JP2008185406A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 半導体基板に作り込まれ、半導体基板の表面に平行な磁界を検出する縦型ホール素子と、前記縦型ホール素子を作り込んだ前記半導体基板上に形成され、半導体基板の表面に平行な磁界の強さにより抵抗値が変化する磁気抵抗素子と、を備え、前記縦型ホール素子の出力信号と前記磁気抵抗素子により得られる信号を用いて被検出体の回転を検出するようにしたことを特徴とする回転センサ。
2. 前記磁気抵抗素子はＮｉＦｅの薄膜よりなることを特徴とする請求項１に記載の回転センサ。
3. 前記磁気抵抗素子はＮｉＣｏの薄膜よりなることを特徴とする請求項１に記載の回転センサ。
4. 前記磁気抵抗素子は、被検出体の回転に伴う抵抗値変化に位相差をもつ第１および第２の磁気抵抗素子からなり、前記縦型ホール素子の出力信号と前記磁気抵抗素子により得られる信号を用いて前記被検出体の回転を検出する手段として、前記第１の磁気抵抗素子により得られる信号と前記第２の磁気抵抗素子により得られる信号をａｒｃｔａｎの演算をするａｒｃｔａｎ演算手段と、前記縦型ホール素子の出力信号をパルス化するパルス化手段と、前記ａｒｃｔａｎ演算手段によるａｒｃｔａｎの演算をして得た信号と、前記パルス化手段による前記縦型ホール素子の出力信号をパルス化した信号を合成して０〜３６０°の角度においてリニアな出力を得る合成手段と、を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の回転センサ。
5. 前記半導体基板において前記磁気抵抗素子の下に前記縦型ホール素子を重ねて配置してなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の回転センサ。
6. 前記縦型ホール素子は、第１導電型の半導体基板に形成した第２導電型のウェル領域内において当該第２導電型のウェル領域よりも浅い第１導電型のウェル領域が前記第２導電型のウェル領域を分割するように形成され、前記第２導電型のウェル領域の表層部において前記第１導電型のウェル領域を挟んで電流供給対を構成するコンタクト用の第２導電型の不純物拡散領域が形成されるとともに電圧出力対を構成するコンタクト用の第２導電型の不純物拡散領域が形成されてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の回転センサ。
7. 前記縦型ホール素子及び前記磁気抵抗素子は前記半導体基板の表面に平行な磁界を検出することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の回転センサ。
8. 前記半導体基板には、前記磁気抵抗素子が２つ形成され、前記縦型ホール素子が１つ形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の回転センサ。
9. 前記磁気抵抗素子は第１の磁気抵抗素子と第２の磁気抵抗素子から構成されており、前記第１の磁気抵抗素子に対し前記第２の磁気抵抗素子はその延設方向が４５°傾かせて配置されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の回転センサ。
10. 前記縦型ホール素子は、感磁面が前記磁気抵抗素子の長手方向に合わせて配置されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の回転センサ。
11. 前記半導体基板には周辺回路が形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の回転センサ。
12. 被検出体としてのマグネットロータは有底円筒状をなすロータボディを有しており、前記ロータボディの内面にはＳ極永久磁石とＮ極永久磁石とが対向して配置されているとともに、前記ロータボディの内部における前記Ｓ極永久磁石と前記Ｎ極永久磁石とが対向する部位には前記回線センサが配置されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の回転センサを備えた回転センサ装置。