JP2008192534A - 電子エミッタ用基材、電子エミッタ用基材の製造方法および電子エミッタの製造方法 - Google Patents
電子エミッタ用基材、電子エミッタ用基材の製造方法および電子エミッタの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本電子エミッタ用基材10は、素材例である導電性ワイヤ11の表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜12が付着している。本電子エミッタ用基材10の製造方法は、導電性基材16の表面に黒鉛含有ペースト20を付着させる工程を含む。本電子エミッタ製造方法は、真空成膜室32内で上記電子エミッタ用基材10の基材温度を700℃以上に昇温し炭素含有ガスを直流プラズマで分解し該基材表面に電界電子放出性能を有する炭素膜42を成膜して電子エミッタ44を製造する。
【選択図】図1
Description
11 導電性ワイヤ
12 黒鉛含有膜
Claims (5)
- 基体の導電性表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜が付着して構成されている、ことを特徴とする電子エミッタ用基材。
- 上記黒鉛含有膜は直流プラズマ中の炭素成分に接触作用して炭素膜生成を促進する触媒を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子エミッタ用基材。
- 基体の導電性表面に黒鉛含有ペーストを付着させる工程、および
上記付着した黒鉛含有ペーストを焼成する工程
を含むことを特徴とする電子エミッタ用基材の製造方法。 - 上記黒鉛含有ペースト中に直流プラズマ中の炭素成分に接触作用して炭素膜生成を促進する触媒を含むことを特徴とする請求項3に記載の電子エミッタ用基材の製造方法。
- 真空成膜室内で請求項1または2に記載の電子エミッタ用基材の基材温度を700℃以上に昇温し炭素含有ガスを直流プラズマで分解し該基材表面に電界電子放出性能を有する炭素膜を成膜することを特徴とする電子エミッタ製造方法。
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