JP2008166391A - Method of forming conductor pattern and electronic component - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a conductor pattern useful for improving an occupied rate in using a conductive substrate, and an electronic component further reduced in size and thickness. <P>SOLUTION: The method of forming a conductor pattern has: a step of forming a resist 4 including a lower resist 2 having insulation and an upper resist 3 having insulation and made of a material different from that of the lower resist 2, and having an opening 40 for exposing the conductive substrate 1, on the conductive substrate 1; a step of forming a center conductor layer 11 on the conductive substrate 1 in the opening 40 of the resist 4 by electric plating using the conductive substrate 1 as a base; a step of removing the upper resist 3; and a step of forming a surface conductor layer 12 on the exposed surface of the center conductor layer 11 by electric plating using the center conductor layer 11 as a base. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、導体パターンの形成方法および電子部品に関し、特に、電気めっきを利用した導体パターンの形成方法、および当該導体パターンを含む電子部品に関する。   The present invention relates to a method for forming a conductor pattern and an electronic component, and more particularly to a method for forming a conductor pattern using electroplating and an electronic component including the conductor pattern.

近年、携帯電話やノートパソコン等の小型携帯機器が急速に普及している。これらの機器の小型化、薄型化および高性能化を両立させるために、これらに使用されるインダクタやトランス、およびこれらを搭載するプリント配線基板等の電子部品についても、小型化と薄型化を進めることが重要な課題となっている。   In recent years, small portable devices such as mobile phones and notebook personal computers are rapidly spreading. In order to make these devices smaller, thinner, and higher performance, the inductors and transformers used in these devices and electronic components such as printed wiring boards on which they are mounted are also being made smaller and thinner. Is an important issue.

電子部品の小型化と薄型化を両立させるためには、導体パターンの占積率を高くすることが重要である。導体パターンの占積率を向上させるために、種々の導体パターンの形成方法が提案されている(特許文献1参照)。導体パターンの占積率とは、導体パターンの延在方向に垂直な断面において、単位面積当たりの導体パターンの断面積の比率を意味する。
特開2001−267166号公報
In order to achieve both miniaturization and thinning of electronic components, it is important to increase the space factor of the conductor pattern. In order to improve the space factor of the conductor pattern, various methods for forming a conductor pattern have been proposed (see Patent Document 1). The space factor of the conductor pattern means the ratio of the cross-sectional area of the conductor pattern per unit area in the cross section perpendicular to the extending direction of the conductor pattern.
JP 2001-267166 A

しかしながら、所望の厚さをもつ絶縁性基板の平面上に高い占積率で導体パターンを形成する方法には既に限界がきている。そこで、所望の厚さの基材上に導体パターンを形成した後に、当該導体パターンを薄い絶縁基板(絶縁層)上に転写する技術が必要となる。これにより、最終的な基板の薄型化を図れるため、さらなる高占積率の導体パターンを実現することが可能となる。   However, there is already a limit to the method for forming a conductor pattern with a high space factor on the plane of an insulating substrate having a desired thickness. Therefore, a technique is required in which a conductor pattern is formed on a base material having a desired thickness, and then the conductor pattern is transferred onto a thin insulating substrate (insulating layer). Thereby, since the final thickness of the substrate can be reduced, a conductor pattern having a higher space factor can be realized.

転写技術を採用する場合には、必ずしも基材として絶縁性基板を用いる必要がなくなる。導体パターンの形成に電気めっきを用いる場合には、基材として絶縁性基板を用いるよりも、導電性基板を用いた方が生産性の観点から有利である。このように、導電性基板上に高占積率で導体パターンを形成する方法が求められている。   When the transfer technique is adopted, it is not always necessary to use an insulating substrate as a base material. When electroplating is used for forming the conductor pattern, it is more advantageous from the viewpoint of productivity to use a conductive substrate than to use an insulating substrate as a base material. Thus, there is a need for a method of forming a conductor pattern with a high space factor on a conductive substrate.

本発明の目的は、導電性基板を用いた場合において占積率を向上させるのに有用な導体パターンの形成方法、並びに更なる小型化および薄型化を実現できる電子部品を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method of forming a conductor pattern useful for improving the space factor when a conductive substrate is used, and an electronic component that can realize further miniaturization and thinning.

本発明に係る導体パターンの形成方法は、導電性基板上に、絶縁性をもつ下層レジスト、および絶縁性をもち前記下層レジストと異なる材料からなる上層レジストを含み、前記導電性基板を露出させる開口部をもつレジストを形成する工程と、前記導電性基板を下地とした電気めっきにより、前記レジストの前記開口部内における前記導電性基板上に中心導体層を形成する工程と、前記上層レジストを除去する工程と、前記中心導体層を下地とした電気めっきにより、前記中心導体層の露出表面に表面導体層を形成する工程と、を有する。   The method for forming a conductor pattern according to the present invention includes an insulating lower layer resist and an upper resist made of a different material from the lower resist, having an insulating property, on the conductive substrate, and exposing the conductive substrate. Forming a resist having a portion, forming a central conductor layer on the conductive substrate in the opening of the resist by electroplating using the conductive substrate as a base, and removing the upper resist And a step of forming a surface conductor layer on the exposed surface of the center conductor layer by electroplating using the center conductor layer as a base.

このような導体パターンの形成方法では、まず、導電性基板を下地とした電気めっきにより、レジストの開口部内に中心導体層が形成される。なお、導電性基板には、導電性材料が基板状に成形されたものの他、絶縁性基板上に導電膜を形成したものも含まれる。中心導体層の幅および間隔は、レジストに形成された開口部の幅および間隔により決まる。その上層レジストを除去した後に、中心導体層を下地とした電気めっきにより、中心導体層の露出表面に表面導体層が形成される。表面導体層の形成により、中心導体層および表面導体層からなる導体パターンの幅を中心導体層よりも広げることができ、導体パターン間の間隔を中心導体層間の間隔よりも狭めることができる。下層レジストが形成されているため、中心導体層間の底部における導電性基板からのめっき成長を防止できるため、隣接する導体パターン間の短絡を防止することができる。導体パターン間の間隔は、表面導体層の電気めっきの条件(時間、電流等)を制御することにより、調整できる。したがって、本発明では、レジストおよびリソグラフィの解像度により決定される占積率よりも高い占積率の導体パターンを形成することができる。あるいは、レジストおよびリソグラフィの解像度が低い場合であっても、高い占積率の導体パターンを形成することができる。また、導体パターン間の間隔を狭めるために、レジストの開口部の幅を広げようとすると、レジストが高アスペクト比になり、レジストが倒れやすいという問題もある。本発明では、レジストの開口部の幅を広げなくても、当該開口部の幅よりも広い幅の導体パターンを得ることができ、レジストの倒れ等の問題の発生を防止するができる。   In such a method for forming a conductor pattern, first, a central conductor layer is formed in the opening of the resist by electroplating using a conductive substrate as a base. Note that the conductive substrate includes a conductive material formed into a substrate shape and a conductive substrate formed on an insulating substrate. The width and interval of the central conductor layer are determined by the width and interval of the opening formed in the resist. After the upper layer resist is removed, a surface conductor layer is formed on the exposed surface of the center conductor layer by electroplating with the center conductor layer as a base. By forming the surface conductor layer, the width of the conductor pattern composed of the center conductor layer and the surface conductor layer can be wider than that of the center conductor layer, and the distance between the conductor patterns can be narrower than the distance between the center conductor layers. Since the lower layer resist is formed, the plating growth from the conductive substrate at the bottom between the central conductor layers can be prevented, so that a short circuit between adjacent conductor patterns can be prevented. The interval between the conductor patterns can be adjusted by controlling the conditions (time, current, etc.) of electroplating the surface conductor layer. Therefore, in the present invention, a conductor pattern having a space factor higher than the space factor determined by the resolution of the resist and lithography can be formed. Alternatively, a conductor pattern with a high space factor can be formed even when the resolution of resist and lithography is low. Further, when the width of the opening of the resist is increased in order to narrow the interval between the conductor patterns, there is a problem that the resist has a high aspect ratio and the resist easily falls down. In the present invention, a conductor pattern having a width wider than the width of the opening can be obtained without increasing the width of the opening of the resist, and problems such as the falling of the resist can be prevented.

例えば、前記レジストを形成する工程は、前記導電性基板上に前記下層レジストを形成する工程と、前記下層レジスト上に前記開口部をもつ前記上層レジストを形成する工程と、前記上層レジストをマスクとしたエッチングにより、前記下層レジストに開口部を形成する工程と、を有する。量産性の観点からは、下層レジストのエッチングには、ウェットエッチングを用いることが好ましい。   For example, the step of forming the resist includes the step of forming the lower layer resist on the conductive substrate, the step of forming the upper layer resist having the opening on the lower layer resist, and the upper layer resist as a mask. Forming an opening in the lower layer resist by etching. From the viewpoint of mass productivity, wet etching is preferably used for etching the lower layer resist.

また、前記下層レジストを形成する工程は、前記導電性基板を下地とした電気めっきにより、前記導電性基板上に金属層を形成する工程と、前記導電性基板上の前記金属層を絶縁化処理して、前記下層レジストを形成する工程と、を有することが好ましい。これにより、蒸着等のドライプロセスを用いることなく、導電性基板上に均一かつ薄い下層レジストを形成することができ、生産性を向上させることができる。   Further, the step of forming the lower layer resist includes a step of forming a metal layer on the conductive substrate by electroplating using the conductive substrate as a base, and an insulating treatment of the metal layer on the conductive substrate. And forming the lower layer resist. Accordingly, a uniform and thin lower layer resist can be formed on the conductive substrate without using a dry process such as vapor deposition, and productivity can be improved.

さらに、前記表面導体層を形成する工程の後に、前記導電性基板上であって、前記中心導体層および前記表面導体層からなる導体パターンが形成された側を、接着性をもつ絶縁材で被覆する工程と、前記導電性基板を剥離する工程と、を有することが好ましい。これにより、絶縁材に導体パターンを転写することができる。したがって、強度および寸法安定性の面からプロセス上要求される導電性基板の厚さを確保しつつ、最終的な基板(絶縁材)の厚さを薄くすることができる。この結果、導体パターンの占積率をさらに向上させることができる。絶縁材は、シート状に加工されていても、液状であってもよい。   Further, after the step of forming the surface conductor layer, the side on which the conductor pattern composed of the center conductor layer and the surface conductor layer is formed is covered with an insulating material on the conductive substrate. It is preferable to have the process of carrying out, and the process of peeling the said electroconductive board | substrate. Thereby, a conductor pattern can be transcribe | transferred to an insulating material. Therefore, the final thickness of the substrate (insulating material) can be reduced while ensuring the thickness of the conductive substrate required in the process from the viewpoint of strength and dimensional stability. As a result, the space factor of the conductor pattern can be further improved. The insulating material may be processed into a sheet shape or liquid.

あるいは、前記表面導体層を形成する工程の後に、前記中心導体層および前記表面導体層からなる導体パターンが形成された2つの前記導電性基板を、互いの前記導体パターンを対向させ、かつ接着性をもつ絶縁材を介在させた状態で、貼り合わせる工程と、
前記絶縁性材の両側の2つの前記導電性基板を剥離する工程と、を有することが好ましい。これにより、さらに導体パターンの占積率を向上させることができる。絶縁材は、シート状に加工されていても、液状であってもよい。
Alternatively, after the step of forming the surface conductor layer, the two conductive substrates on which the conductor pattern composed of the center conductor layer and the surface conductor layer is formed are opposed to each other, and the adhesive property is maintained. A step of pasting together with an insulating material having
Preferably, the step of peeling the two conductive substrates on both sides of the insulating material. Thereby, the space factor of a conductor pattern can be improved further. The insulating material may be processed into a sheet shape or liquid.

本発明に係る電子部品は、絶縁性シートと、前記絶縁性シートの一方の面に埋め込まれて形成され、かつ前記絶縁性シートの前記一方の面から露出した導体パターンと、を有し、前記導体パターンは、中心導体層と、前記絶縁性シートと前記中心導体層との間に介在し、前記中心導体層の表面を被覆する表面導体層と、を有する。   An electronic component according to the present invention includes an insulating sheet, and a conductor pattern embedded in one surface of the insulating sheet and exposed from the one surface of the insulating sheet, and The conductor pattern includes a center conductor layer, and a surface conductor layer that is interposed between the insulating sheet and the center conductor layer and covers the surface of the center conductor layer.

このような電子部品では、絶縁性シートに転写された導体パターンを備える電子部品を実現できる。当該電子部品は、絶縁性基板上に導体パターンを備えるものと異なり、電子部品の厚さを薄くすることができる。これにより、導体パターンの占積率が向上した電子部品を実現することができる。上記の本発明に係る導体パターンの形成方法により形成された導体パターンを備える電子部品の場合、絶縁性シートの一方の面において、中心導体層と表面導体層との間で段差が存在するのが特徴的である。   In such an electronic component, an electronic component having a conductor pattern transferred to an insulating sheet can be realized. Unlike the electronic component provided with the conductor pattern on the insulating substrate, the thickness of the electronic component can be reduced. Thereby, an electronic component with an improved space factor of the conductor pattern can be realized. In the case of an electronic component having a conductor pattern formed by the above-described method for forming a conductor pattern according to the present invention, there is a step between the central conductor layer and the surface conductor layer on one surface of the insulating sheet. It is characteristic.

前記導体パターンに対向するように前記絶縁性シートの他方の面に埋め込まれて形成され、かつ前記絶縁性シートの前記他方の面から1つの面が露出した他の導体パターンをさらに有する。これにより、絶縁性シートの一面に転写するよりもさらに導体パターンの占積率が向上した電子部品を実現することができる。   The conductive sheet further includes another conductive pattern formed so as to be embedded in the other surface of the insulating sheet so as to face the conductive pattern and having one surface exposed from the other surface of the insulating sheet. Thereby, it is possible to realize an electronic component in which the space factor of the conductor pattern is further improved as compared with the case where it is transferred onto one surface of the insulating sheet.

本発明の導体パターンの形成方法によれば、第1レジストの開口部により、中心導体層のパターンを規定し、第2レジストにより中心導体層の表面に形成する表面導体層の形成領域を制御することにより、電気めっきを有効利用しつつ、導体パターンの占積率を向上させることができる。このような導体パターンの形成方法により、電子部品の小型化および薄型化が可能となる。   According to the method for forming a conductor pattern of the present invention, the pattern of the center conductor layer is defined by the opening of the first resist, and the formation area of the surface conductor layer formed on the surface of the center conductor layer is controlled by the second resist. Thus, the space factor of the conductor pattern can be improved while effectively using electroplating. By such a method for forming a conductor pattern, the electronic component can be reduced in size and thickness.

以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。本実施形態では、導体パターンとして、コイル用の導体パターンを形成する例について説明するが、これに限定されるものではない。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the present embodiment, an example in which a conductor pattern for a coil is formed as the conductor pattern will be described, but the present invention is not limited to this.

(第1実施形態)
本実施形態に係る導体パターンの形成方法について、図1〜図11を参照して説明する。図1〜図10は、導体パターンを形成している状態を示す工程図であり、各図(A)は断面図、各図(B)は斜視図、各図(C)は平面図を示す。各図(A)は、各図(C)のA−A線の断面図であり、各図(C)は各図(A)におけるC−C線断面図であり、各図(B)は要部を示す。図11は、導体パターンを形成している状態を示す平面図である。
(First embodiment)
A method for forming a conductor pattern according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 10 are process diagrams showing a state in which a conductor pattern is formed. Each figure (A) is a sectional view, each figure (B) is a perspective view, and each figure (C) is a plan view. . Each figure (A) is a sectional view taken along line AA in each figure (C), each figure (C) is a sectional view taken along line CC in each figure (A), and each figure (B) is shown in FIG. The main part is shown. FIG. 11 is a plan view showing a state in which a conductor pattern is formed.

図1(A)〜(C)に示すように、導電性基板1上に絶縁性を有する下層レジスト2を形成する。導電性基板1は、転写用基板として用いられ、材料に限定はないが、例えばステンレス板を用いることができる。ステンレス板は、工程中の基板の強度および寸法安定性を確保するため、例えば厚さが0.1mm〜2mmの範囲であることが好ましい。転写用基板としてのステンレス板は、適度の粗さを有することが望ましく、その表面粗さはRmax=0.2〜2μmの範囲であることが好ましい。Rmaxが0.2μm未満では、レジストおよび導体パターンとステンレス板との密着性が不十分となり剥離し易くなるため好ましくない。また、Rmaxが2μmを超えると、導体パターンの膜厚のばらつきに影響し、また高周波用に用いる場合には導体損失が増大するので好ましくない。ステンレス板の表面には、導体パターンとの剥離性を確保するために不動態化処理で不動態膜を形成することが好ましい。例えば、導電性基板1として、1mm厚で表面粗さRmaxが0.5μmのステンレス板(SUS304テンションアニール材)の表面を不動態化処理し、100mm角のサイズに切り出したものを用いることができる。   As shown in FIGS. 1A to 1C, an insulating lower layer resist 2 is formed on a conductive substrate 1. The conductive substrate 1 is used as a transfer substrate, and the material is not limited. For example, a stainless plate can be used. The stainless steel plate preferably has a thickness in the range of 0.1 mm to 2 mm, for example, to ensure the strength and dimensional stability of the substrate during the process. The stainless steel plate as the transfer substrate desirably has an appropriate roughness, and the surface roughness is preferably in the range of Rmax = 0.2 to 2 μm. If Rmax is less than 0.2 μm, the adhesion between the resist and conductor pattern and the stainless steel plate becomes insufficient, and it becomes easy to peel off. On the other hand, if Rmax exceeds 2 μm, it affects the variation in the film thickness of the conductor pattern, and when used for high frequency, conductor loss increases, which is not preferable. It is preferable to form a passivated film on the surface of the stainless steel plate by a passivating treatment in order to ensure peelability from the conductor pattern. For example, as the conductive substrate 1, a stainless steel plate (SUS304 tension annealed material) having a thickness of 1 mm and a surface roughness Rmax of 0.5 μm is passivated and cut into a size of 100 mm square. .

また、ステンレス板上へのレジストおよび導体パターンの密着性および剥離性が不十分な場合には、ステンレス板上にNi膜を形成することが好ましい。この場合には、Ni膜は、導電性基板1を下地とする電気めっきにより形成することができる。Ni膜の厚さは、例えば、0.5μm〜1μm程度である。なお、スパッタリング等の蒸着法でNi膜を形成すると、ステンレス板との密着力が大きすぎて、後にステンレス基板を剥離することが困難となる。   Further, when the adhesion and peelability of the resist and the conductor pattern on the stainless steel plate are insufficient, it is preferable to form a Ni film on the stainless steel plate. In this case, the Ni film can be formed by electroplating with the conductive substrate 1 as a base. The thickness of the Ni film is, for example, about 0.5 μm to 1 μm. Note that when the Ni film is formed by a vapor deposition method such as sputtering, the adhesion to the stainless steel plate is too great, and it becomes difficult to peel the stainless steel substrate later.

下層レジスト2の形成方法としては、例えば、導電性基板1を下地とした電気めっきにより、導電性基板1上に金属層を形成し、当該金属層を絶縁化処理して、絶縁性をもつ下層レジスト2を形成する。具体的には、導電性基板1を下地とする電気めっきにより、導電性基板1上に1μm程度の銅層を形成した後、銅層を硫化ナトリウム溶液で処理して表面を硫化する。これにより、ウェットプロセスにより安価かつ均一に、硫化銅からなる絶縁性の下層レジスト2が形成される。導電性基板1上にNi膜を形成した場合であって、当該処理によりNi膜表面にNiの硫化物が析出する場合には、希硫酸などの薄い酸処理でNiの析出物を容易に除去できる。または、絶縁化処理として銅層を酸化もしくはヨウ化することにより、酸化銅もしくはヨウ化銅からなる絶縁性の下層レジスト2を形成してもよい。酸化処理の場合には例えば次亜塩素酸ソーダなどの酸化剤を用いることができ、ヨウ化処理の場合には例えばヨウ化カリウムのアルカリ溶液などを用いることができる。あるいは、電気めっきを利用するのではなく、CVD法等のドライプロセスにより、導電性基板1上に酸化シリコンや窒化シリコンを堆積することにより、下層レジスト2を形成してもよい。   As a method for forming the lower layer resist 2, for example, a metal layer is formed on the conductive substrate 1 by electroplating with the conductive substrate 1 as a base, and the metal layer is insulated to form a lower layer having insulating properties. A resist 2 is formed. Specifically, after forming a copper layer of about 1 μm on the conductive substrate 1 by electroplating using the conductive substrate 1 as a base, the copper layer is treated with a sodium sulfide solution to sulfidize the surface. Thereby, the insulating lower resist 2 made of copper sulfide is formed at a low cost and uniformly by a wet process. When a Ni film is formed on the conductive substrate 1 and Ni sulfide is deposited on the Ni film surface by the treatment, the Ni precipitate is easily removed by a thin acid treatment such as dilute sulfuric acid. it can. Alternatively, the insulating lower resist 2 made of copper oxide or copper iodide may be formed by oxidizing or iodizing the copper layer as an insulating treatment. In the case of the oxidation treatment, for example, an oxidizing agent such as sodium hypochlorite can be used. In the case of the iodide treatment, for example, an alkaline solution of potassium iodide or the like can be used. Alternatively, the lower resist 2 may be formed by depositing silicon oxide or silicon nitride on the conductive substrate 1 by a dry process such as a CVD method instead of using electroplating.

次に、図2(A)〜(C)に示すように、下層レジスト2上に、絶縁性を有し所望のパターンの開口部40をもつ上層レジスト3を形成する。上層レジスト3として、後に下層レジスト2に対して選択的に上層レジスト3を除去できるように、下層レジスト2とは異なる材料を用いる。   Next, as shown in FIGS. 2A to 2C, the upper resist 3 having an insulating property and an opening 40 having a desired pattern is formed on the lower resist 2. A material different from the lower resist 2 is used as the upper resist 3 so that the upper resist 3 can be selectively removed later with respect to the lower resist 2.

本実施形態では、図2(C)に示すように、開口部40として、コイルパターンの開口部41と、コイルパターンに接続される一方の電極用の開口部42と、コイルパターンに接続される他方の電極用の開口部43を形成する。開口部42は、開口部41に連通している。なお、特に開口部41〜43を区別する必要のない場合には、単に開口部40と称する。コイルパターンの開口部の幅および間隔は特に限定はないが、例えば、幅を100μm、間隔を30μmとする。   In this embodiment, as shown in FIG. 2C, the opening 40 is connected to the coil pattern opening 41, one electrode opening 42 connected to the coil pattern, and the coil pattern. The opening 43 for the other electrode is formed. The opening 42 communicates with the opening 41. Note that the openings 41 to 43 are simply referred to as the openings 40 when it is not necessary to distinguish the openings 41 to 43. The width and interval of the opening portions of the coil pattern are not particularly limited. For example, the width is 100 μm and the interval is 30 μm.

上層レジスト3の形成方法としては、例えば、下層レジスト2上に厚さ40μm〜50μmのフォトレジストとしてのドライフィルムをラミネートし、フォトリソグラフィ処理(露光、現像処理)により、所望の導体パターン用の開口部を形成する。ドライフィルムとしては、アルカリ可溶レジストを用いることができる。なお、液状のレジスト液を塗布および乾燥させた後に、フォトリソグラフィ処理を行なってもよい。   As a method for forming the upper layer resist 3, for example, a dry film as a photoresist having a thickness of 40 μm to 50 μm is laminated on the lower layer resist 2, and an opening for a desired conductor pattern is formed by photolithography (exposure and development). Forming part. An alkali-soluble resist can be used as the dry film. Note that a photolithography process may be performed after applying and drying a liquid resist solution.

次に、図3(A)〜(C)に示すように、上層レジスト3をマスクとしたエッチングにより、上層レジスト3の開口部40内に露出した下層レジスト2を除去する。これにより、導電性基板1上に、下層レジスト2および上層レジスト3の積層体からなり、所望の開口部40をもつレジスト4が形成される。   Next, as shown in FIGS. 3A to 3C, the lower resist 2 exposed in the opening 40 of the upper resist 3 is removed by etching using the upper resist 3 as a mask. As a result, a resist 4 made of a laminate of the lower layer resist 2 and the upper layer resist 3 and having a desired opening 40 is formed on the conductive substrate 1.

下層レジスト2として硫化銅、酸化銅、またはヨウ化銅を用いた場合には、上記エッチングとして安価なウェットエッチングを採用することができる。例えば、硫化銅のウェットエッチングには、過酸化水素水を用いることができる。下層レジスト2が酸化銅、ヨウ化銅の場合のウェットエッチング液には、例えば希硫酸を用いることができる。下層レジスト2としてSiO2またはSiNを用いた場合には、上記エッチングとしてドライエッチングを用いる。 When copper sulfide, copper oxide, or copper iodide is used as the lower layer resist 2, inexpensive wet etching can be adopted as the etching. For example, hydrogen peroxide water can be used for wet etching of copper sulfide. For example, dilute sulfuric acid can be used as a wet etching solution when the lower layer resist 2 is copper oxide or copper iodide. When SiO 2 or SiN is used as the lower resist 2, dry etching is used as the etching.

次に、図4(A)〜(C)に示すように、導電性基板1を下地とした電気めっきにより、レジスト4の開口部40内における導電性基板1上に中心導体層11を形成する。中心導体層11としては、Au、Ag、Al、Cuなどの電気抵抗の小さい金属が好ましいが、コスト、めっきの生産性の面からはCuが最も好ましい。中心導体層11の厚さに限定はなく、例えば35μm〜40μmである。   Next, as shown in FIGS. 4A to 4C, the central conductor layer 11 is formed on the conductive substrate 1 in the opening 40 of the resist 4 by electroplating using the conductive substrate 1 as a base. . The center conductor layer 11 is preferably made of a metal having a low electric resistance such as Au, Ag, Al, or Cu, but Cu is most preferred from the viewpoint of cost and plating productivity. The thickness of the central conductor layer 11 is not limited, and is, for example, 35 μm to 40 μm.

銅層の電気めっきでは、硫酸銅めっき液を用いることができる。硫酸銅めっき液の組成は、例えば、硫酸銅五水塩20g/リットル、硫酸100g/リットル、塩素60mg/リットルであり、光沢剤が適量添加される。   In the electroplating of the copper layer, a copper sulfate plating solution can be used. The composition of the copper sulfate plating solution is, for example, copper sulfate pentahydrate 20 g / liter, sulfuric acid 100 g / liter, chlorine 60 mg / liter, and an appropriate amount of brightener is added.

次に、図5(A)〜(C)に示すように、上層レジスト3を剥離する。このとき、下層レジスト2に対して上層レジスト3を選択的に剥離する必要がある。例えば、5%の水酸化ナトリウム水溶液を50℃に加温して、上層レジスト3に0.15MPaの圧力でスプレーすることにより、上層レジスト3を剥離する。   Next, as shown in FIGS. 5A to 5C, the upper resist 3 is peeled off. At this time, it is necessary to selectively peel the upper layer resist 3 from the lower layer resist 2. For example, the upper resist 3 is peeled off by heating a 5% aqueous sodium hydroxide solution to 50 ° C. and spraying the upper resist 3 at a pressure of 0.15 MPa.

次に、図6(A)〜(C)に示すように、中心導体層11を下地とした電気めっきにより、中心導体層11の露出表面に表面導体層12を形成する。これにより、中心導体層11および表面導体層12からなる導体パターン10が形成される。中心導体層11間の導電性基板1上には下層レジスト2が形成されていることにより、導電性基板1間の底部からの導体層の形成を防止でき、隣接する導体パターン10間の短絡を防止することができる。表面導体層12の材料に特に限定はなく、中心導体層11と異なる材料を用いてもよいが、製造工程の簡素化の面からは、中心導体層11と同じ材料を用いることが好ましい。   Next, as shown in FIGS. 6A to 6C, the surface conductor layer 12 is formed on the exposed surface of the center conductor layer 11 by electroplating using the center conductor layer 11 as a base. Thereby, the conductor pattern 10 which consists of the center conductor layer 11 and the surface conductor layer 12 is formed. Since the lower layer resist 2 is formed on the conductive substrate 1 between the central conductor layers 11, the formation of the conductor layer from the bottom between the conductive substrates 1 can be prevented, and a short circuit between adjacent conductor patterns 10 can be prevented. Can be prevented. The material of the surface conductor layer 12 is not particularly limited, and a material different from that of the center conductor layer 11 may be used. However, from the viewpoint of simplifying the manufacturing process, it is preferable to use the same material as that of the center conductor layer 11.

電気めっきの際の表面導体層12の成長速度は、幅方向と厚さ方向とで同等であっても異なっていてもよいが、厚さ方向において成長速度が速くなるように異方性成長させれば、より高いアスペクト比の導体パターンが得られる。   The growth rate of the surface conductor layer 12 during electroplating may be the same or different in the width direction and the thickness direction, but is anisotropically grown so that the growth rate is increased in the thickness direction. Thus, a conductor pattern having a higher aspect ratio can be obtained.

表面導体層12を形成する工程の後に、導体パターン10の粗化処理を行なうことが好ましい。この粗化処理により、導体パターン10と後にこれを被覆する樹脂との接着力を強化することができる。粗化処理では、次亜塩素酸ナトリウムによる黒化処理、蟻酸系処理液による処理(例えばメック社のCZ処理)、硫酸過水系の処理(例えば日本マクダーミッド社のMB処理)等が使用される。硫酸過水系の処理は処理液を塩素フリー化できるので、信頼性上好ましい。黒化処理の場合は処理液そのものの中に、またはCZ処理では後処理に塩酸を用いるので好ましくない。またここで導体パターン10の上面、両側面の3面が粗化されるが、ステンレス板は粗化されない。このように導電性基板1にステンレスを用いると導体パターンのみを粗化処理できる処理液が多数選択できるので好ましい。   After the step of forming the surface conductor layer 12, the conductor pattern 10 is preferably roughened. By this roughening treatment, the adhesive force between the conductor pattern 10 and a resin that coats the conductor pattern 10 later can be enhanced. In the roughening treatment, a blackening treatment with sodium hypochlorite, a treatment with a formic acid-based treatment solution (for example, CZ treatment by MEC), a sulfuric acid / hydrogen peroxide-based treatment (for example, MB treatment by Nihon McDermid) is used. The sulfuric acid / hydrogen peroxide treatment is preferable in terms of reliability because the treatment liquid can be made chlorine-free. In the case of blackening treatment, hydrochloric acid is used in the treatment solution itself, or in the CZ treatment because hydrochloric acid is used for post-treatment, which is not preferable. Here, the upper surface and both side surfaces of the conductor pattern 10 are roughened, but the stainless steel plate is not roughened. Thus, it is preferable to use stainless steel for the conductive substrate 1 because a large number of treatment liquids capable of roughing only the conductor pattern can be selected.

次に、図7(A)〜(C)に示すように、接着性を有する絶縁性シート5に、導体パターン10を対向させて、絶縁性シート5および導電性基板1を重ねて加熱および加圧する。接着性を有する絶縁性シート5としては、プリプレグを用いる。例えば、導体パターン10が形成された導電性基板1をコンベクションオーブンで100℃、30分乾燥した後に、50μm厚の芯材のないエポキシ樹脂製プリプレグをパターン面に配置して、その上にテフロン(登録商標)シートを置いてプレスする。これにより、上面および側面が粗化された導体パターン10がプリプレグの表面に埋め込まれる。プレスには、ボイドの発生を抑制するために、真空プレスを用いることが好ましい。なお、芯材無しのプリプレグの代わりに、芯材入りのプリプレグを使用してもよい。また、芯材の代わりに、または芯材とともに、線膨張係数の調整のためのフィラーを混入したプリプレグや、高誘電率フィラーを混入して誘電率の増大を図ったプリプレグを使用してもよい。なお、導電性基板1上に、液状の樹脂を塗布して、加熱等によって硬化させることにより、絶縁性シート5を形成することもできる。   Next, as shown in FIGS. 7 (A) to (C), the insulating sheet 5 and the conductive substrate 1 are overlapped with the insulating sheet 5 having adhesiveness so that the conductive pattern 10 is opposed to the heating and heating. Press. A prepreg is used as the insulating sheet 5 having adhesiveness. For example, after the conductive substrate 1 on which the conductor pattern 10 is formed is dried in a convection oven at 100 ° C. for 30 minutes, a 50 μm thick epoxy resin prepreg without a core material is placed on the pattern surface, and a Teflon ( Place (registered trademark) sheet and press. Thereby, the conductor pattern 10 whose upper surface and side surfaces are roughened is embedded in the surface of the prepreg. In order to suppress generation | occurrence | production of a void, it is preferable to use a vacuum press for a press. In addition, you may use the prepreg with a core material instead of the prepreg without a core material. Also, instead of or together with the core material, a prepreg mixed with a filler for adjusting the linear expansion coefficient, or a prepreg mixed with a high dielectric constant filler to increase the dielectric constant may be used. . The insulating sheet 5 can also be formed by applying a liquid resin on the conductive substrate 1 and curing it by heating or the like.

次に、図8(A)〜(C)に示すように、導電性基板1を剥離する。なお、図8〜図11は、図1〜図7とは上下を反転して図解している。導電性基板1を剥離することで、上面および両側面が粗化された導体パターン10が絶縁性シート5の一方の面(転写面)に埋め込まれてなる基板が得られる。このとき、絶縁性シート5の一方の面がほぼ平滑になるように、導体パターン10が埋め込まれている。また、絶縁性シート5の一方の面から導体パターン10が露出している。Ni膜が導体パターン10および絶縁性シート5側に付着している場合には、導体パターン10に対して選択的にエッチングできる手法でNi膜を除去する。   Next, as shown in FIGS. 8A to 8C, the conductive substrate 1 is peeled off. 8 to 11 are illustrated upside down from FIGS. 1 to 7. By peeling off the conductive substrate 1, a substrate is obtained in which the conductive pattern 10 with the upper surface and both side surfaces roughened is embedded in one surface (transfer surface) of the insulating sheet 5. At this time, the conductor pattern 10 is embedded so that one surface of the insulating sheet 5 is substantially smooth. Further, the conductor pattern 10 is exposed from one surface of the insulating sheet 5. When the Ni film adheres to the conductor pattern 10 and the insulating sheet 5 side, the Ni film is removed by a technique that allows selective etching with respect to the conductor pattern 10.

次に、図9(A)〜(C)に示すように、絶縁性シート5の一方の面上に存在する下層レジスト2を除去する。下層レジスト2として硫化銅、酸化銅、またはヨウ化銅を用いた場合には、上記エッチングとして安価なウェットエッチングを採用することができる。例えば、硫化銅のウェットエッチングには、過酸化水素水を用いることができる。下層レジスト2としてSiO2またはSiNを用いた場合には、上記エッチングとしてドライエッチングを用いることも好ましい。なお、下層レジストを除去せずに、絶縁層として機能させてもよい。 Next, as shown in FIGS. 9A to 9C, the lower layer resist 2 existing on one surface of the insulating sheet 5 is removed. When copper sulfide, copper oxide, or copper iodide is used as the lower layer resist 2, inexpensive wet etching can be adopted as the etching. For example, hydrogen peroxide water can be used for wet etching of copper sulfide. When SiO 2 or SiN is used as the lower layer resist 2, it is also preferable to use dry etching as the etching. Note that the insulating layer may function without removing the lower layer resist.

上記までの工程により、図9(C)に示すように、導体パターン10として、コイルパターン10aと、コイルパターン10aに接続される一方の電極10bと、コイルパターンに接続される他方の電極10cが形成される。なお、特にコイルパターン10aおよび電極10b、10cを区別する必要のない場合には、単に導体パターン10と称する。   9C, as the conductor pattern 10, the coil pattern 10a, one electrode 10b connected to the coil pattern 10a, and the other electrode 10c connected to the coil pattern are formed. It is formed. In particular, when it is not necessary to distinguish the coil pattern 10a and the electrodes 10b and 10c, they are simply referred to as the conductor pattern 10.

次に、図10(A)〜(C)に示すように、絶縁性シート5の一方の面上に、絶縁層6を形成する。絶縁層6の形成方法としては、例えば、導体パターン10とのコンタクト部分を除いて樹脂を絶縁性シート5の一方の面上に塗布し、熱硬化する。本実施形態では、コイルパターン10aの一端部10dと、電極10b、10cの部分を除いて、絶縁層6を形成する。なお、導体パターン10の露出面の全面に絶縁層6を形成した後に、絶縁層6上にレジストを形成して、レジストをマスクとしたエッチングにより、コンタクト部分に形成された絶縁層6を除去してもよい。絶縁層6としては、樹脂以外にもSiO2、SiN等の無機膜を使用してもよい。 Next, as shown in FIGS. 10A to 10C, the insulating layer 6 is formed on one surface of the insulating sheet 5. As a method for forming the insulating layer 6, for example, a resin is applied on one surface of the insulating sheet 5 except for a contact portion with the conductor pattern 10 and is thermally cured. In the present embodiment, the insulating layer 6 is formed except for the one end 10d of the coil pattern 10a and the electrodes 10b and 10c. After the insulating layer 6 is formed on the entire exposed surface of the conductor pattern 10, a resist is formed on the insulating layer 6, and the insulating layer 6 formed on the contact portion is removed by etching using the resist as a mask. May be. As the insulating layer 6, an inorganic film such as SiO 2 or SiN may be used in addition to the resin.

次に、図11に示すように、導体パターン10に接続する電極7を形成する。この電極7により、導体パターン10間の必要な接続がなされる。本例では、コイルパターン10aの一端部10dと電極10bとに接続する電極7bと、電極10cに接続する電極7cを形成する。   Next, as shown in FIG. 11, the electrode 7 connected to the conductor pattern 10 is formed. This electrode 7 makes necessary connection between the conductor patterns 10. In this example, an electrode 7b connected to one end 10d of the coil pattern 10a and the electrode 10b and an electrode 7c connected to the electrode 10c are formed.

電極7は、例えば導電性ペーストを用いて形成される。導電性ペーストの種類は、銀ペースト、銅ペースト、はんだペースト等が挙げられる。また、予備加熱を行なうことにより、合金層を形成するような導電性ペーストであってもよい。このような導電性ペーストを用いる場合には、当該合金の溶融温度が高いことが好ましい。導電性ペーストをスクリーン印刷するか、またはシリンジにより注入することにより、電極7を形成できる。なお、絶縁層6上の全面に電極層を形成した後に、レジストを用いたエッチングにより電極7のパターンを形成してもよい。   The electrode 7 is formed using, for example, a conductive paste. Examples of the conductive paste include silver paste, copper paste, and solder paste. Further, it may be a conductive paste that forms an alloy layer by preheating. When such a conductive paste is used, it is preferable that the melting temperature of the alloy is high. The electrode 7 can be formed by screen printing the conductive paste or injecting it with a syringe. Note that after the electrode layer is formed on the entire surface of the insulating layer 6, the pattern of the electrode 7 may be formed by etching using a resist.

以上の工程を経て、図12に示す電子部品が形成される。なお、図12では、コイルを透視した状態を示している。なお、図12では、スパイラル形状の平面コイルを示したが、角型形状のコイルであってもよい。また、コイル用の導体パターン10に限定されず、抵抗、コンデンサ、トランジスタ等の電子部品を構成するあらゆる導体パターンの形成方法に本発明を適用可能である。本願明細書では、電子部品とは、導体パターンを含む機能素子を全て含み、受動素子、能動素子のいずれも含む。   Through the above steps, the electronic component shown in FIG. 12 is formed. In addition, in FIG. 12, the state which saw through the coil is shown. In FIG. 12, a spiral planar coil is shown, but a square coil may be used. Further, the present invention is not limited to the coil conductor pattern 10 and can be applied to any method for forming a conductor pattern constituting an electronic component such as a resistor, a capacitor, or a transistor. In this specification, an electronic component includes all functional elements including a conductor pattern, and includes both passive elements and active elements.

上記の本実施形態に係る導体パターンの形成方法により形成された導体パターン10は、以下の構造的特徴がある。すなわち、図9(A)のC部に示すように、絶縁性シート5の一方の面上において、中心導体層11と表面導体層12との間で段差が存在する。   The conductor pattern 10 formed by the conductor pattern forming method according to the present embodiment has the following structural features. That is, as shown in part C of FIG. 9A, there is a step between the central conductor layer 11 and the surface conductor layer 12 on one surface of the insulating sheet 5.

本実施形態に係る導体パターンの形成方法では、導電性基板1を下地とした電気めっきにより、レジスト4の開口部40内に中心導体層11が形成される。中心導体層11の幅および間隔は、レジスト4に形成された開口部40の幅および間隔により決まる。上層レジスト3を除去した後に、中心導体層11を下地とした電気めっきにより、中心導体層11の露出表面に表面導体層12が形成される。表面導体層12の形成により、中心導体層11および表面導体層12からなる導体パターン10の幅を中心導体層11よりも広げることができ、導体パターン10間の間隔を中心導体層11間の間隔よりも狭めることができる。下層レジスト2が形成されているため、中心導体層11間の底部における導電性基板1からのめっき成長を防止できるため、隣接する導体パターン10間の短絡を防止することができる。導体パターン10間の間隔は、表面導体層の電気めっきの条件(時間、電流等)を制御することにより、調整できる。したがって、本実施形態では、レジスト4およびリソグラフィの解像度により決定される占積率よりも高い占積率の導体パターン10を形成することができる。あるいは、レジスト4およびリソグラフィの解像度が低い場合であっても、高い占積率の導体パターン10を形成することができる。   In the method for forming a conductor pattern according to this embodiment, the central conductor layer 11 is formed in the opening 40 of the resist 4 by electroplating with the conductive substrate 1 as a base. The width and interval of the central conductor layer 11 are determined by the width and interval of the opening 40 formed in the resist 4. After the upper layer resist 3 is removed, the surface conductor layer 12 is formed on the exposed surface of the center conductor layer 11 by electroplating with the center conductor layer 11 as a base. By forming the surface conductor layer 12, the width of the conductor pattern 10 composed of the center conductor layer 11 and the surface conductor layer 12 can be made wider than the center conductor layer 11. Can narrow. Since the lower layer resist 2 is formed, plating growth from the conductive substrate 1 at the bottom between the central conductor layers 11 can be prevented, so that a short circuit between adjacent conductor patterns 10 can be prevented. The interval between the conductor patterns 10 can be adjusted by controlling the conditions (time, current, etc.) of electroplating the surface conductor layer. Therefore, in this embodiment, it is possible to form the conductor pattern 10 having a space factor higher than the space factor determined by the resist 4 and the resolution of lithography. Alternatively, the conductor pattern 10 having a high space factor can be formed even when the resolution of the resist 4 and lithography is low.

このように、本実施形態に係る導体パターンの形成方法によれば、電気めっきを有効利用しつつ、導体パターンの占積率を向上させることができることから、導電性基板を利用する場合に特に有用なものとなる。このような導体パターンの形成方法により、電子部品の小型化および薄型化が可能となる。   As described above, according to the method for forming a conductor pattern according to the present embodiment, the space factor of the conductor pattern can be improved while effectively using electroplating. Therefore, it is particularly useful when using a conductive substrate. It will be something. By such a method for forming a conductor pattern, the electronic component can be reduced in size and thickness.

また、本実施形態に係る導体パターンの形成方法は、導体パターン10の形成に電気めっきを用い、エッチングにはウェットエッチングを使用できるため、ドライプロセス(真空蒸着、ドライエッチング等)を用いる場合に比べて、生産性を向上させることができる。   In addition, since the method for forming a conductor pattern according to the present embodiment uses electroplating for forming the conductor pattern 10 and wet etching can be used for etching, compared to a case where a dry process (vacuum deposition, dry etching, etc.) is used. Productivity can be improved.

さらに、所望の厚さをもつ導電性基板1上に導体パターン10を形成した後に、薄い絶縁性シート5の一方の面に導体パターン10を転写することにより、導体パターン10の占積率をさらに向上でき、当該導体パターンを含む電子部品を薄型化することができる。   Furthermore, after the conductor pattern 10 is formed on the conductive substrate 1 having a desired thickness, the conductor pattern 10 is transferred to one surface of the thin insulating sheet 5 to further increase the space factor of the conductor pattern 10. The electronic component including the conductor pattern can be thinned.

また、電子部品がコイルである場合には、コイルパターンの幅を広げたり、コイルパターンの巻き数を多くすることができる。コイルパターンの幅を広くすることはコイルの低抵抗化に繋がり、コイルパターンの巻き数を多くすることはコイルのインダクタンスの向上に繋がる。   Further, when the electronic component is a coil, the width of the coil pattern can be increased or the number of turns of the coil pattern can be increased. Increasing the width of the coil pattern leads to lower resistance of the coil, and increasing the number of turns of the coil pattern leads to improvement of the coil inductance.

(第2実施形態)
第2実施形態に係る導体パターンの形成方法について、図13〜図15を参照して説明する。図13〜図15は、導体パターンを形成している状態を示す工程断面図である。第2実施形態では、絶縁性シートの両面に導体パターンを転写して、第1実施形態よりも占積率の向上を図る例について説明する。
(Second Embodiment)
A method for forming a conductor pattern according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 13 to 15 are process cross-sectional views showing a state in which a conductor pattern is formed. In the second embodiment, an example will be described in which the conductor pattern is transferred to both surfaces of the insulating sheet to improve the space factor as compared with the first embodiment.

図13に示すように、接着性を有する絶縁性シート8の両面に、導体パターン10を対向させて、絶縁性シート8および2つの導電性基板1を重ねて加熱および加圧する。絶縁性シート8としては、プリプレグを用いることができる。例えば、導体パターン10が形成された2つの導電性基板1をコンベクションオーブンで100℃、30分乾燥した後に、50μm厚の芯材のないエポキシ樹脂製プリプレグの両側に2つの導電性基板1を配置して、プレスする。これにより、上面および側面が粗化された導体パターン10がプリプレグの表面に埋め込まれる。プレスには、ボイドの発生を抑制するために、真空プレスを用いることが好ましい。なお、芯材無しのプリプレグの代わりに、芯材入りのプリプレグを使用してもよい。また、芯材の代わりに、または芯材とともに、線膨張係数の調整のためのフィラーを混入したプリプレグや、高誘電率フィラーを混入して誘電率の増大を図ったプリプレグを使用してもよい。なお、液状の樹脂を介在させて、2つの導電性基板1を重ねて加熱および加圧してもよい。この場合には、加熱により液状の樹脂が硬化して、絶縁性シート8となる。   As shown in FIG. 13, the insulating sheet 8 and the two conductive substrates 1 are stacked and heated and pressed with the conductive pattern 10 facing the both surfaces of the insulating sheet 8 having adhesiveness. A prepreg can be used as the insulating sheet 8. For example, after two conductive substrates 1 on which the conductor pattern 10 is formed are dried in a convection oven at 100 ° C. for 30 minutes, the two conductive substrates 1 are arranged on both sides of a 50 μm-thick epoxy resin prepreg. And press. Thereby, the conductor pattern 10 whose upper surface and side surfaces are roughened is embedded in the surface of the prepreg. In order to suppress generation | occurrence | production of a void, it is preferable to use a vacuum press for a press. In addition, you may use the prepreg with a core material instead of the prepreg without a core material. Also, instead of or together with the core material, a prepreg mixed with a filler for adjusting the linear expansion coefficient, or a prepreg mixed with a high dielectric constant filler to increase the dielectric constant may be used. . Note that two conductive substrates 1 may be stacked and heated and pressurized with a liquid resin interposed. In this case, the liquid resin is cured by heating to form the insulating sheet 8.

次に、図14に示すように、絶縁性シート8の両側の2つの導電性基板1を剥離する。導電性基板1を剥離することで、絶縁性シート8の両面に導体パターン10が埋め込まれてなる基板が得られる。このとき、絶縁性シート8の両面がほぼ平滑になるように導体パターン10が埋め込まれている。また、絶縁性シート8の両面から導体パターン10が露出している。Ni膜が導体パターン10および絶縁性シート8側に付着している場合には、導体パターン10に対して選択的にエッチングできる手法でNi膜を除去する。   Next, as shown in FIG. 14, the two conductive substrates 1 on both sides of the insulating sheet 8 are peeled off. By peeling off the conductive substrate 1, a substrate in which the conductor pattern 10 is embedded on both surfaces of the insulating sheet 8 is obtained. At this time, the conductor pattern 10 is embedded so that both surfaces of the insulating sheet 8 are substantially smooth. In addition, the conductor pattern 10 is exposed from both surfaces of the insulating sheet 8. When the Ni film adheres to the conductor pattern 10 and the insulating sheet 8 side, the Ni film is removed by a technique that allows selective etching with respect to the conductor pattern 10.

次に、図15に示すように、絶縁性シート8の両面に存在する下層レジスト2を除去する。下層レジスト2として硫化銅、酸化銅、またはヨウ化銅を用いた場合には、上記エッチングとして安価なウェットエッチングを採用することができる。例えば、硫化銅のウェットエッチングには、過酸化水素水を用いることができる。下層レジスト2としてSiO2またはSiNを用いた場合には、上記エッチングとしてドライエッチングを用いる。 Next, as shown in FIG. 15, the lower layer resist 2 existing on both surfaces of the insulating sheet 8 is removed. When copper sulfide, copper oxide, or copper iodide is used as the lower layer resist 2, inexpensive wet etching can be adopted as the etching. For example, hydrogen peroxide water can be used for wet etching of copper sulfide. When SiO 2 or SiN is used as the lower resist 2, dry etching is used as the etching.

以降の工程としては、第1実施形態と同様に、接着シート8の両面上に、絶縁層6を形成し、導体パターン10への導通および必要な電気的接続を得るための電極7を絶縁性シート8の両面上に形成する。第1実施形態と異なる点は、接着シート8の両側の面に、それぞれ絶縁層6および電極7を形成することである。以上により、本実施形態に係る電子部品、例えばコイルが製造される。   In the subsequent steps, as in the first embodiment, the insulating layer 6 is formed on both surfaces of the adhesive sheet 8, and the electrode 7 for obtaining conduction and necessary electrical connection to the conductor pattern 10 is insulative. Formed on both sides of the sheet 8. The difference from the first embodiment is that the insulating layer 6 and the electrode 7 are formed on both sides of the adhesive sheet 8, respectively. As described above, the electronic component, for example, the coil according to the present embodiment is manufactured.

本実施形態に係る導体パターンの製造方法によれば、1枚の接着シート8の両面に導体パターン10を転写することにより、第1実施形態に比べて、導体パターン10の占積率をさらに向上させることができる。   According to the method for manufacturing a conductor pattern according to the present embodiment, the space factor of the conductor pattern 10 is further improved compared to the first embodiment by transferring the conductor pattern 10 onto both surfaces of one adhesive sheet 8. Can be made.

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
例えば、本実施形態に係る電子部品は、コイル、抵抗等の機能素子を複数内蔵していてもよい。また、本実施形態で挙げた材料や数値は一例であり、これに限定されるものではない。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
The present invention is not limited to the description of the above embodiment.
For example, the electronic component according to the present embodiment may include a plurality of functional elements such as coils and resistors. In addition, the materials and numerical values given in the present embodiment are examples, and the present invention is not limited to these.
In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the present invention.

本発明によれば、小型化および薄型化を図った電子部品が得られるので、電子部品を備える携帯機器のように、特に小型化及び高性能化が要求される機器に広くかつ有効に利用することができる。本発明の電子部品の例として、平面コイルや、平面コイルを利用したトランス、コモンモードフィルタが挙げられる。また、プリント配線基板等の電子部品に適用可能である。   According to the present invention, an electronic component that is reduced in size and thickness can be obtained. Therefore, the electronic component can be widely and effectively used particularly in a device that requires reduction in size and performance, such as a portable device including the electronic component. be able to. Examples of the electronic component of the present invention include a planar coil, a transformer using the planar coil, and a common mode filter. Further, the present invention can be applied to electronic parts such as a printed wiring board.

第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第1実施形態に係る導体パターンを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the conductor pattern which concerns on 1st Embodiment. 第2実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施形態に係る導体パターンを形成している状態を示す工程図である。It is process drawing which shows the state which forms the conductor pattern which concerns on 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…導電性基板、2…下層レジスト、3…上層レジスト、4…レジスト、5…絶縁性シート、6…絶縁層、7…電極、8…絶縁性シート、10…導体パターン、10a…コイルパターン、10b,10c…電極、11…中心導体層、12…表面導体層、40…開口部。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Conductive substrate, 2 ... Lower layer resist, 3 ... Upper layer resist, 4 ... Resist, 5 ... Insulating sheet, 6 ... Insulating layer, 7 ... Electrode, 8 ... Insulating sheet, 10 ... Conductor pattern, 10a ... Coil pattern DESCRIPTION OF SYMBOLS 10b, 10c ... Electrode, 11 ... Center conductor layer, 12 ... Surface conductor layer, 40 ... Opening part.

Claims (7)

導電性基板上に、絶縁性をもつ下層レジスト、および絶縁性をもち前記下層レジストと異なる材料からなる上層レジストを含み、前記導電性基板を露出させる開口部をもつレジストを形成する工程と、
前記導電性基板を下地とした電気めっきにより、前記レジストの前記開口部内における前記導電性基板上に中心導体層を形成する工程と、
前記上層レジストを除去する工程と、
前記中心導体層を下地とした電気めっきにより、前記中心導体層の露出表面に表面導体層を形成する工程と、
を有する導体パターンの形成方法。
Forming a resist having an opening on the conductive substrate, including a lower resist having an insulating property, and an upper resist made of a material different from the lower resist having an insulating property, and exposing the conductive substrate;
Forming a central conductor layer on the conductive substrate in the opening of the resist by electroplating on the conductive substrate; and
Removing the upper layer resist;
Forming a surface conductor layer on the exposed surface of the center conductor layer by electroplating with the center conductor layer as a base; and
A method of forming a conductor pattern having
前記レジストを形成する工程は、
前記導電性基板上に前記下層レジストを形成する工程と、
前記下層レジスト上に前記開口部をもつ前記上層レジストを形成する工程と、
前記上層レジストをマスクとしたエッチングにより、前記下層レジストに開口部を形成する工程と、
を有する請求項1記載の導体パターンの形成方法。
The step of forming the resist includes
Forming the lower layer resist on the conductive substrate;
Forming the upper layer resist having the opening on the lower layer resist;
Forming an opening in the lower resist by etching using the upper resist as a mask;
The method for forming a conductor pattern according to claim 1, comprising:
前記下層レジストを形成する工程は、
前記導電性基板を下地とした電気めっきにより、前記導電性基板上に金属層を形成する工程と、
前記導電性基板上の前記金属層を絶縁化処理して、前記下層レジストを形成する工程と、
を有する請求項2記載の導体パターンの形成方法。
The step of forming the lower resist includes
Forming a metal layer on the conductive substrate by electroplating with the conductive substrate as a base; and
Insulating the metal layer on the conductive substrate to form the lower layer resist;
The method for forming a conductor pattern according to claim 2, comprising:
前記表面導体層を形成する工程の後に、
前記導電性基板上であって、前記中心導体層および前記表面導体層からなる導体パターンが形成された側を、接着性をもつ絶縁材で被覆する工程と、
前記導電性基板を剥離する工程と、
を有する請求項1記載の導体パターンの形成方法。
After the step of forming the surface conductor layer,
Covering the conductive substrate on the conductive substrate, on which the conductor pattern composed of the central conductor layer and the surface conductor layer is formed, and an insulating material having adhesiveness;
Peeling the conductive substrate;
The method for forming a conductor pattern according to claim 1, comprising:
前記表面導体層を形成する工程の後に、
前記中心導体層および前記表面導体層からなる導体パターンが形成された2つの前記導電性基板を、互いの前記導体パターンを対向させ、かつ接着性をもつ絶縁材を介在させた状態で、貼り合わせる工程と、
前記絶縁材の両側の2つの前記導電性基板を剥離する工程と、
を有する請求項1記載の導体パターンの形成方法。
After the step of forming the surface conductor layer,
The two conductive substrates on which the conductor pattern composed of the center conductor layer and the surface conductor layer is formed are bonded together with the conductor patterns facing each other and an insulating material interposed therebetween. Process,
Peeling the two conductive substrates on both sides of the insulating material;
The method for forming a conductor pattern according to claim 1, comprising:
絶縁材と、
前記絶縁材の一方の面に埋め込まれて形成され、かつ前記絶縁材の前記一方の面から露出した導体パターンと、を有し、
前記導体パターンは、
中心導体層と、
前記絶縁材と前記中心導体層との間に介在し、前記中心導体層の表面を被覆する表面導体層と、
を有する電子部品。
Insulation,
A conductive pattern embedded in one surface of the insulating material and exposed from the one surface of the insulating material,
The conductor pattern is
A central conductor layer;
A surface conductor layer interposed between the insulating material and the central conductor layer and covering a surface of the central conductor layer;
Having electronic components.
前記導体パターンに対向するように前記絶縁材の他方の面に埋め込まれて形成され、かつ前記絶縁材の前記他方の面から1つの面が露出した他の導体パターンをさらに有する、
請求項6記載の電子部品。
And further having another conductor pattern formed to be embedded in the other surface of the insulating material so as to face the conductor pattern, and one surface exposed from the other surface of the insulating material.
The electronic component according to claim 6.
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