JP2008182872A - 蓄電装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】負荷15への供給電力の切替回路部分が第1スイッチ17と第2スイッチ23からなり、第1スイッチ17をオンにし、第2スイッチ23をオフにした状態で電圧Vaが第1既定値以下であれば第1スイッチ17が開放故障していると判断し、第1スイッチ17と第2スイッチ23をオフにした状態で電圧Vaが第2既定値以上であれば第1スイッチ17、または第2スイッチ23が短絡故障していると判断し、充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に第1スイッチ17をオフにし、第2スイッチ23をオンにした状態で電圧Vaが第3既定値以下であれば第2スイッチ23が開放故障していると判断するものである。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1における蓄電装置のブロック回路図である。図2は、本発明の実施の形態1における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図1において、太線は電力系配線を、細線は信号系配線をそれぞれ示す。また、図2の電圧経時特性図においてカッコつきの記号はその時点での電圧値を示す。
図3は、本発明の実施の形態2における蓄電装置のブロック回路図である。図4は、本発明の実施の形態2における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図3の太線と細線の意味は図1と同じである。また、図4の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味も図2と同じである。
図5は、本発明の実施の形態3における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図5の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味は図2と同じである。
1−1)主電源側バイパスFET31をオン、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第1既定値以下、または主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第2既定値以下であれば開放故障
2)負荷側バイパスFET33の開放故障を判断する場合
2−1)主電源側バイパスFET31をオン、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第3既定値以下であれば開放故障
2−2)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31をオフにし、負荷側バイパスFET33と蓄電部側FET37をオンにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第4既定値以下であれば開放故障
3)蓄電部側FET37の開放故障を判断する場合
3−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31をオフにし、蓄電部側FET37をオンにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第5既定値以下であれば開放故障
3−2)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37をオンにし、負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第5既定値以下であれば開放故障
4)負荷側FET39の開放故障を判断する場合
4−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33をオフにし、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオンにした状態で、負荷15の電圧Vaが第6既定値以下であれば開放故障
4−2)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31と負荷側FET39をオンにし、蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第7既定値以下であれば開放故障
5)主電源側バイパスFET31の短絡故障を判断する場合
5−1)主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33をオフにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第8既定値以上であれば短絡故障
5−2)主電源側バイパスFET31と蓄電部側FET37をオフにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第8既定値以上であれば短絡故障
6)負荷側バイパスFET33の短絡故障を判断する場合
6−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33をオフにし、蓄電部側FET37をオンにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第9既定値以上であれば短絡故障
7)蓄電部側FET37の短絡故障を判断する場合
7−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第10既定値以上であれば短絡故障
7−2)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31と蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第10既定値以上であれば短絡故障
8)負荷側FET39の短絡故障を判断する場合
8−1)主電源側バイパスFET31をオンにし、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第11既定値以上であれば短絡故障
なお、上記した第1既定値から第11既定値は故障判断時の蓄電部21の充電状態や各FETの特性バラツキ等を考慮して適宜決定すればよい。例えば、実施の形態2の場合に対応してみると、上記した第1既定値から第7既定値はVminに相当し、第8既定値から第11既定値はVnに相当する。また、蓄電部21が充電中に故障判断を行う場合は、第1既定値から第7既定値を故障判断時の各電圧(Va、Vc、Vd)の変化に応じて決定しておけばよい。さらに、第8既定値から第11既定値は、各FETの漏れ電流特性のバラツキやノイズ等の影響があるため、それらをあらかじめ加味して、それぞれの値を決定しておいてもよい。なお、実施の形態2で説明した第1既定値から第6既定値は、本実施の形態3で述べた第1既定値から第6既定値とは異なる。
図6は、本発明の実施の形態4における蓄電装置のブロック回路図である。図7は、本発明の実施の形態4における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図6の太線と細線の意味は図1と同じである。また、図7の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味も図2と同じである。
図8は、本発明の実施の形態5における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図8の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味は図2と同じである。
1−1)主電源側バイパスFET31をオン、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第1既定値以下、または主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスダイオード41の接続点の電圧Vcが第2既定値以下であれば開放故障
2)負荷側バイパスダイオード41の開放故障を判断する場合
2−1)主電源側バイパスFET31をオン、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第3既定値以下であれば開放故障
3)蓄電部側FET37の開放故障を判断する場合
3−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31をオフにし、蓄電部側FET37をオンにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第5既定値以下であれば開放故障
3−2)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37をオンにし、負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第5既定値以下であれば開放故障
4)負荷側FET39の開放故障を判断する場合
4−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31をオフにし、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオンにした状態で、負荷15の電圧Vaが第6既定値以下であれば開放故障
4−2)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31と負荷側FET39をオンにし、蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第7既定値以下であれば開放故障
5)主電源側バイパスFET31の短絡故障を判断する場合
5−1)主電源側バイパスFET31をオフにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスダイオード41の接続点の電圧Vcが第8既定値以上であれば短絡故障
6)負荷側バイパスダイオード41の短絡故障を判断する場合
6−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31をオフにし、蓄電部側FET37をオンにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスダイオード41の接続点の電圧Vcが第9既定値以上であれば短絡故障
7)蓄電部側FET37の短絡故障を判断する場合
7−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第10既定値以上であれば短絡故障
7−2)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31と蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第10既定値以上であれば短絡故障
8)負荷側FET39の短絡故障を判断する場合
8−1)主電源側バイパスFET31をオンにし、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第11既定値以上であれば短絡故障
なお、上記した第1既定値から第11既定値は実施の形態3で述べたように、故障判断時の蓄電部21の充電状態や各FETの特性バラツキ等を考慮して適宜決定すればよい。また、本実施の形態5においても第1既定値から第7既定値はVminとし、第8既定値から第11既定値はVnとした。また、実施の形態4で説明した第1既定値から第6既定値は、本実施の形態5で述べた第1既定値から第6既定値とは異なる。
図9は、本発明の実施の形態6における蓄電装置のブロック回路図である。図10は、本発明の実施の形態6における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図9の太線と細線の意味は図1と同じである。また、図10の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味も図2と同じである。
図11は、本発明の実施の形態7における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図11の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味は図2と同じである。
1−1)主電源側バイパスFET31をオン、蓄電部側FET37をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第1既定値以下、または主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第2既定値以下であれば開放故障
2)負荷側バイパスFET33の開放故障を判断する場合
2−1)主電源側バイパスFET31をオン、蓄電部側FET37をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第3既定値以下であれば開放故障
2−2)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31をオフにし、負荷側バイパスFET33と蓄電部側FET37をオンにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第4既定値以下であれば開放故障
3)蓄電部側FET37の開放故障を判断する場合
3−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37をオンにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側ダイオード43の接続点の電圧Vdが第5既定値以下であれば開放故障
4)負荷側ダイオード43の開放故障を判断する場合
4−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33をオフにし、蓄電部側FET37をオンにした状態で、負荷15の電圧Vaが第6既定値以下であれば開放故障
5)主電源側バイパスFET31の短絡故障を判断する場合
5−1)主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33をオフにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第8既定値以上であれば短絡故障
5−2)主電源側バイパスFET31と蓄電部側FET37をオフにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第8既定値以上であれば短絡故障
6)負荷側バイパスFET33の短絡故障を判断する場合
6−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33をオフにし、蓄電部側FET37をオンにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスFET33の接続点の電圧Vcが第9既定値以上であれば短絡故障
7)蓄電部側FET37の短絡故障を判断する場合
7−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側ダイオード43の接続点の電圧Vdが第10既定値以上であれば短絡故障
8)負荷側ダイオード43の短絡故障を判断する場合
8−1)主電源側バイパスFET31をオンにし、蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側ダイオード43の接続点の電圧Vdが第11既定値以上であれば短絡故障
なお、上記した第1既定値から第11既定値は実施の形態3で述べたように、故障判断時の蓄電部21の充電状態や各FETの特性バラツキ等を考慮して適宜決定すればよい。また、本実施の形態7においても第1既定値から第7既定値はVminとし、第8既定値から第11既定値はVnとした。また、実施の形態6で説明した第1既定値から第6既定値は、本実施の形態7で述べた第1既定値から第6既定値とは異なる。
図12は、本発明の実施の形態8における蓄電装置のブロック回路図である。図13は、本発明の実施の形態8における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図12の太線と細線の意味は図1と同じである。また、図13の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味も図2と同じである。
図14は、本発明の実施の形態9における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図14の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味は図2と同じである。
1−1)主電源側バイパスFET31をオン、蓄電部側FET37をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第1既定値以下、または主電源側バイパスFET31をオンにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスダイオード41の接続点の電圧Vcが第2既定値以下であれば開放故障
2)負荷側バイパスダイオード41の開放故障を判断する場合
2−1)主電源側バイパスFET31をオン、蓄電部側FET37をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第3既定値以下であれば開放故障
3)蓄電部側FET37の開放故障を判断する場合
3−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37をオンにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側ダイオード43の接続点の電圧Vdが第5既定値以下であれば開放故障
4)負荷側ダイオード43の開放故障を判断する場合
4−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31をオフにし、蓄電部側FET37をオンにした状態で、負荷15の電圧Vaが第6既定値以下であれば開放故障
5)主電源側バイパスFET31の短絡故障を判断する場合
5−1)主電源側バイパスFET31をオフにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスダイオード41の接続点の電圧Vcが第8既定値以上であれば短絡故障
6)負荷側バイパスダイオード41の短絡故障を判断する場合
6−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、主電源側バイパスFET31をオフにし、蓄電部側FET37をオンにした状態で、主電源側バイパスFET31と負荷側バイパスダイオード41の接続点の電圧Vcが第9既定値以上であれば短絡故障
7)蓄電部側FET37の短絡故障を判断する場合
7−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側ダイオード43の接続点の電圧Vdが第10既定値以上であれば短絡故障
8)負荷側ダイオード43の短絡故障を判断する場合
8−1)主電源側バイパスFET31をオンにし、蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側ダイオード43の接続点の電圧Vdが第11既定値以上であれば短絡故障
なお、上記した第1既定値から第11既定値は実施の形態3で述べたように、故障判断時の蓄電部21の充電状態や各FETの特性バラツキ等を考慮して適宜決定すればよい。また、本実施の形態9においても第1既定値から第7既定値はVminとし、第8既定値から第11既定値はVnとした。また、実施の形態8で説明した第1既定値から第6既定値は、本実施の形態9で述べた第1既定値から第6既定値とは異なる。
図15は、本発明の実施の形態10における蓄電装置のブロック回路図である。図16は、本発明の実施の形態10における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図15の太線と細線の意味は図1と同じである。また、図16の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味も図2と同じである。
図17は、本発明の実施の形態11における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図17の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味は図2と同じである。
1−1)蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第3既定値以下であれば開放故障
2)蓄電部側FET37の開放故障を判断する場合
2−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37をオンにし、負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第5既定値以下であれば開放故障
3)負荷側FET39の開放故障を判断する場合
3−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、負荷側FET39をオンにし、蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第7既定値以下であれば開放故障
4)負荷側バイパスFET33の短絡故障を判断する場合
4−1)負荷側バイパスFET33、蓄電部側FET37、および負荷側FET39をオフにした状態で、主電源13の電圧Vbと負荷15の電圧Vaの差が第12既定値以下であれば短絡故障
5)蓄電部側FET37の短絡故障を判断する場合
5−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第10既定値以上であれば短絡故障
6)負荷側FET39の短絡故障を判断する場合
6−1)蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第11既定値以上であれば短絡故障
なお、上記した第3既定値から第11既定値は実施の形態3で述べたように、故障判断時の蓄電部21の充電状態や各FETの特性バラツキ等を考慮して適宜決定すればよい。また、本実施の形態11において、第3既定値、第5既定値、および第7既定値はVminとし、第10既定値と第11既定値はVnとした。第12既定値については、後述するようにΔV+Vnとした。また、実施の形態10で説明した第3既定値と第5既定値は、本実施の形態11で述べた第3既定値や第5既定値とは異なる。
図18は、本発明の実施の形態12における蓄電装置の故障判断時のタイミングチャートと電圧経時特性図である。なお、図18の電圧経時特性図におけるカッコつきの記号の意味は図2と同じである。
1−1)蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、負荷15の電圧Vaが第3既定値以下であれば開放故障
2)蓄電部側FET37の開放故障を判断する場合
2−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37をオンにし、負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第5既定値以下であれば開放故障
3)負荷側FET39の開放故障を判断する場合
3−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、負荷側FET39をオンにし、蓄電部側FET37をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第7既定値以下であれば開放故障
4)負荷側バイパスダイオード41の短絡故障を判断する場合
4−1)蓄電部側FET37、および負荷側FET39をオフにした状態で、主電源13の電圧Vbと負荷15の電圧Vaの差が第12既定値以下であれば短絡故障
5)蓄電部側FET37の短絡故障を判断する場合
5−1)充電回路19が蓄電部21を充電中、または充電後に、蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第10既定値以上であれば短絡故障
6)負荷側FET39の短絡故障を判断する場合
6−1)蓄電部側FET37と負荷側FET39をオフにした状態で、蓄電部側FET37と負荷側FET39の接続点の電圧Vdが第11既定値以上であれば短絡故障
なお、上記した第3既定値から第11既定値は実施の形態3で述べたように、故障判断時の蓄電部21の充電状態や各FETの特性バラツキ等を考慮して適宜決定すればよい。また、本実施の形態12において、第3既定値、第5既定値、および第7既定値はVminとし、第10既定値と第11既定値はVnとした。第12既定値については、実施の形態11で述べた理由からΔV+Vnとした。また、実施の形態10で説明した第3既定値と第5既定値は、本実施の形態12で述べた第3既定値や第5既定値とは異なる。
13 主電源
15 負荷
17 第1スイッチ
19 充電回路
21 蓄電部
23 第2スイッチ
27 電圧検出回路
29 制御部
31 主電源側バイパスFET
33 負荷側バイパスFET
37 蓄電部側FET
39 負荷側FET
41 負荷側バイパスダイオード
43 負荷側ダイオード
Claims (30)
- 主電源と負荷との間に接続された蓄電装置であって、
前記蓄電装置は、前記主電源と前記負荷の間に接続された第1スイッチと、
前記主電源に接続された充電回路と、
前記充電回路に接続された蓄電部と、
前記蓄電部と前記負荷の間に接続された第2スイッチと、
前記主電源の電圧(Vb)、および前記負荷の電圧(Va)を検出する電圧検出回路と、前記第1スイッチ、第2スイッチ、充電回路、および電圧検出回路が接続された制御部とを備え、
前記制御部は前記第1スイッチをオンにし、前記第2スイッチをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が第1既定値以下であれば前記第1スイッチが開放故障していると判断し、
前記第1スイッチ、および前記第2スイッチをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が第2既定値以上であれば前記第1スイッチ、または前記第2スイッチが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記第1スイッチをオフにし、前記第2スイッチをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が第3既定値以下であれば前記第2スイッチが開放故障していると判断するようにした蓄電装置。 - 主電源と負荷との間に接続された蓄電装置であって、
前記蓄電装置は、前記主電源と前記負荷の間に直列接続された主電源側バイパスFET、および負荷側バイパスFETと、
前記主電源に接続された充電回路と、
前記充電回路に接続された蓄電部と、
前記蓄電部と前記負荷の間に直列接続された蓄電部側FET、および負荷側FETと、
前記主電源の電圧(Vb)、前記負荷の電圧(Va)、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)、および前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)を検出する電圧検出回路と、
前記主電源側バイパスFET、負荷側バイパスFET、蓄電部側FET、負荷側FET、充電回路、および電圧検出回路が接続された制御部とを備え、
前記制御部は前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が第1既定値以下であれば前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスFETが開放故障していると判断し、
前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FET、または前記負荷側バイパスFETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が第2既定値以上であれば前記主電源側バイパスFETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FET、および前記負荷側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第3既定値以上であれば前記蓄電部側FET、または前記負荷側FETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側FETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第4既定値以下であれば前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFET、および前記負荷側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が第5既定値以上であれば前記負荷側バイパスFETが短絡故障していると判断するとともに、
前記負荷の電圧(Va)が第6既定値以下であれば前記負荷側FETが開放故障していると判断するようにした蓄電装置。 - 主電源と負荷との間に接続された蓄電装置であって、
前記蓄電装置は、前記主電源と前記負荷の間に前記主電源側から順に直列接続された主電源側バイパスFET、および前記主電源側バイパスFETにアノードを前記負荷にカソードを接続した負荷側バイパスダイオードと、
前記主電源に接続された充電回路と、
前記充電回路に接続された蓄電部と、
前記蓄電部と前記負荷の間に直列接続された蓄電部側FET、および負荷側FETと、
前記主電源の電圧(Vb)、前記負荷の電圧(Va)、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)、および前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)を検出する電圧検出回路と、
前記主電源側バイパスFET、蓄電部側FET、負荷側FET、充電回路、および電圧検出回路が接続された制御部とを備え、
前記制御部は前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が第1既定値以下であれば前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスダイオードが開放故障していると判断し、
前記主電源側バイパスFETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が第2既定値以上であれば前記主電源側バイパスFETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FET、および前記負荷側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第3既定値以上であれば前記蓄電部側FET、または前記負荷側FETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側FETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第4既定値以下であれば前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が第5既定値以上であれば前記負荷側バイパスダイオードが短絡故障していると判断するとともに、前記負荷の電圧(Va)が第6既定値以下であれば前記負荷側FETが開放故障していると判断するようにした蓄電装置。 - 主電源と負荷との間に接続された蓄電装置であって、
前記蓄電装置は、前記主電源と前記負荷の間に直列接続された主電源側バイパスFET、および負荷側バイパスFETと、
前記主電源に接続された充電回路と、
前記充電回路に接続された蓄電部と、
前記蓄電部と前記負荷の間に前記蓄電部側から順に直列接続された蓄電部側FET、および前記蓄電部側FETにアノードを前記負荷にカソードを接続した負荷側ダイオードと、前記主電源の電圧(Vb)、前記負荷の電圧(Va)、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)、および前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)を検出する電圧検出回路と、
前記主電源側バイパスFET、負荷側バイパスFET、蓄電部側FET、充電回路、および電圧検出回路が接続された制御部とを備え、
前記制御部は前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が第1既定値以下であれば前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスFETが開放故障していると判断し、
前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FET、または前記負荷側バイパスFETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が第2既定値以上であれば前記主電源側バイパスFETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が第3既定値以上であれば前記蓄電部側FET、または前記負荷側ダイオードが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記蓄電部側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が第4既定値以下であれば前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFET、および前記負荷側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が第5既定値以上であれば前記負荷側バイパスFETが短絡故障していると判断するとともに、
前記負荷の電圧(Va)が第6既定値以下であれば前記負荷側ダイオードが開放故障していると判断するようにした蓄電装置。 - 主電源と負荷との間に接続された蓄電装置であって、
前記蓄電装置は、前記主電源と前記負荷の間に前記主電源側から順に直列接続された主電源側バイパスFET、および前記主電源側バイパスFETにアノードを前記負荷にカソードを接続した負荷側バイパスダイオードと、
前記主電源に接続された充電回路と、
前記充電回路に接続された蓄電部と、
前記蓄電部と前記負荷の間に前記蓄電部側から順に直列接続された蓄電部側FET、および前記蓄電部側FETにアノードを前記負荷にカソードを接続した負荷側ダイオードと、前記主電源の電圧(Vb)、前記負荷の電圧(Va)、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)、および前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)を検出する電圧検出回路と、
前記主電源側バイパスFET、蓄電部側FET、充電回路、および電圧検出回路が接続された制御部とを備え、
前記制御部は前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が第1既定値以下であれば前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスダイオードが開放故障していると判断し、
前記主電源側バイパスFETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が第2既定値以上であれば前記主電源側バイパスFETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が第3既定値以上であれば前記蓄電部側FET、または前記負荷側ダイオードが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が第4既定値以下であれば前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が第5既定値以上であれば前記負荷側バイパスダイオードが短絡故障していると判断するとともに、前記負荷の電圧(Va)が第6既定値以下であれば前記負荷側ダイオードが開放故障していると判断するようにした蓄電装置。 - 主電源と負荷との間に接続された蓄電装置であって、
前記蓄電装置は、前記主電源と前記負荷の間に接続された負荷側バイパスFETと、
前記主電源に接続された充電回路と、
前記充電回路に接続された蓄電部と、
前記蓄電部と前記負荷の間に直列接続された蓄電部側FET、および負荷側FETと、
前記主電源の電圧(Vb)、前記負荷の電圧(Va)、および前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)を検出する電圧検出回路と、
前記負荷側バイパスFET、蓄電部側FET、負荷側FET、充電回路、および電圧検出回路が接続された制御部とを備え、
前記制御部は前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が第1既定値以下であれば前記負荷側バイパスFETが開放故障していると判断し、
前記負荷側バイパスFET、前記蓄電部側FET、および前記負荷側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)、および前記主電源の電圧(Vb)の差が第2既定値以下であれば前記負荷側バイパスFETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記蓄電部側FET、および前記負荷側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第3既定値以上であれば前記蓄電部側FET、または前記負荷側FETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記負荷側FETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第4既定値以下であれば前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記負荷の電圧(Va)と前記蓄電部の電圧(Vt)の差が第5既定値以下の時、または前記蓄電部の電圧(Vt)が前記負荷の電圧(Va)よりも大きい時で、かつ前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記負荷側FETをオンにした状態で前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)、および前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)の差が第6既定値以上であれば前記負荷側FETが開放故障していると判断するようにした蓄電装置。 - 前記負荷側バイパスFETに替えて、アノードを前記主電源に、カソードを前記負荷に接続した負荷側バイパスダイオードとし、
前記負荷側バイパスダイオードの故障判断として、前記制御部は前記蓄電部側FET、および前記負荷側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により前記負荷の電圧(Va)、および前記主電源の電圧(Vb)を検出し、前記負荷の電圧(Va)が前記第1既定値以下であれば前記負荷側バイパスダイオードが開放故障しており、前記負荷の電圧(Va)と前記主電源の電圧(Vb)の差が前記第2既定値以下であれば前記負荷側バイパスダイオードが短絡故障していると判断するようにした請求項6に記載の蓄電装置。 - 前記負荷側FETに替えて、アノードを前記蓄電部側FETに、カソードを前記負荷に接続した負荷側ダイオードとし、
前記負荷側ダイオードの故障判断として、前記制御部は前記蓄電部側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第3既定値以上であれば前記負荷側ダイオードが短絡故障しており、前記負荷の電圧(Va)と前記蓄電部の電圧(Vt)の差が前記第5既定値以下の時、または前記蓄電部の電圧(Vt)が前記負荷の電圧(Va)よりも大きい時で、かつ前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)、および前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)の差が前記第6既定値以上であれば前記負荷側ダイオードが開放故障していると判断するようにした請求項6に記載の蓄電装置。 - 前記負荷側バイパスFETに替えて、アノードを前記主電源に、カソードを前記負荷に接続した負荷側バイパスダイオードとするとともに、前記負荷側FETに替えて、アノードを前記蓄電部側FETに、カソードを前記負荷に接続した負荷側ダイオードとし、
前記負荷側バイパスダイオードの故障判断として、前記制御部は前記蓄電部側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により前記負荷の電圧(Va)、および前記主電源の電圧(Vb)を検出し、前記負荷の電圧(Va)が前記第1既定値以下であれば前記負荷側バイパスダイオードが開放故障しており、前記負荷の電圧(Va)と前記主電源の電圧(Vb)の差が前記第2既定値以下であれば前記負荷側バイパスダイオードが短絡故障していると判断するとともに、
前記負荷側ダイオードの故障判断として、前記制御部は前記蓄電部側FETをオフにした状態で前記電圧検出回路により前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第3既定値以上であれば前記負荷側ダイオードが短絡故障しており、前記負荷の電圧(Va)と前記蓄電部の電圧(Vt)の差が前記第5既定値以下の時、または前記蓄電部の電圧(Vt)が前記負荷の電圧(Va)よりも大きい時で、かつ前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)、および前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)の差が前記第6既定値以上であれば前記負荷側ダイオードが開放故障していると判断するようにした請求項6に記載の蓄電装置。 - 主電源と負荷との間に接続された蓄電装置であって、
前記蓄電装置は、前記主電源と前記負荷の間に直列接続された主電源側バイパスFET、および負荷側バイパスFETと、
前記主電源に接続された充電回路と、
前記充電回路に接続された蓄電部と、
前記蓄電部と前記負荷の間に直列接続された蓄電部側FET、および負荷側FETと、
前記主電源の電圧(Vb)、前記負荷の電圧(Va)、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)、および前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)を検出する電圧検出回路と、
前記主電源側バイパスFET、負荷側バイパスFET、蓄電部側FET、負荷側FET、充電回路、および電圧検出回路が接続された制御部とを備え、
前記制御部は、前記主電源側バイパスFETの開放故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が第1既定値以下、または前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が第2既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側バイパスFETの開放故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が第3既定値以下であるか、あるいは前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記負荷側バイパスFETと前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が第4既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記蓄電部側FETの開放故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態とするか、あるいは前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記蓄電部側FETをオンにし、前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第5既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側FETの開放故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオンにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が第6既定値以下であるか、あるいは前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側FETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第7既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記主電源側バイパスFETの短絡故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオフにした状態とするか、あるいは前記主電源側バイパスFETと前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が第8既定値以上であれば短絡故障していると判断し、
前記負荷側バイパスFETの短絡故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が第9既定値以上であれば短絡故障していると判断し、
前記蓄電部側FETの短絡故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態とするか、あるいは前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第10既定値以上であれば短絡故障していると判断し、
前記負荷側FETの短絡故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が第11既定値以上であれば短絡故障していると判断するようにした蓄電装置。 - 前記主電源側バイパスFET、負荷側バイパスFET、蓄電部側FET、および負荷側FETは、それぞれがオフの時に寄生ダイオードにより発生する電圧降下(ΔV)を有し、
前記制御部は、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第1既定値以下、または前記第3既定値以下であれば、前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスFETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第10既定値以上、または前記第11既定値以上であれば、前記蓄電部側FET、または前記負荷側FETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記主電源の電圧(Vb)が前記蓄電部の電圧(Vt)と前記電圧降下(ΔV)の差(Vt−ΔV)以上の場合に、前記主電源側バイパスFET、負荷側バイパスFET、および蓄電部側FETをオンにし、前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第5既定値以下であれば、前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記蓄電部の電圧(Vt)が前記主電源の電圧(Vb)と前記電圧降下(ΔV)の差(Vb−ΔV)以上の場合に、前記主電源側バイパスFET、負荷側バイパスFET、および負荷側FETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第7既定値以下であれば、前記負荷側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記主電源の電圧(Vb)と前記蓄電部の電圧(Vt)の差の絶対値(|Vb−Vt|)が前記電圧降下(ΔV)以下の場合に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオンにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が前記第8既定値以上、または前記第9既定値以上であれば、前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスFETが短絡故障していると判断するようにした請求項10に記載の蓄電装置。 - 前記負荷側バイパスFETに替えて、アノードを前記主電源側バイパスFETに、カソードを前記負荷に接続した負荷側バイパスダイオードとし、
前記制御部は、前記主電源側バイパスFETの開放故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が前記第1既定値以下、または前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が前記第2既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側バイパスダイオードの開放故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第3既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側FETの開放故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオンにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第6既定値以下であるか、あるいは前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側FETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第7既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記主電源側バイパスFETの短絡故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオフにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が前記第8既定値以上であれば短絡故障していると判断し、
前記負荷側バイパスダイオードの短絡故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が前記第9既定値以上であれば短絡故障していると判断するようにした請求項10に記載の蓄電装置。 - 前記主電源側バイパスFET、蓄電部側FET、および負荷側FETは、それぞれがオフの時に寄生ダイオードにより発生する電圧降下(ΔV)を有するとともに、前記負荷側バイパスダイオードも前記電圧降下(ΔV)を有し、
前記制御部は、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第1既定値以下、または前記第3既定値以下であれば、前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスダイオードが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第10既定値以上、または前記第11既定値以上であれば、前記蓄電部側FET、または前記負荷側FETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記蓄電部側FETをオンにし、前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第5既定値以下であれば、前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記蓄電部の電圧(Vt)が前記主電源の電圧(Vb)と前記電圧降下(ΔV)の差(Vb−ΔV×2)以上の場合に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側FETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第7既定値以下であれば、前記負荷側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記主電源の電圧(Vb)と前記蓄電部の電圧(Vt)の差の絶対値(|Vb−Vt|)が前記電圧降下(ΔV)以下の場合に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオンにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が前記第8既定値以上、または前記第9既定値以上であれば、前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスダイオードが短絡故障していると判断するようにした請求項12に記載の蓄電装置。 - 前記負荷側FETに替えて、アノードを前記蓄電部側FETに、カソードを前記負荷に接続した負荷側ダイオードとし、
前記制御部は、前記主電源側バイパスFETの開放故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が前記第1既定値以下、または前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が前記第2既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側バイパスFETの開放故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第3既定値以下であるか、あるいは前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記負荷側バイパスFETと前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が前記第4既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記蓄電部側FETの開放故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第5既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側ダイオードの開放故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第6既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記蓄電部側FETの短絡故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第10既定値以上であれば短絡故障していると判断し、
前記負荷側ダイオードの短絡故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第11既定値以上であれば短絡故障していると判断するようにした請求項10に記載の蓄電装置。 - 前記主電源側バイパスFET、負荷側バイパスFET、および蓄電部側FETは、それぞれがオフの時に寄生ダイオードにより発生する電圧降下(ΔV)を有するとともに、前記負荷側ダイオードも前記電圧降下(ΔV)を有し、
前記制御部は、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第1既定値以下、または前記第3既定値以下であれば、前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスFETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第10既定値以上、または前記第11既定値以上であれば、前記蓄電部側FET、または前記負荷側ダイオードが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記主電源の電圧(Vb)が前記蓄電部の電圧(Vt)と前記電圧降下(ΔV)の差(Vt−ΔV)以上の場合に、前記主電源側バイパスFET、負荷側バイパスFET、および蓄電部側FETをオンにした状態で、前記負荷の電圧(Va)前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第5既定値以下であれば、前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記主電源の電圧(Vb)が、前記蓄電部の電圧(Vt)と、前記寄生ダイオードおよび前記負荷側ダイオードによる前記電圧降下(ΔV)の差(Vt−ΔV×2)以上の場合に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第6既定値以下であれば、前記負荷側ダイオードが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記主電源の電圧(Vb)が、前記蓄電部の電圧(Vt)と、前記寄生ダイオードおよび前記負荷側ダイオードによる前記電圧降下(ΔV)の差(Vt−ΔV×2)以上の場合に、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETの接続点の電圧(Vc)が前記第8既定値以上、または前記第9既定値以上であれば、前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスFETが短絡故障していると判断するようにした請求項14に記載の蓄電装置。 - 前記負荷側バイパスFETに替えて、アノードを前記主電源側バイパスFETに、カソードを前記負荷に接続した負荷側バイパスダイオードとするとともに、前記負荷側FETに替えて、アノードを前記蓄電部側FETに、カソードを前記負荷に接続した負荷側ダイオードとし、
前記制御部は、前記主電源側バイパスFETの開放故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記電圧検出回路により検出した前記負荷の電圧(Va)が前記第1既定値以下であるか、あるいは前記主電源側バイパスFETをオンにした状態で前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が前記第2既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側バイパスダイオードの開放故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第3既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記蓄電部側FETの開放故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第5既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側ダイオードの開放故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第6既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記主電源側バイパスFETの短絡故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオフにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が前記第8既定値以上であれば短絡故障していると判断し、
前記負荷側バイパスダイオードの短絡故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が前記第9既定値以上であれば短絡故障していると判断し、
前記蓄電部側FETの短絡故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第10既定値以上であれば短絡故障していると判断し、
前記負荷側ダイオードの短絡故障を判断する際に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第11既定値以上であれば短絡故障していると判断するようにした請求項10に記載の蓄電装置。 - 前記主電源側バイパスFETと前記蓄電部側FETは、それぞれがオフの時に寄生ダイオードにより発生する電圧降下(ΔV)を有するとともに、前記負荷側バイパスダイオードと前記負荷側ダイオードも前記電圧降下(ΔV)を有し、
前記制御部は、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第1既定値以下、または前記第3既定値以下であれば、前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスダイオードが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第10既定値以上、または前記第11既定値以上であれば、前記蓄電部側FET、または前記負荷側ダイオードが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記主電源側バイパスFETと前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側ダイオードの接続点の電圧(Vd)が前記第5既定値以下であれば、前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記主電源の電圧(Vb)が、前記蓄電部の電圧(Vt)と、前記寄生ダイオードおよび前記負荷側ダイオードによる前記電圧降下(ΔV)の差(Vt−ΔV×2)以上の場合に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第6既定値以下であれば、前記負荷側ダイオードが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記主電源の電圧(Vb)が、前記蓄電部の電圧(Vt)と、前記寄生ダイオードおよび前記負荷側ダイオードによる前記電圧降下(ΔV)の差(Vt−ΔV×2)以上の場合に、前記主電源側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにした状態で、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスダイオードの接続点の電圧(Vc)が前記第8既定値以上、または前記第9既定値以上であれば、前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスダイオードが短絡故障していると判断するようにした請求項16に記載の蓄電装置。 - 前記主電源側バイパスFETを廃して、前記主電源と前記負荷の間に負荷側バイパスFETのみを接続した構成とし、
前記制御部は、前記負荷側バイパスFETの開放故障を判断する際に、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第3既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記蓄電部側FETの開放故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記蓄電部側FETをオンにし、前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第5既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側FETの開放故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記負荷側FETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第7既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側バイパスFETの短絡故障を判断する際に、前記負荷側バイパスFET、蓄電部側FET、および負荷側FETをオフにした状態で、前記主電源の電圧(Vb)と前記負荷の電圧(Va)の差が第12既定値以下であれば短絡故障していると判断し、
前記蓄電部側FETの短絡故障を判断する際に、前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第10既定値以上であれば短絡故障していると判断し、
前記負荷側FETの短絡故障を判断する際に、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第11既定値以上であれば短絡故障していると判断するようにした請求項10に記載の蓄電装置。 - 前記負荷側バイパスFET、蓄電部側FET、および負荷側FETは、それぞれがオフの時に寄生ダイオードにより発生する電圧降下(ΔV)を有し、
前記制御部は、前記負荷側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第3既定値以下であれば前記負荷側バイパスFETが開放故障していると判断し、
前記負荷側バイパスFET、蓄電部側FET、および負荷側FETをオフにした状態で、前記主電源の電圧(Vb)と前記負荷の電圧(Va)の差が前記第12既定値以下であれば前記負荷側バイパスFETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記負荷側バイパスFETをオンにし、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第10既定値以上、または前記第11既定値以上であれば、前記蓄電部側FET、または前記負荷側FETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記主電源の電圧(Vb)が前記蓄電部の電圧(Vt)と前記電圧降下(ΔV)の差(Vt−ΔV)以上の場合に、前記負荷側バイパスFETと前記蓄電部側FETをオンにし、前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第5既定値以下であれば、前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記蓄電部の電圧(Vt)が前記主電源の電圧(Vb)と前記電圧降下(ΔV)の差(Vb−ΔV)以上の場合に、前記負荷側バイパスFETと前記負荷側FETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第7既定値以下であれば、前記負荷側FETが開放故障していると判断するようにした請求項18に記載の蓄電装置。 - 前記負荷側バイパスFETに替えて、アノードを前記主電源に、カソードを前記負荷に接続した負荷側バイパスダイオードとし、
前記制御部は、前記負荷側バイパスダイオードの開放故障を判断する際に、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第3既定値以下であれば開放故障していると判断し、
前記負荷側バイパスダイオードの短絡故障を判断する際に、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記主電源の電圧(Vb)と前記負荷の電圧(Va)の差が前記第12既定値以下であれば短絡故障していると判断するようにした請求項18に記載の蓄電装置。 - 前記蓄電部側FETと前記負荷側FETは、それぞれがオフの時に寄生ダイオードにより発生する電圧降下(ΔV)を有するとともに、前記負荷側バイパスダイオードも前記電圧降下(ΔV)を有し、
前記制御部は、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記負荷の電圧(Va)が前記第3既定値以下であれば前記負荷側バイパスダイオードが開放故障していると判断し、
前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記主電源の電圧(Vb)と前記負荷の電圧(Va)の差が前記第12既定値以下であれば前記負荷側バイパスFETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第10既定値以上、または前記第11既定値以上であれば、前記蓄電部側FET、または前記負荷側FETが短絡故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後で、前記蓄電部の電圧(Vt)が、前記主電源の電圧(Vb)と、前記寄生ダイオードおよび前記負荷側バイパスダイオードによる前記電圧降下(ΔV)の差(Vt−ΔV×2)以上の場合に、前記蓄電部側FETをオンにし、前記負荷側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第5既定値以下であれば、前記蓄電部側FETが開放故障していると判断し、
前記充電回路が前記蓄電部を充電中、または充電後に、前記負荷側FETをオンにし、前記蓄電部側FETをオフにした状態で、前記蓄電部側FETと前記負荷側FETの接続点の電圧(Vd)が前記第7既定値以下であれば、前記負荷側FETが開放故障していると判断するようにした請求項20に記載の蓄電装置。 - 前記制御部は、始動後に前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスFETの開放故障を判断した後、前記蓄電部の充電後に残りの故障判断を行うとともに、前記主電源側バイパスFETの短絡故障を判断する時は、前記主電源側バイパスFETと前記負荷側バイパスFETをオフにし、前記蓄電部側FETをオンにするようにした請求項2、4、または10のいずれかに記載の蓄電装置。
- 前記制御部は、始動後に前記主電源側バイパスFET、または前記負荷側バイパスダイオードの開放故障を判断した後、前記蓄電部の充電後に残りの故障判断を行うとともに、前記主電源側バイパスFETの短絡故障を判断する時は、前記蓄電部側FETをオンにするようにした請求項3、5、12、または16のいずれかに記載の蓄電装置。
- 前記制御部は、始動後に前記負荷側バイパスFETの開放故障を判断した後、前記蓄電部の充電後に残りの故障判断を行うようにした請求項6、または18に記載の蓄電装置。
- 前記制御部はいずれかの故障を判断すれば故障信号を出力するようにした請求項1、2、3、4、5、6、または10のいずれかに記載の蓄電装置。
- 前記制御部は使用終了後に故障判断を行い、故障判断結果を前記制御部に内蔵したメモリに記憶しておくようにした請求項1、2、3、4、5、6、または10のいずれかに記載の蓄電装置。
- 前記制御部は、始動後に外部制御回路へ前記故障判断結果を送信する請求項26に記載の蓄電装置。
- 前記故障判断の後に前記蓄電部の電力を放電するようにした請求項26に記載の蓄電装置。
- 前記制御部は使用終了後に故障判断を行い、その結果を外部制御回路に送信するようにした請求項1、2、3、4、5、6、または10のいずれかに記載の蓄電装置。
- 前記故障判断を前記外部制御回路に送信する際に、前記蓄電部の電力で前記外部制御回路を駆動するようにした請求項29に記載の蓄電装置。
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