JP2008166197A - パネル体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガラス基板62とガラス基板61とを重ね合わせ、該基板間の周縁部にシール材30を塗布してパネル組立体を用意し、該シール材を封着温度まで局所加熱して軟化流動させることにより、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着してパネル体60を製造するパネル体の製造方法であって、前記シール材が、実質的に鉛を含有せず、酸化物換算で、Bi2O3およびB2O3を合計量で65〜90wt%、ならびにCuOを0.5〜3wt%含有する低融点ガラス粉末と、耐火性セラミックスフィラーと、を含有するフリットからなり、前記局所加熱が、波長500〜1600nmのレーザ光42を該シール材に照射することによることを特徴とするパネル体の製造方法。
【選択図】図3
Description
また、背面ガラス基板に、ストライプ状のアドレス電極を形成し、その上にストライプ状の隔壁を形成する。蛍光体層形成の工程では、赤、緑、青のペーストをスクリーン印刷によって順に塗布するとともに乾燥し、その後、空気中で焼成することにより形成される。そして、最後に背面ガラス基板の縁部に封着用のシール材、例えば、ビヒクルを配合してペースト化したシール材(以下、「フリット」ともいう)を塗布する。なお、シール材の封着温度は、400〜500℃である。これによって、PDP用の背面ガラス基板が製造される。なお、シール材は、前面ガラス基板に塗布してもよく、双方のガラス基板に塗布してもよい。
これに対しPDPの封着技術ではないが、フリットをレーザ光により封着温度まで局所加熱して、表示素子のガラス基板とガラスキャップとを封着する技術が特許文献1に記載されている。この技術をPDP組立工程のパネル体の封着に応用すれば、レーザ光によりフリットを極めて短時間で所定の温度まで昇温し、パネル体を封着できることが予想される。
但し、特許文献1には、レーザ光を用いて封着する際にどのような組成系、成分比率のフリットを用いるのが好ましいか記載されていないので従来のフリットの使用が前提となる。しかしながら、従来のフリットは、加熱炉でパネル体全体を加熱することを想定しているので、レーザ光によりフリットを局所加熱して封着するのに必ずしも適しているとは言えない。具体的には、例えばレーザ光で局所加熱しようとしても、フリットに十分にエネルギーが伝わらずに加熱に時間がかかったり、もしくは余分なパワーをかけなければならなかったりする恐れがある。また、従来のフリットには、鉛を含有するものもあり、このようなフリットは環境上の観点から好ましくない。
すなわち、本発明は、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを所定の間隔を空けて重ね合わせ、該基板間の周縁部にシール材を塗布してパネル組立体を用意し、該シール材を封着温度まで局所加熱して軟化流動させることにより、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着してパネル体を製造するパネル体の製造方法であって、
前記シール材が、実質的に鉛を含有せず、酸化物換算で、Bi2O3およびB2O3を合計量で65〜90wt%、ならびにCuOを0.5〜3wt%含有する低融点ガラス粉末と、耐火性セラミックスフィラーと、を含有するフリットからなり、
前記局所加熱が、波長500〜1600nmのレーザ光を該シール材に照射することによることを特徴とするパネル体の製造方法を提供する。
前記耐火性セラミックスフィラーがジルコン、コージェライト、チタン酸アルミニウム、アルミナ、ムライト、シリカ、酸化錫系セラミック、β−ユークリプタイト、β−スポジュメン、リン酸ジルコニウム系セラミックおよびβ−石英固溶体からなる群から選択される少なくとも1つの耐火性セラミックスフィラーであり、
前記フリットが、前記低融点ガラス粉末と前記耐火性セラミックスフィラーとを体積比99:1〜60:40で含有することが好ましい。
ここで、前記低融点ガラス粉末が、少なくともFeの酸化物を含有し、かつSnOを含有し、前記CoOおよびFe2O3に換算した量と、SnOと、の合計含有量が0.05〜5wt%であってよい。
前記シール材が、実質的に鉛を含有せず、酸化物換算で、SnOおよびSnO2を合計量で22〜78wt%、P2O5 10〜50wt%、ならびにCuの酸化物、Coの酸化物およびFeの酸化物からなる群から選択される少なくとも1つを、CuO、CoOおよびFe2O3に換算した量で、合計0.05〜5wt%含有する低融点ガラス粉末と、耐火性セラミックスフィラーと、を含有するフリットよりなり、
前記局所加熱が、波長500〜1600nmのレーザ光を該シール材に照射することによることを特徴とするパネル体の製造方法を提供する。
本発明のパネル体の製造方法において、前記低融点ガラス粉末が、酸化物換算で、SnO 20〜70wt%およびSnO2 2〜8wt%、を含有し、
前記耐火性セラミックスフィラーがジルコン、コージェライト、チタン酸アルミニウム、アルミナ、ムライト、シリカ、酸化錫系セラミック、β−ユークリプタイト、β−スポジュメン、リン酸ジルコニウム系セラミックおよびβ−石英固溶体からなる群から選択される少なくとも1つの耐火性セラミックスフィラーであり、
前記フリットが、前記低融点ガラス粉末と前記耐火性セラミックスフィラーとを体積比99:1〜60:40で含有することが好ましい。
また、前記低融点ガラス粉末は、SnO2/SnOのモル比が0.03〜0.10であることが好ましい。
また、封着に必要とされるレーザの出力が少なくすることもでき、省電力化を図ることもできる。さらに、シール材に吸収されるエネルギーの割合が大きいので、他の部材、すなわち、シール材以外のパネル体の構成要素には余分なエネルギーが伝わりにくくなるため、例えば他の部材のレーザからの熱的なダメージが少なくなる。
図1は、パネル体の一例として、PDP用のパネル体の組立構造を示した要部拡大断面図である。図1に示すPDP用のパネル体10において、前面ガラス基板12上にはストライプ状の表示電極16が形成されている。該表示電極16上には電圧降下を防ぐため細いバス電極18が形成されている。表示電極16およびバス電極18上には透明なガラス誘電体層20が形成されており、該誘電体層20上には保護層28が形成されている。
一方、背面ガラス基板14上にはストライプ状のアドレス電極22が形成されており、該アドレス電極22の一部を覆うようにストライプ状の隔壁24が形成されている。該隔壁24上には蛍光体層26が形成されている。なお、図1には示されていないが、前面ガラス基板12と背面ガラス基板14とはシール材(図2参照(30))により封着されている。
ここで、前面ガラス基板12、背面ガラス基板14としては、高歪点ガラスやソーダライムガラスが用いられ、積層部材、具体的には、例えば、ガラス誘電体やシール材、との熱膨張係数の差が小さいこと、具体的には熱膨張係数は65〜95×10-7/℃であることが好ましい。
特に歪点が550℃以上の高歪点ガラスを用いると、PDPの製造工程で起こる恐れのある熱変形や熱収縮が小さくなるのでより好ましい。また、好適なレーザ光の波長域(500〜1600nm)の光線吸収能が小さいことが好ましく、前記レーザ光の波長域における光透過率が好ましくは70%以上、さらに好ましくは80%以上である。
すなわち、前面ガラス基板12に例えば酸化インジウム−スズ(ITO)を蒸着により成膜し、フォトリソグラフィープロセスを用いてストライプ状の表示電極16を形成する。次に、この表示電極16は抵抗が高いことから電圧降下を防ぐため、表示電極16上に細いバス電極18を形成する。バス電極18には銀ペーストが用いられ、印刷やフォトリソグラフィープロセスを用いることによりバス電極18が形成される。次いで、表示電極16およびバス電極18上に、印刷やシートラミネートにより、低融点ガラス粉末ペーストを塗布し、その後、600℃程度に加熱して、透明なガラス誘電体層20を形成する。更に、真空槽内において200〜250℃程度に加熱し、誘電体層20上に保護層28としてMgO膜を真空蒸着する。このようにしてPDP用のパネル体10用の前面ガラス基板12が製造される。
低融点ガラス粉末が実質的に鉛を含有しないことは、環境保護の観点および作業従事者の健康面の観点から望ましい。
第1の低融点ガラス粉末の各成分の限定理由を以下に説明する。
なお、低融点ガラス粉末の軟化点を下げる目的で添加するアルカリ金属酸化物としては、Li2O、Na2O、K2O、Rb2O、Cs2Oが挙げられる。
また、低融点ガラス粉末の軟化点を下げる目的で添加するアルカリ土類金属酸化物としては、MgO、CaO、SrO、BaO、BeOが挙げられる。これらの中でも、MgO、CaO、SrO、BaOが安価かつ容易に入手が可能であり好ましい。
アルカリ金属酸化物またはアルカリ土類金属酸化物を含有させる場合、これらの含有量は酸化物換算の合計で5〜20wt%であることが好ましい。含有量が5wt%未満だと、低融点ガラス粉末の軟化点を下げる効果が得られにくい。一方、含有量が20wt%超だと第1のガラスが不安定となり結晶化しやすくなるという問題がある。アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の含有量は酸化物換算の合計で5〜15wt%であることがより好ましい。
なお、Bi2O3の含有量を70wt%以下とした場合、シール材が加熱時の安定性に優れる(加熱時に結晶化しにくくなる)という利点を有する。
なお、Bi2O3の含有量を70wt%超85wt%以下とした場合、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物を含有しなくとも低融点ガラス粉末の軟化点が下がりより低温で封着することができるという利点を有する。
ここで、Bi2O3とB2O3の合計量は65〜90wt%である。その合計量が65wt%未満の場合、600℃以下の低温で封着することが困難となり、90wt%を超えるとガラス化が困難となる。
ただし、SiO2は第1のガラスを安定化させる成分であるが、B2O3と分相してB2O3とBi2O3を主成分とする結晶が起こり易く、また第1のガラスの粘度を上げる作用があるため1wt%以下とすることが好ましい。またTl2O、CdO等の毒性の強い成分の添加は避けるべきである。
これらを含有させる場合、その含有量はCoOおよびFe2O3に換算した量で、合計で0.05〜3wt%であることが好ましい。したがって、Coの酸化物のみを含有する場合、その含有量がCoOに換算した量で0.05〜3wt%であることが好ましい。Feの酸化物のみを含有する場合、その含有量がFe2O3に換算した量で0.05〜3wt%であることが好ましい。
また、SnOをさらに含有する場合、CoOおよびFe2O3に換算した量と、SnOの含有量の合計が0.05〜3wt%であることが好ましい。
第2の低融点ガラス粉末は、酸化物換算で、SnO 20〜70wt%、およびSnO2 2〜8wt%含有することが好ましい。
第2の低融点ガラス粉末の各成分の限定理由を以下に説明する。
ここで、SnOおよびSnO2の合計量は22〜78wt%である。その合計量が22wt%未満の場合、600℃以下の低温で封着することが困難となり、78wt%を超えるとガラス化が困難となる。
フリットにおける低融点ガラス(第1の低融点ガラス粉末、第2の低融点ガラス粉末)と耐火性セラミックスフィラーとの体積比は、99:1〜60:40であることが好ましい。耐火性セラミックスフィラーの割合が低融点ガラスに対して1vol%より少ないとその効果が得られにくい恐れがあり、40vol%より多くなると封着温度に加熱した際の流動性が悪くなる恐れがある。
複合酸化物系の黒色顔料を含有する場合、シール材における含有量はフリットに対して0.05〜5wt%であることが好ましい。含有量が0.05wt%未満だと、含有による効果、すなわち、光線吸収能を高める効果を発揮しにくい恐れがある。含有量が5wt%超だと、フリットの軟化点を上げて流動性を阻害したり、結晶化を促進する恐れがある。複合酸化物系の黒色顔料の含有量はフリットに対して0.05〜3wt%であることがより好ましく、さらに好ましくは0.1〜2wt%である。
シール材におけるフリットとビヒクルとの割合は、シール材の粘度を基板に塗布する装置に適応した粘度にするため適宜選択することができる。また、ビヒクルにおける樹脂と溶剤の割合も、シール材の粘度を調整するために適宜選択することができる。
なお、シール材には、消泡剤、分散剤などのように、ガラスペーストで公知の添加物を含有させることができる。
夫々溶融されたガラス(第1のガラス、第2のガラス)は、水冷ローラでシート状に成形し、ロールミル、ボールミル等で粉砕した後、一定粒度以下に調整したもの、例えば、目開き150メッシュの篩を通過したものを低融点ガラス粉末(第1の低融点ガラス粉末、第2の低融点ガラス粉末)とする。
このようにして得られた第1および第2の低融点ガラス粉末と、一定粒度以下に調整した耐火性セラミックフィラー、例えば、45μmの篩を通過した耐火性セラミックフィラー、とを所定の体積比になるように混合してフリットとし、さらにこのフリットをペースト化するためにビヒクルを配合し、また必要に応じて複合酸化物系黒色顔料等を配合してシール材とする。
上記手順で作成した前面ガラス基板12と、上記手順で作成したシール材を塗布した後、あらかじめフリットの軟化点より50℃高い温度で10分間、仮焼成を行いシール材に含まれるビヒクルを除去させた背面ガラス基板14とを封着装置50のチャンバ52内に持ち込み、表示電極(透明電極)16とアドレス電極22とが対向して交差するように重ね合わせることにより、PDP用のパネル体10を組み立て、支持台44上に設置する。
次に、チャンバ52の透明窓46から、レーザ発振器40からのレーザ光42をPDP用のパネル体10のシール材30に沿ってスキャン照射してシール材30を封着温度まで局所加熱する。これにより、シール材30が軟化流動し、背面ガラス基板14と前面ガラス基板12とが軟化流動したシール材30によって封着される。
レーザ光の発振形態も特に限定されず、連続発振光(CW光)またはパルス発振光のいずれであってもよい。但し、照射部位に与えるエネルギーが高いパルス発振光は、ガラス基板のレーザ光が照射された部位がダメージを受けるおそれがあるため、連続発振光を用いることが好ましい。
表に示す組成となるように原料を調合してバッチ原料とした。このバッチ原料を白金ルツボに入れ1100℃に調整された溶融炉内に投入して、50分間溶融した。そして、溶融ガラスを水冷ローラによりシート状に成形し、ボールミルで粉砕した後、目開き150メッシュの篩を通過させたものを、上記で定義した第1の低融点ガラス粉末とした。
得られた第1の低融点ガラス粉末75vol%に、耐火性セラミックスフィラーとして、45μmの篩を通過させたコージェライト粉末25vol%を加えてフリットを得た。このフリットのガラス転移点および軟化点を示差熱分析装置(DTA)用いて測定し、結果を表に示す。
また、このフリットの流動性をフローボタン法により確認した。粉末状のフリット(6.0g)を、直径12.7mmの円柱状に荷重50〜100kg/cm2(4.9〜98×106Pa)で加圧成形後、480℃で10分間加熱した後、50℃まで15時間かけて徐冷してフローボタンを作製した。このフローボタンの直径をノギスで測定し、フローボタンの直径は22mm以上あることを確認した。また、このフローボタンの表面状態を目視および50倍の光学顕微鏡で観察したところ、失透等の異物は含まれておらず、表面に光沢のあるものであった。なお、前記フローボタン法で測定されたフローボタンの直径が22mm以上となる温度がおおよその封着温度に相当する。
また、フリットをアルミナ製の容器に充填して500℃で10分間焼成後徐冷し、これを長さ15mm、直径5mmの円柱状に研磨して、圧縮荷重法(株式会社リガク熱機械分析装置(TMA)8310)により昇温速度10℃/分の条件で伸びの量を測定し、30〜300℃の平均熱膨張係数(α(30-300))を算出した。この際、屈伏点も求めた。
さらに、以下に示すようにフリットとビヒクルとを混合してシール材を作成した。
ビヒクルはエチルセルロース(平均分子量75000)3%とブチルカルビトールアセテート(BCA)97%とを60℃に加熱しながら2時間攪拌して調製した。フリットとビヒクルとを体積比55対45で加え、ロールミルで混合してシール材を得た。得られたシール材の粘度をB型粘度計(Brookfield社製HDBVII+)を用いて測定した。
第1の低融点ガラス粉末におけるCuOの含有量を表1に示すように変えて、実施例1と同様に実施した。
第1の低融点ガラス粉末をBi2O3の含有量69.6wt%に下げた組成として、実施例1と同様に実施した。
なお、実施例5ではフローボタン法によりフリットの流動性を確認したところ、480℃で加熱して作製したフローボタンの直径が22mm未満であった。このため、加熱条件を540℃で10分間に変えてフローボタンを作製して、フローボタンの直径は22mm以上あることを確認した。
第1の低融点ガラス粉末の組成をCuOおよびFe2O3をそれぞれ0.1wt%を含む組成に変え、フリットとビヒクルとをロールミルで混合してシール材を得る際に、複合酸化物系黒色顔料(Fe−Cr−Mn系黒色顔料)を表に記載の量添加して、実施例1と同様に実施した。
第1の低融点ガラス粉末の組成をCuOを含まない組成に変え、実施例1と同様に実施した。
なお、比較例1ではフローボタン法によりフリットの流動性を確認したところ、480℃で加熱して作製したフローボタンの直径が22mm未満であった。このため、加熱条件を500℃で10分間に変えてフローボタンを作製して、フローボタンの直径は22mm以上あることを確認した。
第1の低融点ガラス粉末の組成をCuOを0.2wt%含む組成に変え、実施例1と同様に実施した。
(比較例4)
第1の低融点ガラス粉末の組成をCuOの含有量が3.0wt%超(5.0wt%)の組成に変え、実施例1と同様に実施した。
なお、比較例4ではフローボタン法によりフリットの流動性を確認したところ、480℃で10分間加熱しても流動性を示さなかった。加熱条件を500℃で10分間加熱したところ、フリットが結晶化してしまい、それ以上の温度で加熱しても流動性を示さなかった。
(比較例5)
第1の低融点ガラス粉末の組成をB2O3を10wt%超、Bi2O3を55wt%未満(53.4wt%)、BaOを10wt%超(11.5wt%)の含有量の組成に変えて、実施例1と同様に実施した。
(比較例6〜7)
第1の低融点ガラス粉末の組成を、Bi2O355wt%未満の含有量に下げた組成に変えて、実施例1と同様に実施した。
なお、比較例5〜7ではフローボタン法によりフリットの流動性を確認したところ、480℃で加熱して作製したフローボタンの直径が22mm未満であった。このため、加熱条件を610℃で10分間(比較例5),690℃で10分間(比較例6),670℃で10分間(比較例7)に変えてフローボタンを作製して、フローボタンの直径は22mm以上あることを確認した。
実施例1〜4、および比較例2〜4については、CuO含有量によるレーザ光照射時のシール材の温度上昇と封着できるレーザ出力を調べるため、レーザ光照射による封着試験を実施した。
図3は、レーザ光照射による封着試験の模式図である。
本試験では、PDP用のパネル体と見立てた試作パネル体を使用した。サイズが76mm×90mmで厚みが2.8mmの背面ガラス基板に見立てたガラス基板61(高歪点ガラス、商品名:PD200、旭硝子製)上に、外周寸法が75mm×75mm、幅5mm、高さ0.3mmになるようにシール材30を塗布し、450℃で15分間仮焼成してシール材に含まれるビヒクルを除去させた。続いて、76mm×90mmで厚みが2.8mmの前面ガラス基板に見立てたガラス基板62(同上のPD200)を重ね合わせて試作パネル体60を組み立てた。この試作パネル体60を、図2に示す封着装置50の支持体44上に設置した。なお、シール材30には温度を測定するため熱電対70が挿入されている。
その後、ガラス基板61、62の熱割れを防ぐため、封着装置50に設けられた加熱装置(図示されていない)を用いて、試作パネル体60を240℃に予熱した状態で、チャンバ52の透明窓46から、Nd:YAGレーザ発振器(発振波長λ=1064nm)40からのレーザ光42をシール材30に沿って4辺を連続的にスキャン照射して、レーザ光照射開始3分後のシール材30の温度を熱電対70で測定した。なお、レーザ光42照射は出力エネルギーを90W〜160Wの範囲で5段階に変えて実施した。この条件では封着温度には到達していないので、さらにレーザ出力を上げ、210W、230W、250Wの順で6分間レーザ光42を照射し、試作パネル体60の封着状況を調べた。なお、封着できた場合はそれより高い出力での実施は行わなかった。表5は、実施例1〜4、および比較例2〜4におけるレーザ光照射時のレーザ出力90W〜160Wの範囲5段階における夫々のシール材の温度と、各々のレーザ出力(210W、230W、250Wで6分間)での封着可(○)、不可(×)を表している。すなわち、CuO含有量によるレーザ照射時のシール材温度と封着できる最低レーザ出力の影響を示している。
パネルサイズが大きくなれば、レーザ出力の削減、もしくはレーザ照射時間の削減の効果が増加する。例えば表より、本実施例のフリットの外周寸法が75×75mmの条件において、レーザ出力230Wの場合、照射時間6分以内で封着することができ、従来のフリットと比較して20W以上のレーザ出力の削減ができることが分かるが、40インチサイズのPDP用パネルの製造においては、従来のフリットと比較して同じ時間で封着しようとすると200W以上のレーザ出力の削減が見込まれ、省電力効果はもちろん、複数のレーザ装置を使用する場合はレーザ装置の台数の削減が見込まれる。または、比較的安価な低出力仕様のレーザ装置が使用可能になることも見込まれる。
なお、CuO含有量1〜3wt%ではシール材温度と封着できたレーザ出力はほぼ一定であった。
一方、第1の低融点ガラス粉末におけるCuO含有量を0.5wt%未満に変えた比較例3の場合、CuO含有量が0.5〜3wt%の第1の低融点ガラス粉末を使用した実施例と比べたところ、シール材の温度が上昇しにくく、6分間で封着するのには250W以上の出力が必要であった。第1の低融点ガラス粉末をCuOを含有しない組成に変えた比較例2の場合、250Wまでレーザ出力を上げても全く封着できなかった。また、第1の低融点ガラス粉末におけるCuO含有量を3.0wt%超に変えた比較例5については、実施例のようにシール材の短時間の温度上昇が認められたものの出力210Wのレーザ照射中に結晶化が起こり簡単に剥がれた。
表6は、参考例1〜5におけるレーザ光照射時のレーザ出力90W〜160Wの範囲5段階における夫々のシール材の温度と、各々のレーザ出力(210W、230W、250Wで6分間)での封着可(○)、不可(×)を表している。すなわち、複合酸化物系黒色顔料の添加量によるレーザ照射時のシール材温度と、封着できるレーザ出力の影響を示している。
表6から複合酸化物系黒色顔料の添加量に応じてシール材温度が上昇することが確認できる。CuO含有量が0.1wt%の参考例1〜5では、250Wでも封着できない場合があるが、CuO含有量を0.5wt%以上とした場合、複合酸化物系黒色顔料を添加することでレーザ光照射時のシール材温度がさらに上昇し、より低いレーザ出力で封着できることが期待される。
12:前面ガラス基板
14:背面ガラス基板
16:表示電極
18:バス電極
20:ガラス誘電体層
22:アドレス電極
24:隔壁
26:蛍光体層
28:保護層
30:シール材
40:レーザ発振器
42:レーザ光
44:支持台
46:透明窓
50:封着装置
52:チャンバ
60:試作パネル体
61:前面ガラス基板に見立てたガラス基板
62:背面ガラス基板に見立てたガラス基板
70:熱電対
Claims (12)
- 第1のガラス基板と第2のガラス基板とを所定の間隔を空けて重ね合わせ、該基板間の周縁部にシール材を塗布してパネル組立体を用意し、該シール材を封着温度まで局所加熱して軟化流動させることにより、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着してパネル体を製造するパネル体の製造方法であって、
前記シール材が、実質的に鉛を含有せず、酸化物換算で、Bi2O3およびB2O3を合計量で65〜90wt%、ならびにCuOを0.5〜3wt%含有する低融点ガラス粉末と、耐火性セラミックスフィラーと、を含有するフリットからなり、
前記局所加熱が、波長500〜1600nmのレーザ光を該シール材に照射することによることを特徴とするパネル体の製造方法。 - 前記低融点ガラス粉末が、酸化物換算で、Bi2O3 55〜85wt%、ZnO 8〜12wt%、B2O3 3〜10wt%、Al2O3 0.1〜5wt%、CeO2 0.1〜5wtおよびCuO 0.5〜3wt%を含有し、
前記耐火性セラミックスフィラーがジルコン、コージェライト、チタン酸アルミニウム、アルミナ、ムライト、シリカ、酸化錫系セラミック、β−ユークリプタイト、β−スポジュメン、リン酸ジルコニウム系セラミックおよびβ−石英固溶体からなる群から選択される少なくとも1つの耐火性セラミックスフィラーであり、
前記フリットが、前記低融点ガラス粉末と前記耐火性セラミックスフィラーとを体積比99:1〜60:40で含有することを特徴とする請求項1に記載のパネル体の製造方法。 - 前記低融点ガラス粉末が、Bi2O3 70wt%超85wt%以下を含有し、アルカリ金属酸化物およびアルカリ土類金属酸化物の酸化物換算の含有量が合計で0.2wt%以下であることを特徴とする請求項1または2に記載のパネル体の製造方法。
- 前記低融点ガラス粉末が、Bi2O3 55〜70wt%を含有し、アルカリ金属酸化物またはアルカリ土類金属酸化物の酸化物換算の含有量が合計で5〜20wt%であることを特徴とする請求項1または2に記載のパネル体の製造方法。
- 前記低融点ガラス粉末が、Coの酸化物およびFeの酸化物からなる群から選択される少なくとも1つを、CoOおよびFe2O3に換算した量で、合計0.05〜5wt%の割合で含有することを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載のパネル体の製造方法。
- 前記低融点ガラス粉末が、Feの酸化物を含有し、かつSnOを含有し、前記CoOおよびFe2O3に換算した量と、SnOと、の合計含有量が0.05〜5wt%であることを特徴とする請求項5に記載のパネル体の製造方法。
- 第1のガラス基板と第2のガラス基板とを所定の間隔を空けて重ね合わせ、該基板間の周縁部にシール材を塗布してパネル組立体を用意し、該シール材を封着温度まで局所加熱して軟化流動させることにより、第1のガラス基板と第2のガラス基板とを封着してパネル体を製造するパネル体の製造方法であって、
前記シール材が、実質的に鉛を含有せず、酸化物換算で、SnOおよびSnO2を合計量で22〜78wt%、P2O5 10〜50wt%、ならびにCuの酸化物、Coの酸化物およびFeの酸化物からなる群から選択される少なくとも1つを、CuO、CoOおよびFe2O3に換算した量で、合計0.05〜5wt%含有する低融点ガラス粉末と、耐火性セラミックスフィラーと、を含有するフリットよりなり、
前記局所加熱が、波長500〜1600nmのレーザ光を該シール材に照射することによることを特徴とするパネル体の製造方法。 - 前記低融点ガラス粉末が、酸化物換算で、SnO 20〜70wt%およびSnO2 2〜8wt%を含有し、
前記耐火性セラミックスフィラーがジルコン、コージェライト、チタン酸アルミニウム、アルミナ、ムライト、シリカ、酸化錫系セラミック、β−ユークリプタイト、β−スポジュメン、リン酸ジルコニウム系セラミックおよびβ−石英固溶体からなる群から選択される少なくとも1つの耐火性セラミックスフィラーであり、
前記フリットが、前記低融点ガラス粉末と前記耐火性セラミックスフィラーとを体積比99:1〜60:40で含有することを特徴とする請求項7に記載のパネル体の製造方法。 - 前記低融点ガラス粉末は、SnO2/SnOのモル比が0.03〜0.10であることを特徴とする請求項7または8に記載のパネル体の製造方法。
- 前記シール材が、複合酸化物系の黒色顔料を前記フリットに対して0.05〜5wt%の割合で含有することを特徴とする請求項1ないし9のいずれかに記載のパネル体の製造方法。
- 前記パネル体が、フラットパネルディスプレイ用パネル体であることを特徴とする請求項1ないし10のいずれかに記載のパネル体の製造方法。
- 前記フラットパネルディスプレイ用パネル体が、プラズマディスプレイ用パネル体であることを特徴とする請求項11に記載のパネル体の製造方法。
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---|---|
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010109128A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | パッケージの製造方法 |
US8133829B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-03-13 | Asahi Glass Company, Limited | Frit |
WO2013015414A1 (ja) * | 2011-07-27 | 2013-01-31 | 日本電気硝子株式会社 | 封着材料層付きガラス基板、これを用いた有機elデバイス、及び電子デバイスの製造方法 |
JP2013049613A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス基板の製造方法 |
JP2013053046A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス基板 |
JP2013062231A (ja) * | 2011-08-21 | 2013-04-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
JP2013170114A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス基板及びそれを用いたガラスパッケージ |
CN103846559A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | Lts有限公司 | 使用激光器的熔接密封设备 |
EP2424822B1 (en) | 2009-05-01 | 2018-02-07 | Guardian Glass, LLC | Vacuum insulating glass unit including infrared meltable glass frit, and/or method of making the same |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62167045A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-23 | ホ−ヤ株式会社 | レ−ザガラス構造体 |
JPH0859294A (ja) * | 1994-08-17 | 1996-03-05 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 低融点封着用組成物 |
JPH08309577A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JPH10139478A (ja) * | 1996-02-15 | 1998-05-26 | Asahi Glass Co Ltd | 封着用組成物 |
JP2000251722A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Canon Inc | 画像形成装置の封着方法 |
JP2002137939A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネルの製造方法およびその製造装置 |
JP2003034550A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Asahi Glass Co Ltd | 無鉛ガラス、ガラスフリット、ガラスペースト、電子回路部品および電子回路 |
JP2004035316A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Asahi Techno Glass Corp | 表示パネル用封着ガラスおよび表示パネル |
JP2005221735A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Asahi Kasei Chemicals Corp | レーザー彫刻可能な円筒状印刷原版の製造方法 |
JP2006137637A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Asahi Techno Glass Corp | 低融点ガラスおよび封着用組成物ならびに封着用ペースト |
JP2006282501A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Bi2O3−B2O3系ガラス組成物およびBi2O3−B2O3系封着材料 |
JP2006524417A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-26 | コーニング インコーポレイテッド | 密封ガラスパッケージおよびその製造方法 |
JP2006524419A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-26 | コーニング インコーポレイテッド | フリットにより密封されたガラスパッケージおよびその製造方法 |
JP2006298733A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Central Glass Co Ltd | 無鉛低融点ガラス |
JP2006315902A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Tsutae Shinoda | 表示装置を製造する製造装置 |
JP2008115057A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Electric Power Dev Co Ltd | 封止材料、ガラスパネルの製造方法および色素増感太陽電池 |
-
2006
- 2006-12-28 JP JP2006356431A patent/JP2008166197A/ja active Pending
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62167045A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-23 | ホ−ヤ株式会社 | レ−ザガラス構造体 |
JPH0859294A (ja) * | 1994-08-17 | 1996-03-05 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 低融点封着用組成物 |
JPH08309577A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JPH10139478A (ja) * | 1996-02-15 | 1998-05-26 | Asahi Glass Co Ltd | 封着用組成物 |
JP2000251722A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Canon Inc | 画像形成装置の封着方法 |
JP2002137939A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表示パネルの製造方法およびその製造装置 |
JP2003034550A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Asahi Glass Co Ltd | 無鉛ガラス、ガラスフリット、ガラスペースト、電子回路部品および電子回路 |
JP2004035316A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-02-05 | Asahi Techno Glass Corp | 表示パネル用封着ガラスおよび表示パネル |
JP2006524419A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-26 | コーニング インコーポレイテッド | フリットにより密封されたガラスパッケージおよびその製造方法 |
JP2006524417A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-10-26 | コーニング インコーポレイテッド | 密封ガラスパッケージおよびその製造方法 |
JP2005221735A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Asahi Kasei Chemicals Corp | レーザー彫刻可能な円筒状印刷原版の製造方法 |
JP2006137637A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Asahi Techno Glass Corp | 低融点ガラスおよび封着用組成物ならびに封着用ペースト |
JP2006282501A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Nippon Electric Glass Co Ltd | Bi2O3−B2O3系ガラス組成物およびBi2O3−B2O3系封着材料 |
JP2006298733A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Central Glass Co Ltd | 無鉛低融点ガラス |
JP2006315902A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Tsutae Shinoda | 表示装置を製造する製造装置 |
JP2008115057A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Electric Power Dev Co Ltd | 封止材料、ガラスパネルの製造方法および色素増感太陽電池 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8133829B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-03-13 | Asahi Glass Company, Limited | Frit |
JP2010109128A (ja) * | 2008-10-30 | 2010-05-13 | Kyocera Corp | パッケージの製造方法 |
EP2424822B1 (en) | 2009-05-01 | 2018-02-07 | Guardian Glass, LLC | Vacuum insulating glass unit including infrared meltable glass frit, and/or method of making the same |
CN103459341B (zh) * | 2011-07-27 | 2016-05-11 | 日本电气硝子株式会社 | 带有封接材料层的玻璃基板、使用其的有机el器件、及电子器件的制造方法 |
WO2013015414A1 (ja) * | 2011-07-27 | 2013-01-31 | 日本電気硝子株式会社 | 封着材料層付きガラス基板、これを用いた有機elデバイス、及び電子デバイスの製造方法 |
CN103459341A (zh) * | 2011-07-27 | 2013-12-18 | 日本电气硝子株式会社 | 带有封接材料层的玻璃基板、使用其的有机el器件、及电子器件的制造方法 |
US9469562B2 (en) | 2011-07-27 | 2016-10-18 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass substrate with sealing material layer, organic EL device using same, and manufacturing method for electronic device |
JP2013049613A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-03-14 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス基板の製造方法 |
JP2013062231A (ja) * | 2011-08-21 | 2013-04-04 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 電子デバイスの製造方法 |
JP2013053046A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス基板 |
JP2013170114A (ja) * | 2012-02-23 | 2013-09-02 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 封着材料層付きガラス基板及びそれを用いたガラスパッケージ |
CN103846559B (zh) * | 2012-11-30 | 2016-01-20 | Lts有限公司 | 使用激光器的熔接密封设备 |
CN103846559A (zh) * | 2012-11-30 | 2014-06-11 | Lts有限公司 | 使用激光器的熔接密封设备 |
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