JP2008240078A - 成膜処理装置のクリーニング方法 - Google Patents
成膜処理装置のクリーニング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008240078A JP2008240078A JP2007083301A JP2007083301A JP2008240078A JP 2008240078 A JP2008240078 A JP 2008240078A JP 2007083301 A JP2007083301 A JP 2007083301A JP 2007083301 A JP2007083301 A JP 2007083301A JP 2008240078 A JP2008240078 A JP 2008240078A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- cleaning
- film
- introducing
- vacuum vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】より短時間で且つクリーニングガスの消費量を抑えて効率良く成膜処理装置内に付着した金属膜を除去しうるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】酸化ガスと錯化ガスとを導入し、金属膜を酸化、錯化、昇華させるクリーニングガス導入工程と、パージガスを導入し、クリーニングガス導入工程よりも一旦高い圧力にしながら排気するパージガス導入工程と、を複数回繰り返し、クリーニングガス及びパージガスの導入を停止して排気を行う。
【選択図】なし
【解決手段】酸化ガスと錯化ガスとを導入し、金属膜を酸化、錯化、昇華させるクリーニングガス導入工程と、パージガスを導入し、クリーニングガス導入工程よりも一旦高い圧力にしながら排気するパージガス導入工程と、を複数回繰り返し、クリーニングガス及びパージガスの導入を停止して排気を行う。
【選択図】なし
Description
本発明は、金属膜を成膜する成膜処理装置内に付着した金属膜を除去するクリーニング方法に関する。
従来、CVD(Chemical Vapour Deposition)装置などの成膜処理装置において、基板以外の装置内壁に付着した金属膜を除去するクリーニング方法として、化学気相エッチング法が知られている。この方法は、例えばCu膜を成膜する場合には、装置内にO2ガスとヘキサフルオロアセチルアセトン(Hhfac)ガスとを導入する。そして装置内に付着したCu膜をO2ガスによって酸化し、酸化Cu膜をHhfacガスにより錯化し、Cu錯体を昇華させて排気、除去する。特許文献1には、この方法によって装置内に付着したCu膜を除去するクリーニング方法において、Cu膜の酸化工程が律速過程となるように条件を設定することにより、装置内に付着したCu膜のパーティクルや膜剥がれの発生を防止する方法が開示されている。
従来の化学気相エッチング法によるCu膜のクリーニング方法においては、10μm以下の薄いCu膜のクリーニングでは良好な結果が出るものの、Cu膜が30μm以上と厚くなると、Cu錯体の装置内への再付着が起こるという問題があった。また、Cu膜の厚さが50μmの場合で排気時間が2日間と長く、クリーニング速度が100nm/min以下と低い。さらに、Hhfacガスの消費量が多いという問題もあった。
本発明は、上記問題を解決し、より短時間で且つクリーニングガスの消費量を抑えて効率良く成膜処理装置内に付着した金属膜を除去しうるクリーニング方法を提供することにある。
本発明は、真空容器内で基板に金属膜を成膜する成膜処理装置のクリーニング方法であって、
上記真空容器内に酸化ガスと錯化ガスを導入しながら排気し、酸化ガスによって真空容器内に付着した金属膜を酸化した後、錯化ガスによって酸化金属膜を錯化して昇華させるクリーニングガス導入工程と、
上記真空容器内にパージガスを導入して、該真空容器内を上記クリーニングガス導入工程よりも一旦高い圧力にしながら排気するパージガス導入工程と、
を交互に繰り返すことを特徴とする。
上記真空容器内に酸化ガスと錯化ガスを導入しながら排気し、酸化ガスによって真空容器内に付着した金属膜を酸化した後、錯化ガスによって酸化金属膜を錯化して昇華させるクリーニングガス導入工程と、
上記真空容器内にパージガスを導入して、該真空容器内を上記クリーニングガス導入工程よりも一旦高い圧力にしながら排気するパージガス導入工程と、
を交互に繰り返すことを特徴とする。
本発明においては、生成物の再付着などを防止した上で、従来よりも大幅に短い時間で、且つ、錯化ガスの消費量を抑えてクリーニングを行うことができる。よって、成膜処理装置のメンテナンスにかかる時間及び費用を削減して、本来の成膜処理の効率を向上させることができる。
本発明にかかる成膜処理装置としては、CVD装置が好ましく挙げられるが、スパッタリング装置などにも好ましく利用される。
本発明の特徴は、従来、酸化ガスと錯化ガスとを導入し、連続的にクリーニングを行っていたのに対し、途中でパージガスを導入して真空容器内の圧力を一旦高めることにある。即ち、酸化ガスと錯化ガスを導入し、金属膜を酸化し、酸化金属膜を錯化して昇華させるクリーニングガス導入工程と、酸化ガスと錯化ガスの導入を停止し、パージガスを導入するパージガス導入工程とを交互に繰り返す。パージガス導入工程においては、圧力がクリーニングガス導入工程よりも一旦高くなるようにしながら排気する。
クリーニングガス導入工程においては、反応生成物が経時的に増えるが、反応生成物の圧力がその時の飽和蒸気圧に達する前に、クリーニングガス(酸化ガスと錯化ガス)の導入を停止すれば、装置内に反応生成物が結露することはなく、付着しない。さらに、パージガスの導入によって、一旦真空容器内の圧力を高め、反応生成物の分圧を下げておけば、次のクリーニング工程において容易に反応生成物が装置外に排気される。よって、本発明においては、反応生成物の圧力がその時の飽和蒸気圧に達する前にクリーニングガスの導入を停止し、パージガスを導入して反応生成物の分圧を低下せしめる。これにより、反応生成物の装置内への再付着や低蒸気圧物質の生成が抑制され、反応生成物の除去を効率良く行うことができ、全ての工程にかかる時間を短縮することができる。その結果、必要な錯化ガスの消費量も削減される。
以下に、本発明が好ましく適用される、Cu膜の成膜用CVD装置におけるクリーニング方法を例に挙げる。
Cu膜のクリーニングにおいては、酸化ガスとしてO2ガスを、錯化ガスとしてHhfacガスを用いる。また、パージガスとしてはArとN2の混合ガスを用いる。本発明に係るクリーニングガス導入工程における反応は以下の通りである。
(1)Cuの酸化
2Cu+O2→2CuO
4Cu+O2→2CuO2
(2)酸化Cuの錯化
CuO+2Hhfac→Cu(hfac)2+H2O
CuO2+2Hhfac→Cu(hfac)2+H2O
(3)Cu錯体の昇華
(1)Cuの酸化
2Cu+O2→2CuO
4Cu+O2→2CuO2
(2)酸化Cuの錯化
CuO+2Hhfac→Cu(hfac)2+H2O
CuO2+2Hhfac→Cu(hfac)2+H2O
(3)Cu錯体の昇華
各工程の時間は特に限定されるものではないが、上記Cu膜をクリーニングする場合において、クリーニングガス導入工程が30分以下、パージガス導入工程が10秒以上である。
厚さが50μmのCu膜が付着したCVD装置において、下記の条件でクリーニングを行った。
・クリーニングガス導入工程
ホルダー温度:300℃、O2ガス流量:1.0g/min、Hhfacガス流量:0.2g/minで、排気速度を調整して真空容器内の圧力:10Paとする。
ホルダー温度:300℃、O2ガス流量:1.0g/min、Hhfacガス流量:0.2g/minで、排気速度を調整して真空容器内の圧力:10Paとする。
・パージガス導入工程
Arガス流量:2.0g/min、N2ガス流量:2.0g/minで、排気速度を調整して真空容器内の圧力を200Paとする。
Arガス流量:2.0g/min、N2ガス流量:2.0g/minで、排気速度を調整して真空容器内の圧力を200Paとする。
実施例においては、上記クリーニング工程を5分間、パージ工程を3分間として連続40回繰り返し、その後、20時間排気した。その結果、真空容器の内壁に付着していたCu膜はほとんど除去された。
実施例と従来と比較すると、従来はCu除去速度が100nm/minで、Hhfacの消費量が100gであったのに対して、実施例においてはCu除去速度は300nm/min、Hhfacの消費量は33gであった。よって、本発明の方法により、クリーニングにかかる時間は1/2以下に、また、Hhfacの消費量は1/3に削減される。
Claims (1)
- 真空容器内で基板に金属膜を成膜する成膜処理装置のクリーニング方法であって、
上記真空容器内に酸化ガスと錯化ガスを導入しながら排気し、酸化ガスによって真空容器内に付着した金属膜を酸化した後、錯化ガスによって酸化金属膜を錯化して昇華させるクリーニングガス導入工程と、
上記真空容器内にパージガスを導入して、該真空容器内を上記クリーニングガス導入工程よりも一旦高い圧力にしながら排気するパージガス導入工程と、
を交互に繰り返すことを特徴とする成膜処理装置のクリーニング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007083301A JP2008240078A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 成膜処理装置のクリーニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007083301A JP2008240078A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 成膜処理装置のクリーニング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008240078A true JP2008240078A (ja) | 2008-10-09 |
Family
ID=39911761
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007083301A Withdrawn JP2008240078A (ja) | 2007-03-28 | 2007-03-28 | 成膜処理装置のクリーニング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008240078A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011190490A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法及び処理装置 |
JP2013102129A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラム |
-
2007
- 2007-03-28 JP JP2007083301A patent/JP2008240078A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011190490A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄方法及び処理装置 |
JP2013102129A (ja) * | 2011-10-20 | 2013-05-23 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラム |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10043684B1 (en) | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods | |
JP6529371B2 (ja) | エッチング方法及びエッチング装置 | |
JP4669605B2 (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法 | |
TW201712140A (zh) | 選擇性地沉積材料的方法及選擇性地沉積金屬氧化物膜的方法 | |
TWI525211B (zh) | A dry cleaning method for a substrate processing apparatus | |
US11515155B2 (en) | Methods for enhancing selectivity in SAM-based selective deposition | |
JP2007531304A5 (ja) | ||
JP2006245089A (ja) | 薄膜形成方法 | |
TWI612573B (zh) | 乾蝕刻方法、半導體元件之製造方法以及腔室清潔方法 | |
WO2013140926A1 (ja) | 成膜装置内の金属膜のドライクリーニング方法 | |
JP2007051327A5 (ja) | ||
JP2010530129A (ja) | Cmp後のウェーハを洗浄するための熱的方法 | |
JP5729249B2 (ja) | グラファイト薄膜の形成方法 | |
JP2008031510A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 | |
JP2008060171A (ja) | 半導体処理装置のクリーニング方法 | |
JP2008240078A (ja) | 成膜処理装置のクリーニング方法 | |
JP2006503185A5 (ja) | ||
JP6952766B2 (ja) | ドライエッチング方法またはドライクリーニング方法 | |
JP2000096241A (ja) | Cvd装置の洗浄方法 | |
JP7409322B2 (ja) | 付着物除去方法及び成膜方法 | |
TW201019383A (en) | Method for refurbishing a process chamber component | |
TW202225449A (zh) | 釕薄膜之形成方法 | |
JP6201801B2 (ja) | グラファイト薄膜の製造方法 | |
JP4933720B2 (ja) | 成膜方法 | |
JPH01234578A (ja) | 銅薄膜のドライエツチング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100601 |