JP2008153480A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程(S104)と、犠牲膜上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程(S106)と、犠牲膜と絶縁膜とに複数の第1の開口部を形成する第1の開口部形成工程(S108)と、複数の第1の開口部に導電性材料を堆積させる導電性材料堆積工程(S114)と、複数の第1の開口部に堆積した各導電性材料間の領域のうち、導電性材料のピッチが最小となる最小寸法領域とは異なる絶縁膜の所定の領域に第2の開口部を形成する第2の開口部形成工程(S116)と、第2の開口部を介して最小寸法領域に位置する犠牲膜を含む犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程(S118)と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図1
Description
基体上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、
前記犠牲膜上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記犠牲膜と前記絶縁膜とに複数の第1の開口部を形成する第1の開口部形成工程と、
前記複数の第1の開口部に導電性材料を堆積させる導電性材料堆積工程と、
前記複数の第1の開口部に堆積した各導電性材料間の領域のうち、導電性材料のピッチが最小となる最小寸法領域とは異なる前記絶縁膜の所定の領域に第2の開口部を形成する第2の開口部形成工程と、
前記第2の開口部を介して前記最小寸法領域に位置する犠牲膜を含む前記犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程と、
を備えたことを特徴とする。
複数の配線と、
前記複数の配線の配線間の領域のうち、配線ピッチが最小寸法となる最小寸法領域とは異なる所定の領域に開口部が形成され、空洞上に位置して前記複数の配線に側方から接続して支持される第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に配置され、前記開口部上方側を塞ぐ第2の絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする。
実施の形態1では、CMPにより生じるエロージョンを利用して犠牲膜を除去するための開口部を形成する場合の形態について説明する。以下、実施の形態1について、図面を用いて説明する。
図1において、実施の形態1の半導体装置の形成方法では、SiO2膜形成工程(S102)と、犠牲膜形成工程(S104)と、キャップ膜形成工程(S106)と、開口部形成工程(S108)と、バリアメタル膜形成工程(S110)と、シード膜形成工程(S112)と、めっき及びアニール工程(S114)と、研磨工程(S116)と、犠牲膜除去工程(S118)と、拡散防止膜形成工程(S120)と、絶縁膜形成工程(S122)という一連の工程を実施する。
図2では、図1のSiO2膜形成工程(S102)からキャップ膜形成工程(S106)までを示している。
図3では、図1の開口部形成工程(S108)からシード膜形成工程(S112)までを示している。
図4では、図1のめっき及びアニール工程(S114)から犠牲膜除去工程(S118)までを示している。
図5に示すように、実配線領域では、配線10とスペース20とが1:1の最小寸法ピッチとなるように形成した。よって、この例では、被覆率ρ1=50%となる。他方、ダミー配線領域では、配線30とスペース40とで、ライン幅L2がスペース幅S2よりも大きくなるように形成した。よって、この例では、被覆率ρ2>50%となる。この場合、被覆率が50%を超えるダミー配線領域では、CMP処理を行なった際に、エロージョンが生じることになる。よって、実施の形態1では、最小寸法ピッチで配線形成する実配線領域とは異なるダミー配線領域であえてエロージョンが生じるように配線パターンを形成した。このように、所望する領域にだけ局所的にエロージョンを生じさせることができる。そのため、Cu膜260とバリアメタル膜240以外にもダミー配線領域のSiOC膜222が研磨により除去される。その結果、ダミー配線領域及びその周辺では、犠牲膜220を露出させることができる。このようにエロージョンが生じた領域でSiOC膜222に開口部(第2の開口部)を形成することができる。なお、ダミー配線領域の配線30のライン幅L2が顕著に大きい場合は、配線30は孤立パターンとして形成されてもよい。その場合でもダミー配線領域の配線周辺で、犠牲膜220を露出させることができる。
図6では、図1の拡散防止膜形成工程(S120)から絶縁膜形成工程(S122)までを示している。
実施の形態2では、エアーギャップを形成することにより支えを失ったCu配線を補強する膜を追加した構成について説明する。
図7は、実施の形態2における半導体装置の製造方法の要部を表すフローチャートである。
図7において、開口部形成工程(S108)とバリアメタル膜形成工程(S110)の間に、SiOC膜形成工程(S109)を追加した点以外は、図1と同様である。よって、SiO2膜形成工程(S102)から開口部形成工程(S108)までの工程内容は、実施の形態1と同様である。
図8では、図7のSiOC膜形成工程(S109)の工程断面図と絶縁膜形成工程(S122)が終了した時点での工程断面図とを示している。
図9は、実施の形態3における半導体装置の製造方法の要部を表すフローチャートである。
図9において、バリアメタル膜形成工程(S110)を削除した点と、シード膜形成工程(S112)の代わりにシード膜形成工程(S113)を追加した点以外は、図1と同様である。よって、SiO2膜形成工程(S102)から開口部形成工程(S108)までの工程内容は、実施の形態1と同様である。
図10では、図9のシード膜形成工程(S113)からめっき及びアニール工程(S114)までの工程断面図と絶縁膜形成工程(S122)が終了した時点での工程断面図とを示している。
図11(a)では、バリアメタル膜240を形成した後にシード膜250を形成する場合の一例を示している。この場合、バリアメタル膜240の成膜とシード膜250の成膜という2度の成膜が必要となる。そのため、図11(a)に示すように配線の微細化が進むと、開口部の側壁にシード膜250が形成される前に上部が塞がってしまう場合も起こり得る。他方、図11(b)では、シード膜252を形成した後にバリアメタル膜242を自己形成する場合の一例を示している。この場合、成膜させるのは、シード膜252のみで構わないので配線幅が小さくなっても2度成膜させる場合に比べて膜厚を薄くすることができる。そのため、図11(b)に示すように、上部が塞がる前に開口部内壁に成膜させることができる。
上述した実施の形態1〜3では、CMPにより生じるエロージョンを利用して犠牲膜を除去するための開口部を形成する構成について説明した。実施の形態4では、リソグラフィ及びエッチングの工程により犠牲膜を除去するための開口部を形成する場合の形態について説明する。
図12において、犠牲膜除去工程(S118)と絶縁膜形成工程(S122)を削除した点、及び、拡散防止膜形成工程(S120)の後に開口部形成工程(S124)と犠牲膜除去工程(S126)と絶縁膜形成工程(S128)を追加した点以外は、図1と同様である。よって、SiO2膜形成工程(S102)からめっき及びアニール工程(S114)までの工程内容は、実施の形態1と同様である。
図13では、図12の研磨工程(S116)から開口部形成工程(S124)までを示している。
例えば、ライン幅L1とスペース幅S1がリソグラフィ可能な最小寸法で形成されている場合、パターンずれを考慮すればスペース幅S1の絶縁膜領域に開口部154を形成することは困難である。よって、スペース幅S1より大きい幅のスペース幅S4を持つ領域にパターニングすることでパターンずれを回避して開口部154を形成することができる。例えば、50nm以上の幅を持つ絶縁膜領域に開口すると好適である。特に、エアーギャップが必要不可欠となる配線幅ルールの世代では、スペース幅S1より大きいスペース幅S4の領域に開口することが好適である。形成された開口部154から犠牲膜220を除去することになる。ここでは、開口部154として、例えば長方形の開口面を持つ溝(トレンチ)を形成しているがこれに限るものではない。例えば、円または楕円の開口面を持つ孔(ホール)でもよい。円または楕円の場合には、複数の孔を形成することが望ましい。
図15では、図12の犠牲膜除去工程(S126)から絶縁膜形成工程(S128)までを示している。
実施の形態5では、実施の形態4の構成に、エアーギャップを形成することにより支えを失ったCu配線を補強する膜を追加した構成について説明する。実施の形態5における半導体装置の製造方法の各工程は、絶縁膜形成工程(S128)のプロセス条件を変更する以外は、実施の形態4と同様である。
絶縁膜230をCVD法で成膜する際に、実施の形態4よりもカバレッジを多少良くさせることで、拡散防止膜224、SiOC膜222及びバリアメタル膜240の側面、ならびに開口部154が形成された位置における空間の底面に絶縁膜230と同じ材料の絶縁膜225を形成する。実施の形態4におけるプロセス条件のうち、例えば、圧力条件を10Paより低い圧力に変更すると好適である。圧力を下げることで平均自由行程が大きくなり空間内部に絶縁膜材料を進入させやすくすることができる。その結果、絶縁膜225が補強膜となり配線を補強することができる。以上のようにして、開口部154を形成した位置に高さh1のエアーギャップ282よりも高い高さh3のエアーギャップ286を形成することができる。
上述した各実施の形態では、拡散防止膜224として、Siを含む絶縁材料を用いてCu膜260上以外の領域にも成膜していたがこれに限るものではない。実施の形態6では、Cu膜260上に選択的に拡散防止膜材料を形成する構成について説明する。
図17において、拡散防止膜形成工程(S120)の代わりにコバルトタングステン(CoW)膜形成工程(S121)を追加した点以外は、図12と同様である。よって、SiO2膜形成工程(S102)から研磨工程(S116)までの工程内容は、実施の形態4と同様である。
図18では、図17のCoW膜形成工程(S121)から開口部形成工程(S124)までを示している。
実施の形態7では、実施の形態6の構成に、エアーギャップを形成することにより支えを失ったCu配線を補強する膜を追加した構成について説明する。実施の形態7における半導体装置の製造方法の各工程は、絶縁膜形成工程(S128)のプロセス条件を変更する以外は、実施の形態6と同様である。
実施の形態5と同様、絶縁膜230をCVD法で成膜する際に、実施の形態6よりもカバレッジを多少良くさせることで、SiOC膜222及びバリアメタル膜240の側面、ならびに開口部154が形成された位置における空間の底面に絶縁膜230と同じ材料の絶縁膜225を形成する。実施の形態6におけるプロセス条件のうち、例えば、圧力条件を10Paより低い圧力に変更すると好適である。その結果、絶縁膜225が補強膜となり配線を補強することができる。以上のようにして、開口部154を形成した位置に高さh1のエアーギャップ282よりも高い高さh5のエアーギャップ289を形成することができる。
150,152,154 開口部
220 犠牲膜
222 SiOC膜
224 拡散防止膜
230 絶縁膜
240,242 バリアメタル膜
250,252 シード膜
260 Cu膜
280,281,282,284,286,288,289 エアーギャップ
Claims (5)
- 基体上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、
前記犠牲膜上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記犠牲膜と前記絶縁膜とに複数の第1の開口部を形成する第1の開口部形成工程と、
前記複数の第1の開口部に導電性材料を堆積させる導電性材料堆積工程と、
前記複数の第1の開口部に堆積した各導電性材料間の領域のうち、導電性材料のピッチが最小となる最小寸法領域とは異なる前記絶縁膜の所定の領域に第2の開口部を形成する第2の開口部形成工程と、
前記第2の開口部を介して前記最小寸法領域に位置する犠牲膜を含む前記犠牲膜を除去する犠牲膜除去工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 化学機械研磨法を用いて前記導電性材料と前記絶縁膜とを研磨することにより前記第2の開口部を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記所定の領域は、前記導電性材料の被覆率が50%よりも大きい領域であることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- リソグラフィ処理とエッチング処理を行なうことで前記第2の開口部を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 複数の配線と、
前記複数の配線の配線間の領域のうち、配線ピッチが最小寸法となる最小寸法領域とは異なる所定の領域に開口部が形成され、空洞上に位置して前記複数の配線に側方から接続して支持される第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に配置され、前記開口部上方側を塞ぐ第2の絶縁膜と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
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