JP2008222741A - 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記の(A)〜(D)成分を含有し、かつ上記(D)成分の含有割合が、エポキシ樹脂組成物全体の0.1〜2.5重量%の範囲に設定されている光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。(A)複素環式エポキシ樹脂および特定の脂環式エポキシ樹脂の少なくとも一方。(B)硬化剤。(C)シランカップリング剤。(D)ポリエチレン構造単位およびポリエチレンオキシド構造単位を有する分子構造を備えた離型剤であって、下記構造式(3)で表される構造単位の占める割合が、離型剤を構成する分子構造全体の25〜95重量%に設定されてなる離型剤。
【選択図】なし
Description
(C)シランカップリング剤。
(D)下記の構造式(2)で表される構造単位および構造式(3)で表される構造単位を有する分子構造を備えた離型剤であって、上記構造式(3)で表される構造単位の占める割合が、離型剤を構成する分子構造全体の25〜95重量%に設定されてなる離型剤。
トリグリシジルイソシアヌレート(エポキシ当量100)
ヘキサヒドロ無水フタル酸
テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート
エチレングリコール
γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン
下記の表1〜表2に示す各成分を同表に示す割合で配合し、ミキシングロールで溶融混練(80〜130℃)を行い、熟成した後、室温で冷却して粉砕することにより目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を作製した。
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、トランスファー成形(成形条件:150℃×4分間)し、さらに、150℃×3時間の条件でアフターキュアすることにより、光透過率測定用の試料(厚み1mmの硬化物)を作製した。この試料を、石英セル中の流動パラフィンに浸漬し、試料表面の光散乱を抑制した状態で、室温(25℃)にて波長400nmにおける光透過率を分光光度計(島津製作所社製、UV3101)を用いて測定した。
上記各エポキシ樹脂組成物を用い、トランスファー成形(成形条件:150℃×4分間)し、さらに、150℃×3時間の条件でアフターキュアすることにより、図1に示すように、リードフレームと同じ材質の金属フレーム板(材質:42アロイ合金素体の表面全面に厚み0.2μmの銀メッキ層を形成したもの)1の左端表面に、円錐台形状の樹脂硬化体2が設けられた接着力測定サンプルを成形した(接着部の面積は0.25cm2 )。
上記各エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子(SiNフォトダイオード:1.8mm×2.3mm×厚み0.25mm)をトランスファー成形(150℃×4分間成形、150℃×3時間後硬化)でモールドすることにより表面実装型光半導体装置を得た。この表面実装型光半導体装置は、図2に示すように、8ピンのスモールアウトラインパッケージ(SOP−8:4.9mm×3.9mm×厚み1.5mm)3で、リードフレーム4として、42アロイ合金素体の表面全面に銀メッキ層(厚み0.5μm)を形成したものを用いた。
また、上記光半導体装置20個について、レッドインク試験を行い、そのインクの浸入したパッケージ数をカウントした。すなわち、上記レッドインク試験方法は、光半導体装置をレッドインク液に浸漬し、5分間、真空引きした後、光半導体装置を洗浄し、顕微鏡にてレッドインクが浸入したパッケージ数をカウントした。
Claims (3)
- 下記の(A)〜(D)成分を含有してなる光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(D)成分の含有割合が、エポキシ樹脂組成物全体の0.1〜2.5重量%の範囲に設定されていることを特徴とする光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。
(A)複素環式エポキシ樹脂および下記一般式(1)で表される脂環式エポキシ樹脂の少なくとも一方。
(C)シランカップリング剤。
(D)下記の構造式(2)で表される構造単位および構造式(3)で表される構造単位を有する分子構造を備えた離型剤であって、上記構造式(3)で表される構造単位の占める割合が、離型剤を構成する分子構造全体の25〜95重量%に設定されてなる離型剤。
- 請求項1または2記載の光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を樹脂封止してなる光半導体装置。
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