JP2008147215A - 気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の特徴は、ClF3ガスなどのクリーニングを用いて気相成長装置のクリーニングを実施する際に、排気用真空ポンプの回転数を低下させるように制御し、排気用真空ポンプの断熱圧縮の作用による自己発熱量を低減させることにある。
【選択図】 図1
Description
この気相成長装置内のガス流通経路内を、クリーニングガスを流通させることによって気相成長装置のクリーニングを行う際に、前記排気用真空ポンプの回転数を、定常運転の回転数より低下させることを特徴とする気相成長方法である。
この装置は、図1に示すように、成膜ガスなどを供給する原料ガス供給源20と、この原料ガス供給源と配管によって接続されている反応炉本体10と、この反応炉本体10において生成する排ガスを排気するための排気系統とからなっている。
反応室11は中空の密閉可能容器で構成される。また、その内部に配置されるサセプタ12は、その表面に配置される半導体基板が成膜反応に適した温度となるように、温度が制御可能となっていることが好ましい。また、成膜反応が均一に生じるように、回転可能となっていることが好ましい。
上記気相成長装置を用いて半導体基板上に薄膜を生成する気相成長方法について、図2の工程図を参照しながら説明する。
図2に示すように、この気相成長方法は、成膜プロセス(S1)、成膜用ガス排気ステップ(S2)、N2ガスパージステップ(S3)、パージガス排気ステップ(S4)、クリーニングガス供給ステップ(S5)、クリーニングガス供給停止ステップ(S6)、及び真空ポンプ回転数復帰ステップ(S7)の各工程からなっている。上記S2からS7間での工程がクリーニング工程であり、このクリーニング工程が終了した後、再度S1の成膜工程を実施するか、あるいは、気相成長装置のメンテナンス等の作業を行うことができる。
この工程は、半導体基板などの表面に気相成長により薄膜を成膜する工程である。この成膜工程を複数回実施すると、気相成長装置内部に成膜ガスなどの成分の副生成物が堆積し、装置内部を汚染する可能性が増大するので、クリーニングを行う必要が生じる。
すなわち、図1において、反応室11内に配置された半導体基板13表面に、成膜ガスが接触し、反応して薄膜を形成する。その際に副生成物が生成し、気相成長装置の、反応室11内の壁面、排気配管34、排気用真空ポンプ30などの排気系統の内部表面に接触し固化して副生成物薄膜となる。この副生成物薄膜が堆積し、装置内部の気体流通を阻害したり、堆積物が剥離し、パーティクルとなって装置の目詰まりを起こしたりするなどの悪影響を及ぼすおそれがあるため、これを除去する工程が必要となるものである。
上記工程のSiウェーハへの成膜運転の終了後、図1に示す排気用真空ポンプ30を用いて、一旦反応室11内、あるいは排気配管33内の成膜用ガス,H2ガスをバキューム排気し、真空状態にする。この段階の排気用真空ポンプ30の運転条件は、排気用真空ポンプ30がブースターポンプを備えたものである場合には、ブースターポンプ31及びメインポンプ32をともに駆動して排気することが好ましい。この成膜用ガス排気工程において、適切な排気流量は、10,000L/min程度である。このような運転条件では、通常真空ポンプ内の温度は、150℃〜200℃となっている。
その後、不活性ガス、例えば、N2ガスを導入し、反応炉本体10内をN2ガス雰囲気に置換する。このとき、導入するN2ガスは、クリーニングガスであるClF3ガスの希釈用ガスとなる。以後のクリーニング工程において、気相成長装置内部のClF3ガス濃度が5%以下、クリーニングの際の副生成物との反応熱が100℃以下になるように、N2ガス流量を調整することが好ましい。N2ガス量が増えると生成する反応熱量は低下し、N2ガス量が減少すると生成反応熱量は増加するので、最適なガス量を調整することによって所望の運転条件を設定することができる。
反応室11内及び排気系統内をN2ガス雰囲気に置換した後、排気用真空ポンプの制御装置35を用いて、インバータなどの制御装置により排気流量が100L/min〜1,000L/minになるように排気用真空ポンプ30の回転数を低下させ、排気用真空ポンプの駆動による自己発熱を抑止して、排気用真空ポンプ内の温度を150℃以下、好ましくは100℃以下に低下させる。また、排気用真空ポンプ内にブースターポンプが付属されている場合は、ブースターポンプを停止し、メインポンプのみの稼動に切替える操作をすることが好ましい。この場合には、ブースターポンプの回転数とメインポンプの回転数の合計量が、所定の範囲で低下することが好ましい。
上記工程において、排気用真空ポンプ内の温度を低減させるには、排気用真空ポンプを低速運転し、自然放冷によって温度低下を図ってもよいし、真空ポンプに冷却空気のような冷媒を吹き付ける等の手段で、強制冷却してもよい。
真空ポンプ内の温度が150℃以下に低下したことを確認した後、気相成長装置にClF3ガスを所定の時間導入し、気相成長装置の反応室、排気配管、真空ポンプ内等の1連の気体排気系統のクリーニングを実施する。この際に用いるClF3ガスとしては、純粋なガスでもよいし、N2ガス等で希釈したガスであってもよい。この工程において、気相成長装置内部に堆積した副生成物薄膜は分解され、ガス状の分解物となって系外に排出される。この過程においても、排気用真空ポンプの回転数は低下させたままにしておくことが必要である。
クリーニングが終了した後、クリーニングガスであるClF3ガスの供給を停止する。
ClF3ガスの供給停止後、排気用真空ポンプの回転数を、排気用真空ポンプの制御装置を用いて、インバータにより元の回転数に戻す。また、排気用真空ポンプ内のブースターポンプを停止している場合は、再起動する。
前記真空ポンプの回転数を復帰させた状態にて、反応室内,排気配管内に残留しているClF3ガス,N2ガスを排気する。残留しているClF3ガスを完全に排気するために、反応炉内,排気配管内のサイクルパージを実施することもできる。具体的には、反応炉内,排気配管内のガスを、排気用真空ポンプを用いてバキューム排気し、その後N2ガスの導入を行う、という動作を複数回繰り返す。
11…反応室
12…サセプタ
13…半導体基板
20…原料ガス供給源
21…ガスボンベ
22…バルブ
23…バルブ
30…排気用真空ポンプ
31…ブースターポンプ
32…メインポンプ
33…排気配管
34…排気バルブ
35…真空ポンプ制御装置
Claims (5)
- 被処理基板である半導体基板を載置するサセプタを備えた反応室と、該反応室に成膜に必要なガス原料を供給する原料供給装置と、該反応室内のガスを排出するための排気配管と、該排気配管に接続されている排気用真空ポンプと、該真空ポンプを制御する制御装置とを備えた気相成長装置を用いた半導体基板上に薄膜を形成する気相成長方法であって、
該気相成長装置にクリーニングガスを流通させることによって気相成長装置のクリーニングを行う際に、該排気用の真空ポンプの回転数を、定常運転時の回転数より低下させることを特徴とする気相成長方法。 - 前記クリーニングに用いるガスは、ClF3ガスであって、前記クリーニングを実施する際には、前記真空ポンプ内のブースターポンプを停止し、メインポンプのみで稼動させて、回転数を低下させることを特徴とする前記請求項1記載の気相成長方法。
- 前記真空ポンプの低速運転時の回転数を、定常運転時の1〜10%の範囲とすることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の気相成長方法。
- 前記真空ポンプにクリーニングガスを導入する際の前記真空ポンプの温度を、室温〜150℃の範囲とすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の気相成長方法。
- 被処理基板である半導体基板を載置するサセプタを備えた反応室と、該反応室に成膜に必要なガス原料を供給する原料供給装置と、該反応室内のガスを排出するための排気配管と、該排気配管に接続されている排気用真空ポンプと、該排気用真空ポンプを制御する制御装置とを備えた気相成長装置を用いた気相成長方法であって、
前記半導体基板表面に薄膜を形成する工程と、
前記薄膜形成に用いた成膜用ガスを少なくとも前記反応室から排出する工程と、
前記反応室に非活性ガスを供給して、前記成膜用ガスをパージする工程と、
前記パージに用いた非活性ガスを少なくとも前記反応室から排出する工程と、
少なくとも前記反応室及び前記排気配管にクリーニング用ガスを供給してクリーニングを行う工程と、
前記クリーニング用ガスの供給を停止する工程を備えた気相成長方法であって、
前記パージに用いた非活性ガスを排出する工程から、クリーニング用ガスの排出工程に至るまでの工程間において、前記排気用真空ポンプの回転数を、定常運転時の回転数より低下させることを特徴とする気相成長方法。
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