JP2008218781A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】搬送される基板の先端部及び後端部で発生する振動の発生を抑制し、高精度の処理を施す基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板搬送方向に沿って順に配置された第１の小ステージ４１と第２の小ステージ４２と第３の小ステージ４３とにより構成され、基板Ｇの下方に所定のガス流を形成して該基板を浮上させるステージ３５と、ステージ３５上に浮上した基板Ｇを保持し、該基板Ｇを一方向に搬送する基板搬送手段３６と、第２の小ステージ４２の上方に設けられ、浮上搬送される基板Ｇに対し所定の動作を実施する処理具３７とを備え、第２の小ステージ４２は、第１の小ステージ４１と第３の小ステージ４３との間を搬送路に沿って移動可能に設けられ、処理具３７による基板Ｇに対する動作開始後または動作終了前の所定期間において、第２の小ステージ４２は、第１の小ステージ４１から第３の小ステージ４３に向けて、基板Ｇの搬送速度に同期して移動する。
【選択図】図３

Description

本発明は、被処理基板を仰向けの状態で水平方向に搬送しながら所定の処理を行う基板処理装置に関する。

例えばＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）の製造においては、被処理基板であるＬＣＤ基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ工程により回路パターンを形成する。

ここで、ＬＣＤ基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ＬＣＤ基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を供給するレジストノズルと、載置台とレジストノズルとを水平方向で相対的に移動させる移動機構とを有する装置が知られている。

しかしながら、前記構成にあっては、基板を真空吸着すると、載置台に設けられた吸気孔がガラス基板の表面に転写され易く、また、基板の裏面に多くのパーティクルが付着するという課題があった。さらに、レジストノズルまたは載置台の一方を移動する機構が必要となるため、装置が大型で複雑な構造となり、コストが高くなるという問題があった。

このような課題を解決するため、特許文献１には、ガラス基板を載置台に吸着保持することなく略水平姿勢で搬送しながら、このガラス基板の表面にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置について開示されている。

この特許文献１に開示の塗布処理装置２００は、図６に示すようにＬＣＤ基板Ｇを浮上搬送するためのステージ２０１と、ステージ２０１上でＬＣＤ基板ＧをＸ方向に搬送する基板搬送機構２０２と、ステージ２０１上で浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル２０３と、レジストノズル２０３を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット２０４とを備えている。

尚、ステージ２０１の上面には、上方（Ｚ方向）に向かって所定のガスを噴射するための多数のガス噴射口２０１ａと、吸気を行うための多数の吸気口２０１ｂとが夫々、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で直線上に並ぶように交互に設けられている。そして、ガス噴射口２０１ａから噴射されるガス噴射量と吸気口２０１ｂからの吸気量との圧力負荷を一定とすることによって、ＬＣＤ基板Ｇをステージ２０１の表面から一定の高さに浮上させるようになされている。
特開２００６−２３７０９７号公報

しかしながら、特許文献１に開示される従来の装置にあっては、移動中の基板Ｇに対しレジスト液を塗布する構成であるため、搬送方向における基板先端部及び基板後端部に塗布むらが生じていた。
即ち、基板Ｇ上にレジスト液を塗布する際には、図７（ａ）に示すように、ステージ２０１の上方に浮上した状態で搬送される。そして、ノズル２０３から吐出されるレジスト液の基板Ｇへの塗布は、図７（ｂ）に示すように、基板先端Ｇ１がノズル２０３直下に到達したときから開始される。

ところが塗布開始の際、基板先端Ｇ１は、その下面にガス噴射口２０１ａからのガス噴射、または、吸気口２０１ｂによる吸引動作がなされた直後であるため、上下方向に微小な振動が生じていた。このため、振動している基板先端Ｇ１上にレジスト液が塗布されることとなり、塗布むらが生じるという課題があった。
また、このような現象は、基板後端部においても同様に生じていた。

本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、被処理基板を仰向けの状態で浮上させ、水平方向に搬送しながら所定の処理を施す基板処理装置において、搬送される基板の先端部及び後端部で発生する振動の発生を抑制することにより、高精度の処理を施すことのできる基板処理装置を提供することを目的とする。

前記した課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、被処理基板を搬送しながら該基板に所定の処理を施す基板処理装置において、基板搬送方向に沿って順に配置された第１の小ステージと第２の小ステージと第３の小ステージとにより構成され、前記基板の下方に所定のガス流を形成して該基板を浮上させるステージと、前記ステージ上に浮上した前記基板を保持し、該基板を一方向に搬送する基板搬送手段と、前記第２の小ステージの上方に設けられ、浮上搬送される前記基板に対し所定の動作を実施する処理具とを備え、前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージと前記第３の小ステージとの間を搬送路に沿って移動可能に設けられ、前記処理具による前記基板に対する動作開始後または動作終了前の所定期間において、前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージから前記第３の小ステージに向けて、前記基板の搬送速度に同期して移動することに特徴を有する。

このように構成することにより、前記所定期間においては、被処理基板の先端部或いは後端部と、第２の小ステージとの位置関係は変化せず、ガス噴射口からのガス噴射位置、或いは吸気口の吸気位置が変化することがない。
したがって、基板先端部或いは後端部が振動することなく、処理部による処理が進行し、高精度の処理を実施することができる。

また、前記ステージを構成する各小ステージ間の高さ位置は等しくなされ、前記第１の小ステージと前記第３の小ステージとの間に形成され、前記第２の小ステージが配置される領域は、その基板搬送方向の長さ寸法が、前記第２の小ステージの基板搬送方向の長さ寸法よりも長く形成されていることが望ましい。
このように構成することにより、第２の小ステージを前記第１のステージと第３のステージとの間で移動させることができる。また、各小ステージ間の高さ位置を等しくすることにより、基板に対するガス流の形成制御を容易にし、安定した基板搬送を行うことができる。

また、前記ステージを構成する各小ステージの表面には、複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口とが形成され、前記ガス噴射口と前記吸気口により前記基板の下方に所定のガス流が形成され、前記基板が浮上することが望ましい。
このように構成することにより、ステージ上に所定のガス流を形成することができ、基板を浮上させることができる。

また、前記処理具の動作開始後の所定期間に、前記第２の小ステージが前記第１の小ステージから前記第３の小ステージに向けて移動した後、前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージ側に移動して戻ることが望ましい。
このように構成することにより、前記処理具による前記基板に対する動作終了前の所定期間において、前記第２の小ステージを、前記第１の小ステージから前記第３の小ステージに向けて、前記基板の搬送速度に同期して移動させることができる。

また、前記処理具は、前記被処理基板の被処理面にレジスト液と吐出するレジストノズルを適用することができ、或いは、前記被処理基板の被処理面を撮像するカメラを適用することができる。
このように前記処理具がレジストノズルであれば、被処理基板に対し塗布むらの発生することの無い塗布処理を行うことができ、前記処理具がカメラであれば、被処理基板に対し高精度の検査を行うことができる。

本発明によれば、被処理基板を仰向けの状態で浮上させ、水平方向に搬送しながら所定の処理を施す基板処理装置において、搬送される基板の先端部及び後端部で発生する振動の発生を抑制することにより、高精度の処理を施すことのできる基板処理装置を得ることができる。

以下、本発明にかかる実施の形態につき、図に基づいて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。図２は、この塗布現像処理システム１における１枚の被処理基板に対する処理の手順を示すフローである。
最初に、この塗布現像処理システム１について、図１の平面図を用い、図２のフローに沿って簡単に説明する。尚、塗布現像処理システム１は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板（以下、ＬＣＤ基板Ｇ又は単に基板Ｇと呼ぶ）とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィ工程を行うものとする。

先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）２において、搬送機構３が搬送アーム３ａを用い、ステージ４上のいずれか１つのカセットＣからＬＣＤ基板Ｇを一枚取り出し、その取り出した基板Ｇをプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）５のプロセスラインＡ側の搬入部である平流し搬送路６の始点に仰向けの姿勢（基板の被処理面を上にして）で搬入する（図２のステップＳ１）。
こうして、ＬＣＤ基板Ｇは、平流し搬送路６上を仰向けの姿勢でプロセスラインＡの下流側へ向けて搬送される。初段の洗浄プロセス部７において、基板Ｇは、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）８およびスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）９により紫外線洗浄処理およびスクラビング洗浄処理を順次施される（ステップＳ２、Ｓ３）。

スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）９では、平流し搬送路６上を移動するＬＣＤ基板Ｇに対して、ブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより基板表面から粒子状の汚れを除去し、その後にリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）９における一連の洗浄処理を終えると、基板Ｇはそのまま平流し搬送路６を下って第１の熱的処理部１０を通過する。

第１の熱的処理部１０において、ＬＣＤ基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）１１に搬入されると先ず加熱により脱水ベーク処理を受け、水分を取り除かれる。
アドヒージョンユニット１１において脱水ベーク処理がなされた基板Ｇは、蒸気状のＨＭＤＳを用いるアドヒージョン処理を施され、被処理面を疎水化される（ステップＳ４）。このアドヒージョン処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）１２で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ５）。この後、ＬＣＤ基板Ｇは平流し搬送路６上を搬送され、塗布プロセス部１３に渡される。

塗布プロセス部１３において、ＬＣＤ基板Ｇは平流し搬送路６上を搬送されながら、最初にレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４において例えばスリットノズルを用いた基板上面（被処理面）へのレジスト液の塗布がなされ、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５で減圧による乾燥処理を受ける（ステップＳ６）。
尚、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４において、本発明の基板処理装置を好適に用いることができるため、その構成及び作用効果については詳細に後述する。

この後、ＬＣＤ基板Ｇは平流し搬送路６上を搬送され、第２の熱的処理部１６を通過する。第２の熱的処理部１６において、基板Ｇは、最初にプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７でレジスト塗布後の熱処理または露光前の熱処理としてプリベーキングを受ける（ステップＳ７）。このプリベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜中に残留していた溶剤が蒸発除去し、ＬＣＤ基板Ｇに対するレジスト膜の密着性も強化される。

次に、ＬＣＤ基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）１８で所定の基板温度まで冷却される（ステップＳ８）。しかる後、基板Ｇは、平流し搬送路６の終点（搬出部）からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９の搬送装置２０に引き取られる。

インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）２１から周辺装置２２の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置２３へ送られる（ステップＳ９）。
露光装置２３では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置２３からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９に戻されると、先ず周辺装置２２のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ１０）。

しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）２１に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１９における基板Ｇの搬送および露光装置２３との基板Ｇのやりとりは搬送装置２０、２４によって行われる。最後に、基板Ｇは、搬送装置２４よりプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）５のプロセスラインＢ側に敷設されている平流し搬送路２５の始点（搬入部）に搬入される。
こうして、ＬＣＤ基板Ｇは、今度は平流し搬送路２５上を仰向けの姿勢でプロセスラインＢの下流側に向けて搬送される。
プロセスラインＢでは、最初の現像ユニット（ＤＥＶ）２６において、基板Ｇは、平流しで搬送される間に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理を施される（ステップＳ１１）。

現像ユニット（ＤＥＶ）２６で一連の現像処理を終えたＬＣＤ基板Ｇは、そのまま平流し搬送路２５に載せられたまま下流側隣のｉ線照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２７を通り、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ１２）。その後も、基板Ｇは平流し搬送路２５に載せられたまま第３の熱的処理部２８および検査ユニット（ＡＰ）２９を順次通過する。

第３の熱的処理部２８において、ＬＣＤ基板Ｇは、最初にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）３０で現像処理後の熱処理としてポストベーキングを受ける（ステップＳ１３）。このポストベーキングによって、基板Ｇ上のレジスト膜に残留していた現像液や洗浄液が蒸発除去し、基板に対するレジストパターンの密着性も強化される。
次に、ＬＣＤ基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）３１で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ１４）。検査ユニット（ＡＰ）２９では、基板Ｇ上のレジストパターンについて非接触の線幅検査や膜質・膜厚検査等が行われる（ステップＳ１５）。

そしてカセットステーション（Ｃ／Ｓ）２側では、搬送機構３が搬送アーム３ａを用い、平流し搬送路２５の終点（搬出部）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つ（通常は元）のカセットＣに収容する（ステップＳ１に戻る）。
尚、前記のように処理が行われる塗布現像処理システム１においては、両プロセスラインＡ，Ｂの間に補助搬送空間３２が設けられており、必要に応じて各処理ユニットに対し基板Ｇを直接、搬入出できるよう、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル３３が図示しない駆動機構によってプロセスライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。

この塗布現像処理システム１においては、前記したように、塗布プロセス部１３に設けられたレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４に本発明に係る基板処理装置を適用することができる。
以下、図３に基づき、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４の構成及び動作について説明する。図３は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４を有する塗布プロセス部１３の概略構成を示す平面図である。

図３の概略平面図に示すように、塗布プロセス部１３は、ＬＣＤ基板Ｇの上面（被処理面）にレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４と、減圧することでレジストを乾燥させる減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５とで構成される。
レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４は、ＬＣＤ基板Ｇを浮上搬送するためのステージ３５と、ステージ３５上方で浮上した基板Ｇを保持してＸ方向に搬送する基板搬送機構３６（基板搬送手段）とを備え、このユニットでは、これらにより平流し搬送部６が構成される。
尚、前段の処理部である第１の熱的処理部１０において平流し搬送路６を搬送されてきた基板Ｇは、第１基板搬送アーム３９ａによってレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４へ引渡されるようになされている。

また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４は、ステージ３５上で浮上搬送される基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル３７（処理具）と、レジストノズル３７を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット３８とを備えている。

レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４は、基板Ｇの搬送方向の上流から下流に向けて、導入ステージ部４０ａ、塗布ステージ部４０ｂ、搬出ステージ部４０ｃに分けられる。
導入ステージ部４０ａは、第１の熱的処理部１０から塗布ステージ部４０ｂへ基板Ｇを搬送するためのエリアである。塗布ステージ部４０ｂには、レジストノズル３７が配置されており、ここで基板Ｇにレジスト液が供給されて塗布膜が形成される。搬出ステージ４０ｃは、塗布膜が形成された基板Ｇを減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５へ搬出するためのエリアである。

ステージ３５は、Ｘ方向に並べられた３台の小ステージ４１（第１の小ステージ）、小ステージ４２（第２の小ステージ）、小ステージ４３（第３の小ステージ）からなり、夫々導入ステージ部４０ａ、塗布ステージ部４０ｂ、搬出ステージ部４０ｃに配置された構成となっている。
各小ステージ４１、４２、４３は、所定のガス（例えば、空気や窒素ガス）を上方（Ｚ方向）に向かって噴射するための多数のガス噴射口４５ａと、吸気を行うための多数の吸気口４５ｂとが夫々、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で直線上に並ぶように交互に設けられた構造を有している。そして、ガス噴射口４５ａから噴射されるガス噴射量と吸気口４５ｂからの吸気量とをバランスさせる（つまり、圧力負荷を一定とする）ことによって所定のガス流を形成し、基板Ｇを小ステージ４１、４２、４３の表面から一定の高さに浮上させる。こうして浮上した基板ＧのＹ方向端を基板搬送機構３６で保持してＸ方向へ移動させることにより基板Ｇを搬送させるようになされている。

また、導入ステージ部４０ａに設けられた小ステージ４１には、第１基板搬送アーム３９ａによって導入ステージ部４０ａへ搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇを支持し、小ステージ４１上に降下させるためのリフトピン４６ａが設けられている。
また、搬出ステージ部４０ｃに設けられた小ステージ４３には、搬出ステージ部４０ｃへ搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇを持ち上げて、第２基板搬送アーム３９ｂに受け渡すためのリフトピン４６ｂが設けられている。

また、塗布ステージ４０ｂに設けられた小ステージ４２は、基板Ｇへの塗布処理時において塗布位置が固定されたレジストノズル３７に対し、搬送路（Ｘ軸）に沿ってガイドレール５７上を前後に移動可能に構成されている。即ち、小ステージ４２が設けられる塗布ステージ４０ｂの領域は、その基板搬送方向の長さ寸法が、小ステージ４２の基板搬送方向の長さ寸法よりも長く形成されている。
尚、この小ステージ４２の移動に係る動作制御については後述する。

また、基板搬送機構３６は、ステージ３５のＹ方向側面にＸ方向に延在するように配置された直線ガイド４７ａ・４７ｂと、直線ガイド４７ａ・４７ｂと嵌合したスライダ４８と、スライダ４８をＸ方向で往復移動させるための、ベルト駆動機構やエアースライダ等のＸ軸駆動機構（図示せず）と、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端の一部を保持するためにスライダ４８に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えている。例えば、この吸着パッドは、ＬＣＤ基板Ｇにおいてレジスト液が塗布されない部分の裏面側のＹ方向端近傍でＬＣＤ基板Ｇを保持する。

レジストノズル３７は、一方向に長い長尺状の形状を有し、Ｙ方向に長い略帯状にレジスト液を吐出する。ノズル移動機構４９は、このレジストノズル３７をその長手方向をＹ方向に一致させた状態で保持し、レジストノズル３７をＺ方向に昇降させる昇降機構５０と、昇降機構５０を保持する支柱部材５１と、支柱部材５１をＸ方向で移動させるためのボールネジ等の水平駆動機構５２とを備えている。このようなノズル移動機構４９によって、レジストノズル３７は、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を供給する位置とノズル洗浄ユニット３８において洗浄処理等される各位置との間で移動することができるようになっている。

ノズル洗浄ユニット３８は、支柱部材５３に取り付けられて、小ステージ４１の上方に配置されている。ノズル洗浄ユニット３８は、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液供給前に予備的にレジストノズル３７からレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーディスペンスを行うためのダミーディスペンス部５４と、レジストノズル３７のレジスト吐出口が乾燥しないようにレジスト吐出口を溶剤（例えば、シンナー）の蒸気雰囲気で保持するためのノズルバス５５と、レジストノズル３７のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構５６と、を備えている。

また、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５は、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台６０と、載置台６０及び載置台６０に載置されたＬＣＤ基板Ｇを収容するチャンバ６１とを備えている。また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４から減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５を通って後段のユニットへＬＣＤ基板Ｇを搬送するために、第２基板搬送アーム３９ｂはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４と後段のユニットとの間を往復自在になされている。

このように構成された塗布プロセス部１３においては、次のように処理が施される。
先ず、スライダ４８を導入ステージ部４０ａの所定位置に待機させ、ステージ３５では各部において所定の高さにＬＣＤ基板Ｇを浮上させることができる状態となされる。
次いで、前段の処理部である第１の熱的処理部１０からＬＣＤ基板Ｇを第１基板搬送アーム３９ａに保持させて、導入ステージ部４０ａに搬入する。そして、リフトピン４６ａを上昇させてＬＣＤ基板Ｇを第１基板搬送アーム３９ａからリフトピン４６ａに受け渡した後、リフトピン４６ａを降下させ、スライダ４８に受け渡す。
これにより、ＬＣＤ基板Ｇは小ステージ４１上において略水平姿勢で浮上保持される。

そして、スライダ４８を搬出ステージ部４０ｃ側に向けて所定の速度でスライドさせると、塗布ステージ部４０ｂにおいて、小ステージ４２上を浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇがレジストノズル３７の下を通過する際に、レジストノズル３７からレジスト液がＬＣＤ基板Ｇの表面に供給され、塗布膜が形成される。

より具体的には、レジストノズル３７から吐出されるレジスト液によって塗布膜形成される際、小ステージ４２は、図４、図５に示すような移動制御が行われる。
図４、図５は、レジスト液の塗布時における基板Ｇと小ステージ４２との位置関係を示す側面図である。尚、図示するように、ガイドレール５７上に、このレール５７をスライド移動するスライド部材５８が設けられ、スライド部材５８上に小ステージ４２が設置されている。

図４（ａ）に示すように、塗布前の待機時においては、小ステージ４２は上流側の小ステージ４１に接した状態となされる。
そして、搬送されてきた基板Ｇの先端Ｇ１が小ステージ４１から小ステージ４２上に移動し、図４（ｂ）に示すように先端Ｇ１がレジストノズル３７の直下に到達すると、レジストノズル３７からレジスト液の吐出が開始される。
尚、レジストノズル３７からのレジスト液の吐出開始／吐出終了のタイミングは、ＬＣＤ基板Ｇの位置を検出するセンサ（図示せず）が設けられ、このセンサからの信号に基づいて制御されている。

次いで、小ステージ４２は、搬送される基板Ｇの先端Ｇ１がレジストノズル３７直下に到達すると、図４（ｃ）に示すように基板Ｇの搬送速度に同期して、待機状態から下流の小ステージ４３側に移動する。この移動は、レジストノズル３７のレジスト吐出開始後（動作開始後）、所定期間の間（例えば、小ステージ４２が小ステージ４３に接するまでの間）行われる。
これにより、図４（ｂ）に示す基板Ｇの先端Ｇ１と小ステージ４２との位置関係は、図４（ｃ）に示すそれらの位置関係と同じとなり、基板Ｇの先端Ｇ１に対するガス噴射口４５ａからのガス噴射、或いは吸気口４５ｂからの吸気の位置は変化しない。したがって、基板先端Ｇ１が振動することなく、レジストノズル３７による塗布処理が進行する。

そして、ノズル３７の位置が基板先端Ｇ１から離れ、図４（ｄ）に示すように小ステージ４２が下流側の小ステージ４３に接するまで移動すると、小ステージ４２は、図４（ｅ）に示すように上流側の小ステージ４１に向けて折り返し移動し、図４（ｆ）に示すように小ステージ４１に接した状態、即ち待機状態で停止する。

次いで、図５（ａ）に示すように、レジストノズル３７の位置が基板Ｇの後端Ｇ２から所定距離にまで近づくと、図５（ｂ）に示すように基板Ｇの搬送速度に同期して、小ステージ４２が待機状態から下流側の小ステージ４３側に移動する。この移動は、レジストノズル３７のレジスト吐出終了前（動作終了前）の所定期間（例えば、小ステージ４２が小ステージ４１に接するまでの間）行われる。
これにより、図５（ａ）に示す基板Ｇの後端Ｇ２と小ステージ４２との位置関係は、図５（ｂ）に示すそれらの位置関係と同じとなり、基板Ｇの後端Ｇ２に対するガス噴射口４５ａからのガス噴射、或いは吸気口４５ｂからの吸気の位置は変化しない。したがって、基板後端Ｇ２が振動することなく、レジストノズル３７による塗布処理が行われる。

基板後端Ｇ２までの塗布処理が終了すると、図５（ｃ）に示すように小ステージ４２は下流側の小ステージ４３に接した状態から、図５（ｄ）に示すように上流側の小ステージ４１に接した状態、即ち、次の塗布処理のための待機状態となるようガイドレール５７に沿って移動する。

このようにして塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇは搬出ステージ部４０ｃに搬送され、そこでスライダ４８による保持を解除し、リフトピン４６ｂを上昇させる。次いで、第２基板搬送アーム３９ｂをリフトピン４６ｂによって持ち上げられたＬＣＤ基板Ｇにアクセスさせ、第２基板搬送アーム３９ｂがＬＣＤ基板ＧのＹ方向端でＬＣＤ基板Ｇを把持したら、リフトピン４６ｂを降下させる。
そして、第２基板搬送アーム３９ｂによりＬＣＤ基板Ｇが減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５の載置台６０に載置されると、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）１５においてチャンバ６１内が密閉され、その内部が減圧されて塗布膜が減圧乾燥される。

以上のように、本発明に係る実施の形態によれば、搬送される基板Ｇに対するレジストノズル３７からの塗布処理の開始後の所定期間において、小ステージ４２は、基板Ｇの搬送速度に同期して、小ステージ４１側から小ステージ４３側に移動する。或いは、搬送される基板Ｇ１に対するレジストノズル３７からの塗布処理の終了前の所定期間において、小ステージ４２は、基板Ｇの搬送速度に同期して小ステージ４１側から小ステージ４３側に移動する。
これにより、基板Ｇの先端部Ｇ１及び後端部Ｇ２が塗布処理される前記所定期間においては、基板Ｇの先端Ｇ１或いは後端Ｇ２と、小ステージ４２との位置関係は変化せず、ガス噴射口４５ａからのガス噴射位置、或いは吸気口４５ｂの吸気位置が変化することがない。
したがって、基板先端Ｇ１或いは後端Ｇ２が振動することなく、レジストノズル３７による塗布処理が進行し、塗布むらの無い塗布処理を実施することができる。

尚、本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
また、本発明に係る基板処理装置の適用は、前記した実施の形態のようにレジスト塗布ユニット（ＣＴ）１４への適用に限定されるものではない。例えば、実施の形態における図３乃至図５に示したレジストノズル３７に替えて検査用ＣＣＤカメラ等を処理具として設けた基板検査装置に適用してもよい。この場合、搬送される被処理基板の先端及び後端が振動することがないため、高精度の検査を実施することができる。

本発明は、ＬＣＤ基板等の被処理基板に対し所定の処理を実施する基板処理装置に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。

図１は、本発明に係る基板処理装置を具備する塗布現像処理システムの平面図である。 図２は、図１の塗布現像処理システムの基板処理の流れを示すフローである。 図３は、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）を有する塗布プロセス部の概略構成を示す平面図である。 図４は、レジスト液の塗布時における基板と小ステージとの位置関係を示す側面図である。 図５は、レジスト液の塗布時における基板と小ステージとの位置関係を示す側面図である。 図６は、基板浮上により基板搬送する従来の塗布処理装置の平面図である。 図７は、図６の塗布処理装置における塗布処理開始時の状態を説明するための側面図である。

符号の説明

１ 塗布現像処理システム
１３ 塗布プロセス部
１４ レジスト塗布ユニット（基板処理装置）
１５ 減圧乾燥ユニット
３５ ステージ
３６ 基板搬送機構（基板搬送手段）
３７ レジストノズル（処理部）
３８ ノズル洗浄ユニット
４０ａ 導入ステージ部
４０ｂ 塗布ステージ部
４０ｃ 搬出ステージ部
４１ 小ステージ（第１の小ステージ）
４２ 小ステージ（第２の小ステージ）
４３ 小ステージ（第３の小ステージ）
４５ａ ガス噴射口
４５ｂ 吸気口
Ｇ ＬＣＤ基板（被処理基板）

Claims (6)

1. 被処理基板を搬送しながら該基板に所定の処理を施す基板処理装置において、
   基板搬送方向に沿って順に配置された第１の小ステージと第２の小ステージと第３の小ステージとにより構成され、前記基板の下方に所定のガス流を形成して該基板を浮上させるステージと、前記ステージ上に浮上した前記基板を保持し、該基板を一方向に搬送する基板搬送手段と、前記第２の小ステージの上方に設けられ、浮上搬送される前記基板に対し所定の動作を実施する処理具とを備え、
   前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージと前記第３の小ステージとの間を搬送路に沿って移動可能に設けられ、前記処理具による前記基板に対する動作開始後または動作終了前の所定期間において、前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージから前記第３の小ステージに向けて、前記基板の搬送速度に同期して移動することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記ステージを構成する各小ステージ間の高さ位置は等しくなされ、
   前記第１の小ステージと前記第３の小ステージとの間に形成され、前記第２の小ステージが配置される領域は、その基板搬送方向の長さ寸法が、前記第２の小ステージの基板搬送方向の長さ寸法よりも長く形成されていることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
3. 前記ステージを構成する各小ステージの表面には、複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口とが形成され、
   前記ガス噴射口と前記吸気口により前記基板の下方に所定のガス流が形成され、前記基板が浮上することを特徴とする請求項１または請求項２に記載された基板処理装置。
4. 前記処理具の動作開始後の所定期間に、前記第２の小ステージが前記第１の小ステージから前記第３の小ステージに向けて移動した後、
   前記第２の小ステージは、前記第１の小ステージ側に移動して戻ることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載された基板処理装置。
5. 前記処理具は、前記被処理基板の被処理面にレジスト液を吐出するレジストノズルであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された基板処理装置。
6. 前記処理具は、前記被処理基板の被処理面を撮像するカメラであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載された基板処理装置。

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