JP2008176700A - プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびプログラマブルロジックコントローラシステム - Google Patents

プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびプログラマブルロジックコントローラシステム Download PDF

Info

Publication number
JP2008176700A
JP2008176700A JP2007011374A JP2007011374A JP2008176700A JP 2008176700 A JP2008176700 A JP 2008176700A JP 2007011374 A JP2007011374 A JP 2007011374A JP 2007011374 A JP2007011374 A JP 2007011374A JP 2008176700 A JP2008176700 A JP 2008176700A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
programmable logic
logic controller
plc
signal
identifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007011374A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Noda
英毅 野田
Hiroshi Sakai
宏史 坂井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP2007011374A priority Critical patent/JP2008176700A/ja
Publication of JP2008176700A publication Critical patent/JP2008176700A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Abstract

【課題】本発明は、新規なROMがプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置に搭載されたとしても旧バージョンのプログラマブルロジックコントローラをそのまま使用可能なプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびプログラマブルロジックコントローラシステムを提供する
【解決手段】本発明では、プログラマブルロジックコントローラの記憶容量を拡張するためのプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置において、ROMと、前記ROMを特定し識別するための第1識別子を前記プログラマブルロジックコントローラが認識可能な第2識別子に変換する変換部を備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、プログラマブルロジックコントローラの記憶容量を拡張するためのプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびこのプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置を備えたプログラマブルロジックコントローラシステムに関する。
プログラマブルロジックコントローラ(以下、「PLC」と略記する。)は、プログラマブルコントローラやシーケンスコントローラとも呼ばれ、例えば工場などに設置される製造装置等の外部装置をシーケンス制御する場合等に用いられる。
PLC102は、例えば、図7に示すように、内部バスによって相互に接続されたI/Oバスコネクタ116、演算処理部117および記憶部118を備えて構成され、記憶部118のRAM181に記憶されているシーケンスプログラムおよびROM182に記憶されているシステムプログラム(ファームウェア)を演算処理部117のASIC171やCPU172が実行することによってI/Oバスコネクタ116に接続されている図略の外部装置をシーケンス制御する。そして、PLC102は、増設メモリ用コネクタ119も備えており、この増設メモリ用コネクタ119を介して、プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置(以下、「PLC用増設記憶装置」と略記する。)101と電気的に接続され、PLC102における記憶部118の記憶容量を拡張可能に構成されている。
このPLC用増設記憶装置101は、PLC102の増設メモリ用コネクタ119と電気的に接続可能な増設メモリ用コネクタ111と、EEPROMの一種であるフラッシュROM(フラッシュメモリ)114とを備えて構成されており、フラッシュROM114は、増設メモリ用コネクタ111、119を介してPLC102の内部バスに電気的に接続されるようになっている。プログラマブルコントローラシステムPは、このようなPLC用増設記憶装置101とPLC102とを備えて構成される。
PLC用増設記憶装置101は、PLC102の記憶部118の記憶容量を単に拡張(増加)させる目的に使用されてもよいが、様々な用途にも活用される。例えば、PLC102のシーケンスプログラムは、通常、パーソナルコンピュータや専用のツール等がPLC102に接続され、パーソナルコンピュータや専用のツール等からPLC102における記憶部18のRAM181に書き込まれるが、このシーケンスプログラムをPLC用増設記憶装置101のフラッシュROM114に予め書き込んでおいてこのPLC用増設記憶装置101をPLC102に接続することによって、PLC用増設記憶装置101のフラッシュROM114からシーケンスプログラムをPLC102のRAM181に転送するために、PLC用増設記憶装置101が利用される。また例えば、PLC102に不具合が生じた場合に、製造メーカにPLC102を持ち込んでPLC102の不具合を解消してもよいが、不具合の原因がシーケンスプログラムのバグによって生じているケースが多いことから、PLC102にPLC用増設記憶装置101を接続してPLC102のシーケンスプログラムをPLC用増設記憶装置101に転送し、シーケンスプログラムだけを製造メーカに持ち込んでシーケンスプログラムの解析およびバグ取りを行うために、PLC用増設記憶装置101が利用される。さらに、このような場合に、バグを取った後のシーケンスプログラムをPLC101へ戻すために、PLC用増設記憶装置101が利用される。
このように使用されるPLC用増設記憶装置101とPLC102との間のデータ交換は、PLC用増設記憶装置101に搭載されたフラッシュROM114の型式に応じた所定の手順に従って実行される。この所定の手順を構成する命令コードやデータ転送単位等あるいは手順そのものがフラッシュROMの型式によって異なる場合がある。このため、PLC102は、フラッシュROMの個々の型式に対応可能なように構成されており、PLC用増設記憶装置101からフラッシュROM114を特定し識別する識別子を読み込み、自機に接続されたPLC用増設記憶装置101のフラッシュROM114を特定し、当該フラッシュROM114の型式に応じた所定の手順に従ってPLC用増設記憶装置101のフラッシュROM114とデータの交換を行っている。
このPLC用増設記憶装置101に搭載されるフラッシュROM114は、日々改良され、市場に新規な型式のフラッシュROMが投入される結果、旧式のフラッシュROMが市場から消えてしまい、新規な型式のフラッシュROM114がPLC用増設記憶装置101に搭載されることになる。その一方で、フラッシュROMとデータを交換する際の前記所定の手順は、PLC102の記憶部118に予め記憶されており、フラッシュROM114の識別子に基づいて当該フラッシュROM114に対応する前記所定の手順が判断されている。このため、新規な型式のフラッシュROM114の前記所定の手順が旧式のフラッシュROM114の前記所定の手順に同一または類似するため、旧式のフラッシュROM114の前記所定の手順によって新規な型式のフラッシュROM114とデータ交換が可能であるとしても、新規な型式のフラッシュROM114がPLC用増設記憶装置101に搭載されると、PLC102は、この新規な型式のフラッシュROM114に対応するフラッシュROM114の識別子がPLC102の記憶部118に予め記憶されていないため、PLC用増設記憶装置101からフラッシュROM114の識別子がPLC102に通知されても、フラッシュROM114の識別子に基づいて当該フラッシュROM114に対応する前記所定の手順を判断することができず、PLC用増設記憶装置101のフラッシュROM114とデータを交換することができない。
このため、従来では、PLC102の製造メーカは、PLC102における記憶部118の記憶内容を新規な型式のフラッシュROMに対応した新規な記憶内容に書き換えるバージョンアップを行ったPLC102を製造し、PLC102を市場に供給している。
特許文献1には、ワンチップマイコンのプログラムを訂正する技術が開示されており、特許文献1に開示の技術は、マイコンのプログラム内にバージョン番号等のID番号を保持しておき、不揮発性メモリ内に訂正データの他に前記ID番号を記憶しておき、マイコンがマイコンのプログラム内に保持されているID番号と、不揮発性メモリ内に記憶されているID番号とのマッチングをチェックし、等しければそのマイコン用の訂正データであるとしてそれを読み込みデータの訂正を行うものである。
特開平09−265391号公報
ところで、新規な型式のフラッシュROMを搭載したPLC用増設記憶装置に応じてバージョンアップしたPLCを市場に供給したとしても、旧バージョンのPLCを所持して使用しているユーザも存在し、このような旧バージョンのPLCには、当然ながら新規な型式のフラッシュROMを搭載したPLC用増設記憶装置が使用できない。
このような場合、旧バージョンのPLCにおける記憶部の記憶内容を新規なフラッシュROMに対応可能な記憶内容を書き加えることが考えられる。しかしながら、この新規な記憶内容を書き加えるために、ユーザに販売店やメーカ等へPLC102を持ち込ませることは、ユーザにとって煩雑であり手間がかかるという不都合がある。また、この新規な記憶内容をユーザに配布してユーザに新規な記憶内容を書き加えてもらうことは、新規な記憶内容の書き加えに例えばパーソナルコンピュータや所定のツール等が必要であるばかりか、不慣れなユーザにとっては、記憶内容の書き加えが難しいという不都合がある。
前記特許文献1に記載の技術もこのような不都合を解消することはできない。
本発明は、上述の事情に鑑みて為された発明であり、新規なROMがPLC用増設記憶装置に搭載されたとしても旧バージョンのPLCをそのまま使用可能なPLC用増設記憶装置を提供することを目的とする。そして、このようなPLC用増設記憶装置を伴うPLCシステムを提供することを目的とする。
本発明者は、種々検討した結果、上記目的は、以下の本発明により達成されることを見出した。即ち、本発明に係る一態様では、プログラマブルロジックコントローラの記憶容量を拡張するためのプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置において、ROMと、前記ROMを特定し識別するための第1識別子を前記プログラマブルロジックコントローラが認識可能な第2識別子に変換する変換部を備えることを特徴とする。
このような構成のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置では、プログラマブルロジックコントローラからROMの識別子が要求された場合に、変換部が自機に搭載されているROMの第1識別子を、プログラマブルロジックコントローラが認識可能な第2識別子に変換した後に、プログラマブルロジックコントローラへ応答するので、プログラマブルロジックコントローラは、この第2識別子に基づいてROMに対応する前記所定の手順を判断することができ、プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置のROMとデータを交換することができる。このように新規な型式のROMを搭載したプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置であったとしても、プログラマブルロジックコントローラは、見かけ上、自機の認識可能な旧式のROMを搭載したPLC用増設記憶装置のように見え、プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置の新規な型式ROMとデータを交換することができる。したがって、新規なROMがPLC用増設記憶装置に搭載されたとしても旧バージョンのプログラマブルロジックコントローラをそのまま使用可能である。
そして、上述のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置において、前記変換部は、複数の第2識別子を記憶する第2識別子記憶部と、前記複数の第2識別子から一の第2識別子を選択する選択部とを備え、前記ROMを特定し識別するための第1識別子を前記選択部が選択した第2識別子に変換することを特徴とする。
このような構成のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置では、複数の第2識別子を記憶することでき、これら複数の第2識別子から一の第2識別子を選択可能であるので、1個の変換部で複数の型式のROMに対応することが可能となる。このため、新規な型式のROMを搭載したプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置を製造する際に、新規な型式のROMごとに変換部を個別に用意する必要がなくなり、変換部を共通化することができる。
また、上述のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置において、前記第1および第2識別子は、前記ROMの製造メーカを特定し識別するメーカ識別子と、前記製造メーカにおける前記ROMの品番を特定し識別するデバイス識別子とを備えることを特徴とする。
このような構成のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置では、1個の変換部で複数の型式のROMに対応する場合では、メーカ識別子が共通する複数の第2識別子に対してメーカ識別子を1個だけ記憶しておけばよく、第2識別子を記憶するための記憶容量を低減することができる。
さらに、これら上述のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置において、前記プログラマブルロジックコントローラから出力される出力信号の電圧レベルを、前記ROMへ入力される入力信号の電圧レベルへ変換すると共に、前記ROMから出力される出力信号の電圧レベルを、前記プログラマブルロジックコントローラへ入力される入力信号の電圧レベルへ変換する電圧変換部をさらに備えることを特徴とする。
このような構成のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置では、前記電圧変換部を備えているので、プログラマブルロジックコントローラにおける入出力信号の電圧レベルとプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置における入出力信号の電圧レベルが不一致であっても相互に信号を送受信することができる。
また、これら上述のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置において、前記プログラマブルロジックコントローラから供給される電力の電圧レベルを、前記ROMの駆動電圧の電圧レベルおよび前記変換部の駆動電圧の電圧レベルへ変換する電源部をさらに備えることを特徴とする。
このような構成のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置では、前記電源部を備えているので、プログラマブルロジックコントローラから供給される電力の電圧レベルと異なる電圧レベルで駆動されるROMおよび変換部を採用することができる。
そして、本発明に係る他の一態様では、プログラマブルロジックコントローラと、前記プログラマブルロジックコントローラの記憶容量を拡張するためのプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置とを備えるプログラマブルロジックコントローラシステムにおいて、前記プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置は、これら上述の何れかのプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置であることを特徴とする。
このような構成のプログラマブルロジックコントローラシステムでは、新規な型式のEEPROMを搭載したプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置が採用される場合でもプログラマブルロジックコントローラをバージョンアップすることなく、そのままプログラマブルロジックコントローラを使用可能である。
本発明に係るプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびプログラマブルロジックコントローラは、新規なROMがプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置に搭載されたとしてもプログラマブルロジックコントローラをそのまま使用することができる。
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。なお、各図において同一の符号を付した構成は、同一の構成であることを示し、その説明を省略する。
ROM(Read Only Memory)は、不揮発性の記憶素子であり、製造の際に記憶内容が作り込まれるマスクROM、および、製造後に記憶内容を書き込めるPROM(Programmable Read Only Memory)やEPROM(Erasable Programmable Read Only Memory)やEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)等がある。実施形態では、EEPROMに適用された場合について以下に説明するが、本発明は、これらマスクROM、PROM、EPROM等にも同様に適用される。
図1は、実施形態におけるプログラマブルロジックコントローラシステムの構成を示すブロック図である。図2は、実施形態におけるプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置の構成を示すブロック図である。図3は、実施形態におけるID変換部の構成を示す図である。図4は、実施形態におけるフラッシュROMの第1識別子を読み出す命令を説明するための図である。
図1において、プログラマブルロジックコントローラシステム(以下、「PLCシステム」と略記する。)Sは、プログラマブルロジックコントローラ(PLC)2と、プログラマブルロジックコントローラ2の記憶容量を増設するためのプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置(PLC用増設記憶装置)1とを備えて構成される。
PLC2は、I/Oバスコネクタ16と、演算処理部17と、記憶部18と、増設メモリ用コネクタ19とを備えて構成される。
I/Oバスコネクタ16は、図略の外部装置と電気的に接続するためのコネクタである。
外部装置は、例えばスイッチやセンサ等のPLC2へデータを出力する外部入力装置、例えばリレーや表示器等のPLC2からデータが入力されこのデータに応じた動作を実行する外部出力装置、および、PLC2へデータを出力すると共にPLCからデータが入力されこのデータに応じた動作を実行する外部入出力装置である。外部装置は、I/Oバスコネクタ16を介してPLC2の内部バスに接続され、演算処理部17に電気的に接続される。
記憶部18は、外部装置をシーケンス制御するためのシーケンスプログラムやシーケンスプログラムの実行処理を管理するシステムプログラム(ファームウェア)等の各プログラム、および、PLC用増設記憶装置1に搭載されるフラッシュROMを特定し識別するための第2識別子等のこれら各プログラムの実行に必要なデータや各プログラムの実行中に生じるデータ等の各データを記憶する回路である。例えば、記憶部18は、例えばボタン電池等の図略の電源によってバックアップされた揮発性の記憶素子であるRAM(Random Access Memory)81と、不揮発性の記憶素子であるROM82とを備えて構成される。前記シーケンスプログラムは、RAM81に記憶され、前記システムプログラムや前記各プログラムの実行に必要なデータは、ROM82に記憶される。また、RAM81は、演算処理部17の所謂ワーキングメモリにもなる。
なお、記憶部18は、書換え可能な不揮発性の記憶素子である例えばEEPROMやハードディスク等を備えて構成されてもよい。特に、シーケンスプログラムがこの書き換え可能な不揮発性の記憶素子に記憶される場合には、RAM81のバックアップ電源は、必ずしも必要ではない。
第2識別子は、当該PLC2の製造中において、当該PLC2用に製造されているPLC用増設記憶装置1に搭載されるフラッシュROMの識別子であり、当該PLC2が認識可能なフラッシュROMの識別子である。第2識別子は、1または複数の符号から構成される符号列であり、例えば、フラッシュROMの製造メーカを特定し識別するメーカ識別子(メーカID)と、前記製造メーカにおけるフラッシュROM14の品番を特定し識別するデバイス識別子(デバイスID)とを備えて構成されている。この第2識別子のメーカIDは、例えば、16進数表示で“BF”であり、デバイスIDは、例えば、16進数表示で“10”である。以下、識別子、アドレスおよびデータは、同様に16進数で表示され、末尾に“H”が付加される。例えば、上記例では、メーカIDは、“BFH”と表示され、デバイスIDは、“10H”と表示される。
演算処理部17は、システムプログラムを実行し、I/Oバスコネクタ16を介して外部装置から入力された外部信号に応じてシーケンスプログラムを実行することによって外部装置をシーケンス制御するための制御信号を生成してI/Oバスコネクタ16を介して外部装置へこの制御信号を出力する回路である。演算処理部17は、例えば、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)71、CPU(Central Processing Unit)72およびその周辺回路を備えて構成される。PLC2が動作する上で必要な演算処理を全てCPUによって実行するように演算処理部17が構成されてもよいが、本実施形態では、単純な命令や高速な処理(短時間の処理)が必要とされる命令をそれ専用に特化した回路構成に設計されたASIC71によって実行し、残余の命令をCPU72によって実行するように演算処理部17が構成されている。このように演算処理部17を構成することによって総合的な処理速度が高速化される。
増設メモリ用コネクタ19は、PLC用増設記憶装置1と電気的に接続するためのコネクタである。
これらI/Oバスコネクタ16、演算処理部17、記憶部18および増設メモリ用コネクタ19は、データを相互に交換することができるように相互に内部バスによって接続されている。
PLC用増設記憶装置1は、PLC2における記憶部18の記憶容量を拡張(増加)するための装置であって、例えば、図2に示すように、増設メモリ用コネクタ11と、電圧変換部12と、ID変換部13と、フラッシュROM14と、電源部15とを備えて構成される。
増設メモリ用コネクタ11は、PLC2と電気的に接続するためのコネクタである。
電圧変換部12は、PLC2から出力される出力信号の電圧レベルを、ID変換部13を介してフラッシュROM14へ入力される入力信号の電圧レベルへ変換すると共に、ID変換部13を介してフラッシュROM14から出力される出力信号の電圧レベルを、前記プログラマブルロジックコントローラへ入力される入力信号の電圧レベルへ変換する回路である。電圧変換部12は、例えば、双方向バッファIC21と、バッファIC22とを備えて構成される。
双方向バッファIC21には、信号のHi(ハイ)を表す電圧レベルが5VであってLow(ロー)を表す電圧レベルが0Vである場合に入力信号がHiであるかLowであるかを判別するための5V用閾値、および、信号のHiを表す電圧レベルが3.3VであってLowを表す電圧レベルが0Vである場合に入力信号がHiであるかLowであるかを判別するための3V用閾値が設定されている。双方向バッファIC21は、PLC2から出力されるDATA信号の電圧レベルが5V用閾値以上である場合には、このDATA信号をHiであると判断して、電圧レベルが3.3VのHiを表すDATA信号をID変換部13を介してフラッシュROM14へ出力すると共に、PLC2から出力されるDATA信号の電圧レベルが5V用閾値未満である場合には、このDATA信号をLowであると判断して、電圧レベルが0VのLowを表すDATA信号をID変換部13を介してフラッシュROM14へ出力する。そして、双方向バッファIC21は、ID変換部13を介してフラッシュROM14から出力されるDATA信号の電圧レベルが3.3V用閾値以上である場合には、このDATA信号をHiであると判断して、電圧レベルが5VのHiを表すDATA信号をPLC2へ出力すると共に、ID変換部13を介してフラッシュROM14から出力されるDATA信号の電圧レベルが3.3V用閾値未満である場合には、このDATA信号をLowであると判断して、電圧レベルが0VのLowを表すDATA信号をPLC2へ出力する。このように動作することによって、双方向バッファIC21は、PLC2から出力されるDATA信号のHiおよびLowにおける電圧レベルである5Vおよび0Vを、フラッシュROM14における入力信号のHiおよびLowにおける電圧レベルである3.3Vおよび0Vへ変換すると共に、フラッシュROM14から出力されるDATA信号のHiおよびLowにおける電圧レベルである3.3Vおよび0Vを、PLCにおける入力信号のHiおよびLowにおける電圧レベルである5Vおよび0Vへ双方向で変換する。
バッファIC22には、信号のHiを表す電圧レベルが5VであってLow(ロー)を表す電圧レベルが0Vである場合に入力信号がHiであるかLowであるかを判別するための5V用閾値が設定されている。バッファIC22は、PLC2から出力されるADDR信号、CS信号、RD信号およびWR信号の電圧レベルが5V用閾値以上である場合には、このADDR信号、CS信号、RD信号およびWR信号をHiであると判断して、電圧レベルが3.3VのHiを表すADDR信号、CS信号、RD信号およびWR信号をID変換部13を介してフラッシュROM14へ出力すると共に、PLC2から出力されるADDR信号、CS信号、RD信号およびWR信号の電圧レベルが5V用閾値未満である場合には、このADDR信号、CS信号、RD信号およびWR信号をLowであると判断して、電圧レベルが0VのLowを表すADDR信号、CS信号、RD信号およびWR信号をID変換部13を介してフラッシュROM14へ出力する。このように動作することによって、バッファIC22は、PLC2から出力されるADDR信号、CS信号、RD信号およびWR信号のHiおよびLowにおける電圧レベルである5Vおよび0Vを、フラッシュROM14における入力信号のHiおよびLowにおける電圧レベルである3.3Vおよび0Vへ単一方向で変換する。
DATA信号は、データを表す信号であり、増設メモリ用コネクタ11から電圧変換部12の双方向バッファIC21およびID変換部13を介してフラッシュROM14に接続されるDATAバスによって、PLC2とフラッシュROM14との間で双方向で伝送される。ADDR信号は、フラッシュROM14のメモリアドレスを表す信号であり、増設メモリ用コネクタ11から電圧変換部12のバッファIC22およびID変換部13を介してフラッシュROM14に接続されるADDRバスによって、PLC2からフラッシュROM14へ伝送される。CS信号は、フラッシュROM14を制御するための信号であり、RD信号は、フラッシュROM14からデータの読み出しを行うためのストローブ信号であり、そして、WR信号は、フラッシュROM14へデータの書き込みを行うためのストローブ信号である。CS信号、RD信号およびWR信号は、増設メモリ用コネクタ11から電圧変換部12のバッファIC22およびID変換部13を介してフラッシュROM14に接続されるCSライン、RDラインおよびWRラインによって、それぞれ、PLC2からフラッシュROM14へ伝送される。
フラッシュROM14は、当該フラッシュROM14を特定し識別するための第1識別子が登録されている。フラッシュROM14は、前記第2識別子によって特定され識別されるフラッシュROM(旧式のフラッシュROM)よりも新規な型式のフラッシュROMであり、データ交換の際に用いられる前記所定の手順が旧式のフラッシュROMの前記所定の手順に同一または類似するため、旧式のフラッシュROMの前記所定の手順によってデータ交換が可能であるものである。
この第1識別子は、PLC2の記憶部18に記憶されている第2識別子と異なっており、PLC2が認識不能なフラッシュROMの識別子である。第1識別子は、1または複数の符号から構成される符号列であり、例えば、第2識別子と同様に、メーカIDとデバイスIDとを備えて構成されている。この第1識別子のメーカIDは、例えば、“CAH”であり、デバイスIDは、例えば、“11H”である。
フラッシュROM14は、電気的に記憶内容を書き換えることができる不揮発性の記憶素子であるEEPROMの一種であり、複数のバイトから成るブロック単位で予め消去してから書き込みを行うものである。
電源部15は、PLC2から供給される電力の電圧レベルを、フラッシュROM14の駆動電圧の電圧レベルおよびID変換部13の駆動電圧の電圧レベルへ変換する回路である。電源部15は、例えばレギュレータICを備えて構成され、PLC2から供給される電力の電圧レベルである5Vを、フラッシュROM14の駆動電圧の電圧レベルおよびID変換部13の駆動電圧の電圧レベルである3.3Vへ変換する。
ID変換部13は、フラッシュROM14を特定し識別するための前記第1識別子をPLC2が認識可能な前記第2識別子に変換する回路である。
ID変換部13は、例えば、図3に示すように、端子31(31D、31A、31C、31R、31W)、33(33D、33A、33C、33R、33W)と、増幅回路32(32−1〜32−9)と、マルチプレクサ(MX)34と、IDアドレスデータ判別回路35と、コマンド判別回路36と、アンド回路37と、メーカID記憶部38と、デバイスID記憶部39とを備えて構成される。なお、本明細書において、総称する場合には添え字を省略した参照符号で示し、個別の構成を指す場合には添え字を付した参照符号で示す。
増設メモリ用コネクタ11に接続されるDATAバスは、端子31Dに接続され、端子31Dは、増幅回路32−1、32−2を介して端子33Dに接続され、端子33Dは、フラッシュROM14に接続されるDATAバスに接続される。そして、端子33Dは、増幅回路32−4、マルチプレクサ34および増幅回路32−3を介して端子31Dに接続される。さらに、増幅回路32−1の出力は、コマンド判別回路36のデータ入力にも接続されており、増幅回路32−4の出力は、アンド回路37の第1入力にも接続されている。
増幅回路32−1、32−4は、分岐ロスを補償するように、予め設定された増幅率でそれぞれDATA信号を増幅し、増幅回路32−2、32−3は、ID変換部13内での伝送ロスを補償するように、予め設定された増幅率でそれぞれDATA信号を増幅する。
マルチプレクサ34は、3入力1出力のセレクタであり、IDアドレスデータ判別回路35のセレクト信号に応じて3入力から選択した入力と出力とを電気的に接続する。この3入力は、A入力、B入力およびC入力であり、A入力は、増幅回路32−4の出力に接続され、B入力は、メーカIDを記憶するメーカID記憶回路38に接続され、C入力は、デバイスIDを記憶するデバイスID記憶回路39に接続されている。そして、マルチプレクサ34の出力は、増幅回路32−3の入力に接続され、セレクト信号が入力されるセレクト入力は、IDアドレスデータ判別回路35のセレクト出力に接続されている。メーカID記憶回路38には、例えば、本実施形態では、メーカIDとして前記第2識別子のメーカIDに対応した“BFH”が記憶され、デバイスID記憶回路39には、例えば、本実施形態では、デバイスIDとして前記第2識別子のデバイスIDに対応した“10H”が記憶されている。メーカID記憶回路38およびデバイスID記憶回路39は、PLC2が認識可能な第2識別子を記憶する第2識別子記憶部の一例に相当し、例えばEEPROMやROM等の不揮発性の記憶素子を備えて構成される。
増設メモリ用コネクタ11に接続されるADDRバスは、端子31Aに接続され、端子31Aは、増幅回路32−5、32−6を介して端子33Aに接続され、端子33Aは、フラッシュROM14に接続されるADDRバスに接続される。そして、増幅回路32−5の出力は、IDアドレスデータ判別回路35のアドレス入力およびコマンド判別回路36のアドレス入力にも接続されている。
増幅回路32−5は、分岐ロスを補償するように、予め設定された増幅率でそれぞれADDR信号を増幅し、増幅回路32−6は、ID変換部13内での伝送ロスを補償するように、予め設定された増幅率でそれぞれADDR信号を増幅する。
コマンド判別回路36は、データ入力から入力された増幅回路32−1からのDATA信号およびアドレス入力から入力された増幅回路32−5からのADDR信号に基づいてPLC2がフラッシュROM14へ指示した命令(コマンド)を判別する回路であり、マルチプレクサ34のモードを設定するモード信号を出力するモード出力は、IDアドレスデータ判別回路35のモード入力およびアンド回路37の第2入力に接続される。
フラッシュROM14へ指示する命令は、アドレスおよびデータを備えて構成されており、フラッシュROM14における所定のアドレスに所定のデータが書き込まれることによってフラッシュROM14が当該命令に対応する動作を実行する。本実施形態におけるフラッシュROM14の第1識別子を読み出す命令は、例えば、図4に示すように、5つのステップによって構成される。まず、第1ステップでは、所定の第1アドレス(例えば“5555H”)に所定の第1データ(例えば“AAH”)が書き込まれ、第2ステップでは、所定の第2アドレス(例えば“2AAAH”)に所定の第2データ(例えば“55H”)が書き込まれ、第3ステップでは、所定の第3アドレス(例えば“5555H”)に所定の第3データ(例えば“90H”)が書き込まれ、第4ステップでは、所定の第4アドレス(例えば“0000H”)が指定されてこの第4アドレスに書き込まれている第4データ(例えば“BFH”)が読み出され、第5ステップでは、所定の第5アドレス(例えば“0001H”)が指定されてこの第5アドレスに書き込まれている第5データ(例えば“10H”)が読み出される。
モード信号は、メーカID記憶回路38に記憶されているメーカID、および、デバイスID記憶回路39に記憶されているデバイスIDを読み出すID読出しモードを表すID読出しモード信号と、フラッシュROM14のデータを読み出すデータ読出しモードを表すデータ読出しモード信号とを備えて構成されている。コマンド判別回路36は、増幅回路32−1からのDATA信号および増幅回路32−5からのADDR信号がフラッシュROM14の第1識別子を読み出す命令である場合には、そのモード出力からID読出しモードを表すID読出しモード信号を出力し、そして、増幅回路32−1からのDATA信号および増幅回路32−5からのADDR信号がフラッシュROM14の第1識別子を読み出すコマンドではない場合には、そのモード出力からデータ読出しモードを表すデータ読出しモード信号を出力する。例えば、本実施形態では、ID読出しモード信号は、Hiであり、データ読出しモード信号は、Lowに設定されている。
アンド回路37は、フラッシュROM14がDATA信号を出力するタイミングをモニタ(監視)するための回路であり、第1入力から入力された増幅回路32−4からのDATA信号と、第2入力から入力されたコマンド判別回路36からのモード信号とのアンド(and、論理積)をとって、その結果に応じてHiまたはLowをIDアドレスデータ判別回路35に出力する。
IDアドレスデータ判別回路35は、アドレス入力から入力された増幅回路32−5からのADDR信号、モード入力から入力されたコマンド判別回路36からのモード信号、および、アンド回路37からの出力信号に基づいてマルチプレクサ34の出力に接続する入力を判別し、判別結果に対応したセレクト信号をセレクト出力からマルチプレクサ34へ出力する回路である。IDアドレスデータ判別回路35は、増幅回路32−5からのADDR信号がフラッシュROM14における第1識別子を記憶しているアドレスであって、コマンド判別回路36からのモード信号がID読出しモード信号である場合には、アンド回路37の出力がHiになるタイミングでセレクト出力からセレクト信号としてID読出しモードセレクト信号を出力し、残余の場合には、セレクト出力からセレクト信号としてデータ読出しモードセレクト信号を出力する。ID読出しモードセレクト信号は、B入力およびC入力を出力に接続するようにマルチプレクサ34を制御するための信号であり、データ読出しモードセレクト信号は、A入力を出力に接続するようにマルチプレクサ34を制御するための信号である。
増設メモリ用コネクタ11に接続されるCSライン、RDラインおよびWRラインは、端子31C、端子31Rおよび端子31Wにそれぞれ接続され、端子31C、端子31Rおよび端子31Wは、それぞれ、増幅回路32−7、増幅回路32−8および増幅回路32−9を介して端子33C、端子33Rおよび端子33Wに接続され、端子33C、端子33Rおよび端子33Wは、それぞれ、フラッシュROM14に接続されるCSライン、RDラインおよびWRラインに接続される。
増幅回路32−7〜32−9は、ID変換部13内での伝送ロスを補償するように、予め設定された増幅率でそれぞれCS信号、RD信号およびWR信号を増幅する。
このような回路構成のID変換部13は、例えば、ASICまたはプログラマブルロジックデバイス(PLD(Programmable Logic Device))等の集積回路によって構成される。
PLC用増設記憶装置1は、その増設メモリ用コネクタ11がPLC2の増設メモリ用コネクタ19と接続されることによってPLC2に接続され、そのフラッシュROM14がID変換部13、電圧変換部12、増設メモリ用コネクタ11および増設メモリ用コネクタ19を介してPLC2の内部バスに接続され、PLC2における記憶部18の記憶容量を拡張する。
次に、PLC用増設記憶装置1の動作について説明する。
例えば、PLC用増設記憶装置1がPLC2に装着された状態でPLC2が起動されたり、PLC2の稼働中にPLC2にPLC用増設記憶装置1が装着されたり等すると、PLC2は、PLC用増設記憶装置1とデータ交換を可能とするために、PLC用増設記憶装置1のフラッシュROM14に対応する前記所定の手順を判断すべく、PLC用増設記憶装置1へフラッシュROM14の識別子(第1識別子)を要求する旨の信号(識別子要求信号)をPLC用増設記憶装置1へ送信する。
PLC用増設記憶装置1では、PLC2から供給された電力の電圧レベルが電源部15でID変換部13の駆動電圧の電圧レベルおよびフラッシュROM14の駆動電圧の電圧レベルに変換されて供給されることによって、ID変換部13およびフラッシュROM14が動作中であり、PLC2からこの識別子要求信号を受信すると、PLC用増設記憶装置1は、ID変換部13でフラッシュROM14の第1識別子を第2識別子に変換してPLC2へ第2識別子を送信する。
より具体的には、PLC2は、PLC用増設記憶装置1へフラッシュROM14の識別子(第1識別子)を要求する旨の信号として、まず、第1ステップで前記第1アドレス(“5555H”)のADDR信号および前記第1データ(例えば“AAH”)のDATA信号をPLC用増設記憶装置1へ送信する。このADDR信号は、電圧変換部12のバッファIC22で信号の電圧レベルが変換され、このDATA信号は、電圧変換部12の双方向バッファIC21で信号の電圧レベルが変換される。
ADDR信号およびDATA信号がID変換部13に入力されると、ADDR信号は、増幅回路32−5で増幅され、IDアドレスデータ判別回路35、コマンド判別回路36および増幅回路32−6へそれぞれ入力され、DATA信号は、増幅回路32−1で増幅され、コマンド判別回路36および増幅回路32−2へそれぞれ入力される。増幅回路32−6に入力されたADDR信号は、増幅されてフラッシュROM14へ出力され、増幅回路32−2に入力されたDATA信号は、増幅されてフラッシュROM14へ出力される。
次に、第2ステップでPLC2は、前記第2アドレス(“2AAAH”)のADDR信号および前記第2データ(例えば“55H”)のDATA信号をPLC用増設記憶装置1へ送信する。PLC用増設記憶装置1に入力されたADDR信号およびDATA信号は、電圧変換部12で信号の電圧レベルがそれぞれ変換され、ID変換部13に入力される。ID変換部13に入力されると、ADDR信号は、増幅回路32−5で増幅され、IDアドレスデータ判別回路35、コマンド判別回路36および増幅回路32−6へそれぞれ入力され、DATA信号は、増幅回路32−1で増幅され、コマンド判別回路36および増幅回路32−2へそれぞれ入力される。増幅回路32−6に入力されたADDR信号は、増幅されてフラッシュROM14へ出力され、増幅回路32−2に入力されたDATA信号は、増幅されてフラッシュROM14へ出力される。
次に、第3ステップでPLC2は、前記第3アドレス(“5555H”)のADDR信号および前記第2データ(例えば“90H”)のDATA信号をPLC用増設記憶装置1へ送信する。PLC用増設記憶装置1に入力されたADDR信号およびDATA信号は、電圧変換部12で信号の電圧レベルがそれぞれ変換され、ID変換部13に入力される。ID変換部13に入力されると、ADDR信号は、増幅回路32−5で増幅され、IDアドレスデータ判別回路35、コマンド判別回路36および増幅回路32−6へそれぞれ入力され、DATA信号は、増幅回路32−1で増幅され、コマンド判別回路36および増幅回路32−2へそれぞれ入力される。増幅回路32−6に入力されたADDR信号は、増幅されてフラッシュROM14へ出力され、増幅回路32−2に入力されたDATA信号は、増幅されてフラッシュROM14へ出力される。
コマンド判別回路36では、第1ないし第3ステップでADDR信号およびDATA信号がフラッシュROM14の識別子(第1識別子)を要求する旨の信号であると判断すると、すなわち、ADDR信号およびDATA信号が前記第1アドレスないし第3アドレス(“5555H”、“2AAAH”、“5555H”)および前記第1データないし第3データ(“AAH”、“55H”、“90H”)であると、モード出力からID読出しモード信号を出力する。このID読出しモード信号は、IDアドレスデータ判別回路35およびアンド回路37へ入力される。
次に、第4ステップでPLC2は、前記第4アドレス(“0000H”)のADDR信号をPLC用増設記憶装置1へ送信する。PLC用増設記憶装置1に入力されたADDR信号は、電圧変換部12で信号の電圧レベルがそれぞれ変換され、ID変換部13に入力される。ID変換部13に入力されると、ADDR信号は、増幅回路32−5で増幅され、IDアドレスデータ判別回路35、コマンド判別回路36および増幅回路32−6へそれぞれ入力される。増幅回路32−6に入力されたADDR信号は、増幅されてフラッシュROM14へ出力される。
次に、第5ステップでPLC2は、前記第5アドレス(“0001H”)のADDR信号をPLC用増設記憶装置1へ送信する。PLC用増設記憶装置1に入力されたADDR信号は、電圧変換部12で信号の電圧レベルがそれぞれ変換され、ID変換部13に入力される。ID変換部13に入力されると、ADDR信号は、増幅回路32−5で増幅され、IDアドレスデータ判別回路35、コマンド判別回路36および増幅回路32−6へそれぞれ入力される。増幅回路32−6に入力されたADDR信号は、増幅されてフラッシュROM14へ出力される。
IDアドレスデータ判別回路35では、モード入力からID読出しモード信号が入力されており、第4および第5ステップでADDR信号がフラッシュROM14の識別子(第1識別子)が格納されているアドレスであると判断すると、すなわち、ADDR信号が前記第4アドレスおよび第5アドレス(“0000H”、“0001H”)であると、アンド回路37からHiが入力されたタイミングで、セレクト出力からID読出しモードセレクト信号をマルチプレクサ34へ出力する。フラッシュROM14は、第1ないし第5ステップに応答して第1識別子(メーカID“CAH”であってデバイスID“11H”)をDATA信号で端子33DからID変換部13へ出力しており、この第1識別子のDATA信号が増幅回路32−4を介してマルチプレクサ34のA入力およびアンド回路37の第1入力に入力される。このため、アンド回路37は、コマンド判別回路36からHiのID読出しモード信号が入力されている状態で、フラッシュROM14から第1識別子のDATA信号が入力される結果、フラッシュROM14から第1識別子のDATA信号が入力されるタイミングでIDアドレスデータ判別回路35へHiを出力する。これによってIDアドレスデータ判別回路35は、フラッシュROM14が第1ないし第5ステップに応答して第1識別子をDATA信号で端子33DからID変換部13へ出力したタイミングでセレクト出力からID読出しモードセレクト信号をマルチプレクサ34へ出力することができる。
マルチプレクサ34では、IDアドレスデータ判別回路35からID読出しモードセレクト信号が入力されると、B入力およびC入力を出力へ電気的に接続する。このため、A入力から入力されたフラッシュROM14の第1識別子は、マルチプレクサ34から出力されず、IDメーカ記憶回路38に記憶されているメーカID“BFH”およびデバイスID記憶回路39に記憶されているデバイスID“10H”がマルチプレクサ34および増幅回路32−3を介してID変換部13から電圧変換部12へ出力される。このため、フラッシュROM14の第1識別子(メーカID“CAH”であってデバイスID“11H”)は、ID変換部13で第2識別子(メーカID“BFH”であってデバイスID“10H”)に変換される。ここで、IDアドレスデータ判別回路35は、上述したように、フラッシュROM14が第1ないし第5ステップに応答して第1識別子をDATA信号で端子33DからID変換部13へ出力したタイミングでセレクト出力からID読出しモードセレクト信号をマルチプレクサ34へ出力しているので、ID変換部13は、フラッシュROM14が第1識別子を出力したタイミングで第2識別子を電圧変換部12へ出力することができる。
この第2識別子のADDR信号は、電圧変換部12のバッファIC22で信号の電圧レベルが変換され、PLC2へ出力される。
PLC2は、このPLC用増設記憶装置1から受信した第1識別子に対応する前記所定の手順でPLC用増設記憶装置1のフラッシュROMとデータの交換を開始する。データの交換を開始すると、そのADDR信号およびDATA信号は、識別子要求信号ではないので、コマンド判別回路36は、データ読出しモード信号をモード出力からIDアドレスデータ判別回路35へ出力する。このデータ読出しモード信号がモード入力から入力されると、IDアドレスデータ判別回路35は、データ読出しモードセレクト信号をセレクト出力からマルチプレクサ34へ出力する。データ読出しモードセレクト信号がセレクト入力から入力されると、マルチプレクサ34は、出力にA入力を電気的に接続する。
このようにPLC用増設記憶装置1が動作するので、PLC2は、この第2識別子に基づいてフラッシュROM14に対応する前記所定の手順を判断することができ、PLC用増設記憶装置1のフラッシュROM14とデータを交換することができる。このように新規な型式のフラッシュROM14を搭載したPLC用増設記憶装置1であったとしても、PLC2は、見かけ上、自機の認識可能な旧式のフラッシュROMを搭載したPLC用増設記憶装置1のように見え、PLC用増設記憶装置1の新規な型式のフラッシュROM14とデータを交換することができる。したがって、新規なフラッシュROM14がPLC用増設記憶装置1に搭載されたとしても旧バージョンのPLC2をそのまま使用することができる。そして、PLC用増設記憶装置1が動作するので、このPLCシステムSでは、新規な型式のフラッシュROM14を搭載したPLC用増設記憶装置1が採用される場合でもPLC2をバージョンアップすることなく、そのままPLCを使用することができる。
また、PLC用増設記憶装置1では、電圧変換部12を備えているので、PLCにおける入出力信号の電圧レベルとPLC用増設記憶装置1における入出力信号の電圧レベルが不一致であっても相互に信号を送受信することができる。
そして、PLC用増設記憶装置1では、電源部15を備えているので、PLC2から供給される電力の電圧レベルと異なる電圧レベルで駆動されるフラッシュROM14および変換部13を採用することができる。
なお、上述の実施形態では、PLC用増設記憶装置1は、1個の第2識別子を記憶し、第1識別子を第2識別子に変換するように構成されたが、複数の第2識別子を記憶し、複数の第2識別子から選択された1つの第2識別子で第1識別子を変換するように構成されてもよい。
図5は、実施形態における他の構成に係るID変換部の構成の一部を示す図である。図6は、実施形態におけるさらに他の構成に係るID変換部の構成の一部を示す図である。
このような構成のID変換部13aは、例えば、図5に示すように、図3に示すID変換部13におけるメーカID記憶回路38およびデバイスID記憶回路39に代え、選択部41、複数のメーカID記憶回路42および複数のデバイスID記憶回路43が採用される。ID変換部13aにおける他の構成は、ID変換部13と同様である。
複数のメーカID記憶回路42および複数のデバイスID記憶回路43は、複数の第2識別子を記憶する第2識別子記憶部の一例に相当し、3個の第2識別子を記憶可能とするために、3個の第1ないし第3メーカID記憶回路42−1〜42−3および第1ないし第3デバイスID記憶回路43−1〜43−3を備えて構成されている。
選択部41は、複数の第2識別子から一の第2識別子を選択するスイッチ回路である。本実施形態では、図5に示すように、選択部41は、第1ないし第3メーカID記憶回路42−1〜42−3および第1ないし第3デバイスID記憶回路43−1〜43−3のうちから1組のメーカID記憶回路42とデバイスID記憶回路43をマルチプレクサのB入力およびC入力に電気的に接続するために、6入力2出力のスイッチ回路、例えばディップスイッチやジャンパースイッチ等で構成される。そして、ユーザの選択操作によって、第1ないし第3メーカID記憶回路42−1〜42−3および第1ないし第3デバイスID記憶回路43−1〜43−3のうちから1組のメーカID記憶回路42とデバイスID記憶回路43がマルチプレクサのB入力およびC入力に電気的に接続される。
このような構成のID変換部13aでは、PLC用増設記憶装置1に採用され得る3種類の型式の異なるフラッシュROM14に対応する3種類の第2識別子が第1ないし第3メーカID記憶回路42−1〜42−3および第1ないし第3デバイスID記憶回路43−1〜43−3に記憶される。そして、PLC用増設記憶装置1に実際に搭載される新規な型式のフラッシュROM14に合わせてユーザが選択部41を操作することによって、PLC用増設記憶装置1に実際に搭載される新規な型式のフラッシュROM14に合った第2識別子がマルチプレクサ34に出力可能な状態とされる。
このような構成のPLC用増設記憶装置1では、複数の第2識別子を記憶することでき、これら複数の第2識別子から一の第2識別子を選択可能であるので、1個のIC変換部13aで複数の型式のフラッシュROM14に対応することが可能となる。このため、新規な型式のフラッシュROM14を搭載したPLC用増設記憶装置1を製造する際に、新規な型式のフラッシュROM14ごとにIC変換部13を個別に用意する必要がなくなり、IC変換部13をIC変換部13aで共通化することができる。
また、このような構成のID変換部13bは、例えば、図6に示すように、図3に示すID変換部13におけるメーカID記憶回路38およびデバイスID記憶回路39に代え、選択部46、複数のメーカID記憶回路47および複数のデバイスID記憶回路48が採用される。ID変換部13bにおける他の構成は、ID変換部13と同様である。
複数のメーカID記憶回路47および複数のデバイスID記憶回路48は、複数の第2識別子を記憶する第2識別子記憶部の一例に相当し、4個の第2識別子を記憶可能とするために、2個の第1および第2メーカID記憶回路47−1、47−2および第1ないし第4デバイスID記憶回路48−1〜43−4を備えて構成されている。
選択部46は、複数の第2識別子から一の第2識別子を選択するスイッチ回路である。本実施形態では、図6に示すように、選択部46は、第1および第2メーカID記憶回路47−1、47−2ならびに第1ないし第4デバイスID記憶回路48−1〜48−4のうちから1組のメーカID記憶回路47とデバイスID記憶回路48をマルチプレクサのB入力およびC入力に電気的に接続するために、6入力2出力のスイッチ回路、例えばディップスイッチやジャンパースイッチ等で構成される。そして、ユーザの選択操作によって、第1および第2メーカID記憶回路47−1、47−2ならびに第1ないし第4デバイスID記憶回路48−1〜48−4のうちから1組のメーカID記憶回路47とデバイスID記憶回路48がマルチプレクサのB入力およびC入力に電気的に接続される。
このような構成のID変換部13bでは、PLC用増設記憶装置1に採用され得る4種類の型式の異なるフラッシュROM14に対応する4種類の第2識別子が第1および第2メーカID記憶回路47−1、47−2ならびに第1ないし第4デバイスID記憶回路48−1〜48−4に記憶される。そして、PLC用増設記憶装置1に実際に搭載される新規な型式のフラッシュROM14に合わせてユーザが選択部46を操作することによって、PLC用増設記憶装置1に実際に搭載される新規な型式のフラッシュROM14に合った第2識別子がマルチプレクサ34に出力可能な状態とされる。
このような構成のPLC用増設記憶装置1では、複数の第2識別子を記憶することでき、これら複数の第2識別子から一の第2識別子を選択可能であるので、1個のIC変換部13bで複数の型式のフラッシュROM14に対応することが可能となる。このため、新規な型式のフラッシュROM14を搭載したPLC用増設記憶装置1を製造する際に、新規な型式のフラッシュROM14ごとにIC変換部13を個別に用意する必要がなくなり、IC変換部13をIC変換部13bで共通化することができる。
そして、第1および第2識別子は、メーカIDとデバイスIDとを備えて構成され、メーカID記憶回路47およびデバイスID記憶回路48にそれぞれ記憶されるので、メーカIDが共通する複数の第2識別子に対してメーカIDを1個だけ記憶しておけばよく、第2識別子を記憶するための記憶容量を低減することができる。図6に示す例では、第1および第2デバイスID記憶回路48−1、48−2に記憶されるデバイスIDのメーカIDが共通であり、この共通のメーカIDが第1メーカID記憶回路47−1に記憶されている。そして、第3および第4デバイスID記憶回路48−3、48−4に記憶されるデバイスIDのメーカIDが共通であり、この共通のメーカIDが第1メーカID記憶回路47−2に記憶されている。
また、EEPROMには、予め設定された所定のデータ容量を1ページとして書き込みの際にこの1ページ分のデータを一括転送するページ転送モードを備えるものもあるが、本発明は、このようなページ転送モードを備えるEEPROMにも適用可能である。このようなEEPROMをフラッシュROM14として備えるPLC用増設記憶装置では、1ページ分のデータを記憶することができるページバッファ記憶部およびこのページバッファ記憶部を制御するページバッファ制御部をさらに備えて構成される。
ページバッファ記憶部は、例えば、1ページ分のデータ容量に対応する記憶容量を備える例えばRAMを備えて構成される。ページバッファ記憶部は、DATAバス、ADDRバス、CSライン、RDラインおよびWRラインによってID変換部13に接続され、DATA信号、ADDR信号、CS信号、RD信号およびWR信号が伝送される。
ページバッファ制御部は、先頭アドレスを記憶するレジスタおよびページバッファ記憶部のアドレスをインクリメントするためのクロック発振器等を備えて構成される。
第2識別子と第1識別子との変換は、ID変換部13によって上述の通りに実行される。
書き込みの際にページ転送モードを実行するコマンドがPLC2からPLC用増設記憶装置1に入力されると、ページバッファ制御部は、次のように動作する。すなわち、ページバッファ制御部は、フラッシュROM(EEPROM)14に書き込むべきデータの先頭アドレスがPLC2から入力されると、この先頭アドレスを例えばページバッファ制御部のレジスタに記憶する。ページバッファ制御部は、ページ転送が開始されると、クロック発振器のクロックに応じてインクリメントされる番地に従って、ページ転送されたデータをページバッファ記憶部へ記憶する。1ページ分のデータの転送が終了すると、ページバッファ制御部は、ページバッファ記憶部にバッファしたデータを、レジスタに記憶した先頭アドレスから1バイトずつ順次にフラッシュROM(EEPROM)14に書き込んで、ページバッファ記憶部からフラッシュROM(EEPROM)14へ書き込む。
データがフラッシュROM(EEPROM)14から読み出される場合では、ページバッファ記憶部を介することなく、上述の通りに動作してデータが読み出される。
本発明を表現するために、上述において図面を参照しながら実施形態を通して本発明を適切且つ十分に説明したが、当業者であれば上述の実施形態を変更及び/又は改良することは容易に為し得ることであると認識すべきである。従って、当業者が実施する変更形態又は改良形態が、請求の範囲に記載された請求項の権利範囲を離脱するレベルのものでない限り、当該変更形態又は当該改良形態は、当該請求項の権利範囲に包括されると解釈される。
実施形態におけるプログラマブルロジックコントローラシステムの構成を示すブロック図である。 実施形態におけるプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置の構成を示すブロック図である。 実施形態におけるID変換部の構成を示す図である。 実施形態におけるフラッシュROMの第1識別子を読み出す命令を説明するための図である。 実施形態における他の構成に係るID変換部の構成の一部を示す図である。 実施形態におけるさらに他の構成に係るID変換部の構成の一部を示す図である。 背景技術におけるプログラマブルロジックコントローラシステムの構成を示すブロック図である。
符号の説明
P、S プログラマブルコントローラシステム
1、101 プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置
2、 プログラマブルロジックコントローラ
11、19、111、118 増設メモリ用コネクタ
12 電圧変換部
13、13a、13b 変換部
15 電源部
16、116 バスコネクタ
17、117 演算処理部
18、118 記憶部
34 マルチプレクサ
35 IDアドレスデータ判別回路
36 コマンド判別回路
37 アンド回路
38、42、47 メーカID記憶回路
39、43、48 デバイスID記憶回路
41、46 選択部

Claims (6)

  1. プログラマブルロジックコントローラの記憶容量を拡張するためのプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置において、
    ROMと、
    前記ROMを特定し識別するための第1識別子を前記プログラマブルロジックコントローラが認識可能な第2識別子に変換する変換部を備えること
    を特徴とするプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置。
  2. 前記変換部は、
    複数の第2識別子を記憶する第2識別子記憶部と、
    前記複数の第2識別子から一の第2識別子を選択する選択部とを備え、
    前記ROMを特定し識別するための第1識別子を前記選択部が選択した第2識別子に変換すること
    を特徴とする請求項1に記載のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置。
  3. 前記第1および第2識別子は、前記ROMの製造メーカを特定し識別するメーカ識別子と、前記製造メーカにおける前記ROMの品番を特定し識別するデバイス識別子とを備えること
    を特徴とする請求項2に記載のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置。
  4. 前記プログラマブルロジックコントローラから出力される出力信号の電圧レベルを、前記ROMへ入力される入力信号の電圧レベルへ変換すると共に、前記ROMから出力される出力信号の電圧レベルを、前記プログラマブルロジックコントローラへ入力される入力信号の電圧レベルへ変換する電圧変換部をさらに備えること
    を特徴とする請求項1ないし請求項3の何れか1項に記載のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置。
  5. 前記プログラマブルロジックコントローラから供給される電力の電圧レベルを、前記ROMの駆動電圧の電圧レベルおよび前記変換部の駆動電圧の電圧レベルへ変換する電源部をさらに備えること
    を特徴とする請求項1ないし請求項4の何れか1項に記載のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置。
  6. プログラマブルロジックコントローラと、前記プログラマブルロジックコントローラの記憶容量を拡張するためのプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置とを備えるプログラマブルロジックコントローラシステムにおいて、
    前記プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置は、請求項1ないし請求項5の何れか1項に記載のプログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置であること
    を特徴とするプログラマブルロジックコントローラシステム。
JP2007011374A 2007-01-22 2007-01-22 プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびプログラマブルロジックコントローラシステム Pending JP2008176700A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007011374A JP2008176700A (ja) 2007-01-22 2007-01-22 プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびプログラマブルロジックコントローラシステム

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007011374A JP2008176700A (ja) 2007-01-22 2007-01-22 プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびプログラマブルロジックコントローラシステム

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008176700A true JP2008176700A (ja) 2008-07-31

Family

ID=39703657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007011374A Pending JP2008176700A (ja) 2007-01-22 2007-01-22 プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびプログラマブルロジックコントローラシステム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008176700A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111937297A (zh) * 2018-05-14 2020-11-13 欧姆龙株式会社 马达控制装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111937297A (zh) * 2018-05-14 2020-11-13 欧姆龙株式会社 马达控制装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015056171A (ja) メモリシステムおよび情報処理装置
KR20060094494A (ko) 컴퓨터 시스템 및 그 제어 방법
JP2006190132A (ja) 制御プログラムダウンロード装置
JP6001962B2 (ja) インバータ装置
JP2008176700A (ja) プログラマブルロジックコントローラ用増設記憶装置およびプログラマブルロジックコントローラシステム
US7281113B2 (en) Microcomputer with built-in electrically rewritable nonvolatile memory
US20050246513A1 (en) Electronic control device and data adjustment method
JP4936271B2 (ja) 半導体記憶装置
JP2007085707A (ja) 空気調和機の制御情報書換装置
JP5816034B2 (ja) 増設記憶装置、plcシステム、アダプタ装置
KR19980054349A (ko) 옵션 자동 설정 회로
JP2011110687A (ja) ロボットコントロール・システム、ロボットコントロール方法
JP7006410B2 (ja) 制御装置、画像形成装置および回路装置
JP2005092676A (ja) プログラマブルコントローラおよびユニットならびにパラメータの編集方法
JP2001042906A (ja) プログラマブルロジックコントローラ
WO2001097056A1 (fr) Circuit integre et procede d'ecriture dans une memoire remanente a l'interieur d'un circuit integre
JP2020101889A (ja) モジュール及びこれを備える情報処理装置、並びにモジュールのプログラムデータを更新するプログラムデータ更新方法
JP2009093270A (ja) コンピュータシステム及びその起動方法
JP2006155303A (ja) 制御装置
WO2010070736A1 (ja) プログラマブルデバイス制御装置およびその方法
JP2011108161A (ja) 情報処理装置
JPH05307471A (ja) 電子機器
JP2009051093A (ja) 印刷装置
KR100224865B1 (ko) 로봇 제어방법
JP2004287712A (ja) 電子装置