JP2008226738A - 発光デバイス - Google Patents
発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008226738A JP2008226738A JP2007065785A JP2007065785A JP2008226738A JP 2008226738 A JP2008226738 A JP 2008226738A JP 2007065785 A JP2007065785 A JP 2007065785A JP 2007065785 A JP2007065785 A JP 2007065785A JP 2008226738 A JP2008226738 A JP 2008226738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- particles
- light emitting
- semiconductor
- light
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】基板1上の透明電極2の上に多数の発光性半導体粒子7が分散して設けられている有機材料から成る正孔輸送層3を積層し、正孔輸送層3上には電子輸送層5及び陰極6を設け、透明電極2と陰極6との間に電圧を印加することにより有機半導体材料による電流注入機能により輸送される正孔及び又は電子により発光性半導体粒子7を発光させるようにした。これにより、発光デバイスの発光効率を高めると共に長寿命化を図ることができる。
【選択図】図1
Description
2 透明電極(陽極)
3 正孔輸送層
4 発光性高分子層
5 電子輸送層
6 陰極
7 発光性半導体粒子
10、20、30 発光デバイス
11 原料供給ライン
12 反応炉
13 基板
14 サセプタ
15 回転装置
16 赤外線ランプ
17 加熱用電源
18 排気ポート
Claims (8)
- ヘテロ構造を有する半導体粒子が有機層中に分散されてなり、電荷注入により発光することを特徴とする発光デバイス。
- pn接合を有する半導体粒子が有機層中に分散されてなり、電荷注入により発光することを特徴とする発光デバイス。
- ダブルヘテロ構造を有する半導体粒子が有機層中に分散されてなり、電荷注入により発光することを特徴とする発光デバイス。
- 量子井戸構造を有する半導体粒子が有機層中に分散されてなり、電荷注入により発光することを特徴とする発光デバイス。
- 単結晶微粒子上に結晶成長された半導体結晶が有機層中に分散されてなり、該半導体結晶が電荷注入により発光することを特徴とする発光デバイス。
- 前記半導体粒子が単結晶微粒子上に結晶成長されてなる請求項1、2、3、4又は5に記載の発光デバイス。
- 前記単結晶微粒子がAl2 O3 であり、前記単結晶微粒子上に結晶成長される半導体結晶が3−5族窒化物系化合物半導体である請求項5又は6に記載の発光デバイス。
- 前記単結晶微粒子上に前記半導体結晶を成長する場合、低温バッファ層を形成せずに結晶成長させてなる請求項5、6又は7に記載の発光デバイス。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007065785A JP5020667B2 (ja) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | 発光デバイス |
PCT/JP2008/054837 WO2008111680A1 (ja) | 2007-03-14 | 2008-03-11 | 発光デバイス |
TW097108615A TW200848492A (en) | 2007-03-14 | 2008-03-12 | Luminescence device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007065785A JP5020667B2 (ja) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | 発光デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008226738A true JP2008226738A (ja) | 2008-09-25 |
JP5020667B2 JP5020667B2 (ja) | 2012-09-05 |
Family
ID=39759608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007065785A Expired - Fee Related JP5020667B2 (ja) | 2007-03-14 | 2007-03-14 | 発光デバイス |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5020667B2 (ja) |
TW (1) | TW200848492A (ja) |
WO (1) | WO2008111680A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101887946A (zh) * | 2009-05-14 | 2010-11-17 | 统宝光电股份有限公司 | 有机电激发光装置的制作方法与其影像显示系统 |
JP2014503982A (ja) * | 2010-10-07 | 2014-02-13 | ポステック アカデミー−インダストリー ファウンデーション | 微細パターン形成方法、並びにそれを利用した微細チャネルトランジスタ及び微細チャネル発光トランジスタの形成方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6366282A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Res Dev Corp Of Japan | 超微粒子蛍光体 |
JP2004202361A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sony Corp | 微粒子の成長方法、微粒子の成長装置および微粒子 |
JP2006117735A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Toyota Motor Corp | 粉末発光体及び発光装置 |
-
2007
- 2007-03-14 JP JP2007065785A patent/JP5020667B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-11 WO PCT/JP2008/054837 patent/WO2008111680A1/ja active Application Filing
- 2008-03-12 TW TW097108615A patent/TW200848492A/zh unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6366282A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | Res Dev Corp Of Japan | 超微粒子蛍光体 |
JP2004202361A (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-22 | Sony Corp | 微粒子の成長方法、微粒子の成長装置および微粒子 |
JP2006117735A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Toyota Motor Corp | 粉末発光体及び発光装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101887946A (zh) * | 2009-05-14 | 2010-11-17 | 统宝光电股份有限公司 | 有机电激发光装置的制作方法与其影像显示系统 |
JP2014503982A (ja) * | 2010-10-07 | 2014-02-13 | ポステック アカデミー−インダストリー ファウンデーション | 微細パターン形成方法、並びにそれを利用した微細チャネルトランジスタ及び微細チャネル発光トランジスタの形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008111680A1 (ja) | 2008-09-18 |
JP5020667B2 (ja) | 2012-09-05 |
TW200848492A (en) | 2008-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8525221B2 (en) | LED with improved injection efficiency | |
KR100836455B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조 방법 | |
US8716048B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP5279006B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4882351B2 (ja) | 半導体積層基板、その製造方法及び発光素子 | |
KR20070074641A (ko) | 반도체 적층 기판, 그 제조 방법 및 발광 소자 | |
CN109411579B (zh) | 具有石墨烯结构的半导体器件及其制备方法 | |
CN111725371B (zh) | 一种led外延底层结构及其生长方法 | |
JPH11112030A (ja) | 3−5族化合物半導体の製造方法 | |
US20070015306A1 (en) | Manufacturing method of P type group III nitride semiconductor layer and light emitting device | |
JP5020667B2 (ja) | 発光デバイス | |
CN109686821B (zh) | 一种发光二极管的外延片的制备方法 | |
JP2009516377A (ja) | シリコン基板上に高品質の半導体発光デバイスを製造するための方法 | |
JP2009267002A (ja) | 発光素子および発光素子の製造方法 | |
KR100925164B1 (ko) | p형 질화물 반도체층 형성 방법 및 그것을 갖는 발광 소자 | |
US8729670B2 (en) | Semiconductor substrate and method for manufacturing the same | |
JP2006128653A (ja) | 3−5族化合物半導体、その製造方法及びその用途 | |
JP2012182417A (ja) | 窒化物系発光素子及びその製造方法 | |
JP2003309074A5 (ja) | ||
JPH08213651A (ja) | コンタクト抵抗低減層を有する半導体装置 | |
US20120160157A1 (en) | Method of manufacturing light emitting diode | |
JPH03252178A (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 | |
JP2014192274A (ja) | 高出力GaN系半導体発光素子 | |
JP2008222760A (ja) | 半導体蛍光体 | |
KR20120131147A (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091021 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120217 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120613 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5020667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150622 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |