JP2008235347A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008235347A5
JP2008235347A5 JP2007068867A JP2007068867A JP2008235347A5 JP 2008235347 A5 JP2008235347 A5 JP 2008235347A5 JP 2007068867 A JP2007068867 A JP 2007068867A JP 2007068867 A JP2007068867 A JP 2007068867A JP 2008235347 A5 JP2008235347 A5 JP 2008235347A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride layer
gallium nitride
aluminum gallium
forming
gate electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007068867A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2008235347A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007068867A priority Critical patent/JP2008235347A/ja
Priority claimed from JP2007068867A external-priority patent/JP2008235347A/ja
Publication of JP2008235347A publication Critical patent/JP2008235347A/ja
Publication of JP2008235347A5 publication Critical patent/JP2008235347A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2007068867A 2007-03-16 2007-03-16 リセスゲート型hfetの製造方法 Pending JP2008235347A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007068867A JP2008235347A (ja) 2007-03-16 2007-03-16 リセスゲート型hfetの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007068867A JP2008235347A (ja) 2007-03-16 2007-03-16 リセスゲート型hfetの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008235347A JP2008235347A (ja) 2008-10-02
JP2008235347A5 true JP2008235347A5 (enExample) 2010-04-15

Family

ID=39907851

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007068867A Pending JP2008235347A (ja) 2007-03-16 2007-03-16 リセスゲート型hfetの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008235347A (enExample)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5582378B2 (ja) * 2009-02-27 2014-09-03 サンケン電気株式会社 電界効果半導体装置及びその製造方法
JP6132242B2 (ja) 2011-07-12 2017-05-24 パナソニックIpマネジメント株式会社 窒化物半導体装置およびその製造方法
JP2013077635A (ja) * 2011-09-29 2013-04-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP6685890B2 (ja) 2016-12-19 2020-04-22 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
JP6641522B2 (ja) * 2017-02-22 2020-02-05 三菱電機株式会社 高周波増幅器
US10686411B2 (en) * 2018-06-27 2020-06-16 Zhanming LI Gate drivers and voltage regulators for gallium nitride devices and integrated circuits
JP7470008B2 (ja) * 2020-10-19 2024-04-17 株式会社東芝 半導体装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3616447B2 (ja) * 1996-02-27 2005-02-02 富士通株式会社 半導体装置
JP4869576B2 (ja) * 2004-09-29 2012-02-08 新日本無線株式会社 窒化物半導体装置及びその製造方法
JP2006190991A (ja) * 2004-12-09 2006-07-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP4940557B2 (ja) * 2005-02-08 2012-05-30 日本電気株式会社 電界効果トランジスタ及びその製造方法
JP2006261642A (ja) * 2005-02-17 2006-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電界効果トランジスタおよびその製造方法
JP2006351762A (ja) * 2005-06-15 2006-12-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008235347A5 (enExample)
JP2008091392A5 (enExample)
JP5503487B2 (ja) 歪緩衝中間層を有するiii−v族半導体デバイス
JP2006269534A5 (enExample)
JP2007520891A5 (enExample)
JP2012506160A5 (enExample)
JP2008294408A5 (enExample)
JP2007096055A5 (enExample)
JP2007536736A5 (enExample)
ATE544178T1 (de) Halbleiterbauelemente und verfahren zur herstellung
SG131023A1 (en) Semiconductor heterostructure and method for forming a semiconductor heterostructure
JP2011044517A5 (enExample)
FR2890489B1 (fr) Procede de fabrication d'une heterostructure de type semi-conducteur sur isolant
JP5635888B2 (ja) 高導電性のソース/ドレイン接点を有するiii族窒化物トランジスタ及びその製造方法
DE602009000556D1 (de) Herstellungsverfahren von einem SOI-Transistor mit selbstjustierter Grundplatte und Gate und mit einer vergrabenen Oxidschicht mit veränderlicher Dicke
JP2013544021A5 (enExample)
JP2006210555A5 (enExample)
JP2013012735A5 (enExample)
JP2006286740A5 (enExample)
JP2009060096A5 (enExample)
ATE525752T1 (de) Spannungsausgeglichener nitrid- heteroübergangstransistor und methoden zur herstellung desselben
ATE441938T1 (de) Herstellungsverfahren für finfets mit verringertem widerstand
WO2008087763A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2009514247A5 (enExample)
JP2009501432A5 (enExample)