JP2008157854A - 半導体磁気センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ホール素子100の一辺の側に形成され、その一辺に設けられた端子C101にドレインが接続され、ホール素子100を駆動するトランジスタMP101と、その一辺の側に形成され、その一辺に設けられた端子C102にドレインが接続されたトランジスタMP102と、その一辺に対向する他辺の側に形成され、その他辺に設けられた端子C103にドレインが接続されたトランジスタMN101と、その他辺の側に形成され、その他辺に設けられた端子C104にドレインが接続されたトランジスタMN102と、を備える。
【選択図】 図1
Description
B101、B102・・・磁界
C101、C102、C103、C104・・・端子
I101、I103、I104、I105・・・電流
MP101、MP102、MN101、MN102・・・トランジスタ
N101・・・電源端子
N102・・・グランド端子
N103、N104、N105、N106・・・配線
Claims (2)
- 外部から印加された磁界の磁束密度を検出する半導体磁気センサにおいて、
正方形または長方形で形成され、磁気電気変換を行うホール素子と、
前記ホール素子の一辺の側に形成され、前記一辺に設けられた第一端子にドレインが接続され、電源端子にソースが接続され、前記ホール素子を駆動する第一トランジスタと、
前記一辺の側に形成され、前記一辺に設けられた第二端子にドレインが接続され、前記電源端子にソースが接続され、前記ホール素子を駆動する第二トランジスタと、
前記一辺に対向する他辺の側に形成され、前記他辺に設けられた第三端子にドレインが接続され、グランド端子にソースが接続され、前記ホール素子を駆動する第三トランジスタと、
前記他辺の側に形成され、前記他辺に設けられた第四端子にドレインが接続され、前記グランド端子にソースが接続され、前記ホール素子を駆動する第四トランジスタと、
を備えていることを特徴とする半導体磁気センサ。 - 前記第三トランジスタは、前記第一トランジスタのドレインと前記第一端子との間の配線形状とマスクレイアウト設計上同一の配線形状をもつ配線が180度回転した配線により、ドレインが前記第三端子に接続され、
前記第四トランジスタは、前記第二トランジスタのドレインと前記第二端子との間の配線形状とマスクレイアウト設計上同一の配線形状をもつ配線が180度回転した配線により、ドレインが前記第四端子に接続される、
ことを特徴とする請求項1記載の半導体磁気センサ。
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