JP2008177203A - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板10の裏面にレーザ照射を行って、レーザ照射領域における少数キャリアのライフタイムが長くなるように制御する工程を含む半導体デバイスの製造方法であって、ビームプロファイルLBnの照射領域とビームプロファイルLBn+1の照射領域とは部分的に重なり合うようにレーザ照射を行い、ライフタイムの長い領域22およびライフタイムの短い領域21をp型コレクタ層14およびn型バッファ層13に形成する。
【選択図】図1
Description
レーザ照射領域が部分的に重なり合うようにレーザ照射を行い、ライフタイムの長い領域およびライフタイムの短い領域を半導体層に形成することを特徴とする。
図1は、本発明が適用可能な半導体デバイスの一例を示す断面図である。ここでは、半導体デバイスとしてIGBTを例示するが、本発明は、一般のバイポーラ半導体デバイスに適用可能である。
7 n型エミッタ層、 8 層間酸化膜、 10 基板、 11 トランジスタ、
12 カソード電極、 13 n型バッファ層、 14 p型コレクタ層、
15 アノード電極、 21 ライフタイムの短い領域、
22 ライフタイムの長い領域。
Claims (6)
- 半導体層に向けてレーザ照射を行って、レーザ照射領域における少数キャリアのライフタイムが長くなるように制御する工程を含む半導体デバイスの製造方法であって、
レーザ照射領域が部分的に重なり合うようにレーザ照射を行い、ライフタイムの長い領域およびライフタイムの短い領域を半導体層に形成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 - レーザ照射工程の前に、半導体層に不純物を注入する工程をさらに含み、
レーザ照射工程では、不純物注入によって生じた格子欠陥をレーザ照射により減少させることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイスの製造方法。 - レーザビームのプロファイルの半値幅をW(50)とし、該プロファイルの90%ピーク幅をW(90)とし、重なり合う2つのレーザ照射領域の間のシフト幅をLとして、
Ws=0.5×{W(50)−W(90)}、
0.2≦Ws/L≦0.6
を満たすことを特徴とする請求項2記載の半導体デバイスの製造方法。 - レーザビームのプロファイルの90%ピーク幅W(90)が重なり合うように、レーザ照射を行うことを特徴とする請求項3記載の半導体デバイスの製造方法。
- ライフタイムの長い領域およびライフタイムの短い領域をストライプ状に形成することことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の半導体デバイスの製造方法。
- パルスレーザ光源を用いて、レーザ照射を行うことを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の半導体デバイスの製造方法。
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