JP5260901B2 - 半導体装置およびその制御方法 - Google Patents
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- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
- G11C16/28—Sensing or reading circuits; Data output circuits using differential sensing or reference cells, e.g. dummy cells
Description
11 メモリセルアレイ
12 セクタ
13 周辺回路領域
14 コアメモリセル領域
16 レファレンスセル領域
18 メモリセル
20 第1ダイナミックレファレンスセル
22 第2ダイナミックレファレンスセル
24 第1外部レファレンスセル
26 第2外部レファレンスセル
30 カスコード回路
32 センシング回路
34 第1センシング回路
36 第2センシング回路
58 第1ラッチ回路
68 第2ラッチ回路
83 AND回路
Claims (9)
- 不揮発性メモリセルと、
前記メモリセルのデータを読み出すための第1レファレンスレベルと前記メモリセルのレベルとをセンシングした第1データと、前記メモリセルのデータを読み出すための第2レファレンスレベルと前記メモリセルのレベルとをセンシングした第2データと、を用い、前記メモリセルのデータを読み出す読み出し回路と、
を具備し、
前記読み出し回路は、前記第1データと前記第2データとをANDし、その出力を前記メモリセルのデータとするAND回路、を含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記第1データを記憶する第1記憶回路と、
前記第2データを記憶する第2記憶回路と、を具備し、
前記読み出し回路は、
前記第1レファレンスレベル及び前記メモリセルのレベルから前記第1データをセンシングし、前記第2レファレンスレベル及び前記メモリセルのレベルから前記第2データをセンシングするセンシング回路を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記読み出し回路は、
前記第1レファレンスレベル及び前記メモリセルのレベルから前記第1データをセンシングする第1センシング回路と、前記第2レファレンスレベル及び前記メモリセルのレベルから前記第2データをセンシングする第2センシング回路と、を有することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。 - 前記メモリセルと同じ書き込み消去経過を有する第1ダイナミックレファレンスセル及び第2ダイナミックレファレンスセルと、
前記メモリセルの書き込み消去経過とは独立な第1外部レファレンスセルと、を具備し、
前記読み出し回路は、前記第1ダイナミックレファレンスセル及び前記第2ダイナミックレファレンスセルから前記第1レファレンスレベルを生成し、前記第2ダイナミックレファレンスセルと前記第1外部レファレンスセルとから前記第2レファレンスレベルを生成することを特徴とする請求項1から3記載の半導体装置。 - 前記メモリセルの書き込み消去経過とは独立な第2外部レファレンスセルを具備し、
前記読み出し回路は、前記第2外部レファレンスセル、前記第1ダイナミックレファレンスセル及び前記第2ダイナミックレファレンスセルから前記第1レファレンスレベルを生成することを特徴とする請求項4記載の半導体装置。 - 前記読み出し回路は、前記第1ダイナミックレファレンスセルのレベル及び前記第2ダイナミックレファレンスセルのレベルを平均することにより前記第1レファレンスレベルを生成し、前記第1ダイナミックレファレンスセル及び前記第2ダイナミックレファレンスセルの何れか一方のレベルと、前記第1外部レファレンスセルのレベルと、を平均することにより前記第2レファレンスレベルを生成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記読み出し回路は、前記第2外部レファレンスセルのレベル及び前記第1ダイナミックレファレンスセルのレベルを平均することにより前記第2レファレンスレベルを生成することを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- メモリセルのデータを読み出すための第1レファレンスレベルと前記メモリセルのレベルとをセンシングし第1データを生成するステップと、
前記メモリセルのデータを読み出すための第2レファレンスレベルと前記メモリセルのレベルとをセンシングした第2データを生成するステップと、
前記第1データと前記第2データとを用い、前記メモリセルのデータを読み出すステップと、
前記第1データと前記第2データとをANDし、その出力を前記メモリセルのデータとするステップと、
を有することを特徴とする半導体装置の制御方法。 - 前記メモリセルと同じ書き込み消去経過を有する第1ダイナミックレファレンスセルと前記メモリセルと同じ書き込み消去経過を有する前記第2ダイナミックレファレンスセルとから前記第1レファレンスレベルを生成するステップと、
前記第1ダイナミックレファレンスセル及び前記第2ダイナミックレファレンスセルの何れか一方と、前記メモリセルの書き込み消去経過とは独立な第1外部レファレンスセルとから前記第2レファレンスレベルを生成するステップと、を有することを特徴とする請求項8記載の半導体装置の制御方法。
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