JP2008147415A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008147415A5 JP2008147415A5 JP2006332718A JP2006332718A JP2008147415A5 JP 2008147415 A5 JP2008147415 A5 JP 2008147415A5 JP 2006332718 A JP2006332718 A JP 2006332718A JP 2006332718 A JP2006332718 A JP 2006332718A JP 2008147415 A5 JP2008147415 A5 JP 2008147415A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- base region
- conductivity type
- base
- emitter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (6)
- 支持基板と、
前記支持基板の一方の主面の上方に埋め込み絶縁膜を介して形成されている第1導電型の半導体層と、
前記半導体層表面から形成されている第2導電型の第1のベース領域と、
前記第1のベース領域の表面濃度よりも低濃度で拡散深さが大きく前記第1のベース領域の少なくとも一部と繋がる第2導電型の第2のベース領域と、
前記第2のベース領域と横方向に離間して前記半導体層の表面から形成されている第1導電型のバッファー領域と、
前記第1のベース領域の表面から形成されている第1導電型のエミッタ領域と、
前記バッファー領域の表面から形成されている第2導電型のコレクタ領域と、
前記第1のベース領域または前記第2のベース領域の表面から形成されている第2導電型のベース・コンタクト拡散領域と、
前記第1のベース領域あるいは前記第2のベース領域の上に前記エミッタ領域端から前記第1のベース領域あるいは前記第2のベース領域端を超えて形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成されているゲート電極と、
前記エミッタ領域および前記ベース・コンタクト拡散領域上に接続されているエミッタ電極と、
前記コレクタ領域上に接続されているコレクタ電極と
を備え、前記第1のベース領域は、
前記半導体層の表面から増加して前記エミッタ領域下方において最大になる第2導電型不純物の縦方向濃度分布を有しながら前記ゲート電極下方の一部まで延在されて、前記ゲート電極の端部の下方に位置する不純物濃度の最大点からの横方向の長さは、前記最大点からの縦方向の長さと比較して同等以上であることを特徴とする
半導体装置。 - 支持基板と、
前記支持基板の一方の主面の上方に埋め込み絶縁膜を介して形成されている第2導電型の半導体層からなる第2のベース領域と、
前記第2のベース領域の表面から形成されている第2導電型の第1のベース領域と、
前記第1のベース領域と横方向に離間して前記半導体層内に形成されている第1導電型のウェル領域と、
前記ウェルに隣接する第1導電型のバッファー領域と、
前記第1のベース領域の表面から形成されている第1導電型のエミッタ領域と、
前記バッファー領域の表面から形成されている第2導電型のコレクタ領域と、
前記第1のベース領域に形成されている第2導電型のベース・コンタクト拡散領域と、
前記第2のベース領域上において、前記エミッタ領域端から前記第2のベース領域端を超えて形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極と、
前記エミッタ領域および前記ベース・コンタクト拡散領域上に接続されているエミッタ電極と、
前記コレクタ領域上に接続されているコレクタ電極と
を備え、前記第1のベース領域は、
前記第2のベース領域の表面から増加して前記エミッタ領域の下方において最大になる第2導電型不純物の縦方向濃度分布を有しながら前記ゲート電極下方の一部まで延在されて、前記ゲート電極の端部の下方に位置する不純物濃度の最大点からの横方向の長さは、前記最大点からの縦方向の長さと比較して同等以上であり、前記第1のベース領域直下から前記埋め込み絶縁膜の間の前記第2のベース領域は前記第1のベース領域の表面濃度よりも低いことを特徴とする
半導体装置。 - 2つの主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内に、一方の主面と隣接する第1導電型の半導体層と、
前記半導体層の表面から形成されている第2導電型の第1のベース領域と、
前記第1のベース領域の表面濃度よりも低濃度で拡散深さが大きくかつ前記第1のベース領域を内在する第2導電型の第2のベース領域と、
前記第1のベース領域または前記第2のベース領域の表面から形成されている第2導電型のベース・コンタクト拡散領域と、
前記第1のベース領域の表面から形成されている第1導電型のエミッタ領域と、
前記半導体基板のもう一方の主面に隣接する第2導電型のコレクタ領域と、
前記コレクタ領域と前記半導体層間に挿入されている第1導電型バッファー層と、
前記エミッタ領域端から前記第2のベース領域端を超えて形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極と、
前記エミッタ領域および前記ベース・コンタクト拡散領域上に接続されているエミッタ電極と、
前記コレクタ領域に接続されているコレクタ電極と
を備え、前記第1のベース領域は、
前記半導体層の表面から増加して前記エミッタ領域下方において最大になる第2導電型不純物の縦方向濃度分布を有しながら前記ゲート電極下方の一部まで延在されて、前記ゲート電極の端部の下方に位置する不純物濃度の最大点からの横方向の長さは、前記最大点からの縦方向の長さと比較して同等以上であることを特徴とする
半導体装置。 - 前記第2導電型のベース・コンタクト拡散領域が前記エミッタ領域の下方まで拡がっていることを特徴とする
請求項1から請求項3の何れか記載の半導体装置。 - 半導体層の表面に第2導電型の第1のベース領域を形成する工程と、
前記第1のベース領域よりも低濃度で拡散深さの大きい第2のベース領域を前記第1のベース領域の一部と繋がるように形成する工程と、
第2導電型のバッファー領域を前記第2のベース領域から離間して前記半導体層に形成する工程と
を備え、
更に、前記第1のベース領域あるいは前記第2のベース領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極を順次形成する工程と、
前記第1のベース領域の表面に第1導電型のエミッタ領域を形成する工程と、
前記バッファー層の表面に第1導電型のコレクタ領域を形成する工程と
を備え、前記第1のベース領域は、
前記ゲート絶縁膜の形成工程前に、加速エネルギーが150KeVから200KeVまでの範囲で、ドーズ量が3×1013から1×1014[ions/cm2]までの範囲である硼素イオン注入を用いて形成されることを特徴とする
半導体装置の製造方法。 - 前記第1のベース領域と前記ゲート電極は上方から見て端部が重なり合うよう配置されることを特徴とする
請求項5記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006332718A JP5261927B2 (ja) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 半導体装置 |
US11/943,614 US7719086B2 (en) | 2006-12-11 | 2007-11-21 | Lateral insulated gate bipolar transistor having a retrograde doping profile in base region and method of manufacture thereof |
US12/662,680 US7944022B2 (en) | 2006-12-11 | 2010-04-28 | Lateral insulated gate bipolar transistor having a retrograde doping profile in base region and method of manufacture thereof |
US12/963,665 US8093131B2 (en) | 2006-12-11 | 2010-12-09 | Lateral insulated gate bipolar transistor having a retrograde doping profile in base region and method of manufacture thereof |
US13/064,430 US8304858B2 (en) | 2006-12-11 | 2011-03-24 | Lateral insulated gate bipolar transistor having a retrograde doping profile in base region and method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006332718A JP5261927B2 (ja) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008147415A JP2008147415A (ja) | 2008-06-26 |
JP2008147415A5 true JP2008147415A5 (ja) | 2009-08-20 |
JP5261927B2 JP5261927B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=39496984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006332718A Expired - Fee Related JP5261927B2 (ja) | 2006-12-11 | 2006-12-11 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7719086B2 (ja) |
JP (1) | JP5261927B2 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5261927B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP5272410B2 (ja) * | 2008-01-11 | 2013-08-28 | 富士電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
TWI387106B (zh) * | 2008-10-16 | 2013-02-21 | Vanguard Int Semiconduct Corp | 閘極絕緣雙接面電晶體(igbt)靜電放電防護元件 |
JP2010165978A (ja) * | 2009-01-19 | 2010-07-29 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8049307B2 (en) | 2009-01-23 | 2011-11-01 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Insulated gate bipolar transistor (IGBT) electrostatic discharge (ESD) protection devices |
JP4857353B2 (ja) * | 2009-03-02 | 2012-01-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、およびそれを用いたプラズマディスプレイ駆動用半導体装置 |
JP5124533B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2013-01-23 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置、それを用いたプラズマディスプレイ駆動用半導体集積回路装置、及びプラズマディスプレイ装置 |
JP5002693B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2012-08-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2012099517A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
CN102856192B (zh) * | 2011-06-27 | 2015-05-13 | 中国科学院微电子研究所 | Igbt器件及其制作方法 |
CN102856193B (zh) * | 2011-06-27 | 2015-05-13 | 中国科学院微电子研究所 | Igbt器件及其制作方法 |
CN103650147B (zh) | 2011-07-05 | 2016-07-06 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
US8581339B2 (en) * | 2011-08-08 | 2013-11-12 | Macronix International Co., Ltd. | Structure of NPN-BJT for improving punch through between collector and emitter |
JP2013182905A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
WO2014033991A1 (ja) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
CN104347397B (zh) | 2013-07-23 | 2018-02-06 | 无锡华润上华科技有限公司 | 注入增强型绝缘栅双极型晶体管的制造方法 |
JP2015026751A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-02-05 | 株式会社日立製作所 | 横型バイポーラトランジスタおよびその製造方法 |
CN103633087B (zh) * | 2013-12-19 | 2016-08-17 | 电子科技大学 | 一种具有esd保护功能的强抗闩锁可控ligbt器件 |
US9960269B2 (en) * | 2016-02-02 | 2018-05-01 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN108242394A (zh) * | 2016-12-27 | 2018-07-03 | 全球能源互联网研究院 | 一种碳化硅mos栅控功率器件及其制备方法 |
CN109564877B (zh) * | 2017-07-14 | 2023-08-25 | 新唐科技日本株式会社 | 半导体装置 |
CN107919391B (zh) * | 2017-11-16 | 2020-07-03 | 重庆邮电大学 | 一种具有槽型氧化层和垂直缓冲层的rc-ligbt |
CN108321195B (zh) * | 2018-02-05 | 2020-05-22 | 电子科技大学 | 一种具有阳极夹断槽的短路阳极soi ligbt |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08130312A (ja) | 1994-09-08 | 1996-05-21 | Fuji Electric Co Ltd | 横型半導体装置およびその使用方法 |
US5801420A (en) * | 1994-09-08 | 1998-09-01 | Fuji Electric Co. Ltd. | Lateral semiconductor arrangement for power ICS |
JPH10150193A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-06-02 | Toshiba Corp | 高耐圧半導体装置 |
JPH10242456A (ja) | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Toshiba Corp | 横型絶縁ゲートバイポーラトランジスタ |
JP3473460B2 (ja) * | 1998-11-20 | 2003-12-02 | 富士電機株式会社 | 横型半導体装置 |
JP2002270844A (ja) * | 2001-03-07 | 2002-09-20 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4354876B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2009-10-28 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP4387291B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | 横型半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP5261927B2 (ja) * | 2006-12-11 | 2013-08-14 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
-
2006
- 2006-12-11 JP JP2006332718A patent/JP5261927B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-11-21 US US11/943,614 patent/US7719086B2/en active Active
-
2010
- 2010-04-28 US US12/662,680 patent/US7944022B2/en active Active
- 2010-12-09 US US12/963,665 patent/US8093131B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-03-24 US US13/064,430 patent/US8304858B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008147415A5 (ja) | ||
JP2002305304A5 (ja) | ||
JP2001250947A5 (ja) | ||
JP2001284584A5 (ja) | ||
JP2005521264A5 (ja) | ||
WO2008057392A3 (en) | Methods of fabricating semiconductor devices including implanted regions for providing low-resistance contact to buried layers and related devices | |
US8133785B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2009516361A5 (ja) | ||
WO2009126796A3 (en) | Nitrided barrier layers for solar cells | |
JP2013513252A5 (ja) | ||
JP2006502581A5 (ja) | ||
JP2011514689A5 (ja) | ||
WO2008086348A3 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
TW200513694A (en) | Embedded waveguide detectors | |
TW200610142A (en) | Image sensor with improved charge transfer efficiency and method for fabricating the same | |
EP2299481A3 (en) | Semiconductor power device with multiple drain structure and corresponding manufacturing process | |
TW200709415A (en) | Gate pattern of semiconductor device and method for fabricating the same | |
JP2019046909A5 (ja) | ||
JP2015126085A5 (ja) | ||
JP2009521131A5 (ja) | ||
JP2010186989A5 (ja) | ||
TW200739693A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device having a buried doped region | |
RU98121328A (ru) | Моп-транзистор с высоким быстродействием и с высокой производительностью и способ его изготовления | |
JP2009054999A5 (ja) | ||
JP2004289154A5 (ja) |