JP2008192232A - 半導体装置およびその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】読み出しマージンの低下やチップ面積の増大することなく、チャージゲインによるレファレンスレベルのシフトを抑制すること。
【解決手段】本発明は、不揮発性メモリセルへのデータのプログラムまたは読み出しに用いる第1レファレンスセル28と、第1レファレンスセル28の第1レファレンスレベルが変化した場合、第1レファレンスレベルを調整する調整回路30と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、読み出しマージンの低下やチップ面積の増大することなく、チャージゲインによるレファレンスレベルのシフトを抑制することができる。
【選択図】図3
【解決手段】本発明は、不揮発性メモリセルへのデータのプログラムまたは読み出しに用いる第1レファレンスセル28と、第1レファレンスセル28の第1レファレンスレベルが変化した場合、第1レファレンスレベルを調整する調整回路30と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、読み出しマージンの低下やチップ面積の増大することなく、チャージゲインによるレファレンスレベルのシフトを抑制することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は半導体装置およびその制御方法に関し、特に不揮発性メモリセルを有する半導体装置およびその制御方法に関する。
近年、データの書換えが可能な半導体装置である不揮発性メモリが広く利用されている。代表的な不揮発性メモリであるフラッシュメモリにおいては、メモリセルを構成するトランジスタが電荷蓄積層に電荷を蓄積させることにより、データを記憶する。電荷蓄積層としてフローティングゲートを用いるフローティングゲート型フラッシュメモリと窒化シリコン層からなるトラップ層に電荷を蓄積させるSONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)型フラッシュメモリがある。
不揮発性メモリセルへのデータの書き込み(すなわち、電荷蓄積層への電荷の蓄積)は、電荷蓄積層へのホットエレクトロンの注入により行う。具体的には、例えばメモリセルを構成するトランジスタのソースとドレインとの間に高電圧を印加し、コントロールゲートに正電圧を印加する。これにより、ソースとドレインとの間で生じたホットエレクトロンが電荷蓄積層に注入され蓄積される。そして、電荷蓄積層に注入された電荷(電子)によりメモリセルを構成するトランジスタの閾値電圧が大きくなる。この閾値電圧を電流により測定することにより書き込まれたデータを読み出す。
従来例として、NOR型の不揮発性メモリを例に説明する。図1はNOR型の不揮発性メモリセルアレイ付近のデータを読み出す際に用いられる回路のブロック図である。メモリセルアレイ10には不揮発性メモリセル12がマトリックス状に配置されている。メモリセル12を構成するトランジスタのゲートはワードラインWLに、ソースはソースラインSLに、ドレインはビットラインBLにそれぞれ接続される。Xデコーダ22はワードラインWLを選択し、Yデコーダ22はYセレクト回路14を介しビットトラインBLを選択する。これにより、データを読み出すメモリセル12が選択される。Yセレクト回路14に選択されたビットラインBLはカスコード回路16に接続される。カスコード回路は選択されたメモリセル12を流れる電流を電圧に変換する。センスアンプ18はメモリセル12を流れる電流とレファレンスセル28を流れる電流とを比較しメモリセル12のデータが“0”か“1”を判断する。入出力回路20はセンスされたデータを外部に出力する。このようにして、不揮発性メモリセル12のデータが読み出される。なお、レファレンスセル28の電流を電圧に変換するカスコード回路は図示していない。
特許文献1には、複数のレファレンスセルを有し、読み出しサイクル毎にレファレンスセルが切り替わる不揮発性メモリが開示されている。
特開2004−87047号公報
レファレンスセル28は通常1個のため複数のメモリセル12のデータを読み出す度に、レファレンスセル28のデータが読み出される。つまりレファレンスセル28のゲートに電圧が印加される。ゲートに電圧が印加されると微少ながら少しずつ電荷蓄積層に電荷が蓄積される。このようにして、レファレンスセル28に電荷が蓄積される。この現象はチャージゲインあるいはソフトプログラムといわれている。図2はレファレンスセル28のトランジスタのドレイン電流−ゲート電圧(I−V)特性を示す図である。初期状態のI−V特性に対し、読み出しサイクルを繰り返すと、電荷蓄積層に電荷が蓄積されるためI−V特性が正側に移動する。しきい値電圧VthもVreadからVread´に正に移動してしまう。レファレンスセル28のデータ読み出し時のゲート電圧をV0としたとき、初期のレファレンスセル28の電流はIinに対し、読み出しサイクル後はIshとなってしまう。
読み出し時にレファレンスセル28のゲートに印加する電圧を低電圧化することにより、チャージゲインは抑制することができる。しかし、読み出しマージンが小さくなってしまう。また、特許文献1のように、複数のレファレンスセルを有し、読み出しサイクル毎にレファレンスセルが切り替わることにより、レファレンスセル1個あたりのチャージゲインを削減することができる。しかしながら、複数のレファレンスセルが必要となり、チップ面積が大きくなってしまう。
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、読み出しマージンの低下やチップ面積の増大することなく、チャージゲインによるレファレンスレベルのシフトを抑制することを目的とする。
本発明は、不揮発性メモリセルへのデータのプログラムまたは読み出しに用いる第1レファレンスセルと、前記第1レファレンスセルの第1レファレンスレベルが変化した場合、前記第1レファレンスレベルを調整する調整回路と、を具備する半導体装置である。本発明によれば、第1レファレンスセルの第1レファレンスレベルがチャージゲインによりシフトした場合も、第2レファレンスセルを用い初期の第1レファレンスレベルに戻すことができる。
上記構成において、前記第1レファレンスレベルと比較するために用いる第2レファレンスセルを具備し、前記調整回路は、第2レファレンスセルの第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較し、比較結果に基づき前記第1レファレンスレベルを調整する構成とすることができる。この構成によれば、簡単に第1レファレンスレベルを調整するタイミングを決めることができる。
上記構成において、前記調整回路は、前記第1レファレンスレベルと前記第2レファレンスレベルとの差が所定量以上大きくなった場合、前記第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較する構成とすることができる。この構成によれば、第1レファレンスセルのチャージゲインが許容できなくなる前に、第1レファレンスレベルを調整することができる。
上記構成において、前記調整回路は、前記不揮発性メモリセルのプログラムまたは読み出し回数に応じ、前記第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較する構成とすることができる。この構成によれば、チャージゲインにより第1レファレンスレベルがシフトしそうなタイミングで、前記第1レファレンスレベルを調整することができる。
上記構成において、前記不揮発性メモリセルを有するメモリセルアレイのワードラインのうち一部の選択回数に応じ、前記第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較する構成とすることができる。この構成によれば、選択回数を積算する回数を少なくすることができる。
上記構成において、前記調整回路は、前記ワードラインの一部の選択回数が所定回数に達した場合、前記第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較する構成とすることができる。
上記構成において、前記調整回路は、前記第1レファレンスレベルが外部より設定された後、前記第1レファレンスレベルに基づき前記第2レファレンスレベルを設定する構成とすることができる。この構成によれば、例えば試験中は、第1レファレンスセルを設定するだけでよく、第2レファレンスセルを設定するための試験時間を短縮させることができる。
上記構成において、前記調整回路は、前記第2レファレンスレベルを前記第1レファレンスレベルと同じに設定する構成とすることができる。
上記構成において、前記第1レファレンスセルは前記不揮発性メモリセルからデータを読み出す際に用いる構成とすることができる。不揮発性メモリにおいては、書き込み回数より読み出し回数を多く保証している。この構成によれば、より重要なデータを読み出す際のレファレンスレベルのシフトを抑制することができる。
本発明は、不揮発性メモリセルへのデータのプログラムまたは読み出しに用いる第1レファレンスセルの第1レファレンスレベルと第2レファレンスセルの第2レファレンスレベルとを比較するステップと、前記比較結果に基づき第1レファレンスレベルを調整するステップと、を有する半導体装置の制御方法である。本発明によれば、第1レファレンスセルの第1レファレンスレベルがチャージゲインによりシフトした場合も、第2レファレンスセルを用い初期の第1レファレンスレベルに戻すことができる。
上記構成において、ワードラインの一部の選択回数を積算するステップと、前記選択回数が所定回数に達した場合、前記第1レファレンスレベルと前記第2レファレンスレベルとを比較するステップおよび前記第1レファレンスレベルを調整するステップを実行する構成とすることができる。
本発明によれば、読み出しマージンの低下やチップ面積の増大することなく、チャージゲインによるレファレンスレベルのシフトを抑制することができる。
以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。
図3は実施例1に係る不揮発性メモリのブロック図である。図1の従来例と比較し、レファレンスセル28の代わりに、第1レファレンスセル28、第2レファレンスセル36および調整回路30を有している。調整回路30は、比較回路32およびトリミング回路34等を有している。その他の構成は従来例と同じであり説明を省略する。
図4は実施例1の制御を示すフローチャート、図5は第1レファレンスセル28のI−V特性を示す図である。図5より、初期状態では、第1レファレンスセル28の電流レベルIin(第1レファレンスレベル)と第2レファレンスセル36の電流レベルI2(第2レファレンスレベル)とはほぼ同じである。その後、第1レファレンスセル28の読み出しを非常に多く行うことにより、チャージゲインが生じ第1レファレンスセル28の電流レベルはIshとなる。図4を参照に、調整回路30は、例えばメモリセルアレイ10からのデータ読み出し回数等により、第1レファレンスセル28の電流レベル(第1レファレンスレベル)と第2レファレンスセル36の電流レベル(第2レファレンスレベル)とを比較するか判断する(ステップS10)。比較しない場合は終了する。比較する場合は、比較回路32が、第1レファレンスセル28の電流Ishと第2レファレンスセル36の電流I2とを取得する(ステップS12、ステップS14)。調整回路30は、(I2−Ish)が所定の値ILより大きいか判断する。Noの場合、終了する。Yesの場合、図4のステップS18および図5を参照に、トリミング回路34は第2レファレンスセル36の電流レベルI2を基準に第1レファレンスセル28の電流レベルを調整し、電流レベルをほぼ初期値のIajとする。なお、比較回路32は第1レファレンスセル28と第2レファレンスセル36の電流レベルとを電圧に変換した後に比較しても良い。
実施例1によれば、第1レファレンスセル28は、メモリセル12へのデータの読み出しに用いるセルであり、図4のステップS16およびステップS18のように、調整回路30は、第1レファレンスセル28の電流レベルである第1レファレンスレベルが変化した場合、電流レベル(第1レファレンスレベル)を調整する。これにより、第1レファレンスセル28の第1レファレンスレベルがチャージゲインによりシフトした場合も、第2レファレンスセル36を用い初期の電流レベルに戻すことができる。
また、第1レファレンスセル28の第1レファレンスレベルと比較するための第2レファレンスセル36を有し、調整回路30は、第2レファレンスセル36の第2レファレンスレベルと第1レファレンスレベルとを比較し、比較結果に基づき、第1レファレンスレベルを調整することが好ましい。第2レファレンスセル36を用い第2レファレンスレベルと第1レファレンスレベルとの比較結果に基づき第1レファレンスレベルを調整することにより簡単に、第1レファレンスレベルを調整するタイミングを決めることができる。
さらに、調整回路30は、第1レファレンスレベルIshと第2レファレンスレベルI2との差が所定量IL以上大きくなった場合、第2レファレンスレベルと第1レファレンスレベルとを比較することが好ましい。これにより、第1レファレンスセル28のチャージゲインが許容できなくなる前に、第1レファレンスレベルを調整することができる。
第1レファレンスレベルと第2レファレンスレベルとを比較する頻度(ステップS10においてYesとする頻度)は、多すぎると第2レファレンスセル36もチャージゲインにより電流レベルが変化してしまう。一方少なすぎると、第1レファレンスレベルが大きく変化してしまう。これらを勘案して頻度を設定することが好ましい。調整回路30は、メモリセルアレイ10の読み出し回数に応じ、第2レファレンスレベルと第1レファレンスレベルとを比較することができるが、一定時間毎や電源投入回数を基準に第1レファレンスレベルを調整してもよい。
実施例2は特定のワードラインWLに選択回数を積算するカウンタ回路を有する例である。図6は実施例2のブロック図である。実施例1の図3に比較し、特定のワードラインWLにカウンタ回路40が接続されている。カウンタ回路40は特定のワードラインWLの選択回数を積算し、選択回数が所定回数に達した場合に調整回路30に信号を出力する。調整回路30は、図4のステップS10において、カウンタ回路40からの信号を入力していれば、Yesと判断する。つまり、調整回路30は、メモリセルアレイ10のワードラインWLの一部の選択回数に応じ、ステップS12からS18を行い第2レファレンスレベルと第1レファレンスレベルとを比較する。メモリセルアレイ10の読み出し回数をカウントするためには、大きなカウント回路が必要となる。そこで、ワードラインのうち一部のワードラインを選択する回数をカウントすることにより、カウント回路40を小さくすることができる。例えば、ワードラインWLが512本の場合、ワードラインの一部として1本とすれば、カウント回数は約1/500で済むこととなる。カウントするワードラインの一部は、1本でなくとも複数であってもよい。
実施例3は第2レファレンスセル36の第2レファレンスレベルを設定する例である。図7は実施例3に係る不揮発性メモリのブロック図である。実施例1の図3と比較し、比較回路32の比較結果に基づき、第2レファレンスセル36の第2レファレンスレベルを設定するトリミング回路38を有している。その他の構成は実施例1と同じであり説明を省略する。
図8を参照に、不揮発性メモリの例えば出荷試験時に外部より第1レファレンスセル28の第1レファレンスレベルを初期値Iinに設定する(ステップS20)。その後、トリミング回路38が比較回路32の結果に基づき第2レファレンスセル36の第2レファレンスレベルをI2に設定する(ステップS22)。このように、調整回路30は、第1レファレンスレベルが外部より設定された後、第1レファレンスレベルに基づき第2レファレンスレベルを設定する。これにより、出荷試験時に外部から第2レファレンスセル36を設定する必要がなくなる。よって、出荷試験時は第1レファレンスセル28を設定するだけでよく、第2レファレンスセル36を設定する短縮させることができる。
また、調整回路30は、第2レファレンスレベルを第1レファレンスレベルと同じに設定することが好ましい。これにより、図4のステップS18において、第1レファレンスレベルを初期値Iinに戻すことができる。
第1レファレンスセル28はメモリセル12にデータをプログラムする場合に用いるレファレンスセルであってもよい。しかし、不揮発性メモリは書き込み回数より読み出し回数の方を多く保証しているため、データ読み出し用のレファレンンスセルのチャージゲインの問題が大きい。よって、第1レファレンスセル28はメモリセル12からデータを読み出す際に用いるレファレンスセルであることが好ましい。また、第1レファレンスレベルおよび第2レファレンスレベルは電流レベルであったが、電圧レベルであってもよい。
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である
10 メモリセルアレイ
12 メモリセル
18 センスアンプ
28 レファレンスセル、第1レファレンスセル
30 調整回路
32 比較回路
34 トリミング回路
36 第2レファレンスセル
38 トリミング回路
40 カウント回路
12 メモリセル
18 センスアンプ
28 レファレンスセル、第1レファレンスセル
30 調整回路
32 比較回路
34 トリミング回路
36 第2レファレンスセル
38 トリミング回路
40 カウント回路
Claims (11)
- 不揮発性メモリセルへのデータのプログラムまたは読み出しに用いる第1レファレンスセルと、
前記第1レファレンスセルの第1レファレンスレベルが変化した場合、前記第1レファレンスレベルを調整する調整回路と、を具備する半導体装置。 - 前記第1レファレンスレベルと比較するために用いる第2レファレンスセルを具備し、
前記調整回路は、第2レファレンスセルの第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較し、比較結果に基づき前記第1レファレンスレベルを調整する請求項1記載の半導体装置。 - 前記調整回路は、前記第1レファレンスレベルと前記第2レファレンスレベルとの差が所定量以上大きくなった場合、前記第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較する請求項2記載の半導体装置。
- 前記調整回路は、前記不揮発性メモリセルのプログラムまたは読み出し回数に応じ、前記第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較する請求項2または3記載の半導体装置。
- 前記調整回路は、前記不揮発性メモリセルを有するメモリセルアレイのワードラインのうち一部の選択回数に応じ、前記第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較する請求項4記載の半導体装置。
- 前記調整回路は、前記ワードラインの一部の選択回数が所定回数に達した場合、前記第2レファレンスレベルと前記第1レファレンスレベルとを比較する請求項5記載の半導体装置。
- 前記調整回路は、前記第1レファレンスレベルが外部より設定された後、前記第1レファレンスレベルに基づき前記第2レファレンスレベルを設定する請求項1から6のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記調整回路は、前記第2レファレンスレベルを前記第1レファレンスレベルと同じに設定する請求項7記載の半導体装置。
- 前記第1レファレンスセルは前記不揮発性メモリセルからデータを読み出す際に用いる請求項1から8のいずれか一項記載の半導体装置。
- 不揮発性メモリセルへのデータのプログラムまたは読み出しに用いる第1レファレンスセルの第1レファレンスレベルと第2レファレンスセルの第2レファレンスレベルとを比較するステップと、
前記比較結果に基づき第1レファレンスレベルを調整するステップと、を有する半導体装置の制御方法。 - ワードラインの一部の選択回数を積算するステップと、
前記選択回数が所定回数に達した場合、前記第1レファレンスレベルと前記第2レファレンスレベルとを比較するステップおよび前記第1レファレンスレベルを調整するステップを実行する請求項10記載の半導体装置の制御方法。
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US12/871,693 US8031527B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-08-30 | Semiconductor device and method for adjusting reference levels of reference cells |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011054248A (ja) * | 2009-09-02 | 2011-03-17 | Toshiba Corp | 参照電流生成回路 |
US8630140B2 (en) | 2010-07-29 | 2014-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Non-volatile memory device having reference cells, and related method of setting reference current |
JP2016207243A (ja) * | 2015-04-24 | 2016-12-08 | 株式会社デンソー | 半導体記憶装置 |
CN113327640A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-08-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种读取电压确定方法、装置、设备及存储介质 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7940570B2 (en) * | 2009-06-29 | 2011-05-10 | Spansion Llc | Memory employing separate dynamic reference areas |
US8189357B2 (en) * | 2009-09-09 | 2012-05-29 | Macronix International Co., Ltd. | Memory with multiple reference cells |
US9251873B1 (en) | 2010-05-20 | 2016-02-02 | Kandou Labs, S.A. | Methods and systems for pin-efficient memory controller interface using vector signaling codes for chip-to-chip communications |
US8693266B2 (en) * | 2011-10-19 | 2014-04-08 | Seoul National University Industry Foundation | Apparatus and method for trimming reference cell in semiconductor memory device |
TWI466122B (zh) * | 2012-05-18 | 2014-12-21 | Elite Semiconductor Esmt | 具有參考晶胞調整電路的半導體記憶體元件以及包含此元件的並列調整裝置 |
EP3111607B1 (en) | 2014-02-28 | 2020-04-08 | Kandou Labs SA | Clock-embedded vector signaling codes |
US10467177B2 (en) | 2017-12-08 | 2019-11-05 | Kandou Labs, S.A. | High speed memory interface |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0618535B1 (en) * | 1989-04-13 | 1999-08-25 | SanDisk Corporation | EEPROM card with defective cell substitution and cache memory |
US5687114A (en) * | 1995-10-06 | 1997-11-11 | Agate Semiconductor, Inc. | Integrated circuit for storage and retrieval of multiple digital bits per nonvolatile memory cell |
KR100386296B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 멀티레벨을 가지는 플래쉬 메모리를 프로그램/리드하기위한 회로 및 그 방법 |
FR2820539B1 (fr) * | 2001-02-02 | 2003-05-30 | St Microelectronics Sa | Procede et dispositif de rafraichissement de cellules de reference |
US6584017B2 (en) * | 2001-04-05 | 2003-06-24 | Saifun Semiconductors Ltd. | Method for programming a reference cell |
JP3983048B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2007-09-26 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置および情報機器 |
JP3796457B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2006-07-12 | 富士通株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2004039075A (ja) * | 2002-07-02 | 2004-02-05 | Sharp Corp | 不揮発性半導体メモリ装置 |
US6813189B2 (en) * | 2002-07-16 | 2004-11-02 | Fujitsu Limited | System for using a dynamic reference in a double-bit cell memory |
JP4245317B2 (ja) | 2002-08-28 | 2009-03-25 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6912160B2 (en) * | 2003-03-11 | 2005-06-28 | Fujitsu Limited | Nonvolatile semiconductor memory device |
ITMI20042473A1 (it) * | 2004-12-23 | 2005-03-23 | Atmel Corp | Sistema per l'effettuazione di verifiche rapide durante la configurazione delle celle di riferimento flash |
JP2006294135A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
JP4373986B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2009-11-25 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
-
2007
- 2007-02-05 JP JP2007025337A patent/JP2008192232A/ja active Pending
-
2008
- 2008-02-05 US US12/026,417 patent/US7808830B2/en active Active
-
2010
- 2010-08-30 US US12/871,693 patent/US8031527B2/en active Active
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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