JP2008186554A - チャージロス修復方法及び半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電気的に書き込み及び消去が可能な不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ内でチャージロスの兆候のあるメモリセルを、読み出し用リファレンスセルとそれより高い閾値をもつ書き込みベリファイ用リファレンスセルの間に閾値が設定されたチャージロス検出用リファレンスセルを用いて検出し、チャージロスの兆候が検出されたメモリセルにデータの追加書き込みを行って修復するように構成する。
【選択図】図7
Description
が記載されている。
(付記1) 電気的に書き込み及び消去が可能な不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ内でチャージロスの兆候のあるメモリセルを、読み出し用リファレンスセルとそれより高い閾値をもつ書き込みベリファイ用リファレンスセルの間に閾値が設定されたチャージロス検出用リファレンスセルを用いて検出する検出ステップと、
該チャージロスの兆候が検出されたメモリセルにデータの追加書き込みを行って修復する修復ステップとを含むことを特徴とするチャージロス修復方法。
(付記2) 該検出ステップは、複数のアドレスのメモリセルから同時に読み出しを行う際に該チャージロスの兆候のあるメモリセルを検出することを特徴とする付記1記載のチャージロス修復方法。
(付記3) 該修復ステップは、該同時読み出しを行ったデータが該メモリセルアレイからシリアルに出力されると同時に、該検出ステップにより該チャージロスの兆候が検出されたメモリセルに追加書き込みを行うことを特徴とする付記2記載のチャージロス修復方法。
(付記4) 該修復ステップは、該不揮発性半導体記憶装置のページモード、或いは、バーストモードで該チャージロスの兆候が検出されたメモリセルに追加書き込みを行うことを特徴とする付記3記載のチャージロス修復方法。
(付記5) 該追加書き込み後に、該書き込みベリファイ用リファレンスセルを用いて書き込みベリファイを行うベリファイステップを更に含むことを特徴とする付記1〜4のいずれか1項記載のチャージロス修復方法。
(付記6) 該メモリセルアレイのメモリ空間は複数のセクタに分割されておりデータの消去はこのセクタ単位で行われ、
該検出ステップ及び該修復ステップは、セクタ消去時にセクタ消去の対象外の領域に対して行われることを特徴とする付記1記載のチャージロス修復方法。
(付記7) 該検出ステップは、メモリセルから読み出したデータと該読み出し用リファレンスセルから読み出したデータとの比較により該メモリセルから読み出したデータのデータ値を求めると共に、該メモリセルから読み出したデータと該チャージロスベリファイ用リファレンスセルから読み出したデータとの比較結果を求め、該データ値と該比較結果に基づいて該チャージロスの兆候を検出することを特徴とする付記1〜6のいずれか1項記載のチャージロス修復方法。
(付記8) 該修復ステップは、該検出ステップが該チャージロスの兆候のあるメモリセルを検出した時のデータ値を該チャージロスの兆候のあるメモリセルへ追加書込みすることを特徴とする付記7記載のチャージロス修復方法。
(付記9) 該検出ステップ及び該修復ステップは、該不揮発性半導体記憶装置の出荷後でシステムへ組み込まれた状態で行われることを特徴とする付記1〜8のいずれか1項記載のチャージロス修復方法。
(付記10) 電気的に書き込み及び消去が可能な不揮発性半導体記憶装置であって、
複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、
読み出し用リファレンスセルとそれより高い閾値をもつ書き込みベリファイ用リファレンスセルの間に閾値が設定されたチャージロス検出用リファレンスセルと、
該メモリセルアレイ内でチャージロスの兆候のあるメモリセルを、該読み出し用リファレンスセルと該チャージロス検出用リファレンスセルを用いて検出する検出手段と、
該検出手段により該チャージロスの兆候が検出されたメモリセルにデータの追加書き込みを行って修復する修復手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
(付記11) 該検出手段は、複数のアドレスのメモリセルから同時に読み出しを行う際に該チャージロスの兆候のあるメモリセルを検出することを特徴とする付記10記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記12) 該修復手段は、該同時読み出しを行ったデータが該メモリセルアレイからシリアルに出力されると同時に、該検出手段により該チャージロスの兆候が検出されたメモリセルに追加書き込みを行うことを特徴とする付記11記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記13) 該修復手段は、該不揮発性半導体記憶装置のページモード、或いは、バーストモードで該チャージロスの兆候が検出されたメモリセルに追加書き込みを行うことを特徴とする付記12記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記14) 該追加書き込み後に、該書き込みベリファイ用リファレンスセルを用いて書き込みベリファイを行うベリファイ手段を更に含むことを特徴とする付記10〜13のいずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記15) 該メモリセルアレイのメモリ空間は複数のセクタに分割されておりデータの消去はこのセクタ単位で行われ、
該検出手段及び該修復手段は、セクタ消去時にセクタ消去の対象外の領域に対して行われることを特徴とする付記10記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記16) 該検出手段は、メモリセルから読み出したデータと該読み出し用リファレンスセルから読み出したデータとの比較により該メモリセルから読み出したデータのデータ値を求める第1のセンスアンプと、該メモリセルから読み出したデータと該チャージロスベリファイ用リファレンスセルから読み出したデータとの比較結果を求める第2のセンスアンプと、該データ値と該比較結果に基づいて該チャージロスの兆候を検出するチャージロス判定回路とを有することを特徴とする付記10〜15のいずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置。
(付記17) 該修復手段は、該検出手段が該チャージロスの兆候のあるメモリセルを検出した時のデータ値を該チャージロスの兆候のあるメモリセルへ追加書込みすることを特徴とする付記16記載の不揮発性半導体記憶装置。
11 読み出し用リファレンスセル
13 チャージロス検出用リファレンスセル
31 不揮発性半導体記憶装置
41 メモリセルアレイ
42,43,45,46 アドレスデコーダ
44 リファレンスメモリセルアレイ
47,48,49 センスアンプ
50 チャージロス判定回路
51 書き込み判定回路
52 制御回路
53 プログラムデータバッファ
54 内部アドレス生成回路
55 高電圧生成回路
56 データラッチ回路
57 データ出力バッファ
Claims (10)
- 電気的に書き込み及び消去が可能な不揮発性半導体記憶装置のメモリセルアレイ内でチャージロスの兆候のあるメモリセルを、読み出し用リファレンスセルとそれより高い閾値をもつ書き込みベリファイ用リファレンスセルの間に閾値が設定されたチャージロス検出用リファレンスセルを用いて検出する検出ステップと、
該チャージロスの兆候が検出されたメモリセルにデータの追加書き込みを行って修復する修復ステップとを含むことを特徴とするチャージロス修復方法。 - 該検出ステップは、複数のアドレスのメモリセルから同時に読み出しを行う際に該チャージロスの兆候のあるメモリセルを検出することを特徴とする請求項1記載のチャージロス修復方法。
- 該修復ステップは、該同時読み出しを行ったデータが該メモリセルアレイからシリアルに出力されると同時に、該検出ステップにより該チャージロスの兆候が検出されたメモリセルに追加書き込みを行うことを特徴とする請求項2記載のチャージロス修復方法。
- 該メモリセルアレイのメモリ空間は複数のセクタに分割されておりデータの消去はこのセクタ単位で行われ、
該検出ステップ及び該修復ステップは、セクタ消去時にセクタ消去の対象外の領域に対して行われることを特徴とする請求項1記載のチャージロス修復方法。 - 該検出ステップは、メモリセルから読み出したデータと該読み出し用リファレンスセルから読み出したデータとの比較により該メモリセルから読み出したデータのデータ値を求めると共に、該メモリセルから読み出したデータと該チャージロスベリファイ用リファレンスセルから読み出したデータとの比較結果を求め、該データ値と該比較結果に基づいて該チャージロスの兆候を検出することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載のチャージロス修復方法。
- 電気的に書き込み及び消去が可能な不揮発性半導体記憶装置であって、
複数のメモリセルからなるメモリセルアレイと、
読み出し用リファレンスセルとそれより高い閾値をもつ書き込みベリファイ用リファレンスセルの間に閾値が設定されたチャージロス検出用リファレンスセルと、
該メモリセルアレイ内でチャージロスの兆候のあるメモリセルを、該読み出し用リファレンスセルと該チャージロス検出用リファレンスセルを用いて検出する検出手段と、
該検出手段により該チャージロスの兆候が検出されたメモリセルにデータの追加書き込みを行って修復する修復手段とを備えたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 該検出手段は、複数のアドレスのメモリセルから同時に読み出しを行う際に該チャージロスの兆候のあるメモリセルを検出することを特徴とする請求項6記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該追加書き込み後に、該書き込みベリファイ用リファレンスセルを用いて書き込みベリファイを行うベリファイ手段を更に含むことを特徴とする請求項6又は7記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 該メモリセルアレイのメモリ空間は複数のセクタに分割されておりデータの消去はこのセクタ単位で行われ、
該検出手段及び該修復手段は、セクタ消去時にセクタ消去の対象外の領域に対して行われることを特徴とする請求項8記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 該検出手段は、メモリセルから読み出したデータと該読み出し用リファレンスセルから読み出したデータとの比較により該メモリセルから読み出したデータのデータ値を求める第1のセンスアンプと、該メモリセルから読み出したデータと該チャージロスベリファイ用リファレンスセルから読み出したデータとの比較結果を求める第2のセンスアンプと、該データ値と該比較結果に基づいて該チャージロスの兆候を検出するチャージロス判定回路とを有することを特徴とする請求項6〜9のいずれか1項記載の不揮発性半導体記憶装置。
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