ回路5は、データ書込用ビット線制御線であるBBP1線及びBFP1線をハイレベル電圧(電源電位VDD)に制御し、データ書込用ソース線制御線であるS1線をロウレベル電圧(接地電位Vgnd)に制御することで、磁気抵抗素子Ri1に「0」のデータを書き込む。一方、書き込みデータD1が「1」である場合、BBP1線及びBFP1線をロウレベル電圧(接地電位Vgnd)に制御し、S1線をハイレベル電圧(電源電位VDD)に制御することで、磁気抵抗素子Ri1に「1」のデータを書き込む。なお、データ書込用ビット線制御線であるBFNx線(x=0,1)に入力される信号は、BFPx線に入力される信号と同一であり、データ書込用ビット線制御線BBNx(x=0,1)は、BBPx線に入力される信号と同一である。また、ソース線Sx(x=0,1)に入力される信号は、各BFPx,BFNx,BBPx,BBNx(x=0,1)線に入力される信号の反転信号である。
図4は、図1のセンスアンプ回路10の詳細な構成を示す回路図である。図4において、センスアンプ回路10は、トランジスタ回路32a〜34a,32b〜34bと、バススワップスイッチ35a,35bと、差動増幅回路36a,36bと、プリチャージ回路40とを備えて構成される。
各トランジスタ回路32a,32bは、負荷抵抗素子RLを与える2つのP型トランジスタを備える。各トランジスタ回路33a,33bは、2つのP型トランジスタを備え、各P型トランジスタは、それぞれノードNVout,NVout_Bと、電源電位VDDとの間に接続され、プリチャージ線PC_Bにより制御される。トランジスタ回路33a,33bの各P型トランジスタは、閉のとき、ノードNVout,NVout_Bを電源電圧VDDでプリチャージする。各トランジスタ回路34a,34bは、2つのN型電界効果トランジスタ(以下、N型トランジスタという。)を備え、各N型トランジスタは、それぞれノードNVout,NVout_Bと、バススワップスイッチ35a,35bとの間に接続され、センスアンプ電圧VSAにより制御される。各バススワップスイッチ35a,35bは、列アドレス信号RA0により制御される2つのN型トランジスタと、列アドレス信号RA0_Bにより制御される2つのN型トランジスタとを備え、各N型トランジスタを制御することにより、ノードNVoutに流れる電流とノードNVout_Bに流れる電流とを入れ替える。差動増幅器36a,36bは、ノードNVoutに印加された電圧と、ノードNVout_Bに印加された電圧の差分を算出し、算出された差分を増幅し、それぞれ読み出しデータQ0,Q1として出力する。
上記構成を有するセンスアンプ回路10において、メモリセルアレイ4内の所望のメモリセルMC0,MC1の各磁気抵抗素子Ri0,Ri1からデータを読み出す場合、列デコーダ及びWLドライバ2及び行デコーダ及びBLドライバ7により図2のワード線WL4n〜WL4n+3と図3の行選択線CSLiをハイレベル電圧(イネーブル)とするのに先立って、まず、プリチャージ線PC(LIOEQ)と図3のBLEQ線をハイレベル電圧(イネーブル)にし、プリチャージ回路40により読み出し線LIOFx,LIOBx(x=0,1)をプリチャージ電圧VPCでプリチャージし、それにより、ビット線BLix及びリファレンスビット線BL_Bix(x=0,1)を接地電位Vgndにプリチャージする。このとき、プリチャージ線PCがハイレベル電圧(イネーブル)であるので、プリチャージ線PC_Bがロウレベル電圧(ディスエーブル)となり、トランジスタ回路33a,33bの各トランジスタがオンに制御され、ノードNVout,NVout_Bが電圧VDDにプリチャージされる。また、バススワップスイッチ回路35a,35bは、列アドレス信号RA0,RA0_Bにより制御され、読み出し線LIOFx及びリファレンス読み出し線LIOBx(x=0,1)を、ノードNVout及びノードNVout_B(リファレンスの集束線GLがある側)のいずれに接続するかを判断する。
次に、図4のプリチャージ線PC(LIOEQ)と図3のBLEQ線をロウレベル電圧(ディスエーブル)にしてプリチャージをオフし、図2のワード線WL4n〜WL4n+3及び図3の行選択線CSLiをハイレベル電圧(イネーブル)にする。行選択線CSLiがイネーブルに制御されることにより、各読み出し線LIOFx,LIOBx(x=0,1)に印加されるバイアス電圧Vbias_pcは、それぞれ、VPC×(C5/(C1+C5)),VPC×(C6/(C2+C6)),VPC×(C7/(C3+C7)),VPC×(C8/(C4+C8))になる。また、ワード線WL4n〜WL4n+3がイネーブルに制御されることにより、メモリセルアレイ4の所望のメモリセルMC0,MC1の磁気抵抗素子Ri0,Ri1にバイアス電圧Vbias_pcが印加され、磁気抵抗素子Ri0,Ri1には、磁気抵抗素子Ri0,Ri1の各抵抗値に応じた電流が流れる。また、ワード線WL4n〜WL4n+3がイネーブルに制御されると同時に、図2のダミーワード線DWL0〜DWL3もイネーブルに制御され、磁気抵抗素子Ri0,Ri1と同じビット線BLix、リファレンスビット線BL_Bix及びソース線SLixに接続されたリファレンス抵抗Rmax,Rminにも同じバイアス電圧Vbias_pcが印加される。
ビット線BLix及びリファレンスビット線BL_Bix(x=0,1)に印加される電圧は、行選択線CSLiがイネーブルに制御された直後では、上記プリチャージ電圧VPCと各寄生容量C1〜C8の値とで決定される電圧Vbias_pcとなるが、その後、トランジスタ回路34a,34bの各N型トランジスタのゲートに印加されるセンスアンプ電圧VSAによって決定される電圧にクランプされ、ほぼ一定の電圧Vbiasとなる。理想的には、バイアス電圧Vbias_pcとバイアス電圧Vbiasとは等しいことが望ましい。
このとき、次式(2)によって表される読み出し電流IoutRi0が、トランジスタ回路32a、トランジスタ回路34a、読み出し線LIOF0及びビット線BLi0を介して、磁気抵抗素子Ri0を流れ、次式(3)によって表される読み出し電流IoutRi1が、トランジスタ回路32b、トランジスタ回路34b、読み出し線LIOF1及びビット線BLi1を介して、磁気抵抗素子Ri1を流れる。なお、所望のメモリセルのトランジスタのオン抵抗は無視できるものとする。また、ノードNVout_Bを流れる各電流Iout_BRmax及びIout_BRminは、リファレンスの集束線GLにより平均化され、次式(4)〜(6)で表されるリファレンス電流Iout_BRrefが、リファレンス読み出し線LIOB0,LIOB1及びリファレンスビット線BL_Bi0,BL_Bi1を介して、リファレンス抵抗Rmax,Rminを流れる。
[数2]
IoutRi0=Vbias/Ri0 (2)
IoutRi0=Vbias/Ri0 (2)
[数3]
IoutRi1=Vbias/Ri1 (3)
IoutRi1=Vbias/Ri1 (3)
[数4]
Iout_BRref=(Iout_BRmax+Iout_BRmin)/2 (4)
Iout_BRref=(Iout_BRmax+Iout_BRmin)/2 (4)
[数5]
Iout_BRmax=Vbias/Rmax (5)
Iout_BRmax=Vbias/Rmax (5)
[数6]
Iout_BRmin=Vbias/Rmin (6)
Iout_BRmin=Vbias/Rmin (6)
従って、上段のノードNVout,NVout_B及び下段のノードNVout,NVout_Bに印加される電圧は、それぞれ電流IoutRi0×RL、電流Iout_BRmax×RL、電流IoutRi1×RL及び電流Iout_BRmin×RLとなり、磁気抵抗素子Ri0,Ri1の抵抗値に応じた電流と、リファレンス抵抗Rmax,Rminの抵抗値に応じた電流との電流差に対応する電圧が差動増幅器36a,36bにより増幅され、読み出しデータQ0,Q1として出力される。
図5は、図1のメモリセルアレイ4内のメモリセルのレイアウト構成を示す平面図である。また、図6は、図5のB−B’における横断面図であり、図7は、図5のC−C’線における縦断面図である。図5においては、説明を簡単にするために、層の重なりによって直接見えない部分についても実線で図示し、上下関係については、図6及び図7を参照して説明する。
図5において、各ビット線BLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)とリファレンスビット線BL_Bix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)とソース線SLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)とは互いに平行に配置され、ディジット線DLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)はソース線SLix(i=0,1,…,m,…,M;x=0,1)に対して近接かつ平行に配置される。ソース線SLixには例えばメタル配線層が用いられる。ワード線WLy(y=0,1,…,2n,2n+1,…)は、ビット線BLix及びソース線SLixに対して垂直に配置される。また、各活性領域AAを2本のワード線WLyが横切る。活性領域AAは、2本のワード線WLyに挟まれたソース領域SRCと、各ワード線WLyの外側に配置されるドレイン領域DRNとを有する。ソース領域SRCは、ソース線コンタクト導体SCTを介してソース線SLixに接続し、ドレイン領域DRNは、ドレインコンタクト導体DCTを介してソース線SLixに接続する。また、各磁気抵抗素子Rixは、その各長辺(容易軸)がビット線BLixに実質的に平行になるように配置される。
図6において、磁気抵抗素子R01は、下側配線層LL、ストラップ配線ST及びドレインコンタクト導体DCTを介して活性領域AAのドレイン領域DRNに接続されるとともに、上側配線層UL及びビット線コンタクト導体BCTを介してビット線BL00に接続される。また、活性領域AAのソース領域SRCとドレイン領域DRNとを分けるチャンネル領域CAの上方にそれぞれワード線WL4n+2,WL4n+3が配置され、ディジット線DL00は、ソース線SL00の上方に近接かつ平行して配置される。なお、ビット線コンタクト導体BCTは、上側配線ULを介して、ソース線を共用する2つの磁気抵抗素子で共用される。これにより、メモリセルアレイの構成を簡単化することができる。
図7において、磁気抵抗素子R00の下方(図中右方)には、ソース線SL00に近接かつ平行して配置されたディジット線DL00が配置され、空間を有効に利用している。また、磁気抵抗素子R00は、上側配線ULにより、ビット線BL00よりもディジット線DL00に近接した位置に配置され、ディジット線電流による磁場を受けやすい。
この構成によれば、メモリセルへのデータ書き込み時、ディジット線DL00に電流を流すことで、ディジット線電流により磁気抵抗素子R00の困難軸方向に磁場が印加され、磁気抵抗素子R00の磁場をアシストし、書き込み時のスイッチング電流を低減することができる。これにより、セルトランジスタのサイズを小さくし、半導体記憶装置全体を小型化できる。
以上説明したように、本実施の形態に係るSTT−MRAMによれば、ソース線SLix及びビット線BLixが互いに平行に配置されたフォールデッド構成のメモリセルアレイにおいて、ディジット線DLixをソース線SLixの近接かつ平行して配置するため、メモリセル面積を増加させることなく、メモリセルへのデータ書き込み時のスイッチング電流を低減し、それにより、セルトランジスタのサイズを小さくし、半導体記憶装置全体のサイズを小型化できる。
また、ビット線BLixが磁気抵抗素子Rixの容易軸に対して実質的に平行に配置されるので、ディジット線DLixにより磁気抵抗素子Rixの磁場を効率的にアシストすることができる。
さらに、所定の磁場で磁気抵抗素子Rixをアシストすることは、ソース線SLixに同等の電流を流すことによっても実現されるが、その場合、ソース線SLixの電圧が上昇してソース線SLixとビット線BLix又はリファレンスビット線BL_Bixとの間の電位差が少なくなりメモリセルに流れる電流が減少するという問題がある。本実施の形態に係るSTT−MRAMでは、ソース線SLixではなくディジット線DLixに電流を流すことにより、これを防ぐことができる。また、ディジット線DLixを流れる電流は、電源電位から接地電位への一方向に固定され、複雑な制御等の必要がない。
実施の形態の変形例1.
図8は、本発明の実施の形態の変形例1に係るSTT−MRAMの構成の一部を示すブロック図である。上記実施の形態に係るSTT−MRAMは、磁気抵抗素子R00の困難軸方向に磁場を印加する構成であるので、例えば図8に示すように、ビット線BL及びリファレンスビット線BL_Bを共用しない複数のメモリセルアレイ4−1〜4−4間でディジット線DLixを共用することができる。この場合、メモリセルアレイの回路規模や同時書き込みビット数が増大してもディジット線DLixの本数を増やす必要がないので、ディジット線DLixによる消費電力が少なくてすむという効果がある。
図8は、本発明の実施の形態の変形例1に係るSTT−MRAMの構成の一部を示すブロック図である。上記実施の形態に係るSTT−MRAMは、磁気抵抗素子R00の困難軸方向に磁場を印加する構成であるので、例えば図8に示すように、ビット線BL及びリファレンスビット線BL_Bを共用しない複数のメモリセルアレイ4−1〜4−4間でディジット線DLixを共用することができる。この場合、メモリセルアレイの回路規模や同時書き込みビット数が増大してもディジット線DLixの本数を増やす必要がないので、ディジット線DLixによる消費電力が少なくてすむという効果がある。
実施の形態の変形例2.
図11は、本発明の実施の形態の変形例2に係るSTT−MRAMのメモリセルの構成を示す縦断面図である。上記実施の形態に係るSTT−MRAMにおいて、ディジット線DLixの上方に磁気抵抗素子Rixが配置されていなくとも、ディジット線電流の磁場アシストによる十分なスイッチング電流の低減効果が得られるときは、例えば図11に示すように、上側配線層ULを省略して、ビット線コンタクト導体BCTと磁気抵抗素子R00を直接接続して、メモリセルの層を薄型化してもよい。この場合、磁気抵抗素子R00とディジット線DL00との距離が離れるため、ディジット線電流により磁気抵抗素子R00に印加される磁場は弱まるが、スイッチング電流は低減される。
図11は、本発明の実施の形態の変形例2に係るSTT−MRAMのメモリセルの構成を示す縦断面図である。上記実施の形態に係るSTT−MRAMにおいて、ディジット線DLixの上方に磁気抵抗素子Rixが配置されていなくとも、ディジット線電流の磁場アシストによる十分なスイッチング電流の低減効果が得られるときは、例えば図11に示すように、上側配線層ULを省略して、ビット線コンタクト導体BCTと磁気抵抗素子R00を直接接続して、メモリセルの層を薄型化してもよい。この場合、磁気抵抗素子R00とディジット線DL00との距離が離れるため、ディジット線電流により磁気抵抗素子R00に印加される磁場は弱まるが、スイッチング電流は低減される。
本発明に係るドライバ回路及びそれを備えた半導体記憶装置によれば、所定の磁界が磁気抵抗素子に対して発生するように磁気抵抗素子に近接し、かつ、ソース線に実質的に平行に配置されたディジット線を備えることによって、スイッチング電流を低減することができるので、セルトランジスタのサイズを小さくし、半導体記憶装置全体を小型化できる。
本発明に係る半導体記憶装置は、例えばSTT−MRAMに利用することができる。
1…列アドレスバッファ、
2…列デコーダ及びBLドライバ、
3…ダミーメモリ列、
4…メモリセルアレイ、
5…ドライバ回路、
6…行アドレスバッファ、
7…行デコーダ及びWLドライバ、
8…2ビット信号生成器、
10…センスアンプ回路。
2…列デコーダ及びBLドライバ、
3…ダミーメモリ列、
4…メモリセルアレイ、
5…ドライバ回路、
6…行アドレスバッファ、
7…行デコーダ及びWLドライバ、
8…2ビット信号生成器、
10…センスアンプ回路。
Claims (7)
- 互いに実質的に平行に配置されたソース線及びビット線に接続され、STT(Spin Torque Transfer)書き込み方式によりデータを書き込まれる複数の磁気抵抗素子と、それぞれ前記複数の磁気抵抗素子に直列に接続され、前記ソース線及び前記ビット線に対して実質的に垂直に配置されたワード線により制御される複数のスイッチング素子とを備えた少なくとも1つのメモリセルアレイを備えた半導体記憶装置において、
所定の磁界が前記磁気抵抗素子に対して発生するように前記磁気抵抗素子に近接し、かつ、前記ソース線に実質的に平行に配置されたディジット線を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記ビット線は、前記磁気抵抗素子の容易軸に対して実質的に平行に配置されることを特徴とする請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記磁気抵抗素子は、前記ディジット線よりも上に配置されたことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体記憶装置。
- 前記磁気抵抗素子と前記ビット線との間に配置され、前記磁気抵抗素子と前記ビット線とを接続するための配線層をさらに備え、
前記磁気抵抗素子は、前記ビット線よりも前記ディジット線に近接して配置されることを特徴とする請求項1乃至3のうちのいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記複数の磁気抵抗素子のうち同一活性領域に存在する2つの磁気抵抗素子は、前記配線層と前記ビット線とのコンタクトを共用することを特徴とする請求項1乃至4のうちのいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
- 前記少なくとも1つのメモリセルアレイは、前記ビット線を共用しない複数のメモリセルアレイであって、
前記複数のメモリセルアレイは、前記ディジット線を共用することを特徴とする請求項1乃至5のうちのいずれか1つに記載の半導体記憶装置。 - 前記ディジット線は、一端において所定の電源に接続され、他端において接地されることを特徴とする請求項1乃至6のうちのいずれか1つに記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007098265A JP2008258362A (ja) | 2007-04-04 | 2007-04-04 | 半導体記憶装置 |
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ID=39981642
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101049589B1 (ko) | 2009-06-01 | 2011-07-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 셀어레이 및 그 제조 방법 |
US8456888B2 (en) | 2010-10-07 | 2013-06-04 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory device including variable resistance elements and manufacturing method thereof |
US10008539B2 (en) | 2015-12-11 | 2018-06-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same |
-
2007
- 2007-04-04 JP JP2007098265A patent/JP2008258362A/ja active Pending
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