JP2008244427A - 発光装置および画像出力装置 - Google Patents
発光装置および画像出力装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008244427A JP2008244427A JP2007333693A JP2007333693A JP2008244427A JP 2008244427 A JP2008244427 A JP 2008244427A JP 2007333693 A JP2007333693 A JP 2007333693A JP 2007333693 A JP2007333693 A JP 2007333693A JP 2008244427 A JP2008244427 A JP 2008244427A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting element
- substrate
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Projection Apparatus (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
【課題】半導体レーザから成る発光素子の窓構造を半導体レーザの内部構造を変えることなく実装手法によって実現すること。
【解決手段】本発明は、光を発生する発光ストライプ11が形成されるレーザチップ10と、レーザチップ10をはんだ材30を介して実装するため、レーザチップ10の発光ストライプ11の方向に沿って、熱膨張係数の異なる複数の材料(第1のヒートシンク21、第2のヒートシンク22)から構成される基板とを備える発光装置である。
【選択図】図1
【解決手段】本発明は、光を発生する発光ストライプ11が形成されるレーザチップ10と、レーザチップ10をはんだ材30を介して実装するため、レーザチップ10の発光ストライプ11の方向に沿って、熱膨張係数の異なる複数の材料(第1のヒートシンク21、第2のヒートシンク22)から構成される基板とを備える発光装置である。
【選択図】図1
Description
本発明は、両端部のうち少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子が基板に実装された発光装置およびこの発光装置を用いる画像出力装置に関する。
端面発光型の半導体レーザにおける高出力化の妨げとなる要因のひとつに、端面での光吸収に伴う発熱に起因した破壊・溶融現象COD(Catastrophic Optical Damage)がある。CODを回避する手段としては、レーザの端面部分において局所的に材料のバンドギャップを拡大し、光吸収を低減した、いわゆる「窓構造」が有効であり広く用いられている(例えば、特許文献1参照。)。
ここで、窓構造の実現手段としては、端面領域への不純物拡散や異種材料の再成長、活性層厚の変調等の手法があるが、これらはいずれもウェハ上にレーザを形成する際の工程を増やす必要が生じるほか、レーザチップの材料によっては適用が困難となっている。
本発明はこのような課題を解決するために成されたものである。すなわち、本発明は、両端部のうち少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子と、発光素子が実装される基板とを備え、基板が、発光素子の両端部を結ぶ方向に沿って、熱膨張係数の異なる複数の材料から構成される発光装置である。
このような本発明では、発光素子が、発光素子の両端部を結ぶ方向に沿って、熱膨張係数の異なる複数の材料から構成される基板に実装されているため、この材料の熱膨張係数に応じた歪みが発光素子に加わり、この歪みによって発光素子の部分的にバンドギャップを調整できるようになる。
特に、基板における複数の材料を、発光素子の両端部の少なくとも光の出射側の端部に対応した第1の材料と、それ以外の部分に対応した第2の材料とに分けておき、第1の材料として第2の材料に比べて熱膨張係数の大きい材料を用いることで、発光素子の出射側の端部に対してその他の部分より大きな歪みを与えることができ、出射側の端部のバンドギャップを広げることができる。
また、本発明は、両端部のうち少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子と、発光素子が実装される基板と、発光素子を基板に接合する接合部材とを備えており、基板には、発光素子の両端部を結ぶ方向に沿って部分的に凹部が設けられている発光装置である。
このような本発明では、基板に、発光素子の両端部を結ぶ方向に沿って部分的に凹部が設けられているため、この凹部に入る接合部材の厚さに応じた歪みが発光素子に加わり、この歪みによって発光素子の部分的にバンドギャップを調整できるようになる。
特に、この凹部を、発光素子の両端部を結ぶ方向に沿った中央部に設けることで、発光素子の端部にかかる歪みを中央部にかかる歪みより相対的に大きくでき、端部でのバンドギャップを広げることができるようになる。
また、本発明は、両端部のうち少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子と、発光素子が実装される基板と、発光素子と基板とを接合するため、発光素子の両端部を結ぶ方向に沿った複数の領域で発光素子に対して異なる大きさの歪みを与える接合手段とを備える発光装置である。
このような本発明では、発光素子と基板とを接合するため、発光素子の両端部を結ぶ方向に沿った複数の領域で発光素子に対して異なる大きさの歪みを与える接合手段を備えているため、この領域の位置に応じて異なる歪みを発光素子に与えることができ、発光素子の部分的にバンドギャップを調整できるようになる。
特に、複数の領域として、発光素子の両端部の少なくとも光の出射側の端部に対応した第1の領域と、中央部に対応した第2の領域とに分けておき、第1の領域に第2の領域より大きな歪みを与える。例えば、第1の領域に第2の領域より凝固点温度の高いはんだ材料を用いる。これにより、第1の領域に対応した発光素子の光の出射側の端部に対して中央部より大きな歪みを与えることができ、出射側の端部のバンドギャップを広げることができる。
本発明によれば、半導体レーザの高出力化を図るための窓構造を、レーザ材料やレーザ構造によらず形成することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態を図に基づき説明する。本実施形態に係る発光装置は、半導体レーザにおいて光の導波路(発光ストライプ)を形成する活性層のバンドギャップを端面で局所的に拡大することで光吸収を低減し高出力化を図る、いわゆる「窓構造」を、外部応力による圧縮歪みを端面領域に選択的に付加する、例えば次のような実装手法によって実現している。
1.ヒートシンクにレーザチップをはんだ付けした半導体レーザ素子において、レーザチップの端面領域が接するヒートシンク部分の熱膨張係数が、その他の領域が接するヒートシンク部分の熱膨張係数より大きい。
2.ヒートシンクにレーザチップをはんだ付けした半導体レーザ素子において、ヒートシンクの熱膨張係数がレーザチップのそれと比べて大きく、なおかつ両者を接合するはんだ材の厚みがレーザチップの端面領域において薄く、その他の領域において厚い。
3.ヒートシンクにレーザチップをはんだ付けした半導体レーザ素子において、ヒートシンクの熱膨張係数がレーザチップのそれと比べて大きく、なおかつ両者を接合するはんだ材の組成が端面領域とその他の領域において異なり、前者の凝固点温度が後者の凝固点温度よりも高い。
本実施形態では、上記の実装手法を用いることで、レーザ構造をウェハに形成する際に追加の工程を必要とすること無く、その後のチップ実装工程で用いる部材に変更を加えるだけで、レーザチップの材料によらずに窓構造を実現することができる。
これには、半導体レーザ材料の持つ次の基本性質を利用する。すなわち、下記の参照文献で報告されているように、半導体材料のバンドギャップは格子歪によって変化し、圧縮歪を受けた際にはバンドギャップが拡大する方向に変化し、逆に引っ張り歪を受けた際にはバンドギャップが縮小する方向に変化する。
<参照文献>
「Effect of mismatch strain on band gap in III-V semiconductors」、Journal of Applied Physics、米国、1985、Vol.57 p.5428-5432
「Effect of mismatch strain on band gap in III-V semiconductors」、Journal of Applied Physics、米国、1985、Vol.57 p.5428-5432
そこで、レーザチップの端面領域には圧縮歪が、それ以外の領域にはこれよりも相対的に小さな圧縮歪、もしくは無歪、あるいは引っ張り歪が生じるよう、領域に応じて異なる値の外部応力が恒常的に印加される構成を用いる。これによって、端面領域におけるバンドギャップが相対的に広い、いわゆる「窓構造」を形成することが可能となる。
ここで、端面領域に対して異なる値の外部応力が恒常的に印加される構成を簡便に実現するには、レーザチップをヒートシンクにはんだ付けする工程で生じる次のような現象を利用することができる。
すなわち、はんだ付けの際には、まずレーザチップをはんだ材を介してヒートシンクに重ねた状態で加熱し、はんだ材の融点および凝固点温度より高い温度Tにまで昇温する。ここでレーザチップおよびヒートシンクはそれぞれの熱膨張係数κLおよびκHに応じて異なる膨張量となるκL(T−TR)およびκH(T−TR)で独立に膨張する。ここで、TRは室温である。
続いて、はんだ材が溶融しレーザチップ・ヒートシンクの双方に十分馴染み、熱平衡状態に達した後、室温TRまで降温する。この降温過程ではんだ材は凝固点温度TSに達した時に凝固するが、凝固前(TS<T)まではレーザチップ・ヒートシンクは独立して収縮するのに対し、凝固後(T<TS)にはレーザチップがヒートシンクに接合され、以降両者は一体となって収縮する。
この結果、レーザチップは自身よりも数十倍の厚みを持つヒートシンク材の収縮量であるκH(TS−TR)にならう形で収縮し、最終的には室温において以下の式で表される量の外部応力が恒常的に印加された状態となる。
{κL(TS−TR)}−{κH(TS−TR)}=(κL−κH)(TS−TR)
ここで、レーザチップとヒートシンクの熱膨張係数差κL−κHの符号が負の場合には圧縮応力、正の場合には引っ張り応力、零の場合には無応力となる。
したがって、ヒートシンクの熱膨張係数またははんだ材の凝固点を調整することで、レーザチップの材料に与える歪の量を制御することができる。
その結果、端面領域の歪をその他の領域に比べて圧縮側に設定することでバンドギャップを相対的に広くし、窓構造を形成することが可能となる。以降、上記の特性を利用した実例となる構成について具体例を挙げながら説明する。
図1は、第1の実施形態に係る発光装置(半導体レーザ装置)を説明する模式図で、(a)は側断面図、(b)は正面図である。図1に示す第1の実施形態では、レーザチップ10を実装する基板としてのヒートシンクを2種類の材料で構成している。第1のヒートシンク21を構成する第1の材料は、例えばAlN(窒化アルミニウム)を使用し、その熱膨張係数は4.5ppm/Kとなっている。一方、第2のヒートシンク22を構成する第2の材料は、例えばCu(銅)を使用し、その熱膨張係数は16.8ppm/Kとなっている。
第1のヒートシンク21は、レーザチップ10の発光ストライプ11の方向に沿った略中央部に対応して配置され、レーザチップ10の発光ストライプ11の両端部に対応した位置には第2のヒートシンク22が配置されるようになっている。レーザチップ10の発光ストライプ11の方向(以下、「ストライプ方向」とも記す)は、レーザ発振のためにp−n接合活性層に形成される光の導波路に沿う方向(共振器長方向)であって、少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子の両端部を結ぶ方向に相当するものとなる。
第1のヒートシンク21は、第2のヒートシンク22の凹部に入れ子となって組み込まれており、これによって一つの基板を構成している。また、図1(b)に示すように、このレーザチップ10は発光点が複数並ぶバーレーザ型となっており、第1のヒートシンク21はバーレーザの長手方向については全域をカバーする長さで設けられている。
この基板に、全長700μmのGaAsを主成分とするレーザチップ(5.9ppm/K)10を、凝固点280℃のAu0.8Sn0.2から成るはんだ材30で接合するが、この際、レーザチップ10の前後(レーザ光の出射側の端部を前、反対の端部を後ろ)の幅約50μmの端面部分だけが第2のヒートシンク22のCuからなる領域に接合される。
この結果、動作温度25℃においてレーザチップ10の端面部分ではおよそ2.8%の圧縮歪が、その他の部分では0.3%の引っ張り歪が加わった状態となり、端部での歪みが中央部での歪みより大きくなって、発光ストライプ11におけるバンドギャップが端部のみ広がり、窓構造を形成できるようになる。
なお、図2は、GaAs基板およびGaAs活性層からなるレーザチップの発振波長を、AlNのみを用いたヒートシンク上にマウントした場合と、Cuのみを用いたヒートシンク上にマウントした場合とで比較したグラフである。
はんだ材には図1の例と同様にAu0.8Sn0.2を用いている。両者の波長差は8.2nm、バンドギャップ差は16meVとなっている。したがって、本実施形態のように、レーザチップ10の発光ストライプ11に沿った中央部にAlNから成る第1のヒートシンク21、端部にCuから成る第2のヒートシンク22を用いることで、発光ストライプ11の中央部に対して端部のバンドギャップを16meV大きくすることができ、端部での窓構造を形成する上で十分な特性を得ることができる。
次に、第2の実施形態に係る発光装置について図3の模式断面図に沿って説明する。図3に示す第2の実施形態では、レーザチップ10を実装する基板であるヒートシンク20に凹部20aが設けられており、レーザチップ10の発光ストライプ11の方向に沿って部分的に接合部材であるはんだ材30の厚さを変えられる構造である。
具体的には、Cuからなるヒートシンク20の表面が平坦では無く、レーザチップ10の両端約50μmの領域を除いた接合面が約100μmの深さで後退した形状となっている。
このような構造からなるヒートシンク20の表面にAu0.8Sn0.2から成るはんだ材30を充填後、全長700μmのGaAs基板からなるレーザチップ10を載せ、はんだ材30の厚みが端面領域で3μm、その他の接合領域で約103μmとなるように接合する。
その結果、レーザチップ10の端面部に対応した領域でははんだ材30が薄いため、熱膨張係数の大きいCuからなるヒートシンク20の収縮に伴ってレーザチップ10は圧縮歪を受ける。
一方、その他の領域でははんだ材30が大きな厚みを持つことからヒートシンク20の収縮量を緩和する効果が顕在化し、レーザチップ10に加わる歪はほぼ無視できる量にまで低減される。
その結果、第1の実施形態と同様に、レーザチップ10の発光ストライプ11における端部だけに歪みを与え、バンドギャップを大きくして、レーザチップ10に窓構造を実現することができるようになる。
次に、第3の実施形態に係る発光装置について説明する。図4に示す第3の実施形態では、レーザチップ10を基板であるヒートシンク20に実装する際に、レーザチップ10とヒートシンク20とを接合するための接合手段として、レーザチップ10の発光ストライプ11の方向に沿った複数の領域でレーザチップ10に対して異なる大きさの歪みを与えるものを備えた構造である。
図4は本発明の第3の実施形態に係る発光装置の第1具体例を説明する模式断面図である。この第1具体例においては、Cuからなる平坦なヒートシンク20上に、レーザチップ10の両端約50μmの領域が接合する部分には融点および凝固点が356℃のAu0.88Ge0.12からなる第1のはんだ材31が、その他の接合領域には融点および凝固点が280℃のAu0.8Sn0.2から成る第2のはんだ材32がそれぞれ約3μmの厚みで予め付着させてある。
そして、この上に全長700μmのGaAs基板からなるレーザチップ10を載せ、先ずは300℃まで加熱した後に降温する。
この時、レーザチップ10はAuSnから成る第2のはんだ材32と接する面でのみヒートシンク20と接合し、前述のように2.8%の圧縮歪を受ける。
また、AuSnは一旦凝固する過程でレーザチップ10またはヒートシンク20の表面のAuコーティングから拡散したAuによる組成変化によって融点が400℃程度に上昇する。
続いて室温から380℃まで加熱した後に降温し、AuGeから成る第1のはんだ材31に接した端面部が接合する。ここで端面部は、凝固点が高いAuGeを第1のはんだ材31を用いていることから3.6%とより大きな圧縮歪を受ける。
その一方で、Au0.8Sn0.2から成る第2のはんだ材32で接合した領域ははんだ材融点の上昇効果により昇温前後での変化は無く、2.8%の圧縮歪のままである。結果、端面部とその他の領域とにおいて圧縮歪の程度に差が生じ、相対的なバンドギャップの拡大による窓構造が実現できる。
図5は本発明の第3の実施形態に係る発光装置の第2具体例を説明する正面図である。この第2具体例においては、Cu(熱膨張係数17.5ppm/K)からなる平坦なヒートシンク20上に、はんだ層33と歪み付与層40からなる接合手段を用いて、レーザチップ10が実装されている。なお、図5においては、複数の発光点を有するバーレーザ型のレーザチップ10のバーレーザ長手方向(発光点の並び方向)において、1つの発光点を持つ半導体レーザ素子部分の実装状態を抽出して示している。
発光素子となる半導体レーザ素子は、活性層を含む半導体基板を挟むように両面に電極が形成された構造になっている。半導体レーザ素子のp側電極は、半導体基板側から順に、例えばチタン(Ti)層、白金(Pt)層および金(Au)層を順に積層して形成されるものである。半導体レーザ素子のn側電極は、半導体基板側から順に、例えば金(Au)層、金(Au)とゲルマニウム(Ge)の合金層および金(Au)層を順に積層して形成されるものである。レーザチップ10は、p側電極がヒートシンク20に対向する向きで実装されている。また、レーザチップ10には上記発光ストライプ(導波路)11に沿うリッジ部12が設けられている。リッジ部12はバーレーザの短手方向に延びている。
はんだ層33は、例えばAuSn系のはんだ材料からなるもので、その熱膨張係数は17.5ppm/Kとなっている。はんだ層33は、ヒートシンク20上でレーザチップ10の実装領域(以下、「レーザ実装領域」とも記す)の全域にわたって一様な厚みで形成されている。レーザ実装領域は、平面視長方形(バー形状)をなすレーザチップ10の平面寸法で規定される長方形の領域となっている。
歪み付与層40は、はんだ層33の中に埋め込まれた状態で設けられている。また、歪み付与層40は、ヒートシンク20上でレーザ実装領域に配置されるとともに、レーザチップ10よりも熱膨張係数の小さい材料を用いて、例えば1μm〜50μm程度の厚さで薄板状に形成されている。一例として、GaAs基板からなる半導体基板上に、AlGaInP系化合物半導体からなる活性層を有する半導体レーザ素子を一次元に複数並設してなるレーザチップ10を用いた場合は、その熱膨張係数が半導体基板材料に依存して6ppm/Kとなるため、歪み付与層40は、それよりも熱膨張係数の小さい材料、例えばグラファイト(熱膨張係数1ppm/K)を用いて形成される。
ただし、歪み付与層40の形成材料はグラファイトに限らず、例えば図6に示すように、AlN(熱膨張係数4.5ppm/K)、ダイヤモンド(熱膨張係数2ppm/K)、SiC(熱膨張係数3ppm/K)、石英ガラス(SiO2)又はシリコン(熱膨張係数3ppm/K)などを用いて歪み付与層40を形成してもよい。また、レーザチップ10で発生した熱をヒートシンク20に効率良く伝えるために、歪み付与層40の形成材料として、熱伝導性の良い材料(熱伝導率の高い材料)を選択することで、排熱効果を高めても良い。
図7はレーザ実装領域でレーザチップ10と歪み付与層40の位置関係を説明する模式図である。また、図8はレーザチップ10とはんだ層33と歪み付与層40の位置関係を説明する斜視図である。上述したようにはんだ層33および歪み付与層40からなる接合手段は、レーザチップ10のリッジ部12の長手方向(ストライプ方向)において、2つの端部領域Eed1,Eed2と、これら2つの端部領域Eed1,Eed2の間の中央部領域Ectに分けられている。この場合、半導体レーザ素子の発光点は、例えば端部領域Eed2側のレーザ素子端面に設けられる。2つの端部領域Eed1,Eed2は、それぞれレーザチップ10(半導体レーザ素子)の端面から数十μm(例えば、50μm)程度の領域となっており、中央部領域Ectは、リッジ部12の長手方向で2つの端部領域Eed1,Eed2の間に挟まれた領域となっている。
そうした場合、歪み付与層40は、一方の端部領域Eed1に設けられた第1歪み付与層41と、他方の端部領域Eed2に設けられた第2歪み付与層42と、中央部領域Ectに設けられた第3歪み付与層43とを用いて構成されている。第1歪み付与層41、第2歪み付与層42および第3歪み付与層43は、それぞれ平面視長方形に形成されている。また、第1歪み付与層41および第2歪み付与層42は、互いに同一の平面寸法で長方形に形成され、第3歪み付与層43は、それよりも大きな平面寸法で長方形に形成されている。第1歪み付与層41、第2歪み付与層42および第3歪み付与層43からなる歪み付与層40は、ヒートシンク20上のレーザ実装領域に二次元的に配置されている。
さらに詳述すると、第1歪み付与層41は、リッジ部12の短手方向(発光ストライプ11の方向と交差する方向)において、リッジ部12を2つの第1歪み付与層41で挟むように、リッジ部12の両側に配置されている。同様に、第2歪み付与層42は、リッジ部12の短手方向において、リッジ部12を2つの第2歪み付与層42で挟むように、リッジ部12の両側に配置されている。第1歪み付与層41および第2歪み付与層42は、いずれもリッジ部12に重ならないように、リッジ部12の外側に配置されている。第3歪み付与層43は、リッジ部12に重なるように配置されている。第3歪み付与層43の幅はリッジ部12の幅よりも広くなっている。そして、第3歪み付与層43の幅方向の両端部は、リッジ部12の外側にはみ出した状態で配置されている。
ここで、一例として、バーレーザ型のレーザチップ10に一体に形成される複数の半導体レーザ素子のうち、単個の半導体レーザ素子の幅を400μm、共振器長を700μm、発光ストライプ幅を60μmとすると、はんだ層33の厚さは3μm、歪み付与層40の厚さは20μm、第1歪み付与層41および第2歪み付与層42のストライプ方向の寸法は100μm、第1歪み付与層41および第2歪み付与層42のストライプ方向に直交する方向の寸法は150μm、第3歪み付与層43のストライプ方向の寸法は500μm、第3歪み付与層43のストライプ方向に直交する方向の寸法(以下、「幅寸法」とも記す)は250μmに設定される。
以上のような接合手段を備えた構成をレーザチップ10全体に適用すると、図9のようになる。図9においては、5つの半導体レーザ素子をレーザチップ10のバーレーザ長手方向(図の左右方向)に並べて設けたアレイ構造を例示している。この場合、半導体レーザ素子と1:1の関係で対応する5つのリッジ部12のうち、ストライプ方向と直交する方向で隣り合うリッジ部12同士の間には、それぞれ第1歪み付与層41、第2歪み付与層42が1つずつ配置されている。また、各々の半導体レーザ素子に対応して設けられた第3歪み付与層43の幅寸法Wは、全ての同一寸法に設定されている。
上記構成からなる発光装置においては、ヒートシンク20上にはんだ層33および歪み付与層40を介してレーザチップ10を実装するにあたり、まず、はんだ層33の素材(例えば、リボンはんだ)と、歪み付与層40を構成する第1歪み付与層41、第2歪み付与層42および第3歪み付与層43の素材を上記の位置関係でレーザ実装領域に平面的に並べて配置する。このとき、層の厚み方向で、歪み付与層40の素材をはんだ層33の素材でサンドイッチ状に挟み込み、その状態ではんだ接合を行うために室温環境からはんだ材料の融点以上まで加熱した後、降温する。
このとき、歪み付与層40の熱膨張係数がレーザチップ10の熱膨張係数よりも小さいことから、図10に示すように、レーザ実装領域内で第1歪み付与層41、第2歪み付与層42および第3歪み付与層43が配置された部分では、レーザチップ10に対して引っ張り歪が付与される。この引っ張り歪は、レーザチップ10のリッジ部12の長手方向の両端部、すなわち導波路上の端部領域Eed1,Eed2に対しては圧縮歪となって作用する。
したがって、図11に示すように、レーザチップ10のストライプ方向において、各々の端部領域Eed1,Eed2では圧縮歪の印加によって半導体材料(活性層)のバンドギャップEgが拡大し、中央部領域Ectでは引っ張り歪の印加によって半導体材料のバンドギャップEgが縮小することになる。この結果、レーザの端面部分で局所的にバンドギャップを拡大した「窓構造」が実現される。
なお、上記の第2具体例では、第1歪み付与層41、第2歪み付与層42および第3歪み付与層43によって歪み付与層40を構成したが、これに限らず、第1歪み付与層41のみ、第2歪み付与層42のみ又は第3歪み付与層43のみによって歪み付与層40を構成してもよい。また、第1歪み付与層41および第2歪み付与層42によって歪み付与層40を構成してもよい。
また、歪み付与層40の他の配置として、例えば図12に示すように、発光点の並び方向(図の左右方向)で第3歪み付与層43の幅寸法W1,W2,W3を段階的に変えた構成、さらに詳しくは、発光点の並び方向の中心部から両端部に向かって第3歪み付与層43の幅寸法が段階的に小さくなるよう、W1>W2>W3の条件で構成してもよい。かかる構成においては、発光点の並び方向で中央部に配置された第3歪み付与層43が最も幅広(W1)になっているため、当該中央部に配置された半導体レーザ素子の導波路部分に最も大きな引っ張り歪が生じ、そこから両端部に向かって段階的に小さな引っ張り歪が生じることになる。
これに対して、ヒートシンク20にレーザチップ10をはんだ接合によって実装する場合は、両者の熱膨張係数差によってレーザチップ10に圧縮応力が加わる。この圧縮応力は、発光点の並び方向で、両端部よりも中央部に大きく作用するため、当該圧縮応力によってレーザチップ10に生じる圧縮歪も、中央部の方が両端部よりも大きくなる。したがって、第3歪み付与層43によってレーザチップ10に生じる引っ張り歪と、レーザチップ10とヒートシンク20の熱膨張係数差によってレーザチップ10に生じる圧縮歪との差し引きにより、レーザチップ10に生じる歪の量が均一化される。レーザチップ10に生じる歪は、当該レーザチップ10をアレイ構造とした場合に、各々の半導体レーザ素子の発振波長ずれの原因となる。このため、レーザチップ10に生じる歪の量を均一化することで、アレイ構造をなすレーザチップ10の発振波長の均一化を図ることができる。
さらに、歪み付与層40の他の配置例として、例えば図13に示すように、各々の端部領域Eed1,Eed2でリッジ部12(導波路)を囲む状態にコ字形の歪み付与層44を配置したものであってもよい。かかる構成においては、歪み付与層44が配置された部分では、レーザチップ10に対して引っ張り歪が付与される。この引っ張り歪は、レーザチップ10のリッジ部12の長手方向の両端部、すなわち導波路上の端部領域Eed1,Eed2に対しては圧縮歪となって作用する。このため、上記同様の効果が得られる。
また、上記の第2具体例では、レーザチップ10よりも熱膨張係数の小さい材料を用いて歪み付与層40を形成するとしたが、これと反対に、レーザチップ10よりも熱膨張係数の大きい材料を用いて歪み付与層40を形成することも可能である。その場合は、図14に示すように、各々の端部領域Eed1,Eed2で導波路に重なる状態に歪み付与層45を配置する。歪み付与層45は、レーザチップ10よりも熱膨張係数が大きい材料として、例えば、アルミニウム(熱膨張係数23ppm/K)を用いて形成される。各々の歪み付与層45は、平面視長方形に形成されるとともに、レーザチップ10のストライプ方向と直交する方向で、リッジ部12の両側からはみ出すように配置されている。
上記図14に示す構造を採用した場合は、歪み付与層40を構成する各々の歪み付与層45の熱膨張係数がレーザチップ10の熱膨張係数よりも大きいことから、各々の歪み付与層45が配置された部分では、レーザチップ10に圧縮歪が付与される。この圧縮歪は、レーザチップ10のリッジ部12の長手方向の両端部、すなわち導波路上の端部領域Eed1,Eed2に圧縮歪のまま直接作用する。このため、レーザチップ10のストライプ方向において、各々の端部領域Eed1,Eed2では圧縮歪の印加によって半導体材料(活性層)のバンドギャップが拡大する。したがって、レーザの端面部分で局所的にバンドギャップを拡大した「窓構造」が実現される。
なお、これまでの実施形態では、レーザチップ10における発光ストライプの前後の双方の端面に窓構造を形成する構成を示しているが、光密度のより高くなる前面(レーザ光の出射面)のみに窓構造を形成する構造にしても良い。さらに、レーザチップ10の基板材料はGaAsに限定されず、InP、GaN、サファイア等でも良い。
また、上記実施形態では、レーザチップ10をはんだ材によって直接ヒートシンクに接続する、いわゆるダイレクトマウント構造の例を示したが、レーザチップ10をはんだ材によってサブマウント基板に接続し、このサブマウント基板をヒートシンクに接続する、いわゆるサブマウント構造であっても適用可能である。この場合には、レーザチップ10とサブマウント基板との間で上記実施形態のような実装構造を採用すればよい。
さらには、基板として、レーザチップ10の端部と中央部とで与える歪みを変える構造の例を示したが、さらに細分化した領域(3つ以上の領域)で与える歪みを変えるようにしてもよい。例えば、レーザチップ10の中央部から端部にかけて徐々に与える歪みを大きくするよう基板の材質やはんだ材の厚さ、はんだ材の材質を変えて、3つ以上の段階を踏んで徐々に熱膨張係数が変化するようにしてもよい。
上記説明した本実施形態の発光装置には、種々の利用が考えられるが、主として画像表示装置の光源としての利用が好適である。つまり、均一な波長で大出力の光を必要とする機器への適用が好適である。
具体的には、発光装置から出射した光を光変調装置に照射し、この光変調装置で画像に応じた光変調を行って映像を生成する画像出力装置であり、光変調装置として、液晶表示装置、GLV(Grating Light Valve)などが挙げられる。特に、大型スクリーンへの映像投射を行うプロジェクタ装置への適用が好ましい。
GLVは、リボン状の光回折格子がシリコン基板上に一列に形成された一次元反射型ディスプレイデバイスである。マイクロリボンアレイに、R(赤)、G(緑)、B(青)のレーザ光を照射し、回折光量を変化させ、さらに走査ミラーを用いて一次元画像を二次元画像に走査することで、フルHD画像を投影することができる。
GLVは、1画素が6本のリボンと呼ばれる中空構造に保持されたビームで構成されており、HD映像の垂直画素数と同じ1080画素(合計6480本のリボン)の光回折素子が形成されている。
リボンは、例えばAl/SiN積層膜で構成されており、反射ミラーとしての働きに加えて駆動電極としての機能も備える。リボンの駆動は、リボン電極と下部電極の間に電圧を印加することにより行なわれ、電圧が印加されていない状態では、全てのリボンが同じ平面に並んで鏡面を構成して、照射されたRGB3色のレーザ光をそのまま反射する。
一方、動作時には、1本おきのリボンに電圧を印加し、リボンに段差をつけて回折格子を作り出す。この回折格子が、入射したレーザ光に対して角度をもった回折光を生み出す。そして、GLVからの反射光については遮断し、回折光だけを取り出して集光するフィルタをGLVの手前に配置しておくことで、回折光を画像の明暗として取り出すことができる。
図15は、GLVを用いたプロジェクタ装置の構成を説明する模式図である。このプロジェクタ装置100では、光源101としてRGBのレーザ光を用い、それぞれのレーザ光を照明レンズ102を介してGLV103にスリット状にして照射する。
GLV103によって変調されたレーザ光は、投影レンズ104を介して走査ミラー105で反射し、走査ミラー105の水平走査によって1080画素分の1次元像をスクリーン200上に2次元画面として構成することができる。
このようなGLV103を用いたプロジェクタ装置100の光源101として、先に説明した本実施形態の半導体レーザ装置1を適用する。GLV103に照射するスリット状のレーザ光の形状にも対応し、大出力で安定した波長のレーザ光を提供できることから、本実施形態の発光装置(半導体レーザ装置)1が非常に適していることになる。
10…レーザチップ、11…発光ストライプ、20…ヒートシンク、21…第1のヒートシンク、22…第2のヒートシンク、30…はんだ材、31…第1のはんだ材、32…第2のはんだ材、33…はんだ層、40(41,42,43),44,45…歪み付与層100…プロジェクタ装置、101…光源、102…照明レンズ、103…GLV、104…投射レンズ、105…走査ミラー、200…スクリーン
Claims (17)
- 両端部のうち少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子と、
前記発光素子が実装される基板とを備え、
前記基板は、前記発光素子の両端部を結ぶ方向に沿って、熱膨張係数の異なる複数の材料から構成される
ことを特徴とする発光装置。 - 前記基板における複数の材料は、前記発光素子の両端部の少なくとも光の出射側の端部に対応した第1の材料と、中央部に対応した第2の材料とに分けられており、
前記第1の材料には前記第2の材料に比べて熱膨張係数の大きい材料が用いられている
ことを特徴とする請求項1記載の発光装置。 - 両端部のうち少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子と、
前記発光素子が実装される基板と、
前記発光素子を前記基板に接合する接合部材とを備えており、
前記基板には、前記発光素子の両端部を結ぶ方向に沿って部分的に凹部が設けられている
ことを特徴とする発光装置。 - 前記凹部は、前記発光素子の両端部を結ぶ方向に沿った中央部に設けられている
ことを特徴とする請求項3記載の発光装置。 - 両端部のうち少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子と、
前記発光素子が実装される基板と、
前記発光素子と前記基板とを接合するため、前記発光素子の両端部を結ぶ方向に沿った複数の領域で前記発光素子に対して異なる大きさの歪みを与える接合手段と
を備えることを特徴とする発光装置。 - 前記複数の領域は、前記発光素子の両端部における少なくとも光の出射側の端部に対応した第1の領域と、中央部に対応した第2の領域とに分けられており、
前記第1の領域は前記第2の領域に比べて大きな歪みを与える
ことを特徴とする請求項5記載の発光装置。 - 前記複数の領域は、前記発光素子の両端部の少なくとも光の出射側の端部に対応した第1の領域と、中央部に対応した第2の領域とに分けられており、
前記接合手段として、前記第1の領域には前記第2の領域に比べて凝固点温度の高いはんだ材料が用いられている
ことを特徴とする請求項5記載の発光装置。 - 前記複数の領域は、前記発光素子の両端部における少なくとも光の出射側の端部に対応した第1の領域と、中央部に対応した第2の領域とに分けられており、
前記接合手段は、はんだ層と、このはんだ層に埋め込まれ且つ前記基板上で前記発光素子の実装領域に配置された歪み付与層とを有する
ことを特徴とする請求項5記載の発光装置。 - 前記歪み付与層は、前記発光素子よりも熱膨張係数の小さい材料からなる
ことを特徴とする請求項8記載の発光装置。 - 前記歪み付与層は、前記第1の領域に設けられるとともに、前記発光素子の両端部を結ぶ方向と交差する方向で前記発光素子の導波路を挟む状態に配置されている
ことを特徴とする請求項9記載の発光装置。 - 前記歪み付与層は、前記第2の領域に設けられるとともに、前記発光素子の導波路に重なる状態に配置されている
ことを特徴とする請求項9記載の発光装置。 - 前記歪み付与層は、前記第1の領域で前記発光素子の導波路を囲む状態に配置されている
ことを特徴とする請求項9記載の発光装置。 - 前記歪み付与層は、前記発光素子よりも熱膨張係数の大きい材料からなる
ことを特徴とする請求項8記載の発光装置。 - 前記歪み付与層は、前記第1の領域で前記発光素子の導波路に重なる状態に配置されている
ことを特徴とする請求項13記載の発光装置。 - 発光装置から出射した光を光変調装置に照射し、この光変調装置で画像に応じた光変調を行って映像を生成する画像出力装置において、
前記発光装置は、
両端部のうち少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子と、
前記発光素子が実装される基板とを備え、
前記基板が、前記発光素子の両端部を結ぶ方向に沿って、熱膨張係数の異なる複数の材料から構成される
ことを特徴とする画像出力装置。 - 発光装置から出射した光を光変調装置に照射し、この光変調装置で画像に応じた光変調を行って映像を生成する画像出力装置において、
前記発光装置は、
光を発生する発光ストライプが形成される発光素子と、
前記発光素子が実装される基板と、
前記発光素子を前記基板に接合する接合部材とを備えており、
前記基板には、前記発光素子の発光ストライプの方向に沿って部分的に前記接合部材の厚さを変えるための凹部が設けられている
ことを特徴とする画像出力装置。 - 発光装置から出射した光を光変調装置に照射し、この光変調装置で画像に応じた光変調を行って映像を生成する画像出力装置において、
前記発光装置は、
両端部のうち少なくとも一方の端部から光を出射する発光素子と、
前記発光素子が実装される基板と、
前記発光素子と前記基板とを接合するため、前記発光素子の両端部を結ぶ方向に沿った複数の領域で前記発光素子に対して異なる大きさの歪みを与える接合手段と
を備えることを特徴とする画像出力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007333693A JP2008244427A (ja) | 2007-02-28 | 2007-12-26 | 発光装置および画像出力装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007048661 | 2007-02-28 | ||
JP2007333693A JP2008244427A (ja) | 2007-02-28 | 2007-12-26 | 発光装置および画像出力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008244427A true JP2008244427A (ja) | 2008-10-09 |
Family
ID=39915339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007333693A Pending JP2008244427A (ja) | 2007-02-28 | 2007-12-26 | 発光装置および画像出力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008244427A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010259002A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2016173429A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
WO2017141347A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ光源 |
JP2017191899A (ja) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
-
2007
- 2007-12-26 JP JP2007333693A patent/JP2008244427A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010259002A (ja) * | 2009-04-28 | 2010-11-11 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波素子の製造方法 |
JP2016173429A (ja) * | 2015-03-17 | 2016-09-29 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
WO2017141347A1 (ja) * | 2016-02-16 | 2017-08-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ光源 |
JP2017191899A (ja) * | 2016-04-15 | 2017-10-19 | 三菱電機株式会社 | 半導体発光装置およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20090104727A1 (en) | High power semiconductor laser diodes | |
JP5940214B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2009111230A (ja) | レーザモジュール | |
JP2013239614A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP3477744B2 (ja) | 発光装置及びこれを用いた立体視覚装置及びその視覚方法及びその駆動方法 | |
JP5259166B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP2002314184A (ja) | 光半導体モジュール | |
JP2008244427A (ja) | 発光装置および画像出力装置 | |
JP5282605B2 (ja) | 半導体レーザ装置、及びその製造方法 | |
JP2008244121A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
JP7072047B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2015162566A (ja) | 発光装置およびその製造方法、並びにプロジェクター | |
JP2011146575A (ja) | 偏光制御発光素子とその製造方法 | |
JP2009283778A (ja) | 半導体レーザモジュールおよび投射型表示装置 | |
JP4872770B2 (ja) | 実装基板および半導体レーザ装置 | |
JP2008205326A (ja) | サブマウント及びこれを用いた半導体装置 | |
JP4265287B2 (ja) | レーザー装置 | |
JP2015179766A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010050362A (ja) | マルチビーム半導体レーザ | |
JP2010027942A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4202814B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
JP2010166036A (ja) | 半導体レーザ装置および表示装置 | |
JP2010245207A (ja) | マルチビーム半導体レーザ装置 | |
JP2008311556A (ja) | 半導体レーザ装置および表示装置 | |
WO2017110017A1 (ja) | 発光素子および表示装置 |