JP2012182417A - 窒化物系発光素子及びその製造方法 - Google Patents
窒化物系発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012182417A JP2012182417A JP2011137868A JP2011137868A JP2012182417A JP 2012182417 A JP2012182417 A JP 2012182417A JP 2011137868 A JP2011137868 A JP 2011137868A JP 2011137868 A JP2011137868 A JP 2011137868A JP 2012182417 A JP2012182417 A JP 2012182417A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride
- layer
- light emitting
- buffer layer
- based light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 114
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 17
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- -1 AlN Chemical class 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/28—Materials of the light emitting region containing only elements of Group II and Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
【課題】結晶性及び輝度の向上した窒化物系発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。
【選択図】図1
【解決手段】窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層とを含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成されることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
本発明は、窒化物系発光素子及びその製造方法に関するものである。
発光素子は、電子と正孔の再結合時に発生する発光現象を応用した素子である。
代表的な発光素子としては、GaNに代表される窒化物系発光素子がある。窒化物系発光素子は、バンドギャップエネルギーが大きいことから多様な色光を具現することができる。また、窒化物系発光素子は、熱的安定性に優れるものである。
窒化物系発光素子は、n―電極及びp―電極の配置形態にしたがって水平型発光素子と垂直型発光素子に区分される。水平型発光素子では、n―電極及びp―電極が主にトップ(top)―トップ(top)形態で配置され、垂直型発光素子では、n―電極及びp―電極が主にトップ(top)―ボトム(bottom)形態で配置される。
本発明の目的は、成長基板上に窒化物を成長させるときに発生する線欠陥(dislocation)が抑制され、それにより結晶性及び輝度の向上した窒化物系発光素子及びその製造方法を提供することにある。
前記目的を達成するための本発明に係る窒化物系発光素子は、成長基板と、前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、前記格子緩衝層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層と、を含み、前記格子緩衝層は、ウルツ鉱(Wurtzite)型構造を有する物質のパウダーで形成される、ことを特徴とする。
このとき、前記格子緩衝層は、ZnOパウダーで形成されることが望ましい。
前記目的を達成するための本発明に係る窒化物系発光素子の製造方法は、成長基板上に、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーを用いて格子緩衝層を形成し、前記格子緩衝層上にバッファ層を形成し、前記バッファ層上にp―タイプの窒化物層を形成し、前記p―タイプの窒化物層上に発光活性層を形成し、前記発光活性層上にn―タイプのZnO層を形成する、
ことを含むことを特徴とする。
ことを含むことを特徴とする。
このとき、前記格子緩衝層は、ZnOパウダーで形成されることが望ましい。
一方、前記格子緩衝層上にバッファ層を形成することは、不活性ガス雰囲気で実施されることが望ましい。また、前記バッファ層上にp―タイプの窒化物層を形成すること及び前記p―タイプの窒化物層上に発光活性層を形成することは、水素ガス雰囲気で実施され、前記水素ガスによって前記ZnOパウダーの一部又は全部がエッチングされることによって前記成長基板とバッファ層との間にエアホールが形成される、ことを特徴とする。
本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子は、成長基板上にZnOパウダーなどのウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーをコーティングした後、その上にGaNなどの窒化物を成長させた構成を有するので、窒化物の成長時に窒化物と成長基板における格子定数の差によって発生する線欠陥が抑制され、結晶性及び輝度の向上した窒化物系発光素子を提供することができる。
また、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子は、成長基板上にp―タイプの窒化物層が先に形成された構成を有するので、p―タイプの窒化物層の結晶品質が向上する。
併せて、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子は、GaNに比べて相対的に低温で成長が可能なn―タイプのZnO層を発光活性層上に成長させた構成を有するので、発光活性層に及ぼされる影響を減少させることができる。
(実施形態)
以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態に係る結晶性及び輝度に優れた窒化物系発光素子及びその製造方法について詳細に説明する。
以下、添付の図面を参照して本発明の好適な実施形態に係る結晶性及び輝度に優れた窒化物系発光素子及びその製造方法について詳細に説明する。
図1は、本発明の実施形態に係る窒化物系発光素子を概略的に示した図である。
図1を参照すると、図示した窒化物系発光素子は、成長基板110、格子緩衝層120、p―タイプの窒化物層130、発光活性層140及びn―タイプのZnO層150を含む。
本発明に適用される成長基板110としては、窒化物系発光素子の製造時に成長基板として広く用いられるサファイア基板を用いることができる。また、本発明に適用される成長基板110としては、単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板などのシリコン基板を用いることができる。
格子緩衝層120は、成長基板110の上部に形成される。格子緩衝層120は、成長対象になる窒化物との格子ミスマッチング(lattice mismatching)を緩和し、窒化物の成長時に発生する線欠陥を減少させる。その結果、成長する窒化物の結晶性を向上させることができる。
例えば、シリコン基板を成長基板として用いる場合、シリコンと窒化物との間の大きな格子定数の差のため、シリコン基板上に窒化物を成長させるときに線欠陥が多く発生する。これは、発光素子の光効率を低下させる要因になる。しかし、シリコン基板上に格子緩衝層を先に形成した後、窒化物を成長させると、格子ミスマッチングが緩和され、窒化物の成長時に発生する線欠陥を減少させることができる。
このような格子緩衝層120は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成することができる。
より望ましくは、ZnOパウダーを用いて格子緩衝層120を形成することができる。
例えば、窒化物系発光素子で広く用いられるGaNは、ウルツ鉱型構造を有し、a=3.189Å、c=5.185Åの格子定数を有する。
ZnOは、GaNと同様にウルツ鉱型構造を有する。また、ZnOは、格子定数がa=3.249Å、c=5.207Åであって、GaNと非常に類似する格子構造を有する。
したがって、ZnOパウダー上にGaNを成長させる場合、GaNの成長時に発生する格子ミスマッチングに起因する線欠陥を、格子マッチングによって低減化することができる。また、パウダー状のZnO上で成長するGaNは、初期は垂直方向に成長し、その後は水平方向に成長する。その結果、平らなGaNの成長が可能である。
このようなZnOパウダーは、スピンコーティング法などによって成長基板110上に付着又は固定される。
前記パウダーを成長基板110上に容易に付着又は固定するために、成長基板110の表面には突部と凹部を有する凹凸が形成されてもよい。凹凸は、特定のパターンで形成されてもよく、非定型の形態で形成されてもよい。成長基板110の表面の凹凸は、エッチングなどの多様な方法で形成することができる。
成長基板110の表面に凹凸が形成されている場合、ZnOパウダーなどは、成長基板110の表面に形成された凹凸の凹部に容易に付着又は固定される。
一方、格子緩衝層120に適用されるZnOパウダーなどは、平均粒径が10nm〜1μmであることが望ましい。パウダーの平均粒径が小さいほど、窒化物の成長時に発生する線欠陥の抑制効果が優れている。パウダーの平均粒径が1μmを超える場合、前記線欠陥の抑制効果が不十分であり、製造される窒化物系発光素子の光効率が低い。ただし、パウダーの平均粒径が10nm未満である場合、パウダー自体の製造費用が非常に嵩み、窒化物系発光素子の製造費用上昇の原因になり得る。
次に、p―タイプの窒化物層130が、格子緩衝層120の上部に形成される。p―タイプの窒化物層130には、p―タイプの電気的特性を確保するためにマグネシウム(Mg)などがドーピングされている。
従来のほとんどの窒化物系発光素子の製造方法では、p―タイプの窒化物層を、発光活性層を形成した後の最後の段階で形成する。このとき、p―タイプの窒化物層形成過程が発光活性層に及ぼす影響を低減化するために、成長温度を低下させた状態でp―タイプの窒化物を形成する。その結果、p―タイプの窒化物の結晶品質が低下し、発光効率が低下する。
本発明では、p―タイプの窒化物層130を、発光活性層140を形成する前に形成することによって、高品質のp―タイプの窒化物層を得る。
発光活性層140は、p―タイプの窒化物層130の上部に形成される。発光活性層140は、MQW(Multiple Quantum Well)構造を有することができる。発光活性層140の例としては、InxGa1−xN(0.1≦x≦0.3)とGaNが交互に積層されている構造、又はInxZn1−xO(0.1≦x≦0.3)とZnOが交互に積層されている構造などを提示することができる。
発光活性層140では、n―タイプのZnO層150を通して流れる電子とp―タイプの窒化物層130を通して流れる正孔とが再結合して、光が発生する。
n―タイプのZnO層150は、発光活性層140の上部に形成され、p―タイプの窒化物層130とは反対のn―タイプの電気的特性を示す。ZnO自体がn―タイプではあるが、不純物を添加して得られるn―タイプの電気的特性に比べて微々たる特性しか示さず、電流パス程度の役割を担うことができるだけである。したがって、n―タイプのZnO層150にはSiなどがドーピングされていてもよい。
ZnOは、上述したように、GaNとほぼ同一のウルツ鉱型格子構造を有する。また、ZnOは略700〜800℃の温度でも成長が可能であるので、ZnOの成長時に下部の発光活性層140に及ぼされる影響が低減化され、結晶品質を向上させることができる。したがって、本発明に適用されるn―タイプのZnO層150は、1200℃程度の高温で成長するn―タイプのGaNに取って代わるものである。
また、窒化物系発光素子にn―タイプのZnO層150を適用すると、n―タイプのGaNを適用した場合に比べて窒化物系発光素子の光輝度が向上する。
前記のように、本発明では、成長基板110上にp―タイプの窒化物層130が先に形成され、発光活性層140上にn―タイプのZnO層150が形成される。
このとき、成長基板110としては、p―タイプのシリコン基板を用いることができる。p―タイプのシリコン基板を用いる場合、発光活性層140の下部の各層がp―タイプに形成される。成長基板110としてp―タイプのシリコン基板を用いる場合、シリコン基板自体をp―電極として活用することができる。したがって、垂直型発光素子の製造時にも基板除去工程を省略することができ、さらに、p―電極形成工程を省略することができる。
したがって、p―タイプのシリコン基板を用いる場合、水平型発光素子のみならず、発光面積が相対的に広いことから高輝度を容易に具現できる垂直型発光素子も容易に製造することができる。
一方、図1を参照すると、格子緩衝層120とp―タイプの窒化物層130との間にバッファ層160をさらに含むことができる。バッファ層160は、成長基板上に異種の物質である窒化物を成長させるときに発生する応力を緩和させる役割を担う。このようなバッファ層160は、AlN、ZrN、GaNなどの窒化物で形成することができる。
バッファ層160は、p―タイプに形成することができる。バッファ層160を形成する窒化物のほとんどは、大きな電気抵抗を有する。しかし、バッファ層160をp―タイプに形成する場合、バッファ層160の電気抵抗が低くなる。したがって、製造される窒化物系発光素子の駆動効率を向上させることができる。
特に、バッファ層160をp―タイプに形成し、成長基板110としてp―タイプのシリコン基板を用いる場合、p―タイプのシリコン基板から発光活性層140まで正孔が障壁なく容易に移動できるので、発光素子の駆動効率をさらに高めることができる。
また、バッファ層160をp―タイプに形成する場合、バッファ層160のマグネシウム(Mg)などの不純物が成長基板110に浸透するようになる。この場合、基板にp―タイプの電気的特性が与えられる。したがって、成長基板110として絶縁特性を有するサファイア基板を用いるとしても、従来の垂直型発光素子の製造時とは異なって、その除去を要しない。
図2は、本発明の実施形態に係る窒化物系発光素子の製造方法を概略的に示した図である。
図2を参照すると、図示した窒化物系発光素子の製造方法は、格子緩衝層形成段階(S210)、バッファ層形成段階(S220)、p―タイプの窒化物層形成段階(S230)、発光活性層形成段階(S240)及びn―タイプのZnO層形成段階(S250)を含む。
格子緩衝層形成段階(S210)では、シリコン基板、サファイア基板などの成長基板110上にウルツ鉱型格子構造を有する物質のパウダーで格子緩衝層120を形成する。
このとき、前記格子緩衝層120は、ZnOパウダーで形成することができる。
前記ZnOパウダーとしては、市販のものを用いることができる。
また、ZnOパウダーとしては、シリコン又はサファイア基板、より望ましくは、成長基板110と同一の材質の基板上にZnOを蒸着する段階と、前記ZnOが蒸着された基板を粉砕してパウダー化する段階とを通して製造されたものを用いることができる。蒸着時には、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法又はスパッタ法などを用いることができる。この場合、ZnOパウダーには純粋なZnO成分のみならず、基板成分も含まれるので、成長基板110に対するZnOパウダーの付着力を向上させることができる。
ZnOパウダーを用いた格子緩衝層120は、次のような方法で形成することができる。
まず、スピンコーターなどを用いて成長基板110にZnOパウダーなどを載せる。その後、CVD(Chemical Vapor Deposition)チャンバなどの装置の内部で成長基板110を窒素ガス雰囲気で約500〜800℃の温度で加熱し、ZnOパウダーを成長基板110に付着させる。加熱温度が800℃を超える場合、ZnOパウダーがエッチングされるので、これより低い温度で加熱することが望ましい。
この場合、成長基板110には、若干のエッチングが行われながら表面に凹凸が形成される。成長基板110の表面に形成された凹凸は、上述したようにパウダーの付着又は固定を容易にする。
また、ZnOパウダーなどを用いた格子緩衝層120は、前記ZnOパウダー含有溶液を用いて成長基板110上にスピンコーティングした後、乾燥する方法で形成することができる。このとき、ZnOパウダー含有溶液としては、アセトン、メタノール、エチレングリコールなどの多様な種類の溶媒を用いることができる。
前記の提示されたZnOパウダーを用いた格子緩衝層形成方法のうちいずれか一つの方法が選択的に適用されてもよく、二つの方法が共に適用されてもよい。例えば、ZnOパウダーを含有する溶液を用いて成長基板110上にスピンコーティングした後で乾燥し、その後、チャンバ内で成長基板110を加熱することができる。
次に、バッファ層形成段階(S220)、p―タイプの窒化物層形成段階(S230)及び発光活性層形成段階(S240)で、格子緩衝層120上に複数の窒化物を順次成長させることによって発光構造体を形成する。
このとき、バッファ層160は、ヘリウム(He)ガス、アルゴン(Ar)ガスなどの不活性ガス雰囲気で形成することが望ましい。これは、バッファ層160を例えば水素ガス雰囲気で形成すると、水素ガスによってZnOパウダーがエッチングされ、バッファ層160が完全に形成されないためである。
一方、p―タイプの窒化物層130及び発光活性層140は、結晶品質の向上のために水素ガス雰囲気で実施されることが望ましい。この場合、水素ガス雰囲気によっても、既にバッファ層が形成されているので、各層の形成時にZnOパウダーのエッチングの影響を受けない。また、この場合、ZnOパウダーが一部又は全部エッチングされ、成長基板とバッファ層との間にはエアホールが形成される。このようなエアホールは、乱反射層の役割をし、窒化物系発光素子の輝度上昇に寄与する。
図3は、窒化物の成長過程でZnOがエッチングされることによってエアホールが形成されることを示す写真である。
図3を参照すると、水素雰囲気で窒化物を成長させる場合、ZnOがエッチングされ、エッチングされた部分がエアホールを形成すると見なすことができる。
n―タイプのZnO層形成段階(S250)では、約700〜800℃の低温で窒素(N2)、ヘリウム(He)、酸素(O2)などの雰囲気下で発光活性層140上にn―タイプのZnOを成長させてn―タイプのZnO層150が形成される。
上述したように、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、窒化物系発光素子は、成長基板110上にp―タイプの窒化物層130を先に形成し、相対的に低温で成長が可能なn―タイプのZnO層150を発光活性層140上に成長させた構成を有する。その結果、p―タイプの窒化物層130の結晶品質を向上させることができ、また、n―タイプのZnOの成長時に発光活性層140に及ぼす影響を低減化することができる。
また、本発明に係る窒化物系発光素子及びその製造方法によれば、ZnOパウダーなどのウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで格子緩衝層120が形成されることによって、窒化物の成長時にシリコンと窒化物との間の格子定数の差によって発生する窒化物系発光素子の線欠陥を低減化することができる。その結果、結晶性及び輝度の向上した窒化物系発光素子を提供することができる。更に、成長後の形状として平らな窒化物を得ることができる。
本発明は、以上の実施形態の記載に限定されるものではなく、当業者の水準で多様な変更や変形が可能である。このような変更と変形は、本発明の範囲を逸脱しない限り、本発明に属するものといえる。したがって、本発明の権利範囲は、以下で記載する特許請求の範囲によって判断しなければならない。
110:成長基板、120:格子緩衝層、130:p―タイプの窒化物層、140:発光活性層、150:n―タイプのZnO層、160:バッファ層
Claims (12)
- 成長基板と、
前記成長基板上に形成される格子緩衝層と、
前記格子緩衝層上に形成されるp―タイプの窒化物層と、
前記p―タイプの窒化物層上に形成される発光活性層と、
前記発光活性層上に形成されるn―タイプのZnO層と、を含み、
前記格子緩衝層は、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーで形成される、
ことを特徴とする窒化物系発光素子。 - 前記格子緩衝層は、ZnOパウダーで形成される、
ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。 - 前記ZnOパウダーは、平均粒径が10nm〜1μmである、
ことを特徴とする、請求項2に記載の窒化物系発光素子。 - 前記成長基板は、シリコン基板又はサファイア基板である、
ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。 - 前記成長基板の表面には凹凸が形成されている、
ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。 - 前記発光素子は、前記格子緩衝層と前記p―タイプの窒化物層との間に、窒化物で形成されるバッファ層をさらに含む、
ことを特徴とする、請求項1に記載の窒化物系発光素子。 - 前記バッファ層は、AlN、ZrN及びGaNから選択される1種以上の窒化物で形成される、
ことを特徴とする、請求項6に記載の窒化物系発光素子。 - 前記バッファ層は、p―タイプの窒化物で形成される、
ことを特徴とする、請求項6に記載の窒化物系発光素子。 - 成長基板上に、ウルツ鉱型構造を有する物質のパウダーを用いて格子緩衝層を形成し、
前記格子緩衝層上にバッファ層を形成し、
前記バッファ層上にp―タイプの窒化物層を形成し、
前記p―タイプの窒化物層上に発光活性層を形成し、
前記発光活性層上にn―タイプのZnO層を形成すること、
を含むことを特徴とする窒化物系発光素子の製造方法。 - 前記格子緩衝層は、ZnOパウダーで形成される、
ことを特徴とする、請求項9に記載の窒化物系発光素子の製造方法。 - 前記ZnOパウダーとしては、シリコン又はサファイア基板上にZnOを蒸着し、前記ZnOが蒸着された基板を粉砕してパウダー化することを通して製造されたものが用いられる、
ことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。 - 前記格子緩衝層上にバッファ層を形成することは、不活性ガス雰囲気で実施され、
前記バッファ層上にp―タイプの窒化物層を形成すること及び前記p―タイプの窒化物層上に発光活性層を形成することは、水素ガス雰囲気で実施され、
前記水素ガスによって前記ZnOパウダーの一部又は全部がエッチングされることによって前記成長基板と前記バッファ層との間にエアホールが形成される、
ことを特徴とする、請求項10に記載の窒化物系発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0018227 | 2011-02-28 | ||
KR1020110018227A KR101042561B1 (ko) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | 결정성 및 휘도가 우수한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012182417A true JP2012182417A (ja) | 2012-09-20 |
Family
ID=44405766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011137868A Withdrawn JP2012182417A (ja) | 2011-02-28 | 2011-06-21 | 窒化物系発光素子及びその製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120217536A1 (ja) |
EP (1) | EP2492973A2 (ja) |
JP (1) | JP2012182417A (ja) |
KR (1) | KR101042561B1 (ja) |
CN (1) | CN102651434A (ja) |
TW (1) | TW201236202A (ja) |
WO (1) | WO2012118249A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101263133B1 (ko) | 2012-02-28 | 2013-05-15 | 고려대학교 산학협력단 | 발광다이오드 및 이의 제조방법 |
TWI617047B (zh) * | 2017-06-30 | 2018-03-01 | 膠囊化基板、製造方法及具該基板的高能隙元件 | |
CN117174802B (zh) * | 2023-11-02 | 2024-02-20 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管的外延结构及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3882539B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
JP3498140B2 (ja) | 2001-01-25 | 2004-02-16 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 半導体発光素子 |
KR20040005271A (ko) * | 2002-07-09 | 2004-01-16 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화갈륨 결정기판 및 그 제조방법 |
KR100932500B1 (ko) * | 2004-09-10 | 2009-12-17 | 갤럭시아포토닉스 주식회사 | 광 추출 효율이 향상된 질화갈륨 소자 및 그 제작방법 |
KR101171324B1 (ko) * | 2005-04-12 | 2012-08-10 | 서울옵토디바이스주식회사 | 질화물 반도체 발광소자용 버퍼층을 형성하는 방법 및그것에 의해 형성된 버퍼층 |
US20070069225A1 (en) * | 2005-09-27 | 2007-03-29 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-V light emitting device |
KR101203140B1 (ko) * | 2006-05-12 | 2012-11-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 산화아연계 발광 소자의 제조 방법 및 그에 의해 제조된산화아연계 발광 소자 |
KR100966367B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2010-06-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 |
-
2011
- 2011-02-28 KR KR1020110018227A patent/KR101042561B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2011-05-25 EP EP11167411A patent/EP2492973A2/en not_active Withdrawn
- 2011-05-27 CN CN2011101403203A patent/CN102651434A/zh active Pending
- 2011-05-27 TW TW100118765A patent/TW201236202A/zh unknown
- 2011-06-03 WO PCT/KR2011/004059 patent/WO2012118249A1/ko active Application Filing
- 2011-06-21 JP JP2011137868A patent/JP2012182417A/ja not_active Withdrawn
- 2011-07-24 US US13/189,555 patent/US20120217536A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120217536A1 (en) | 2012-08-30 |
EP2492973A2 (en) | 2012-08-29 |
WO2012118249A1 (ko) | 2012-09-07 |
CN102651434A (zh) | 2012-08-29 |
TW201236202A (en) | 2012-09-01 |
KR101042561B1 (ko) | 2011-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07202265A (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法 | |
JP2011517851A (ja) | 両側パッシベーションを有する半導体発光デバイス | |
WO2014073139A1 (ja) | 紫外半導体発光素子およびその製造方法 | |
CN109786530B (zh) | 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法 | |
JP2012182421A (ja) | パターン化された格子緩衝層を用いた窒化物系発光素子及びその製造方法 | |
KR101042562B1 (ko) | Wurtzite 파우더를 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법 | |
JP2012182417A (ja) | 窒化物系発光素子及びその製造方法 | |
KR100531073B1 (ko) | 나노 바늘을 가지는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
JP2009516377A (ja) | シリコン基板上に高品質の半導体発光デバイスを製造するための方法 | |
JP2005072310A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法 | |
JP2001077413A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
US20110303931A1 (en) | Semiconductor light emitting diode and method for fabricating the same | |
US20120217504A1 (en) | Nitride based light emitting device using silicon substrate and method of manufacturing the same | |
JP2011187862A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2001102633A (ja) | 窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法 | |
CN113764556A (zh) | 一种氮化镓基发光二极管外延片的复合n型阻挡层、一种氮化镓基发光二极管外延片 | |
JP2012182419A (ja) | GaNパウダー製造方法及びその方法で製造されたGaNパウダーを用いた窒化物系発光素子 | |
KR101053115B1 (ko) | 결정성 및 휘도가 우수한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법 | |
JP2011035156A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP2008227103A (ja) | GaN系半導体発光素子 | |
TW201225331A (en) | Quasi-optical crystal structure and manufacturing method thereof | |
JP2013089617A (ja) | 結晶積層構造体及びその製造方法、並びに半導体素子 | |
KR20120138050A (ko) | 초격자 버퍼층을 이용한 질화물계 발광소자 및 그 제조 방법 | |
KR20130110748A (ko) | 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR100668966B1 (ko) | 발광 소자의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140902 |