JPH09231889A - 位置検出センサ - Google Patents

位置検出センサ

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JPH09231889A
JPH09231889A JP3799896A JP3799896A JPH09231889A JP H09231889 A JPH09231889 A JP H09231889A JP 3799896 A JP3799896 A JP 3799896A JP 3799896 A JP3799896 A JP 3799896A JP H09231889 A JPH09231889 A JP H09231889A
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magnetic
sensor
moving
hall element
moving body
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JP3799896A
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Yoshiyuki Yamawaki
佳之 山脇
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Panasonic Electric Works Co Ltd
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Matsushita Electric Works Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】感度が高く精度が良い位置検出センサを提供す
る。 【解決手段】 センサ本体1は、磁気検出手段である2
個のホール素子H1 ,H2 が基板2上にピストン12の
移動方向において離間して配置されている。この2個の
ホール素子H1 ,H2 の距離は、永久磁石13の移動方
向Dにおける厚みtと等しいか又は小さくしてある。ホ
ール素子H1 ,H2 は、永久磁石13の磁束の、ピスト
ン12の移動方向Dと垂直方向Vの成分を検出する。ま
た、ホール素子H1 はシリンダチューブ11表面から出
ていく方向の磁束を検知した時に図1(b)に一点鎖線
で示すような正の電圧を出力し、ホール素子H2 はシリ
ンダチューブ11表面から内部に入っていく方向の磁束
を検知した時に図1(b)に二点鎖線で示すような正の
電圧を出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、エアシリンダ等の
非磁性チューブの外周に設置し、永久磁石を装着したピ
ストンの接近により動作するシリンダセンサのように磁
石の接近を検知する位置検出センサに関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、シリンダセンサ等の位置検出
センサとして、リードスイッチや磁気抵抗素子を用いた
ものが知られている(特開昭53−3668号公報参
照)。磁気抵抗素子は磁界の変化により抵抗値が変化す
るものであり、一般には強磁性薄膜抵抗素子が用いられ
ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、リードスイッ
チよりなる位置検出センサは、有接点で機械的寿命があ
るため比較的寿命が短く、また、振動や衝撃等に弱いと
いう問題があった。一方、磁気抵抗素子を用いた位置検
出センサは、例えば、図10に示すように、センサ本体
201 、202 がエアシリンダ10のシリンダチューブ
11の外周面に固着される。2端子素子である磁気抵抗
素子MRの抵抗値の変化は、図11に示すように、制御
回路4にて取り出され、位置検出を行うことができる。
この種の位置検出センサは、無接点であり寿命が長く、
極性(磁極)の判別機能がなく永久磁石13のN極、S
極両方とも検出できるという特徴を有するが、磁気抵抗
素子MR(つまり、センサ部)と主回路とを同一チップ
上に集積回路(IC)化できず、センサ部と主回路との
間を細い線で結線しなければならず、製造工程における
歩留りが悪い、センサ全体の小型化が難しい、等の問題
があった。また、この種の位置検出センサの磁気抵抗素
子MRでは、ピストン12の移動方向Dと同一方向の磁
束密度を検知している。図12(a)に示すように、ピ
ストン12にピストン12の移動方向に着磁された永久
磁石13が装着されている場合、水平方向Hの磁束密度
は図12(b)に示すように分布しており、3個の山
A,B,Cが観測される。このため、ピストン12の中
心を検出するためにはBの山で検出しなければならず、
他の山A,Cの磁束を検出した時にピストン12の中心
であると判定しないように感度調整を行う必要があっ
た。
【0004】本発明は上記事由に鑑みて為されたもので
あり、その目的は、感度が高く且つ精度の高い移動体の
位置検出センサを提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、上記
目的を達成するために、移動体の移動経路の側方に設置
したセンサ本体内に、前記移動体に装着され前記移動体
の移動方向において異極に着磁された永久磁石の接近に
より作用する磁界に感応して検出信号を出力する磁気検
出手段を前記移動体の移動方向に離間して2個並べると
ともに夫々が互いに逆方向の磁束を検出する向きに配置
したことを特徴とするものであり、各磁気検出手段の出
力に基づいて移動体の位置を感度良く検出できる。ま
た、2個の磁気検出手段は反対向きの磁束密度を検出で
きるので、各磁気検出手段の出力の差に基づいて移動体
の位置を検出することができるのである。
【0006】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、2個の磁気検出手段の上記移動経路側と反対側に、
前記磁気検出手段とともに磁路を形成する磁性体を配置
したので、磁性体があることによって、磁束の流れを効
率的に磁気検出手段に供給でき、その結果、位置検出精
度が向上し、多少の磁気ノイズに対しても安定して位置
検出ができる。
【0007】請求項3の発明は、請求項1又は請求項2
の発明において、磁気検出手段としてホール素子を用い
たので、ホール素子をシリコン基板などの半導体基板の
主表面に形成して、つまり、ホール素子と主回路とを同
一チップに形成して集積回路化することにより、センサ
を小型化できる。請求項4の発明は、請求項2の発明に
おいて、磁性体として鉄又はパーマロイを用いたので、
低コスト化できる。
【0008】請求項5の発明は、移動体の移動経路の側
方に設置したセンサ本体内に、前記移動体に装着され前
記移動体の移動方向において異極に着磁された永久磁石
の接近により作用する磁界に感応して検出信号を出力す
る磁気検出手段を前記移動体の移動方向に2個並べると
ともに夫々が互いに同方向の磁束を検出する向きに配置
したことを特徴とするものであり、各磁気検出手段の出
力に基づいて移動体の位置を感度良く検出できる。ま
た、2個の磁気検出手段は同方向の磁束密度を検出でき
るので、各磁気検出手段の出力の絶対値の差に基づいて
移動体の位置を検出することができるのである。
【0009】請求項6の発明は、請求項5の発明におい
て、磁気検出手段としてホール素子を用いたので、ホー
ル素子をシリコン基板などの半導体基板の主表面に形成
して、つまり、ホール素子と主回路とを同一チップに形
成して集積回路化することにより、センサを小型化でき
る。請求項7の発明は、請求項6の発明において、2個
のホール素子の検出面の反対側に、前記ホール素子とと
もに磁路を形成する鉄又はパーマロイよりなる磁性体を
配置したので、低コストで磁束の流れを効率的に前記ホ
ール素子に供給でき、その結果、位置検出精度が向上
し、多少の磁気ノイズに対しても安定して位置検出がで
きる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施の形態により
説明する。 (実施の形態1)図1(a)に位置検出センサをシリン
ダセンサとして適用する時の設置状態図を示す。
【0011】本実施の形態における位置検出センサのセ
ンサ本体1は、エアシリンダ10のシリンダチューブ1
1の外周面に固定して設置されている。エアシリンダ1
0において、移動体であるピストン12には永久磁石1
3が装着されており、ピストン12は、シリンダチュー
ブ11内を矢印D(以下、移動方向Dと称す)の方向
(図1(a)中で左右に)移動する。ここで、永久磁石
13はピストン12の移動方向において着磁されてい
る。
【0012】センサ本体1は、磁気検出手段である2個
のホール素子H1 ,H2 が基板2(例えば、シリコン基
板)上にピストン12の移動方向において離間して配置
されている。ホール素子H1 ,H2 それぞれは、単体素
子でもよいが、1つの半導体基板(つまり、基板2)に
ホール素子およびその出力電圧を増幅、制御するための
回路を形成した所謂ホールICであってもよい。ホール
素子H1 ,H2 それぞれを、ホール素子と主回路とを同
一チップに形成して集積回路化することにより、センサ
を小型化できる。
【0013】この2個のホール素子H1 ,H2 の距離
は、永久磁石13の移動方向Dにおける厚みtと等しい
か又は小さくしてある。ところで、従来例で説明した磁
気抵抗素子MRを用いた位置検出センサでは、永久磁石
13の磁束の、ピストン12の移動方向Dと平行方向H
の成分を検出していたが、本位置検出センサのホール素
子H1 ,H2 は、永久磁石13の磁束の、ピストン12
の移動方向Dと垂直方向Vの成分を検出する。つまり、
磁束の垂直方向Vの成分がホール素子H1 ,H2の厚み
方向に作用する。ここで、ピストン12の移動方向Dと
垂直方向V成分の磁束密度は図3(b)に示すように分
布している。永久磁石13のN極とS極との中間点にお
ける磁束密度は磁束の向きが変化するO点で示され、磁
束の大きさは、O点を中心として略点対称となる。
【0014】ホール素子H1 はシリンダチューブ11表
面から出ていく方向の磁束を検知した時に正の電圧を出
力し、ホール素子H2 はシリンダチューブ11表面から
内部に入っていく方向の磁束を検知した時に正の電圧を
出力する。ホール素子H1 の出力L1 は、図1(b)に
示すように、ホール素子H1 の下方に永久磁石13のN
極端が位置した時に最大となり、N極とS極との中間点
が位置した時に略零となる。一方、ホール素子H2 の出
力L2 は、図1(b)に示すように、ホール素子H2
下方に永久磁石13のS極端が位置した時に最大とな
り、N極とS極との中間点が位置した時に略零となる。
ここで、ホール素子H1 ,H2 は、同じ大きさの磁束が
加えられた時に出力の絶対値が略等しいものを使用して
いる。
【0015】図2に本位置検出センサの回路構成の概略
ブロック図を示す。本位置検出センサでは、ホール素子
1 ,H2 は4端子素子であり、制御回路4によって各
ホール素子H1 ,H2 に一定電流を流しておき、永久磁
石13の移動に伴う磁束の変化に対応した電圧を出力L
1 ,L2 として取り出し、出力L1 ,L2 の差がある一
定レベル以下となったとき、位置検出センサの出力を出
すのである。
【0016】以下に、ピストン12の位置とホール素子
1 ,H2 の出力L1 ,L2 との関係について図4に基
づいて説明する。図4(a)において、ピストン12が
の位置にある場合には、ホール素子H 1 ,H2 の出力
1 ,L2 は図4(b)に示すように両方とも微小であ
り、また、出力L1 は正の値、出力L2 は負の値にな
る。ピストン12が移動することによって図4(a)に
おいての位置にくると、つまり、ピストン12がホー
ル素子H1 ,H2 に近づくと、図4(c)に示すように
ホール素子H1 ,H2 の出力L1 ,L2 の絶対値が両方
とも大きくなる(ただし、出力L1 は正の値、出力L 2
は負の値である)。更に、ピストン12が移動し図4
(a)においての位置、つまり、ピストン12に装着
されている永久磁石13のN極とS極との中間点が一方
のホール素子H2 の下方にくると、垂直方向の磁束が略
零となる(図3(b)参照)ので、図4(d)に示すよ
うにホール素子H2 の出力L2 が略零となる。また、さ
らにピストン12が左方向へ移動すると、2個のホール
素子H1 ,H2 の出力L1 ,L2 が同一極性となり、永
久磁石13のN極端・ホール素子H 1 間と距離と、永久
磁石13のS極端・ホール素子H2 の距離とが略等しく
なった時(図1(a)のような位置)、ホール素子
1 ,H2 の出力L1 ,L2 が略等しくなる。したがっ
て、回路上にて、2個のホール素子H1 ,H2 の出力L
1,L2 を検出し、制御回路4にて出力L1 ,L2 の差
がある一定レベル以下となったとき、位置検出センサの
出力を出すようにすることで位置検出ができるのであ
る。
【0017】ところで、ピストン12に装着される永久
磁石13の着磁方向が図5(a)に示すような場合、つ
まり、図1(a)と逆向きの場合、各ホール素子H1
2の出力L1 ,L2 の極性が上述の説明と逆になるだ
けなので、制御回路4にて出力L1 ,L2 の差の絶対値
|L1 −L2 |がある一定レベル以下となったとき、位
置検出センサの出力を出すようにすることでピストン1
2の位置検出ができるのである。
【0018】上記位置検出センサにおいて、図6に示す
ように、2個のホール素子H1 ,H 2 の上方、つまり、
シリンダチューブ11側と反対側に、鉄、パーマロイ
(高透磁率Fe−Ni系合金の総称)、ニッケル等の磁
性体材料で形成された略コ字状のヨーク3の先端部がホ
ール素子H1 ,H2 の検知面と対向するように配置する
ことにより、磁束の流れを効率的にホール素子H1 ,H
2 に供給することができる。この場合、永久磁石13の
磁束によって、永久磁石13のN極−ホール素子H1
ヨーク3−ホール素子H2 −永久磁石13のS極と流れ
る磁気回路が形成される。このため、検出精度が向上
し、多少の磁気ノイズに対しても安定して検出できる。
【0019】(実施の形態2)図7(a)に位置検出セ
ンサをシリンダセンサとして適用する時の設置状態図を
示す。本実施の形態における位置検出センサは、ホール
素子H1 ,H2 の両方がシリンダチューブ11表面から
出ていく方向の磁束を検知するものであり、その他の構
成は実施の形態1と略同じなので、ピストン12の位置
とホール素子H1 ,H 2 の出力L1 ,L2 との関係につ
いてのみ図8に基づいて説明する。
【0020】図8(a)において、ピストン12がの
位置にある場合には、ホール素子H 1 ,H2 の出力
1 ,L2 は図8(b)に示すように両方とも微小な正
の値である。ピストン12が移動することによっての
位置にくると、図8(c)に示すようにホール素子
1 ,H2 の出力L1 ,L2 が両方とも大きくなる。更
に、ピストン12が移動しの位置、つまり、ピストン
12に装着されている永久磁石13のN極とS極との中
間点がホール素子H2 の下方にくると、図8(d)に示
すようにホール素子H2 の出力が略零になる。また、さ
らにピストン12が左方向へ移動すると、2個のホール
素子H1 ,H2 の出力L1 ,L2 が逆の極性となり、永
久磁石13のN極端・ホール素子H1 間と距離と、永久
磁石13のS極端・ホール素子H2 の距離とが略等しく
なった時(図7(a)のような位置)、ホール素子
1 ,H2 の出力L1 ,L2 の絶対値が略等しくなる。
したがって、回路上にて、2個のホール素子H1 ,H2
の出力L1 ,L2 を検出し、制御回路4にて出力L1
2 の差の絶対値がある一定レベル以下となったとき、
位置検出センサの出力を出すようにすることで位置検出
ができるのである。
【0021】ところで、ピストン12に装着される永久
磁石13の着磁方向が図9(a)に示すような場合、つ
まり、図7(a)と逆向きの場合、各ホール素子H1
2の出力L1 ,L2 の極性が上述の説明と逆になるだ
けなので、出力L1 ,L2 の差の絶対値がある一定レベ
ル以下となったとき、位置検出センサの出力を出すよう
にすることで位置検出ができるのである。
【0022】本実施の形態の位置検出センサでも、図6
に示すようなヨーク3を配置することによって検出精度
が向上し、多少の磁気ノイズに対しても安定して検出で
きる。なお、各実施の形態では、磁気検出手段としてホ
ール素子を用いたがこれに限定するものではなく、磁束
の変化により出力が変化し且つ磁極を判別できるもので
あればよい。
【0023】
【発明の効果】請求項1の発明は、ホール素子を2個移
動体の移動方向と平行に設置し、なおかつ検出する磁束
の極性を逆向きにすることにより、各磁気検出手段の出
力に基づいて移動体の位置を感度良く検出できるという
効果がある。また、2個の磁気検出手段は反対向きの磁
束密度を検出できるので、各磁気検出手段の出力の差に
基づいて移動体の位置を検出することができるという効
果がある。
【0024】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、2個の磁気検出手段の移動経路側の反対側に、前記
磁気検出手段とともに磁路を形成する磁性体を配置した
ので、磁性体があることによって、磁束の流れを効率的
に磁気検出手段に供給でき、その結果、位置検出精度が
向上し、多少の磁気ノイズに対しても安定して位置検出
ができるという効果がある。
【0025】請求項3の発明は、請求項1の発明におい
て、磁気検出手段としてホール素子を用いたので、ホー
ル素子をシリコン基板などの半導体基板の主表面に形成
して、つまり、ホール素子と主回路とを同一チップに形
成して集積回路化することにより、センサを小型化でき
るという効果がある。請求項4の発明は、磁性体として
鉄又はパーマロイを用いたので、低コストで位置検出精
度を向上させ、多少の磁気ノイズに対しても安定して位
置検出ができるという効果がある。
【0026】請求項5の発明は、2個の磁気検出手段を
移動体の移動方向と平行に設置し、なおかつ検出する磁
束の極性を同方向にすることにより、各磁気検出手段の
出力に基づいて移動体の位置を感度良く検出できる。ま
た、2個の磁気検出手段は同方向の磁束密度を検出でき
るので、各磁気検出手段の出力の絶対値の差に基づいて
移動体の位置を検出することができるという効果があ
る。
【0027】請求項6の発明は、請求項5の発明におい
て、磁気検出手段としてホール素子を用いたので、ホー
ル素子をシリコン基板などの半導体基板の主表面に形成
して、つまり、ホール素子と主回路とを同一チップに形
成して集積回路化することにより、センサを小型化でき
るという効果がある。請求項7の発明は、請求項6の発
明において、2個のホール素子の検出面の移動経路側と
反対側に、前記ホール素子とともに磁路を形成する鉄又
はパーマロイよりなる磁性体を配置したので、低コスト
で磁束の流れを効率的にホール素子に供給でき、その結
果、位置検出精度が向上し、多少の磁気ノイズに対して
も安定して位置検出ができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は実施の形態1の位置検出センサの設置
状態図である。(b)は同上の作用説明図である。
【図2】実施の形態1の位置検出センサの回路構成を示
す概略ブロック図である。
【図3】実施の形態1の位置検出センサの動作説明図で
ある。
【図4】実施の形態1の位置検出センサの動作説明図で
ある。
【図5】(a)は実施の形態1の他の位置検出センサの
設置状態図である。(b)は同上の作用説明図である。
【図6】実施の形態1の他の位置検出センサの設置状態
図である。
【図7】(a)は実施の形態2の位置検出センサの設置
状態図である。(b)は同上の作用説明図である。
【図8】実施の形態2の位置検出センサの動作説明図で
ある。
【図9】(a)は実施の形態2の他の位置検出センサの
設置状態図である。(b)は同上の作用説明図である。
【図10】従来例を示す位置検出センサの設置状態図で
ある。
【図11】従来例を示す位置検出センサの回路構成を示
す概略ブロック図である。
【図12】従来例を示す位置検出センサの動作説明図で
ある。
【符号の説明】
1 センサ本体 2 基板 H1 ホール素子 H2 ホール素子 11 シリンダチューブ 12 ピストン 13 永久磁石

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 移動体の移動経路の側方に設置したセン
    サ本体内に、前記移動体に装着され前記移動体の移動方
    向において異極に着磁された永久磁石の接近により作用
    する磁界に感応して検出信号を出力する磁気検出手段を
    前記移動体の移動方向に離間して2個並べるとともに夫
    々が互いに逆方向の磁束を検出する向きに配置したこと
    を特徴とする位置検出センサ。
  2. 【請求項2】 2個の磁気検出手段の上記移動経路側と
    反対側に、前記磁気検出手段とともに磁路を形成する磁
    性体を配置して成ることを特徴とする請求項1記載の位
    置検出センサ。
  3. 【請求項3】 磁気検出手段としてホール素子を用いた
    ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の位置検出
    センサ。
  4. 【請求項4】 磁性体として鉄又はパーマロイを用いた
    ことを特徴とする請求項2記載の位置検出センサ。
  5. 【請求項5】 移動体の移動経路の側方に設置したセン
    サ本体内に、前記移動体に装着され前記移動体の移動方
    向において異極に着磁された永久磁石の接近により作用
    する磁界に感応して検出信号を出力する磁気検出手段を
    前記移動体の移動方向に離間して2個並べるとともに夫
    々が互いに同方向の磁束を検出する向きに配置したこと
    を特徴とする位置検出センサ。
  6. 【請求項6】 磁気検出手段としてホール素子を用いた
    ことを特徴とする請求項5記載の位置検出センサ。
  7. 【請求項7】 2個のホール素子の検出面の上記移動経
    路側と反対側に、前記ホール素子とともに磁路を形成す
    る鉄又はパーマロイよりなる磁性体を配置したことを特
    徴とする請求項6記載の位置検出センサ。
JP3799896A 1996-02-26 1996-02-26 位置検出センサ Withdrawn JPH09231889A (ja)

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