JP2008194719A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 基材とエッチング保護膜とを接着する接着工程と、
   前記基材の前記エッチング保護膜に覆われていない領域をエッチングするエッチング工程と、
   前記エッチング保護膜にレーザ光を集光することによって、前記エッチング保護膜のレーザ光が集光された領域を除去する保護膜除去工程と、
   前記保護膜除去工程にて前記エッチング保護膜から露出した前記基材の領域にレーザ光を集光することによって、前記基材に改質領域を形成する改質領域形成工程と、
   前記基材を前記改質領域に沿って分割する分割工程と、を有することを特徴とする基材の分割方法。
2. 前記基材と前記エッチング保護膜とを接着する接着領域は、前記基材の外周部であることを特徴とする請求項１に記載の基材の分割方法。
3. 前記エッチング工程と保護膜除去工程との間に、前記基材の前記エッチング保護膜に覆われていない領域に液滴吐出ヘッドを構成する要素が形成された基板を接合する基板接合工程を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の基材の分割方法。
4. 前記エッチング保護膜は樹脂材料を含み、前記保護膜除去工程において、炭酸ガスレーザ、又はＮｄ：ＹＡＧ−ＳＨＧレーザを用いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基材の分割方法。
5. 前記エッチング保護膜は樹脂材料を含み、前記保護膜除去工程において、Ｎｄ：ＹＡＧ−ＴＨＧレーザ、又はＮｄ：ＹＡＧ−ＦＨＧレーザを用いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基材の分割方法。
6. 前記保護膜除去工程において、レーザマーカを用いてレーザ光の光軸の方向を変動させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基材の分割方法。
7. 前記改質領域形成工程において、前記改質領域の列を形成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基材の分割方法。
8. 前記基材は単結晶シリコンからなり、前記改質領域形成工程において、Ｎｄ：ＹＡＧ基本波レーザを用いることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基材の分割方法。
9. 基材の一方の面にエッチング保護膜を接着する接着工程と、
   前記基材の他方の面をエッチングすることによって、前記基材に封止実装基板を形成するエッチング工程と、
   前記エッチング保護膜の前記封止実装基板に接する部分を除去する第一保護膜除去工程と、
   前記一方の面に弾性シートを接合し、前記他方の面に流路形成基板及びノズルプレートを接合する基板接合工程と、
   前記基材に残留する前記エッチング保護膜にレーザ光を集光することによって、前記エッチング保護膜のレーザ光が集光された領域を除去する第二保護膜除去工程と、
   第二保護膜除去工程にて前記エッチング保護膜から露出した前記基材の領域にレーザ光を集光することによって、前記基材に改質領域を形成する改質領域形成工程と、
   前記基材を前記改質領域に沿って分割する分割工程と、を有することを特徴とする液滴吐出ヘッドの製造方法。