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Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5100427B2 (ja) * 2008-02-07 2012-12-19 古河電気工業株式会社 半導体電子デバイス
JP5117283B2 (ja) * 2008-05-29 2013-01-16 古河電気工業株式会社 半導体電子デバイス
JP5053220B2 (ja) 2008-09-30 2012-10-17 古河電気工業株式会社 半導体電子デバイスおよび半導体電子デバイスの製造方法
JP4519196B2 (ja) 2008-11-27 2010-08-04 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法
JP2010199441A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体電子デバイスおよび半導体電子デバイスの製造方法
US20100221512A1 (en) * 2009-02-27 2010-09-02 Massachusctts Institute of Technology Digital metamorphic alloys for graded buffers
JP5477685B2 (ja) * 2009-03-19 2014-04-23 サンケン電気株式会社 半導体ウェーハ及び半導体素子及びその製造方法
JP5133927B2 (ja) * 2009-03-26 2013-01-30 コバレントマテリアル株式会社 化合物半導体基板
JP5631034B2 (ja) * 2009-03-27 2014-11-26 コバレントマテリアル株式会社 窒化物半導体エピタキシャル基板
EP2498282A4 (en) * 2009-11-04 2014-06-25 Dowa Electronics Materials Co Ltd EPITACTIC COATED GROUP III NITRIDE SUBSTRATE
WO2011102045A1 (ja) * 2010-02-16 2011-08-25 日本碍子株式会社 エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法
WO2011102044A1 (ja) * 2010-02-16 2011-08-25 日本碍子株式会社 エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法
JP5689245B2 (ja) 2010-04-08 2015-03-25 パナソニック株式会社 窒化物半導体素子
CN102870195A (zh) * 2010-04-28 2013-01-09 日本碍子株式会社 外延基板以及外延基板的制造方法
CN102859653A (zh) * 2010-04-28 2013-01-02 日本碍子株式会社 外延基板以及外延基板的制造方法
JP5492984B2 (ja) 2010-04-28 2014-05-14 日本碍子株式会社 エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法
JP5706102B2 (ja) 2010-05-07 2015-04-22 ローム株式会社 窒化物半導体素子
JP5616443B2 (ja) * 2010-06-08 2014-10-29 日本碍子株式会社 エピタキシャル基板およびエピタキシャル基板の製造方法
DE102010027411A1 (de) * 2010-07-15 2012-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement, Substrat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge
JP5810293B2 (ja) * 2010-11-19 2015-11-11 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 窒化物半導体装置
JP5824814B2 (ja) * 2011-01-21 2015-12-02 サンケン電気株式会社 半導体ウエーハ及び半導体素子及びその製造方法
JP5648523B2 (ja) 2011-02-16 2015-01-07 富士通株式会社 半導体装置、電源装置、増幅器及び半導体装置の製造方法
JP5708187B2 (ja) 2011-04-15 2015-04-30 サンケン電気株式会社 半導体装置
KR101855063B1 (ko) * 2011-06-24 2018-05-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
US9368677B2 (en) * 2011-08-01 2016-06-14 Sandia Corporation Selective layer disordering in III-nitrides with a capping layer
JP5127978B1 (ja) * 2011-09-08 2013-01-23 株式会社東芝 窒化物半導体素子、窒化物半導体ウェーハ及び窒化物半導体層の製造方法
JP5551131B2 (ja) * 2011-09-14 2014-07-16 株式会社東芝 窒化物半導体積層構造体の製造方法
GB201121666D0 (en) * 2011-12-16 2012-01-25 Element Six Ltd Synthetic diamond coated compound semiconductor substrates
JP5934575B2 (ja) 2012-05-16 2016-06-15 サンケン電気株式会社 窒化物半導体装置の製造方法
US8823025B1 (en) * 2013-02-20 2014-09-02 Translucent, Inc. III-N material grown on AIO/AIN buffer on Si substrate
KR20160037968A (ko) * 2013-07-30 2016-04-06 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 반도체 기판 및 반도체 기판의 제조 방법
JP2015053328A (ja) 2013-09-05 2015-03-19 富士通株式会社 半導体装置
JP2015070064A (ja) 2013-09-27 2015-04-13 富士通株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2015103546A (ja) * 2013-11-21 2015-06-04 サンケン電気株式会社 半導体装置
FR3028670B1 (fr) 2014-11-18 2017-12-22 Commissariat Energie Atomique Structure semi-conductrice a couche de semi-conducteur du groupe iii-v ou ii-vi comprenant une structure cristalline a mailles cubiques ou hexagonales
JP6180401B2 (ja) * 2014-11-25 2017-08-16 サンケン電気株式会社 エピタキシャルウェーハ、半導体素子、エピタキシャルウェーハの製造方法、並びに、半導体素子の製造方法
US10109736B2 (en) * 2015-02-12 2018-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Superlattice buffer structure for gallium nitride transistors
FR3041470B1 (fr) * 2015-09-17 2017-11-17 Commissariat Energie Atomique Structure semi-conductrice a tenue en tension amelioree
CN105762247A (zh) * 2016-03-02 2016-07-13 厦门乾照光电股份有限公司 一种具有复合结构的氮化物缓冲层制作方法
CN105609603A (zh) 2016-03-02 2016-05-25 厦门乾照光电股份有限公司 一种具有复合结构的氮化物缓冲层
US10192959B2 (en) 2017-01-23 2019-01-29 Imec Vzw III-N based substrate for power electronic devices and method for manufacturing same
EP3451364B1 (en) 2017-08-28 2020-02-26 Siltronic AG Heteroepitaxial wafer and method for producing a heteroepitaxial wafer
US10516076B2 (en) 2018-02-01 2019-12-24 Silanna UV Technologies Pte Ltd Dislocation filter for semiconductor devices
FR3107051B1 (fr) * 2020-02-12 2022-10-14 Centre Nat Rech Scient Procédé de fabrication de nanostructures de nitrure d’aluminium et de gallium (AlGaN)
TWI735212B (zh) * 2020-04-24 2021-08-01 環球晶圓股份有限公司 具有超晶格疊層體的磊晶結構
WO2021243653A1 (zh) * 2020-06-04 2021-12-09 英诺赛科（珠海）科技有限公司 半导体装置及其制造方法
US20240266403A1 (en) * 2023-02-03 2024-08-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Buffer structure with interlayer buffer layers for high voltage device

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3237458B2 (ja) * 1995-05-12 2001-12-10 日立電線株式会社 半導体ウェハ及び半導体装置
US6462361B1 (en) * 1995-12-27 2002-10-08 Showa Denko K.K. GaInP epitaxial stacking structure and fabrication method thereof, and a FET transistor using this structure
JP3712770B2 (ja) * 1996-01-19 2005-11-02 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体の製造方法及び半導体素子
US6133593A (en) * 1999-07-23 2000-10-17 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Channel design to reduce impact ionization in heterostructure field-effect transistors
JP4058590B2 (ja) * 2001-06-29 2008-03-12 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
JP2003059948A (ja) 2001-08-20 2003-02-28 Sanken Electric Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7115896B2 (en) * 2002-12-04 2006-10-03 Emcore Corporation Semiconductor structures for gallium nitride-based devices
US7332417B2 (en) * 2003-01-27 2008-02-19 Amberwave Systems Corporation Semiconductor structures with structural homogeneity
US6818061B2 (en) * 2003-04-10 2004-11-16 Honeywell International, Inc. Method for growing single crystal GaN on silicon
WO2006034025A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-30 Arizona Board Of Regents MATERIALS AND OPTICAL DEVICES BASED ON GROUP IV QUANTUM WELLS GROWN ON Si-Ge-Sn BUFFERED SILICON
JP4826703B2 (ja) * 2004-09-29 2011-11-30 サンケン電気株式会社 半導体素子の形成に使用するための板状基体
US7321132B2 (en) * 2005-03-15 2008-01-22 Lockheed Martin Corporation Multi-layer structure for use in the fabrication of integrated circuit devices and methods for fabrication of same

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