JP2008186891A - Mold package and its manufacturing method, and mounting structure of the mold package - Google Patents

Mold package and its manufacturing method, and mounting structure of the mold package Download PDF

Info

Publication number
JP2008186891A
JP2008186891A JP2007017553A JP2007017553A JP2008186891A JP 2008186891 A JP2008186891 A JP 2008186891A JP 2007017553 A JP2007017553 A JP 2007017553A JP 2007017553 A JP2007017553 A JP 2007017553A JP 2008186891 A JP2008186891 A JP 2008186891A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead
dicing
mold
mold resin
blade
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007017553A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4872683B2 (en
Inventor
Shoki Asai
昭喜 浅井
Shinji Ota
真治 太田
Masahiro Honda
本田  匡宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2007017553A priority Critical patent/JP4872683B2/en
Publication of JP2008186891A publication Critical patent/JP2008186891A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4872683B2 publication Critical patent/JP4872683B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/15786Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15787Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the concentration of stress in solder at the corner of a lead part exposing from a mold resin when a leadless type mold package is mounted by soldering. <P>SOLUTION: The mold package 100 is bonded to a substrate 200 on faces 12b and 12c exposing from a mold resin 30 at a lead part 12 by means of solder 300. In the exposed faces 12b and 12c in the lead part 12, a corner 12d that is formed by an end face 12c exposing from the end face 33 of the mold resin 30 and a lower face 12b exposing from the lower face 32 of the mold resin 30 is recessed. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、アウターリードを持たないリードレスタイプのモールドパッケージおよびその製造方法、ならびに、そのようなモールドパッケージの実装構造に関する。   The present invention relates to a leadless type mold package having no outer lead, a manufacturing method thereof, and a mounting structure of such a mold package.

従来より、この種のリードレスタイプのモールドパッケージとしては、アイランド部と、アイランド部の上面側に搭載された部品と、アイランド部の周囲に位置し部品と電気的に接続されたリード部と、これら部品、アイランド部およびリード部を封止するモールド樹脂とを備え、リード部の端面、下面が、それぞれ、モールド樹脂の端面、アイランド部の下面側に位置するモールド樹脂の下面から露出したものが、提案されている(たとえば、特許文献1参照)。   Conventionally, as this type of leadless type mold package, an island portion, a component mounted on the upper surface side of the island portion, a lead portion located around the island portion and electrically connected to the component, These parts, the island part, and the mold resin for sealing the lead part are provided, and the end face and the bottom face of the lead part are exposed from the bottom face of the mold resin located on the end face of the mold resin and the bottom face side of the island part, respectively. Have been proposed (see, for example, Patent Document 1).

このようなモールドパッケージは、QFN(Quad Flat Non−Leaded Package)と言われるものであり、アウターリードを持たないため、電子機器の小型化要求に対応した小型のモールドパッケージとして期待されている。   Such a mold package is called a QFN (Quad Flat Non-Leaded Package), and since it does not have an outer lead, it is expected as a small mold package that meets the demand for downsizing electronic devices.

また、このようなモールドパッケージは、一般に低コスト化を実現するために、複数のパッケージをまとめて樹脂封止を行なう方法、いわゆるMAPモールド成型技術を用いて製造される。   In addition, such a mold package is generally manufactured using a so-called MAP mold forming technique, in which a plurality of packages are sealed together with resin, in order to realize cost reduction.

まず、アイランド部およびリード部を備える複数個のリードフレームがリード部にて連結されたリードフレーム素材を用意する。これに部品の搭載を行った後、これをモールド樹脂により封止する。ここで、リード部の下面を、アイランド部の下面側に位置するモールド樹脂の下面から露出させるように樹脂封止を行う。   First, a lead frame material is prepared in which a plurality of lead frames each having an island part and a lead part are connected by the lead part. After mounting components on this, it is sealed with mold resin. Here, resin sealing is performed so that the lower surface of the lead portion is exposed from the lower surface of the mold resin located on the lower surface side of the island portion.

しかる後、リードフレーム素材のダイシングラインにおいて、モールド樹脂およびリードフレーム素材におけるリード部の連結部を一括してダイシングカットする。それにより、リードフレーム素材が個々のリードフレームの単位に個片化され、モールドパッケージができあがる。   Thereafter, in the lead frame material dicing line, the connecting portions of the lead portions of the mold resin and the lead frame material are diced together. As a result, the lead frame material is divided into individual lead frame units, and a mold package is completed.

ここで、モールド樹脂の切断面とリードフレーム素材の切断面とが同一面であるため、ダイシング時の切断面であるリード部の端面は、これも同じダイシング時の切断面であるモールド樹脂の端面から実質的に同一面上に位置した状態で、当該モールド樹脂の端面から露出する。   Here, since the cutting surface of the mold resin and the cutting surface of the lead frame material are the same surface, the end surface of the lead portion that is the cutting surface at the time of dicing is the same as the end surface of the mold resin that is the cutting surface at the time of dicing. And exposed from the end surface of the mold resin in a state of being substantially located on the same surface.

つまり、この種のモールドパッケージにおいては、リード部の露出面は、モールド樹脂の端面と実質的に同一平面上に位置するリード部の端面と、モールド樹脂の下面と実質的に同一平面上に位置するリード部の下面となる。そして、このモールドパッケージは、これらリード部の各露出面にて、プリント基板などの外部基板とはんだ付けされるようになっている。
特許第3428591号公報
That is, in this type of mold package, the exposed surface of the lead portion is positioned substantially on the same plane as the end surface of the lead portion that is substantially flush with the end surface of the mold resin and the lower surface of the mold resin. It becomes the lower surface of the lead part. The mold package is soldered to an external substrate such as a printed circuit board at each exposed surface of the lead portions.
Japanese Patent No. 3428591

ところで、このようなQFN構造を有するモールドパッケージでは、基板にはんだ付け実装して使用する際、モールドパッケージと基板とのはんだ接続部に加わる熱的・機械的な応力が、接続信頼性を低下させるという問題がある。   By the way, in a mold package having such a QFN structure, when used by soldering and mounting on a substrate, thermal and mechanical stress applied to a solder connection portion between the mold package and the substrate reduces connection reliability. There is a problem.

ここで、アウターリードを有するQFPなどのモールドパッケージにおいては、リード部が変形することではんだ接続部に加わる応力が緩和されるため、接続信頼性への影響は小さい。   Here, in a mold package such as a QFP having an outer lead, the stress applied to the solder connection portion is relieved by the deformation of the lead portion, so that the influence on the connection reliability is small.

しかし、QFN構造のモールドパッケージにおいては、はんだ付け接続されるリード部がモールド樹脂に埋め込まれた構造になっているために、リード部が変形することはほとんど無い。そのため、QFNパッケージは、QFPパッケージに比べて、はんだ接続信頼性が低い。   However, since the lead part to be soldered is embedded in the mold resin, the lead part is hardly deformed in the mold package having the QFN structure. Therefore, the QFN package has lower solder connection reliability than the QFP package.

そこで、本発明者は、QFNパッケージをはんだ付け実装した構造について、FEM(有限要素法)による計算によって解析を行った。その結果、はんだ接続部に加わる応力が、リード部の露出面のうちモールド樹脂の端面から露出する端面とモールド樹脂の下面から露出する下面とにより構成されるコーナー部に集中することがわかった。   Therefore, the present inventor has analyzed the structure in which the QFN package is soldered and mounted by calculation using FEM (finite element method). As a result, it has been found that the stress applied to the solder connection portion concentrates on the corner portion constituted by the end surface exposed from the end surface of the mold resin and the lower surface exposed from the lower surface of the mold resin among the exposed surfaces of the lead portion.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、リードレスタイプのモールドパッケージをはんだ実装したときに、モールド樹脂から露出するリード部のコーナー部においてはんだに加わる応力の集中を低減できるようにすることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and can reduce the concentration of stress applied to the solder at the corner portion of the lead portion exposed from the mold resin when a leadless mold package is mounted by soldering. The purpose is to do.

本発明は、従来のリード部のコーナー部が凸状の角部であったため、上記した応力集中が発生しやすいことに着目して、創出されたものである。   The present invention has been created by paying attention to the fact that the above-described stress concentration is likely to occur because the corner portion of the conventional lead portion is a convex corner portion.

すなわち、本発明においては、リード部(12)におけるモールド樹脂(30)から露出する面(12b、12c)のうち、モールド樹脂(30)の端面(33)から露出するリード部(12)の端面(12c)とモールド樹脂(30)の下面(32)から露出するリード部(12)の下面(12b)とにより構成されるリード部(12)のコーナー部(12d)が、窪んだ窪み形状となっていることを、第1の特徴とする。   That is, in the present invention, of the surfaces (12b, 12c) exposed from the mold resin (30) in the lead portion (12), the end surface of the lead portion (12) exposed from the end surface (33) of the mold resin (30). The corner portion (12d) of the lead portion (12) constituted by the lower surface (12b) of the lead portion (12) exposed from the lower surface (32) of (12c) and the mold resin (30) has a recessed depression shape. This is the first characteristic.

それによれば、凸状の角部であった従来のリード部のコーナー部に比べて、リード部(12)のコーナー部(12d)を窪み形状としているため、モールドパッケージをはんだ実装したときに、当該コーナー部(12d)においてはんだ(300)に加わる応力の集中を低減することができる。   According to it, since the corner part (12d) of the lead part (12) has a hollow shape compared to the corner part of the conventional lead part which was a convex corner part, when the mold package is solder mounted, The concentration of stress applied to the solder (300) in the corner portion (12d) can be reduced.

また、本発明は、上記第1の特徴を有するモールドパッケージ(100)を、モールド樹脂(30)から露出するリード部(12)の端面(12c)および下面(12b)にて、基板(200)にはんだ接合してなることを、第2の特徴とする。この場合も、リード部(12)のコーナー部(12d)においてはんだ(300)に加わる応力の集中を低減することができる。   According to the present invention, the mold package (100) having the first feature is formed on the substrate (200) on the end surface (12c) and the lower surface (12b) of the lead portion (12) exposed from the mold resin (30). It is the second feature that it is formed by soldering. Also in this case, the concentration of stress applied to the solder (300) at the corner portion (12d) of the lead portion (12) can be reduced.

また、本発明は、リードレスタイプのモールドパッケージを製造する方法において、リードフレーム素材(400)を個々のリードフレーム(10)の単位に個片化するダイシング工程では、第1のブレード(410)を用いて、モールド樹脂(30)の下面(32)から露出するリード部(12)の連結部分を、ダイシングライン(DL)において当該モールド樹脂(30)の下面(32)側から厚さ方向の途中まで切断する第1の工程を行った後、第1のブレード(410)よりも刃幅の小さな第2のブレード(420)を用い、ダイシングライン(DL)においてリード部(12)の連結部分を最後まで切断する第2の工程を行うことを、第3の特徴とする。   Further, according to the present invention, in the method of manufacturing a leadless type mold package, the first blade (410) is used in a dicing process in which the lead frame material (400) is separated into individual lead frames (10). The connecting portion of the lead part (12) exposed from the lower surface (32) of the mold resin (30) is used in the thickness direction from the lower surface (32) side of the mold resin (30) in the dicing line (DL). After performing the first step of cutting partway, the second blade (420) having a blade width smaller than that of the first blade (410) is used to connect the lead portion (12) in the dicing line (DL). The third feature is to perform the second step of cutting to the end.

本製造方法によれば、リード部(12)の端面(12c)がダイシング工程による切断面となるが、第1のブレード(410)と第2のブレード(420)による切断幅の違いによって、リード部(12)の端面(12c)と下面(12b)とにより構成されるリード部(12)のコーナー部(12d)には、上記した窪み形状が形成される(後述の図5、図6参照)。よって、上記第1の特徴を有するモールドパッケージ(100)を適切に製造することができる。   According to this manufacturing method, the end surface (12c) of the lead portion (12) becomes a cut surface by the dicing process, but the lead is different depending on the cutting width between the first blade (410) and the second blade (420). In the corner portion (12d) of the lead portion (12) constituted by the end surface (12c) and the lower surface (12b) of the portion (12), the above-described depression shape is formed (see FIGS. 5 and 6 described later). ). Therefore, the mold package (100) having the first feature can be appropriately manufactured.

さらに、この第3の特徴を有する製造方法においては、リードフレーム素材(400)においてダイシングライン(DL)の延長線(S)上に、第1のダイシングマーク(510)を設けるとともに、第1のダイシングマーク(510)よりも予め定められた距離(L)の分、延長線(S)よりも離れた位置に第2のダイシングマーク(520)を設けることが好ましい。   Further, in the manufacturing method having the third feature, the first dicing mark (510) is provided on the extension line (S) of the dicing line (DL) in the lead frame material (400), and the first dicing mark (510) is provided. It is preferable to provide the second dicing mark (520) at a position separated from the extension line (S) by a predetermined distance (L) from the dicing mark (510).

この場合、ダイシング工程における第1の工程では、第1のブレード(410)の位置を第1のダイシングマーク(410)に合わせてダイシングライン(DL)における切断を行い、第2の工程では、第2のブレード(420)の位置を第2のダイシングマーク(520)に合わせた後、予め定められた距離(L)の分だけ、第2のブレード(420)を延長線(S)側に近づけてダイシングライン(DL)における切断を行う。   In this case, in the first step in the dicing step, the first blade (410) is cut at the dicing line (DL) in accordance with the position of the first dicing mark (410), and in the second step, the first step is performed. After the position of the second blade (420) is aligned with the second dicing mark (520), the second blade (420) is brought closer to the extension line (S) by a predetermined distance (L). And cutting at the dicing line (DL).

それによれば、第1のブレード(410)により第1のダイシングマーク(510)が消えても、第2のダイシングマーク(520)により、第2のブレード(420)の位置合わせが行いやすくなる。   According to this, even if the first dicing mark (510) disappears by the first blade (410), the second blade (420) can be easily aligned by the second dicing mark (520).

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.

(第1実施形態)
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係るQFN構造を有するモールドパッケージ100の基板200への実装状態を示す概略断面図であり、図1(b)は(a)中のモールドパッケージ100の下面図である。
(First embodiment)
FIG. 1A is a schematic cross-sectional view showing a mounting state of a mold package 100 having a QFN structure according to the first embodiment of the present invention on a substrate 200, and FIG. 1B is a mold in FIG. 4 is a bottom view of the package 100. FIG.

本実施形態のモールドパッケージ100は、大きくは、リードフレーム10のアイランド部11と、アイランド部11の上面11aに搭載された部品としての半導体素子20と、アイランド部11の周囲に配置され半導体素子20と電気的に接続されたリードフレーム10のリード部12と、これらリードフレーム10および半導体素子20を封止するモールド樹脂30とを備えている。   The mold package 100 of the present embodiment is roughly divided into an island portion 11 of the lead frame 10, a semiconductor element 20 as a component mounted on the upper surface 11 a of the island portion 11, and a semiconductor element 20 disposed around the island portion 11. And a lead resin 12 electrically connected to the lead frame 10 and a mold resin 30 for sealing the lead frame 10 and the semiconductor element 20.

アイランド部11とリード部12とは、1枚のリードフレーム10から分離形成されたものである。ここで、リードフレーム10は、Cuや42アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、リードフレーム10に対してプレスやエッチング加工などを行うことによって、アイランド部11とリード部12とのパターンが形成されたものである。   The island part 11 and the lead part 12 are formed separately from one lead frame 10. Here, the lead frame 10 is made of a normal lead frame material such as Cu or 42 alloy, and the island portion 11 and the lead portion 12 are formed by pressing or etching the lead frame 10. A pattern is formed.

ここでは、アイランド部11は矩形板状のものであり、リード部12は、アイランド11の4辺の外周において複数本の短冊状のものが配列されている。そして、半導体素子20は、アイランド部11の上面11a上に、Agペーストや導電性接着剤などよりなる図示しないダイマウント材を介して搭載され、接着されている。   Here, the island portion 11 has a rectangular plate shape, and the lead portion 12 has a plurality of strip-like shapes arranged on the outer periphery of the four sides of the island 11. The semiconductor element 20 is mounted on and bonded to the upper surface 11a of the island portion 11 via a die mount material (not shown) made of Ag paste, conductive adhesive, or the like.

この半導体素子20は、シリコン半導体などの半導体基板を用いて半導体プロセスにより形成されたICチップなどである。そして、図1に示されるように、半導体素子20と各リード部12の上面12aとは、Au(金)やアルミニウムなどからなるボンディングワイヤ40を介して結線されて互いに電気的に接続されている。   The semiconductor element 20 is an IC chip or the like formed by a semiconductor process using a semiconductor substrate such as a silicon semiconductor. As shown in FIG. 1, the semiconductor element 20 and the upper surface 12 a of each lead portion 12 are connected via a bonding wire 40 made of Au (gold), aluminum, or the like and are electrically connected to each other. .

そして、モールド樹脂30は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法などにより形成されるものであり、このモールド樹脂30によって、アイランド部11、リード部12、半導体素子20およびボンディングワイヤ40が包み込むように封止されている。   The mold resin 30 is formed by a transfer molding method or the like using a normal mold material such as an epoxy resin, and the island resin 11, the lead part 12, the semiconductor element 20, and the bonding are formed by the mold resin 30. The wire 40 is sealed so as to be wrapped.

ここで、図1に示されるように、アイランド部11における半導体素子20を搭載している上面11aと、リード部12におけるボンディングワイヤ40との接続面である上面12aとは、同じ向きを向いている。そして、モールド樹脂30のうち、これらアイランド部11の上面11aおよびリード部12の上面12aと同じ側に位置する面31が、モールド樹脂30の上面31であり、この上面31とは反対側の面32がモールド樹脂30の下面32である。   Here, as shown in FIG. 1, the upper surface 11 a on which the semiconductor element 20 is mounted in the island portion 11 and the upper surface 12 a that is a connection surface with the bonding wire 40 in the lead portion 12 face the same direction. Yes. In the mold resin 30, the surface 31 located on the same side as the upper surface 11 a of the island portion 11 and the upper surface 12 a of the lead portion 12 is the upper surface 31 of the mold resin 30, and the surface opposite to the upper surface 31. Reference numeral 32 denotes a lower surface 32 of the mold resin 30.

つまり、モールド樹脂30の下面32は、モールド樹脂30のうち、アイランド部11における下面11bおよびリード部12における下面12bと同じ側に位置する面32である。   That is, the lower surface 32 of the mold resin 30 is a surface 32 of the mold resin 30 that is located on the same side as the lower surface 11 b of the island portion 11 and the lower surface 12 b of the lead portion 12.

ここでは、モールド樹脂30は、その上面31および下面32を主面とする板状のものである。図示例では、モールド樹脂30は矩形板状をなし、モールド樹脂30の端面33は、上面31と下面32との間の外周端面である。   Here, the mold resin 30 is plate-shaped with the upper surface 31 and the lower surface 32 as main surfaces. In the illustrated example, the mold resin 30 has a rectangular plate shape, and the end surface 33 of the mold resin 30 is an outer peripheral end surface between the upper surface 31 and the lower surface 32.

また、モールド樹脂の下面32は、図2に示されるように、基板200へモールドパッケージ100を搭載するときの基板200と対向する実装面である。そして、このモールド樹脂30の下面32からは、アイランド部11の下面11bおよびリード部12の下面12bが露出している。   Further, the lower surface 32 of the mold resin is a mounting surface facing the substrate 200 when the mold package 100 is mounted on the substrate 200, as shown in FIG. And from the lower surface 32 of this mold resin 30, the lower surface 11b of the island part 11 and the lower surface 12b of the lead part 12 are exposed.

また、リード部12の下面12bは、モールド樹脂30の下面32における周辺部にて露出しており、さらに、リード部12の端面12cは、モールド樹脂30の端面33から露出している。そして、リード部12の端面12c、下面12bは、それぞれ、モールド樹脂30の端面33、下面32と実質的に同一平面上に位置しており、リードレス構造のパッケージとなっている。   Further, the lower surface 12 b of the lead portion 12 is exposed at the peripheral portion of the lower surface 32 of the mold resin 30, and the end surface 12 c of the lead portion 12 is exposed from the end surface 33 of the mold resin 30. The end surface 12c and the lower surface 12b of the lead portion 12 are positioned substantially on the same plane as the end surface 33 and the lower surface 32 of the mold resin 30, respectively, and form a leadless structure package.

ここにおいて、本実施形態のモールドパッケージ100では、リード部12におけるモールド樹脂30から露出する部位のうち、リード部12の端面12cとリード部12の下面12bとにより構成されるリード部12のコーナー部12dが、窪んだ窪み形状となっている。   Here, in the mold package 100 of the present embodiment, among the portions exposed from the mold resin 30 in the lead portion 12, the corner portion of the lead portion 12 constituted by the end surface 12 c of the lead portion 12 and the lower surface 12 b of the lead portion 12. 12d has a recessed shape.

図2(a)は、図1中の1つのリード部12の拡大断面図であり、図2(b)は(a)中のリード部12のコーナー部12dの近傍を示す斜視図である。本実施形態では、コーナー部12dは、凹んだ角形状すなわち四角形状の窪みとなっている。   2A is an enlarged sectional view of one lead portion 12 in FIG. 1, and FIG. 2B is a perspective view showing the vicinity of a corner portion 12d of the lead portion 12 in FIG. In the present embodiment, the corner portion 12d has a recessed square shape, that is, a rectangular recess.

このような窪み形状は、図2に示されるように、リード部12の幅方向(図2(a)中の紙面垂直方向)の全体に渡ってコーナー部12dに形成されている。また、図1(b)に示されるように、モールド樹脂30の下面32と端面33とのなすコーナー部も、リード部12のコーナー部12dと同様の形状に凹んだ角形状となっている。   As shown in FIG. 2, such a hollow shape is formed in the corner portion 12 d over the entire width direction of the lead portion 12 (the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 2A). Further, as shown in FIG. 1B, the corner portion formed by the lower surface 32 and the end surface 33 of the mold resin 30 has a square shape that is recessed in the same shape as the corner portion 12 d of the lead portion 12.

ここで、限定するものではないが、図2を参照して、リード部12の各部の寸法A1〜A4の一例を示しておく。まず、リード部12の全体長さA1は0.6mm程度、全体厚さA2は0.2mm程度であり、コーナー部12dの窪み形状における板厚方向の深さA3は全体厚さA2の半分すなわち0.1mm程度、当該窪み形状におけるリード長さ方向の深さA4は0.2〜0.3mm程度である。   Here, although not limited, an example of dimensions A1 to A4 of each part of the lead part 12 will be shown with reference to FIG. First, the overall length A1 of the lead portion 12 is about 0.6 mm, the overall thickness A2 is about 0.2 mm, and the depth A3 in the plate thickness direction in the hollow shape of the corner portion 12d is half of the overall thickness A2, that is, About 0.1 mm, the depth A4 in the lead length direction in the hollow shape is about 0.2 to 0.3 mm.

このような本実施形態のモールドパッケージ100は、図1(a)に示されるように基板200に搭載され、モールド樹脂30から露出するアイランド部11の下面11bおよびリード部12のコーナー部12dを含む下面12bおよび端面12cにて、はんだ300を介して接合されるようになっている。   Such a mold package 100 of this embodiment is mounted on the substrate 200 as shown in FIG. 1A, and includes the lower surface 11 b of the island portion 11 exposed from the mold resin 30 and the corner portion 12 d of the lead portion 12. It joins via the solder 300 in the lower surface 12b and the end surface 12c.

ここでは、基板200は、プリント基板やセラミック基板などであり、モールドパッケージ100を搭載する面には、はんだ付けを行うためのランド201が設けられている。図1(a)に示されるように、リード部12と基板200のランド201、および、アイランド部11と基板200のランド201とが、それぞれ、はんだ300を介して接続されている。   Here, the substrate 200 is a printed circuit board, a ceramic substrate, or the like, and a land 201 for soldering is provided on a surface on which the mold package 100 is mounted. As shown in FIG. 1A, the lead portion 12 and the land 201 of the substrate 200, and the island portion 11 and the land 201 of the substrate 200 are connected via the solder 300, respectively.

それにより、図1(a)に示されるモールドパッケージ100の実装構造においては、リード部12と基板200との間で電気的な信号のやりとりが行われるとともに、半導体素子20などから発生する熱がアイランド部11から基板200へ放熱されるようになっている。   Thereby, in the mounting structure of the mold package 100 shown in FIG. 1A, an electrical signal is exchanged between the lead portion 12 and the substrate 200, and heat generated from the semiconductor element 20 and the like is generated. Heat is dissipated from the island portion 11 to the substrate 200.

なお、このモールドパッケージ100の実装構造は、まず、基板200のランド201に、印刷法などによってはんだ300を配置し、次に、モールドパッケージ100を、はんだ300を介して、基板200上に搭載し、その後、はんだ300をリフローさせることにより、形成される。   In the mounting structure of the mold package 100, the solder 300 is first disposed on the land 201 of the substrate 200 by a printing method or the like, and then the mold package 100 is mounted on the substrate 200 via the solder 300. Thereafter, the solder 300 is formed by reflowing.

ところで、本実施形態のリードレスタイプのモールドパッケージ100においては、リード部12において、モールド樹脂30の端面33から露出する端面12cとモールド樹脂30の下面32から露出する下面12bとにより構成されるコーナー部12dを、窪んだ窪み形状としている。   By the way, in the leadless mold package 100 of the present embodiment, in the lead portion 12, a corner constituted by the end surface 12 c exposed from the end surface 33 of the mold resin 30 and the lower surface 12 b exposed from the lower surface 32 of the mold resin 30. The portion 12d has a recessed shape.

これは、本発明者が行った検討の結果に基づいて実現された構成である。図3は、上記の従来技術に基づいて本発明者が試作した試作品としてのモールドパッケージにおけるリード部12の近傍の断面図である。本発明者が、この試作品を基にFEM解析を行ったところ、凸状の角部であるコーナー部12dにおいて、はんだ300に加わる応力が最大となることがわかった。   This is a configuration realized based on the results of studies conducted by the present inventors. FIG. 3 is a cross-sectional view of the vicinity of the lead portion 12 in a mold package as a prototype manufactured by the present inventor based on the above-described conventional technology. When the present inventor conducted FEM analysis based on this prototype, it was found that the stress applied to the solder 300 becomes maximum at the corner 12d which is a convex corner.

これに対して、本モールドパッケージ100では、凸状の角部であった従来のリード部12のコーナー部12dに比べて、リード部12のコーナー部12dを窪み形状としているため、このコーナー部12dにおいて、はんだ300に加わる応力の集中を低減することが可能となる。   On the other hand, in the present mold package 100, the corner portion 12d of the lead portion 12 has a hollow shape compared to the corner portion 12d of the conventional lead portion 12 which is a convex corner portion. In this case, the concentration of stress applied to the solder 300 can be reduced.

はんだ接続部に熱的・機械的な応力が加わると、はんだ300内にクラックが発生して、ついには、はんだ接続部が破断に至り電気的な断線となるが、本実施形態のようにコーナー部12dを窪み形状とすることにより、はんだ300に加わる応力が低減され、はんだ接続部のクラックの発生を抑えることができる。その結果、はんだ接続部の信頼性を向上させることが可能となる。   When thermal and mechanical stress is applied to the solder connection part, a crack is generated in the solder 300, and finally the solder connection part is broken to cause an electrical disconnection. By making the portion 12d into a hollow shape, the stress applied to the solder 300 is reduced, and the occurrence of cracks in the solder connection portion can be suppressed. As a result, the reliability of the solder connection portion can be improved.

次に、本実施形態のモールドパッケージ100の製造方法について、図4〜図6を参照して述べる。図4において、(a)はモールド樹脂30で封止されたリードフレーム素材400の概略平面図、(b)は(a)に示されるリードフレーム素材400における1個のリードフレーム10についてのモールド樹脂30の下面32側からの平面図、(c)はダイシング工程の様子を示す概略平面図である。   Next, a method for manufacturing the mold package 100 of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 4, (a) is a schematic plan view of the lead frame material 400 sealed with the mold resin 30, and (b) is a mold resin for one lead frame 10 in the lead frame material 400 shown in (a). The top view from the lower surface 32 side of 30, (c) is a schematic plan view which shows the mode of a dicing process.

また、図5(a)、(b)、図6(a)、(b)は、図4(a)中のA−A断面に対応した断面にて、ダイシング工程を工程順に示す工程図である。なお、図4および図5中には、ダイシングラインDLを破線にて示すが、このダイシングラインDLは、ダイシング工程における切断予定位置の中心部を通る仮想線である。   5 (a), 5 (b), 6 (a), and 6 (b) are process diagrams showing the dicing process in the order of the processes in a cross section corresponding to the AA cross section in FIG. 4 (a). is there. 4 and 5, the dicing line DL is indicated by a broken line. The dicing line DL is an imaginary line that passes through the center of the planned cutting position in the dicing process.

まず、1つのモールドパッケージ100を構成するリードフレーム10が複数個連結されたリードフレーム素材400を用意する。ここでは、図4(a)に示されるように、マトリクス状のダイシングラインDLによって区画された1つ1つの矩形領域が1個のリードフレーム10の単位である。   First, a lead frame material 400 in which a plurality of lead frames 10 constituting one mold package 100 are connected is prepared. Here, as shown in FIG. 4A, each rectangular area defined by the matrix-shaped dicing lines DL is a unit of one lead frame 10.

つまり、リードフレーム素材400は、いわゆる多連のリードフレームであり、図5(a)に示されるように、アイランド部11およびリード部12を備えるリードフレーム10の複数個同士がリード部12にて連結されてなるものである。   That is, the lead frame material 400 is a so-called multiple lead frame. As shown in FIG. 5A, a plurality of lead frames 10 including the island portion 11 and the lead portion 12 are formed by the lead portion 12. It is connected.

そして、リードフレーム素材400における各リードフレーム10のアイランド部11の上面11aに、半導体素子20を搭載する。その後、ワイヤボンディングを行い、半導体素子20とリード部12とをボンディングワイヤ40により結線する。ここまでが素子搭載工程である。   Then, the semiconductor element 20 is mounted on the upper surface 11 a of the island portion 11 of each lead frame 10 in the lead frame material 400. Thereafter, wire bonding is performed, and the semiconductor element 20 and the lead portion 12 are connected by the bonding wire 40. This is the element mounting process.

次に、半導体素子20が実装されたリードフレーム素材400を、図示しない金型に設置し、モールド樹脂30の下面32からリード部12の下面12bおよびアイランド部11の下面11bが露出するように、モールド樹脂30により封止する(図4(b)参照)。ここまでが、樹脂封止工程である。   Next, the lead frame material 400 on which the semiconductor element 20 is mounted is placed in a mold (not shown) so that the lower surface 12b of the lead portion 12 and the lower surface 11b of the island portion 11 are exposed from the lower surface 32 of the mold resin 30. Sealing is performed with the mold resin 30 (see FIG. 4B). This is the resin sealing step.

この後、図4(c)に示されるように、リードフレーム素材400のダイシングラインDLにおいて、モールド樹脂30およびリードフレーム素材400におけるリード部12の連結部をダイシングカットする。   Thereafter, as shown in FIG. 4C, in the dicing line DL of the lead frame material 400, the connecting portion between the mold resin 30 and the lead portion 12 in the lead frame material 400 is cut by dicing.

このダイシングカット工程では、図5に示される第1のブレード410を用いた第1の工程を行い、次に、図6に示される第2のブレード420を用いた第2の工程を行うというように、刃幅の異なるブレード410、420による2段階の切断を行う。   In this dicing cut process, the first process using the first blade 410 shown in FIG. 5 is performed, and then the second process using the second blade 420 shown in FIG. 6 is performed. In addition, two-stage cutting is performed by blades 410 and 420 having different blade widths.

まず、第1の工程では、図5(a)、(b)に示されるように、第2のブレード420に比べて刃幅の広い第1のブレード410を用いて、モールド樹脂30の下面32から露出するリード部12の連結部分を、ダイシングラインDLにおいて切断する。   First, in the first step, as shown in FIGS. 5A and 5B, the lower surface 32 of the mold resin 30 is used by using the first blade 410 having a wider blade width than the second blade 420. The connecting portion of the lead portion 12 exposed from is cut at the dicing line DL.

このとき、第1のブレード410の幅方向の中心をダイシングラインDLに合わせた状態とし、リード部12の連結部分を、モールド樹脂30の下面32側から厚さ方向の途中まで切断する。それによって、当該連結部分には、第1のブレード410の刃幅に相当する幅の窪み411が形成される。   At this time, the center of the first blade 410 in the width direction is aligned with the dicing line DL, and the connecting portion of the lead portion 12 is cut from the lower surface 32 side of the mold resin 30 to the middle in the thickness direction. Thereby, a recess 411 having a width corresponding to the blade width of the first blade 410 is formed in the connection portion.

次に、第2の工程では、図6(a)に示されるように、第1のブレード410よりも刃幅の小さな第2のブレード420を用いて、第1の工程では切断されずに残ったリード部12の連結部分およびモールド樹脂30を、ダイシングラインDLにおいて最後まで切断する。ここでも、第2のブレード420の幅方向の中心をダイシングラインDLに合わせた状態として切断を行う。   Next, in the second step, as shown in FIG. 6A, the second blade 420 having a blade width smaller than that of the first blade 410 is used and remains in the first step without being cut. The connecting portion of the lead portion 12 and the mold resin 30 are cut to the end along the dicing line DL. Again, the cutting is performed with the center of the second blade 420 in the width direction aligned with the dicing line DL.

こうして、第2の工程を行っていき、リードフレーム素材400を個々のリードフレーム10の単位に個片化することにより、図6(b)に示されるように、本実施形態のモールドパッケージ100ができあがる。以上がダイシング工程である。   In this way, the second process is performed, and the lead frame material 400 is separated into individual lead frame 10 units, whereby the mold package 100 of the present embodiment is formed as shown in FIG. 6B. It ’s done. The above is the dicing process.

このように、第1および第2の工程では両ブレード410、420の位置を、同じ共通のダイシングラインDLに合わせダイシングラインDLにおいて切断を行うが、第2の工程では、第1のブレード410による切断幅よりも小さな切断幅で切断を行う。それにより、図6に示されるように、第1のブレード410による切断部分がコーナー部12dの窪みとして残り、窪み形状のコーナー部12dが形成される。   As described above, in the first and second steps, the positions of both blades 410 and 420 are aligned with the same common dicing line DL, and cutting is performed on the dicing line DL. In the second step, the first blade 410 is used. Cut with a cutting width smaller than the cutting width. As a result, as shown in FIG. 6, the cut portion by the first blade 410 remains as a recess in the corner portion 12 d, and a recess-shaped corner portion 12 d is formed.

なお、図6(a)に示される例では、この第2の工程においても、第1の工程と同じくモールド樹脂30の下面32側からリード部12の連結部分を切断しているが、この第2の工程は、可能ならばモールド樹脂30の上面31側から行ってもよい。この場合も、最終的に図6(b)に示されるものと同様のコーナー部12dが形成される。   In the example shown in FIG. 6A, in the second step, the connecting portion of the lead portion 12 is cut from the lower surface 32 side of the mold resin 30 as in the first step. Step 2 may be performed from the upper surface 31 side of the mold resin 30 if possible. Also in this case, a corner portion 12d similar to that shown in FIG. 6B is finally formed.

(第2実施形態)
本発明の第2実施形態では、上記第1実施形態にて示したダイシング工程において、さらに切断の精度を向上させる方法を提供する。
(Second Embodiment)
The second embodiment of the present invention provides a method for further improving the cutting accuracy in the dicing process shown in the first embodiment.

通常、図7に示されるように、リードフレーム素材400に複数個形成されたパッケージをダイシングによって個片化する場合、ダイシングする際のブレードの位置合わせ用の目印として、ダイシングマーク500をリードフレーム素材400に形成しておく。   In general, as shown in FIG. 7, when a plurality of packages formed on the lead frame material 400 are separated by dicing, the dicing mark 500 is used as a mark for positioning the blade when dicing. 400 is formed.

このダイシングマーク500は、リードフレーム素材400の周辺部におけるダイシングラインDLの延長線S上に設けられた貫通穴や凹部などにより構成される。上記第1実施形態におけるダイシング工程も、この方法で行うことができる。   The dicing mark 500 is configured by a through hole, a recess, or the like provided on the extension line S of the dicing line DL in the peripheral portion of the lead frame material 400. The dicing process in the first embodiment can also be performed by this method.

しかし、この場合、第1の工程で、刃幅の厚い方の第1のブレード410によってリードフレーム素材400に窪みを形成すると、このダイシングマーク500が潰れて消えてしまい、次の第2の工程において、第2のブレード420の位置あわせが難しくなる可能性がある。   However, in this case, if a depression is formed in the lead frame material 400 by the first blade 410 having the larger blade width in the first step, the dicing mark 500 is crushed and disappears, and the next second step. In this case, it may be difficult to align the second blade 420.

そこで、本発明の第2実施形態では、この問題に対してダイシングマークを改良した製造方法を提供する。図8は、本実施形態の製造方法におけるダイシング工程の要部を示す概略平面図である。   Therefore, the second embodiment of the present invention provides a manufacturing method in which dicing marks are improved with respect to this problem. FIG. 8 is a schematic plan view showing the main part of the dicing process in the manufacturing method of the present embodiment.

具体的には、図8に示されるように、リードフレーム素材400においてダイシングラインDLの延長線S上に、第1のダイシングマーク510を設ける。さらに、第1のダイシングマーク510よりも予め定められた距離Lの分、延長線Sよりも離れた位置に第2のダイシングマーク520を設ける。   Specifically, as shown in FIG. 8, a first dicing mark 510 is provided on the extension line S of the dicing line DL in the lead frame material 400. Further, a second dicing mark 520 is provided at a position separated from the extension line S by a predetermined distance L from the first dicing mark 510.

そして、ダイシング工程における第1の工程では、第1のブレード410の中心位置を第1のダイシングマーク510に合わせて、図8中の白矢印に示されるように、ダイシングラインDLに沿って切断を行う。   In the first step of the dicing step, the center position of the first blade 410 is aligned with the first dicing mark 510, and cutting is performed along the dicing line DL as shown by the white arrow in FIG. Do.

続く第2の工程では、第2のブレード420の中心位置を第2のダイシングマーク520に合わせた後、図8中の白矢印に示されるように、上記距離Lの分だけ、第2のブレード420を延長線S側に近づける。   In the subsequent second step, after the center position of the second blade 420 is aligned with the second dicing mark 520, as indicated by the white arrow in FIG. 420 is brought closer to the extension line S side.

この移動により、第2のブレード420は、実質的に第1のダイシングマーク510と同じ位置にセットされ、第2のブレード420の中心がダイシングラインDLの延長線S上に一致する。その後、第2のブレード420によるリードフレーム素材400の切断を行い、パッケージの個片化を行うことで、本実施形態においても、上記モールドパッケージ100ができあがる。   By this movement, the second blade 420 is set substantially at the same position as the first dicing mark 510, and the center of the second blade 420 coincides with the extension line S of the dicing line DL. Thereafter, the lead frame material 400 is cut by the second blade 420, and the package is separated into individual pieces, whereby the mold package 100 is completed also in this embodiment.

それによれば、第1のブレード410による切断後に第1のダイシングマーク510が消えたとしても、第2のダイシングマーク520による第2のブレード420の正確な位置合わせが可能となるため、精度よくダイシングを行うことができる。   According to this, even if the first dicing mark 510 disappears after being cut by the first blade 410, the second blade 420 can be accurately aligned by the second dicing mark 520, so that dicing can be performed with high accuracy. It can be performed.

なお、図8に示される例では、第1のダイシングマーク510は直線形状であり、第2のダイシングマーク520は十字形状であったが、特に、これに限定するものではなく、各ダイシングマーク510、520の形状は、図9に示されるものであってもよい。つまり、第1および第2のダイシングマーク510、520の形状は識別できるように、互いに異なる形状でもよいし、同じ形状にしてもよい。   In the example shown in FIG. 8, the first dicing mark 510 has a linear shape and the second dicing mark 520 has a cross shape. However, the present invention is not limited to this, and each dicing mark 510 is not limited to this. The shape of 520 may be that shown in FIG. That is, the first and second dicing marks 510 and 520 may have different shapes or the same shape so that they can be identified.

(他の実施形態)
なお、リード部12のコーナー部12dの窪み形状としては、上記図2に示したような四角形状のものに限定されるものではない。それ以外にも、当該窪み形状としては、図10(a)、(b)、(c)に示されるように、R形状、直線的な面取り形状であってもよい。
(Other embodiments)
Note that the hollow shape of the corner portion 12d of the lead portion 12 is not limited to the rectangular shape as shown in FIG. Other than that, the recess shape may be an R shape or a linear chamfered shape as shown in FIGS. 10 (a), (b), and (c).

つまり、当該窪み形状としては、リード部12の上面12aの端部よりも下面12bの端部の方が引っ込んだ状態となるようにコーナー部12dが窪んでおり、従来のコーナー部の凸角形状が無くなるようなものであれば、同様の効果を得ることができる。   That is, as the recess shape, the corner portion 12d is recessed so that the end portion of the lower surface 12b is retracted rather than the end portion of the upper surface 12a of the lead portion 12, and the conventional convex shape of the corner portion is formed. If there is no such problem, the same effect can be obtained.

また、図11は、窪みを形成するための第1のブレード410の先端部の断面形状の種々の例を示す図である。   Moreover, FIG. 11 is a figure which shows the various examples of the cross-sectional shape of the front-end | tip part of the 1st braid | blade 410 for forming a hollow.

この図11において、(a)、(b)、(c)、(d)に示される第1のブレード410は、それぞれ、上記図2、図10(a)、図10(b)、図10(c)に示されるコーナー部12dを形成する場合に用いられる。このように第1のブレード410の先端形状を変化させることにより、コーナー部12dの窪み形状を変化させることができる。   In FIG. 11, the first blade 410 shown in (a), (b), (c), and (d) is shown in FIGS. 2, 10 (a), 10 (b), and 10 respectively. It is used when forming the corner portion 12d shown in (c). In this way, by changing the tip shape of the first blade 410, it is possible to change the recess shape of the corner portion 12d.

また、上記実施形態では、リード部12のコーナー部12dを窪み形状とすることは、ダイシング工程にて行ったが、これに限定されるものではない。たとえば、個々のパッケージに個片化した後、1つ1つのパッケージについて切削加工などを行うことにより、コーナー部12dを窪み形状としてもよい。   Moreover, in the said embodiment, although making the corner part 12d of the lead part 12 into a hollow shape was performed at the dicing process, it is not limited to this. For example, the corner portions 12d may be formed in a hollow shape by cutting each individual package into individual packages and then performing cutting or the like on each package.

また、上記実施形態では、複数個のリード部12のすべてにおいてコーナー部12dが窪み形状となっていたが、複数個のリード部12のすべてではなく一部のみ、あるいは、1個のみについて、コーナー部12dが窪み形状となっているものでもよい。   In the above-described embodiment, the corner portion 12d has a hollow shape in all of the plurality of lead portions 12, but only a part of the plurality of lead portions 12 instead of all of the plurality of lead portions 12 or only one corner. The part 12d may have a hollow shape.

また、上記モールドパッケージ100では、モールド樹脂30の下面32からアイランド部11の下面11bも露出していたが、モールド樹脂30の下面32からは、リード部12の下面12bのみが露出し、アイランド部11の下面11bは露出せずにその全体がモールド樹脂30に封止されたものであってもよい。   In the mold package 100, the lower surface 11b of the island portion 11 is also exposed from the lower surface 32 of the mold resin 30. However, only the lower surface 12b of the lead portion 12 is exposed from the lower surface 32 of the mold resin 30, and the island portion is exposed. The entire lower surface 11b of 11 may be sealed with the mold resin 30 without being exposed.

また、アイランド部11の上面11aに搭載される部品としては、半導体素子20に限定されるものではなく、搭載が可能な部品ならば任意のものが可能である。たとえば、当該部品としては、コンデンサや抵抗などの受動素子などであってもよい。   Further, the component mounted on the upper surface 11a of the island portion 11 is not limited to the semiconductor element 20, and any component can be used as long as it can be mounted. For example, the component may be a passive element such as a capacitor or a resistor.

また、モールドパッケージ100が実装される基板200としては、上記したリード部12の露出面12b、12cにおいてはんだ付けできるものであれば、上記したプリント基板やセラミック基板など以外のものでもよく、たとえば、バスバーやケース部材などであってもよい。   Further, the substrate 200 on which the mold package 100 is mounted may be other than the above-described printed circuit board or ceramic substrate as long as it can be soldered on the exposed surfaces 12b and 12c of the lead portion 12, for example, It may be a bus bar or a case member.

(a)は、本発明の第1実施形態に係るモールドパッケージの実装構造を示す概略断面図であり、(b)は(a)中のモールドパッケージの下面図である。(A) is a schematic sectional drawing which shows the mounting structure of the mold package which concerns on 1st Embodiment of this invention, (b) is a bottom view of the mold package in (a). (a)は図1中の1つのリード部の拡大断面図であり、(b)は(a)中のリード部のコーナー部近傍を示す斜視図である。(A) is an expanded sectional view of one lead part in FIG. 1, (b) is a perspective view which shows the corner part vicinity of the lead part in (a). 本発明者の試作品としてのモールドパッケージにおけるリード部近傍の断面図である。It is sectional drawing of the lead part vicinity in the mold package as a prototype of this inventor. (a)はモールド樹脂で封止されたリードフレーム素材の概略平面図、(b)は(a)中のリードフレーム素材における1個のリードフレームの平面図、(c)はダイシング工程を示す概略平面図である。(A) is a schematic plan view of a lead frame material sealed with mold resin, (b) is a plan view of one lead frame in the lead frame material in (a), and (c) is a schematic diagram showing a dicing process. It is a top view. 第1実施形態におけるダイシング工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the dicing process in 1st Embodiment. 図5に続くダイシング工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the dicing process following FIG. ダイシングマークを設けたリードフレーム素材の概略平面図である。It is a schematic plan view of a lead frame material provided with a dicing mark. 本発明の第2実施形態に係るダイシング工程の要部を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the principal part of the dicing process which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 上記第2実施形態のダイシング工程における他の例を示す概略平面図である。It is a schematic plan view which shows the other example in the dicing process of the said 2nd Embodiment. リード部のコーナー部の窪み形状の種々の例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the various examples of the hollow shape of the corner part of a lead part. 窪みを形成するための第1のブレードの先端断面形状の種々の例を示す図である。It is a figure which shows the various examples of the front end cross-sectional shape of the 1st braid | blade for forming a hollow.

符号の説明Explanation of symbols

10…リードフレーム、11…アイランド部、
11a…アイランド部の上面、11b…アイランド部の下面、
12…リード部、12b…リード部の下面、12c…リード部の端面、
12d…リード部のコーナー部、20…部品としての半導体素子、
30…モールド樹脂、32…モールド樹脂の下面、33…モールド樹脂の端面、
100…モールドパッケージ、200…基板、300…はんだ、
400…リードフレーム素材、410…第1のブレード、420…第2のブレード、
510…第1のダイシングマーク、520…第2のダイシングマーク、
DL…ダイシングライン、S…ダイシングラインの延長線。
10 ... Lead frame, 11 ... Island part,
11a: upper surface of the island portion, 11b: lower surface of the island portion,
12 ... Lead part, 12b ... Lower surface of the lead part, 12c ... End face of the lead part,
12d: Corner portion of the lead portion, 20 ... Semiconductor element as a component,
30 ... Mold resin, 32 ... Lower surface of mold resin, 33 ... End surface of mold resin,
100 ... mold package, 200 ... substrate, 300 ... solder,
400 ... Lead frame material, 410 ... First blade, 420 ... Second blade,
510 ... 1st dicing mark, 520 ... 2nd dicing mark,
DL: Dicing line, S: Extension of the dicing line.

Claims (4)

アイランド部(11)と、
前記アイランド部(11)の上面(11a)側に搭載された部品(20)と、
前記アイランド部(11)の周囲に位置し前記部品(20)と電気的に接続されたリード部(12)と、
前記部品(20)、前記アイランド部(11)および前記リード部(12)を封止するモールド樹脂(30)とを備え、
前記リード部(12)の端面(12c)が前記モールド樹脂(30)の端面(33)から露出するとともに、前記リード部(12)の下面(12b)が前記アイランド部(11)の下面(11b)側に位置する前記モールド樹脂(30)の下面(32)から露出しており、
これらリード部(12)における前記モールド樹脂(30)から露出する各面(12b、12c)にて外部とはんだ付けされるようになっているリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、
前記リード部(12)における前記端面(12c)と前記下面(12b)とにより構成される前記リード部(12)のコーナー部(12d)が、窪んだ窪み形状となっていることを特徴とするモールドパッケージ。
Island part (11),
A component (20) mounted on the upper surface (11a) side of the island part (11);
A lead portion (12) located around the island portion (11) and electrically connected to the component (20);
A mold resin (30) for sealing the component (20), the island part (11) and the lead part (12);
The end surface (12c) of the lead portion (12) is exposed from the end surface (33) of the mold resin (30), and the lower surface (12b) of the lead portion (12) is the lower surface (11b) of the island portion (11). ) Exposed from the lower surface (32) of the mold resin (30) located on the side,
In a leadless mold package that is soldered to the outside on each surface (12b, 12c) exposed from the mold resin (30) in the lead portion (12),
A corner portion (12d) of the lead portion (12) constituted by the end face (12c) and the lower surface (12b) in the lead portion (12) has a recessed hollow shape. Mold package.
請求項1に記載のモールドパッケージ(100)を備え、
このモールドパッケージ(100)を、前記モールド樹脂(30)から露出する前記リード部(12)の前記端面(12c)および前記下面(12b)にて、基板(200)にはんだ接合してなることを特徴とするモールドパッケージの実装構造。
A mold package (100) according to claim 1,
The mold package (100) is solder-bonded to the substrate (200) at the end surface (12c) and the lower surface (12b) of the lead portion (12) exposed from the mold resin (30). A mold package mounting structure.
リードレスタイプのモールドパッケージを製造する方法であって、
前記アイランド部(11)および前記リード部(12)を備えるリードフレーム(10)の複数個同士が前記リード部(12)にて連結されてなるリードフレーム素材(400)を用意し、
前記リードフレーム素材(400)の個々の前記リードフレーム(10)において、前記アイランド部(11)の上面(11a)に部品(20)を搭載する工程と、
前記部品(20)が搭載された前記リードフレーム素材(400)に対して、前記部品(20)、前記アイランド部(11)および前記リード部(12)を包み込むように前記モールド樹脂(30)による封止を行うとともに、前記リード部(12)を、前記アイランド部(11)の下面(11b)側に位置するモールド樹脂(30)の下面(32)から露出させる樹脂封止工程と、
しかる後、前記リードフレーム素材(400)のダイシングライン(DL)において、前記モールド樹脂(30)および前記リードフレーム素材(400)における前記リード部(12)の連結部をダイシングカットすることにより、前記リードフレーム素材(400)を個々の前記リードフレーム(10)の単位に個片化するダイシング工程と、を備えるモールドパッケージの製造方法において、
前記ダイシング工程では、第1のブレード(410)を用いて、前記モールド樹脂(30)の下面(32)から露出する前記リード部(12)の連結部分を、前記ダイシングライン(DL)において当該モールド樹脂(30)の下面(32)側から厚さ方向の途中まで切断する第1の工程と、
続いて、前記第1のブレード(410)よりも刃幅の小さな第2のブレード(420)を用い、前記ダイシングライン(DL)において前記リード部(12)の連結部分を最後まで切断する第2の工程とを行うことを特徴とするモールドパッケージの製造方法。
A method of manufacturing a leadless mold package,
Preparing a lead frame material (400) in which a plurality of lead frames (10) including the island part (11) and the lead part (12) are connected to each other by the lead part (12);
Mounting the component (20) on the upper surface (11a) of the island portion (11) in each lead frame (10) of the lead frame material (400);
The lead resin (400) on which the component (20) is mounted is formed of the mold resin (30) so as to wrap the component (20), the island portion (11), and the lead portion (12). A resin sealing step of performing sealing and exposing the lead portion (12) from the lower surface (32) of the mold resin (30) located on the lower surface (11b) side of the island portion (11);
Thereafter, in the dicing line (DL) of the lead frame material (400), the connecting portion of the lead portion (12) in the mold resin (30) and the lead frame material (400) is cut by dicing. A dicing step of dividing the lead frame material (400) into individual lead frame (10) units, and a mold package manufacturing method comprising:
In the dicing step, the connecting portion of the lead portion (12) exposed from the lower surface (32) of the mold resin (30) using the first blade (410) is connected to the mold in the dicing line (DL). A first step of cutting from the lower surface (32) side of the resin (30) to the middle in the thickness direction;
Subsequently, a second blade (420) having a blade width smaller than that of the first blade (410) is used to cut a connecting portion of the lead portion (12) to the end in the dicing line (DL). And a process for producing a mold package.
前記リードフレーム素材(400)において前記ダイシングライン(DL)の延長線(S)上に、第1のダイシングマーク(510)を設けるとともに、前記第1のダイシングマーク(510)よりも予め定められた距離(L)の分、前記延長線(S)よりも離れた位置に第2のダイシングマーク(520)を設け、
前記ダイシング工程における前記第1の工程では、前記第1のブレード(410)の位置を前記第1のダイシングマーク(410)に合わせて前記ダイシングライン(DL)における切断を行うようにし、
続く前記第2の工程では、前記第2のブレード(420)の位置を前記第2のダイシングマーク(520)に合わせた後、前記予め定められた距離(L)の分だけ、前記第2のブレード(420)を前記延長線(S)側に近づけて前記ダイシングライン(DL)における切断を行うようにすることを特徴とする請求項3に記載のモールドパッケージの製造方法。
In the lead frame material (400), a first dicing mark (510) is provided on an extension line (S) of the dicing line (DL), and is determined in advance from the first dicing mark (510). A second dicing mark (520) is provided at a position away from the extension line (S) by a distance (L),
In the first step of the dicing step, the first blade (410) is aligned with the first dicing mark (410) to cut the dicing line (DL).
In the subsequent second step, after the position of the second blade (420) is aligned with the second dicing mark (520), the second distance (L) is set to the second distance. 4. The method of manufacturing a mold package according to claim 3, wherein the cutting is performed in the dicing line (DL) by bringing the blade (420) closer to the extension line (S). 5.
JP2007017553A 2007-01-29 2007-01-29 Mold package manufacturing method Expired - Fee Related JP4872683B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007017553A JP4872683B2 (en) 2007-01-29 2007-01-29 Mold package manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007017553A JP4872683B2 (en) 2007-01-29 2007-01-29 Mold package manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008186891A true JP2008186891A (en) 2008-08-14
JP4872683B2 JP4872683B2 (en) 2012-02-08

Family

ID=39729742

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007017553A Expired - Fee Related JP4872683B2 (en) 2007-01-29 2007-01-29 Mold package manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4872683B2 (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9287476B2 (en) 2008-09-03 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
JP2016219520A (en) * 2015-05-18 2016-12-22 Towa株式会社 Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2018206995A (en) * 2017-06-06 2018-12-27 株式会社ディスコ Cutting method for package substrate
GB2515586B (en) * 2013-06-04 2019-01-30 Qualcomm Technologies Int Ltd A QFN with wettable flank
JP2019029569A (en) * 2017-08-01 2019-02-21 大日本印刷株式会社 Lead frame and manufacturing method of semiconductor device
JP2019041062A (en) * 2017-08-28 2019-03-14 大日本印刷株式会社 Lead frame and method for manufacturing semiconductor device
JP2020088035A (en) * 2018-11-19 2020-06-04 ローム株式会社 Manufacturing method for semiconductor device
JP2020127026A (en) * 2020-04-09 2020-08-20 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting devices
JP2022091907A (en) * 2018-03-16 2022-06-21 ローム株式会社 Semiconductor device
JP2022093654A (en) * 2017-08-01 2022-06-23 大日本印刷株式会社 Lead frame and manufacturing method of semiconductor device
WO2023188587A1 (en) * 2022-03-28 2023-10-05 Towa株式会社 Method for manufacturing processed article, method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing processed article
JP7450575B2 (en) 2021-03-18 2024-03-15 株式会社東芝 Semiconductor device and its manufacturing method

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294719A (en) * 1999-04-09 2000-10-20 Hitachi Ltd Lead frame, semiconductor device using the same, and manufacture thereof
JP2000294715A (en) * 1999-04-09 2000-10-20 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JP2001077277A (en) * 1999-09-03 2001-03-23 Sony Corp Semiconductor package and its manufacture
JP2002026223A (en) * 2000-07-05 2002-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2004087998A (en) * 2002-08-29 2004-03-18 Fuji Electric Holdings Co Ltd Surface mounting semiconductor device and its fabricating process
JP2005038927A (en) * 2003-07-16 2005-02-10 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing process
JP2005191240A (en) * 2003-12-25 2005-07-14 Renesas Technology Corp Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2006085341A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Dainippon Printing Co Ltd Ic module
JP2006165411A (en) * 2004-12-10 2006-06-22 New Japan Radio Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006179760A (en) * 2004-12-24 2006-07-06 Yamaha Corp Semiconductor package and lead frame used therefor
JP2006294809A (en) * 2005-04-08 2006-10-26 Rohm Co Ltd Semiconductor device

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000294719A (en) * 1999-04-09 2000-10-20 Hitachi Ltd Lead frame, semiconductor device using the same, and manufacture thereof
JP2000294715A (en) * 1999-04-09 2000-10-20 Hitachi Ltd Semiconductor device and manufacture thereof
JP2001077277A (en) * 1999-09-03 2001-03-23 Sony Corp Semiconductor package and its manufacture
JP2002026223A (en) * 2000-07-05 2002-01-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resin sealed semiconductor device and manufacturing method therefor
JP2004087998A (en) * 2002-08-29 2004-03-18 Fuji Electric Holdings Co Ltd Surface mounting semiconductor device and its fabricating process
JP2005038927A (en) * 2003-07-16 2005-02-10 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing process
JP2005191240A (en) * 2003-12-25 2005-07-14 Renesas Technology Corp Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2006085341A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Dainippon Printing Co Ltd Ic module
JP2006165411A (en) * 2004-12-10 2006-06-22 New Japan Radio Co Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2006179760A (en) * 2004-12-24 2006-07-06 Yamaha Corp Semiconductor package and lead frame used therefor
JP2006294809A (en) * 2005-04-08 2006-10-26 Rohm Co Ltd Semiconductor device

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10573789B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9490411B2 (en) 2008-09-03 2016-11-08 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US11094854B2 (en) 2008-09-03 2021-08-17 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9537071B2 (en) 2008-09-03 2017-01-03 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10115870B2 (en) 2008-09-03 2018-10-30 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10700241B2 (en) 2008-09-03 2020-06-30 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US9287476B2 (en) 2008-09-03 2016-03-15 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
US10573788B2 (en) 2008-09-03 2020-02-25 Nichia Corporation Light emitting device, resin package, resin-molded body, and methods for manufacturing light emitting device, resin package and resin-molded body
GB2515586B (en) * 2013-06-04 2019-01-30 Qualcomm Technologies Int Ltd A QFN with wettable flank
JP2016219520A (en) * 2015-05-18 2016-12-22 Towa株式会社 Semiconductor device and manufacturing method of the same
JP2018206995A (en) * 2017-06-06 2018-12-27 株式会社ディスコ Cutting method for package substrate
JP2022093654A (en) * 2017-08-01 2022-06-23 大日本印刷株式会社 Lead frame and manufacturing method of semiconductor device
JP2019029569A (en) * 2017-08-01 2019-02-21 大日本印刷株式会社 Lead frame and manufacturing method of semiconductor device
JP7068640B2 (en) 2017-08-01 2022-05-17 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of lead frame and semiconductor device
JP7249533B2 (en) 2017-08-01 2023-03-31 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of lead frame and semiconductor device
JP2021170683A (en) * 2017-08-28 2021-10-28 大日本印刷株式会社 Lead frame and method for manufacturing semiconductor device
JP2019041062A (en) * 2017-08-28 2019-03-14 大日本印刷株式会社 Lead frame and method for manufacturing semiconductor device
JP7223347B2 (en) 2017-08-28 2023-02-16 大日本印刷株式会社 Manufacturing method of lead frame and semiconductor device
JP2022091907A (en) * 2018-03-16 2022-06-21 ローム株式会社 Semiconductor device
JP2020088035A (en) * 2018-11-19 2020-06-04 ローム株式会社 Manufacturing method for semiconductor device
JP7147501B2 (en) 2018-11-19 2022-10-05 ローム株式会社 Semiconductor device manufacturing method
JP2020127026A (en) * 2020-04-09 2020-08-20 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device and method for manufacturing light-emitting devices
JP7450575B2 (en) 2021-03-18 2024-03-15 株式会社東芝 Semiconductor device and its manufacturing method
WO2023188587A1 (en) * 2022-03-28 2023-10-05 Towa株式会社 Method for manufacturing processed article, method for manufacturing semiconductor device, and device for manufacturing processed article

Also Published As

Publication number Publication date
JP4872683B2 (en) 2012-02-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4872683B2 (en) Mold package manufacturing method
US7019388B2 (en) Semiconductor device
JP4969113B2 (en) Circuit device manufacturing method
US10930581B2 (en) Semiconductor package with wettable flank
JP4095827B2 (en) Semiconductor device
US20150076675A1 (en) Leadframe package with wettable sides and method of manufacturing same
JP5232394B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
US20140151865A1 (en) Semiconductor device packages providing enhanced exposed toe fillets
US7531895B2 (en) Integrated circuit package and method of manufacture thereof
US7851902B2 (en) Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device
JP4367476B2 (en) Mold package manufacturing method
JP2005142554A (en) Lead frame and method for manufacturing semiconductor package using it
US6617200B2 (en) System and method for fabricating a semiconductor device
JP5034670B2 (en) Mold package
JP2007150045A (en) Semiconductor device
JP2011142337A (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2007294568A (en) Semiconductor device
JP2009038196A (en) Electronic device and wire bonding method
JP5458476B2 (en) Mold package and manufacturing method thereof
JP4031005B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP5468333B2 (en) Lead frame, package type magnetic sensor and electronic equipment
JP5181537B2 (en) Mold package
JP5499437B2 (en) Mold package
JP2006332275A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2011054626A (en) Semiconductor device, and method of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090210

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090422

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110823

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111004

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111025

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111107

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141202

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees