KR100753456B1 - 감압 기상 에피택셜 성장 장치 및 그 장치의 제어 방법 - Google Patents

감압 기상 에피택셜 성장 장치 및 그 장치의 제어 방법 Download PDF

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Abstract

회전 기구부의 내압을 특정 범위 내로 제어 유지함으로써, 회전 기구부를 구성하는 기계 부품류의 오염이 제어되는 동시에, 반도체 웨이퍼의 오염이 억제되는 감압 기상 에피택셜 성장 장치 및 그 장치의 제어 방법을 제공한다.
상기 회전 기구부의 내부를 퍼지하기 위한 퍼지(purge) 가스 도입관(6)과, 상기 퍼지 가스 도입관을 통하여 도입된 가스를 배출하는 퍼지 가스 배출관(7)과, 상기 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브(41)와, 상기 회전 기구부 내의 내압을 검출하는 제1 압력계(21)와, 상기 제1 압력계에 의해 검출된 압력에 기초해서 연산 처리하여 회전 기구부 내부의 압력이 적정치가 되도록 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브(41)의 개방도(開放度)를 제어하는 제1 연산/제어부(31)를 구비하고 있다.

Description

감압 기상 에피택셜 성장 장치 및 그 장치의 제어 방법{APPARATUS FOR REDUCED-PRESSURE GASEOUS PHASE EPITAXIAL GROWTH AND CONTROL METHOD FOR THEREOF}
도 1은 본 발명에 따른 감압 에피택셜 성장 장치를 모식적으로 도시한 개략도.
도 2는 종래의 감압 에피택셜 성장 장치를 모식적으로 도시한 개략도.
도 3은 실시예에 있어서의 처리로 내압과 회전 기구부 내압과의 비(P)를 변화시켜 제작한 에피택셜 웨이퍼의 Fe 오염 농도의 추이를 도시한 그래프.
도 4는 실시예에 있어서의 처리로 내압과 회전 기구부 내압과의 비(P)를 변화시켰을 때의 회전 기구부 벽면에 부착된 반응 생성물의 양의 추이를 도시한 그래프.
본 발명은 감압 에피택셜 성장 장치 및 그 장치의 제어 방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판을 얹어 놓는 서셉터(susceptor)의 회전 기구부의 내압을 특정 범위 내로 제어 유지한 감압 기상 에피택셜 성장 장 치 및 그 장치의 제어 방법에 관한 것이다.
실리콘 웨이퍼 등의 반도체 기판에 에피택셜 단결정 박막을 기상 성장시키는 에피택셜 성장에는 일반적으로 감압 CVD 장치 등이 이용되고 있다.
이 종래의 감압 에피택셜 성장 장치에 관해서 도 2에 기초하여 자세히 설명하면, 감압 에피택셜 성장 장치는 처리로(1)와, 상기 처리로 내부에 배치되어, 반도체 웨이퍼(8)를 적재 유지하여 회전하는 서셉터(9)와, 상기 서셉터(9)를 회전시키는 회전 기구부(5)와, 처리로 내부에 성막용 가스를 도입하는 가스 도입관(11)과, 상기 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관(10)과, 상기 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관(10)에 설치된 압력 조정 밸브(4)와, 상기 처리로의 내압을 검출하는 압력계(2)와, 상기 검출된 압력에 기초해서 연산 처리하여 처리로 내부의 압력이 적정치가 되도록 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관(10)에 설치된 압력 조정 밸브(4)의 개방도(開放度)를 제어하는 연산/제어부(3)를 구비하고 있다.
이와 같이 구성되어 있기 때문에, 처리로(1)의 내압은 소정의 압력으로 제어되어 반도체 웨이퍼(8)가 소정의 압력 하에서 처리된다.
또한, 상기 처리로(1)의 노체(爐體) 하부에 설치된 회전 기구부(5)에는 퍼지 가스 도입관(purging gas introduction pipe)(6)과 퍼지 가스 배출관(7)이 배치되어 있고, 회전 기구부(5)의 내부를 청소하는 Ar 가스 등의 불활성 가스가 퍼지 가스 도입관(6)으로부터 도입되어 회전 기구부(5)의 내부를 퍼지한 후, 퍼지 가스 배출관(7)에서 배출되도록 구성되어 있다. 이와 같이, 회전 기구부(5)의 내부를 불활성 가스로 퍼지함으로써, 회전 기구부(5)에서 발생하는 금속 오염이 처리로(1)의 내부로 유입되는 것을 억제하게 되어 금속 오염에 의한 처리로의 오염 및 반도체 웨이퍼 오염을 방지하게 된다.
그런데, 종래의 감압 에피택셜 성장 장치에 있어서는 회전 기구부 내부의 압력은 제어되고 있지 않았다.
그 때문에, 종래의 장치에서는 처리로의 내압(p1)과 회전 기구부의 내압(p2)과의 관계가 예컨대 p1>p2인 경우에, 처리로 내에서 사용하고 있는 반응성 가스(성막용 가스)가 회전 기구부 내로 유입되어 이 기구부를 구성하는 베어링이나 인코더와 같은 기계 부품류를 오염시키기 때문에, 빈번하게 회전 기구부를 청소할 필요가 있었다. 또한, 전술한 경우와는 반대로, p1과 p2와의 관계가 p1<p2인 경우, 회전 기구부 내부를 통과하여 금속에 오염된 퍼지 가스가 처리로 내로 침입하기 때문에, 처리되는 반도체 웨이퍼가 금속으로 오염되는 경우가 있었다.
상기 회전 기구부 내부의 퍼지 빈도를 가능한 한 적게 하고, 또한 처리되는 반도체 웨이퍼상의 금속 오염을 최소한으로 억제하기 위해서는 p1=p2로 유지하는 것이 효과적이지만, 그 양자의 적정한 범위는 반드시 명확한 것은 아니다. 특히, 적정한 범위에 p2를 설정할 수 있었다고 하여도, 처리로 내의 가스 유량의 변화 등에 의해서 처리로 내압(p1)이 변동되는 경우에 p2가 적정 범위에서 벗어나 전술한 폐해가 생긴다.
또한, 종래의 장치에 있어서, 처리로와 회전 기구부와의 사이를 완전히 밀봉함으로써, 상기한 폐해를 방지하는 것을 생각할 수 있지만, 서셉터를 회전시키는 회전축이 회전 기구부에서 처리로 내부에 연장 설치되어 있는 등의 장치 구조상, 높은 밀봉성을 확보할 수 없다. 만일 높은 밀봉성을 확보하고자 하면, 장치의 구조가 복잡하게 되고 또한 장치 자체가 고가가 된다고 하는 새로운 문제가 생긴다.
본 발명은 이러한 종래의 기술적 문제에 감안하여 이루어진 것으로, 회전 기구부의 내압을 특정 범위 내로 제어 유지함으로써, 회전 기구부를 구성하는 기계 부품류의 오염이 억제됨과 동시에, 반도체 웨이퍼의 오염이 억제되는 감압 기상 에피택셜 성장 장치 및 그 장치의 제어 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해서 이루어진 본 발명에 관한 감압 에피택셜 성장 장치는 처리로와, 처리로 내부에 배치되어 반도체 웨이퍼를 얹어 놓고 회전하는 서셉터와, 상기 서셉터를 회전시키는 회전 기구부와, 처리로 내부에 성막용 가스를 도입하는 가스 도입관과, 상기 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관을 구비한 감압 에피택셜 성장 장치에 있어서, 상기 회전 기구부 내부를 퍼지하기 위한 퍼지 가스 도입관과, 상기 퍼지 가스 도입관을 통하여 도입된 가스를 배출하는 퍼지 가스 배출관과, 상기 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브와, 상기 회전 기구부 내의 내압을 검출하는 제1 압력계와, 상기 제1 압력계에 의해 검출된 압력에 기초해서 연산 처리하여 회전 기구부 내부의 압력이 적정치가 되도록 퍼지 가스 배출관에 설치된 압력 조정 밸브의 개방도를 제어하는 제1 연산/제어부를 구비한 것을 특징으로 한다.
이와 같이 본 발명에 따른 감압 에피택셜 성장 장치에는 상기 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브와, 상기 회전 기구부 내의 내압을 검출하는 제1 압력계와, 상기 제1 압력계에 의해 검출된 압력에 기초해서 연산 처리하여 회전 기구부 내부의 압력이 적정치가 되도록 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브의 개방도를 제어하는 제1 연산/제어부를 구비하고 있기 때문에, 종래 장치에서는 제어할 수 없던 회전 기구부 내부의 압력을 원하는 범위로 제어할 수 있다.
즉, 본 발명에 따른 감압 기상 에피택셜 성장 장치에서는 성막용 가스(반응성 가스 등)의 처리로 내에서 회전 기구부 내로의 침입이 억제되기 때문에, 회전 기구부 내의 오염이 줄어들게 된다. 또, 퍼지 가스의 회전 기구부에서 처리로 내에의 침입이 억제되기 때문에, 반도체 웨이퍼의 오염이 줄어들게 된다.
여기서, 상기 처리로의 내압을 검출하는 제2 압력계 및 회전 기구부 내의 내압을 검출하는 제1 압력계를 구비하고, 상기 검출된 처리로의 내압 및 회전 기구부 내의 내압에 기초해서 연산 처리하여 상기 회전 기구부 내부의 압력이 적정치가 되도록 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브의 개방도를 제어하는 제1 연산/제어부를 구비하는 것이 바람직하다.
이와 같이, 상기 처리로의 내압을 검출하는 제2 압력계 및 회전 기구부 내의 내압을 검출하는 제1 압력계를 구비하고, 제 1 연산/제어부는 상기 검출된 처리로의 내압 및 회전 기구부 내의 내압에 기초해서 연산 처리하여 상기 회전 기구부 내부의 압력이 적정치가 되도록 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브의 개방도를 제어하기 때문에, 상기 처리로의 내압이 변화된 경우라도 회전 기구부 내부의 압력을 적정치로 유지할 수 있다.
또한, 상기 감압 기상 에피택셜 성장 장치에 있어서는 상기 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관에 설치된 제 2 압력 조정 밸브와, 상기 처리로의 내압을 검출하는 제2 압력계와, 상기 제2 압력계에 의해 검출된 처리로의 내압에 기초해서 연산 처리하여 처리로 내부의 압력이 적정치가 되도록 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관에 설치된 제2 압력 조정 밸브의 개방도를 제어하는 제2 연산/제어부를 더 구비하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기술적 과제를 해결하기 위해서 이루어진 본 발명에 따른 감압 에피택셜 성장 장치의 제어 방법은 상기 처리로 내압을 p1로 하고, 상기 회전 기구부 내압을 p2로 했을 때, p2와 p1의 비(P)(P=p2/p1)를 0.9≤P≤1.0의 범위로 제어하는 것을 특징으로 한다.
상기 회전 기구부 내압을 상기 조건을 만족하도록 제어함으로써, 회전 기구부를 구성하는 기계 부품류의 오염이 억제되고, 또 반도체 웨이퍼의 오염이 억제된다.
이하, 본 발명의 실시예를 도 1에 기초하여 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 감압 에피택셜 성장 장치를 모식적으로 도시한 개략도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 감압 에피택셜 성장 장치는 종래의 감압 에피택셜 성장 장치와 마찬가지로, 처리로(1)와, 상기 처리로 내부에 배치되어 반도체 웨이퍼(8)를 얹어 놓고 회전하는 서셉터(9)와, 상기 서셉터(9)를 회전시키는 회전 기구부(5)와, 처리로 내부에 성막용 가스(반응 가스 등)가 도입되도록 하는 가스 도입관(11)과, 상기 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관(10)과, 상기 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관(10)에 설치된 제 2 압력 조정 밸브(4)와, 상기 처리로의 내압을 검출하는 제2 압력계(2)와, 상기 제2 압력계(2)에 의해 검출된 압력에 기초해서 연산 처리하여 처리로 내부의 압력이 적정치가 되도록 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관(10)에 설치된 제2 압력 조정 밸브(4)의 개방도를 제어하는 제2 연산/제어부(3)를 구비하고 있다.
전술한 바와 같이 구성되어 있기 때문에, 처리로(1)의 내압은 소정의 압력으로 제어되어 반도체 웨이퍼(8)가 소정의 압력하에서 처리된다.
또한, 상기 처리로(1)의 노체 하부에 설치된 회전 기구부(5)에는 퍼지 가스 도입관(6)과 퍼지 가스 배출관(7)이 배치되어 있고, 회전 기구부(5)의 내부를 퍼지하도록 Ar 가스 등의 불활성 가스가 퍼지 가스 도입관(6)을 통하여 도입되어 회전 기구부(5)의 내부를 퍼지한 후, 퍼지 가스 배출관(7)을 통하여 배출되도록 구성되어 있다.
또한, 상기 퍼지 가스 배출관(7)에는 제1 압력 조정 밸브(41)가 설치되는 동시에, 상기 회전 기구부(5) 내의 내압을 검출하는 제1 압력계(21)가 설치되어 있다. 또한, 상기 제1 압력계(21)에 의해서 검출된 압력에 기초해서 연산 처리하여 회전 기구부(5)의 내부의 압력이 적정치가 되도록 퍼지 가스 배출관(7)에 설치된 제1 압력 조정 밸브(41)의 개방도를 제어하는 제1 연산/제어부(31)가 설치되어 있다.
상기 제1 연산/제어부(31)에는 제1 압력계(21)로부터의 데이터 외에 처리로(1)의 내압을 검출하는 제2 압력계(2)로부터의 데이터도 입력되므로, 제1 연산/제어부(31)는 상기 검출된 처리로(1)의 내압 및 회전 기구부(5) 내의 내압에 기초해서 연산 처리함으로써, 상기 회전 기구부(5)의 내부의 압력이 적정치가 되게, 퍼지 가스 배출관(7)에 설치된 제1 압력 조정 밸브(41)의 개방도를 제어한다.
다음에는 이와 같이 구성된 감압 에피택셜 성장 장치의 동작에 관해서 설명한다.
상기 처리로(1) 내에는 처리되는 반도체 웨이퍼(8)가 서셉터(9) 상에 적재되어 회전한다. 이 때, 처리로(1) 내의 상측으로부터 상기 반도체 웨이퍼(8)의 상면을 향해 반응 가스, 도펀트 가스 및 캐리어 가스 등의 성막용 가스가 공급된다. 이 성막용 가스는 반도체 웨이퍼(8)의 상면에서 반응하여, 이 면에 에피택셜 단결정막을 성장시키면서, 처리로(1)의 바닥부로 흘러 내려가 성막용 가스 배출관(10)을 통하여 배출된다.
이 때, 처리로(1)의 바닥부에 설치된 제2 압력계(2)에 의해서, 처리로 내압을 검출하고, 그 측정 데이터가 제2 연산/제어부(3)에 입력된다. 이 제2 연산/제어부(3)에서는 반도체 웨이퍼(8)를 처리하는 데에 최적의 압력으로 하기 위해서 제2 압력 제어 밸브(4)의 밸브 개방도를 조절하는 제어 신호를 제2 압력 제어 밸브(4)에 전송한다. 그 결과, 제2 압력 제어 밸브(4)의 밸브 개방도가 조절되어 처리로(1)의 내압은 자동적으로 최적의 압력으로 제어된다.
또한, 회전 기구부(5)에 설치된 제1 압력계(21)에 의해서 회전 기구부(5)의 내압이 검출되고, 검출된 측정 데이터는 제1 연산/제어부(31)로 입력된다. 또한, 제1 연산/제어부(31)에는 처리로(1)의 바닥부에 설치된 제2 압력계(2)에 의해서 검출된 처리로 내압의 측정 데이터가 입력된다.
이 제1 연산/제어부(31)에서는 회전 기구부(5)의 내압 및 처리로(1)의 내압 데이터에 기초하여 회전 기구부(5)의 내압을 최적의 압력으로 하기 위해서, 제1 압력 제어 밸브(41)의 밸브 개방도를 조절하는 제어 신호를 제1 압력 제어 밸브(41)에 송출한다. 그 결과, 제1 압력 제어 밸브(41)의 밸브 개방도가 조절되어, 회전 기구부(5)의 내압은 자동적으로 최적의 압력으로 제어된다.
이와 같이, 회전 기구부(5)의 내압 및 처리로(1)의 내압 데이터에 기초하여 제1 압력 제어 밸브(41)의 밸브 개방도를 조절하고 있기 때문에, 처리로(1)의 내압이 변동했을 때에도 회전 기구부(5)의 내압을 최적의 압력으로 할 수 있다.
구체적으로 설명하면, 제1 압력 제어 밸브(41)는 처리로(1)의 내압과 회전 기구부(5)의 내압이 하기의 관계를 만족하도록 제어된다.
즉, 처리로 내압을 p1, 회전 기구부 내압을 p2로 했을 때, p1과 p2의 비(P)(P=p2/p1)가 다음과 같은 관계를 만족시키도록 제1 압력 제어 밸브(41)가 제어된다. 이 관계는 다음과 같다.
0.9≤P≤1.0
이렇게 제어되면 처리로(1)의 내압이 회전 기구부(5)의 내압보다도 높은 경우에는(p1>p2), 처리로 내에서 사용하고 있는 반응성 가스가 회전 기구부 내에 들어가 베어링이나 인코더 등의 기계 부품을 더럽혀 버리기 때문에, 빈번하게 회전 기구부를 청소할 필요가 생기게 되어 바람직하지 못하다.
한편, 처리로(1)의 내압이 회전 기구부(5)의 내압보다도 10% 이상 낮은 경우(p1<0.9p2)에 반응성 가스가 회전 기구부(5)의 내부로 침입하는 것은 저지되어 회전 기구부(5)의 퍼지 빈도가 줄어든다. 그러나, 회전 기구부 내부를 통과하여 금속에 오염된 가스가 처리로(1)의 내부에 침입하기 때문에, 처리되는 반도체 웨이퍼가 금속에 오염되어 버리는 문제점을 초래한다.
따라서, 후술하는 실시예에서도 알 수 있듯이, 본 발명에서는 상기 규정 범위 내로 회전 기구부 내압을 제어 및 유지하는 것이, 회전 기구부 내부의 오염을 퍼지하는 빈도가 생산성의 점에서 허용할 수 있는 정도가 되도록 억제하고, 또한 반도체 웨이퍼의 금속 오염을 품질 관리상의 허용치 이하로 억제하기 위해서 특히 중요하다.
또한, 본 발명에 따른 감압 에피택셜 성장 장치를 이용한 기상 에피택셜 성장에 있어서, 상기 압력 조건 이외의 조작 조건은 종래의 성장 방법과 특별히 다른 곳은 없고, 거의 같은 성장 조건이 채용되어도 지장없다.
또, 처리로의 반응 온도는 반도체 웨이퍼의 종류, 성장시키는 에피택셜 단결정막의 종류 등에 따라 각각 다르지만, 예컨대, 실리콘 웨이퍼 상에 실리콘 에피택셜막을 성장시키는 경우에는 통상, 1100℃ 이상 1200℃ 이하 정도의 온도가 사용된다. 더욱이, 막 형성에 이용하는 반도체 기판으로서는 전형적으로는 실리콘 웨이퍼지만, 탄화규소 기판 등의 실리콘 이외의 반도체 기판도 사용할 수 있다.
또한, 상기 반도체 기판 상에 형성되는 박막은 실리콘막이 가장 일반적이지만 그 밖의 박막, 예컨대 GaAs막 등이라도 지장없이 사용될 수 있다.
또한, 상기 기상 성장에 이용하는 성막용 가스로서는 특별히 한정되지는 않으며, 통상의 에피택셜 성장법에 의한 막 형성에서 이용되는 성막용 가스를 사용할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는 처리로용의 제2 연산/제어부(3) 및 회전 기구부용의 제1 연산/제어부(31)를 별개의 것으로서 형성한 경우에 관해서 설명했지만, 특별히 이것에 한정되는 것이 아니라 양방의 기능을 갖춘 하나의 연산/제어부로서 형성하더라도 좋다.
또, 상기 실시예에 있어서는 처리로 내압과 회전 기구부의 내압의 데이터에 기초하여 제1 압력 제어 밸브(41)의 개방도를 조절하도록 구성한 경우에 관해서 설명했지만, 통상 처리로 내압은 20±0.2 Torr로 설정되기 때문에, 회전 기구부 내압(p2)이 0.9(20±0.2 Torr)<p2<20±0.2 Torr의 범위가 되도록, 회전 기구부 내압의 데이터에만 기초하여 압력 제어 밸브(41)의 개방도 조절을 하도록 구성하더라도 좋다.
(실시예)
도 1에 도시한 구조의 감압 에피택셜 성장 장치를 이용하고, 또, 처리로 내압(p1)과 회전 기구부 내압(p2)과의 비(P)(P=p2/p1)를 변화시켜 제작한 에피택셜 웨이퍼의 Fe 오염 농도를 측정했다.
이들 측정 결과를 도 3에 그래프로서 도시한다.
상기 이외의 에피택셜 웨이퍼 제조 조건은 이하의 조건으로 했다.
피처리 반도체 웨이퍼 : 8 인치 직경 실리콘 웨이퍼
서셉터 회전 속도 : 1500 rpm
로 내부 온도 : 1000±3℃, 노 내부 압력 : 20±0.2 Torr
성막용 가스 : 원료 가스 : SiH4 3000 slm ; 도펀트 : B2H6 75 ppm ; 캐리어 : H2
성장 처리 시간 : 0.1 시간
도 3에 도시한 바와 같이, P≤1.0의 조건하에서는 피처리 웨이퍼의 Fe 오염 농도는 검출 한계 이하로 거의 안정적이다. 이에 대하여, P>1.0에서는 P의 증가로 인해 Fe의 오염 농도가 급격히 증가하고 있다.
따라서, 에피택셜 웨이퍼의 품질을 유지하는 관점에서는 P가 1.0 이하로 제어되는 것이 중요함을 알 수 있다.
다음에, 같은 조건하에서 P치를 변화시키면서 웨이퍼를 50장 처리한 후, 회전 기구부 내벽에 부착된 반응 생성물의 양을 측정했다.
이들 측정 결과를 도 4에 그래프로서 도시한다.
도 4에 도시한 바와 같이, P>1.0에서는 반응 생성물의 부착은 거의 보이지 않는다. 또, 0.9≤P≤1.0에서는 P가 작아짐에 따라서, 부착 반응 생성물의 양은 서서히 증가하는 정도이다. 이에 비해서, P<0.9에서는 부착 반응 생성물의 양은 급증하고 있다.
따라서, 회전 기구부 내부의 유지 및 보수 빈도를 고려한 경우, P는 0.9 이상으로 제어되는 것이 바람직함을 알 수 있다.
이상으로부터, 웨이퍼 오염을 피해 그 품질을 유지하고, 게다가, 회전 기구부 내부의 유지 및 보수 빈도를 줄이기 위해서는 상기 처리로 내압(p1)과 회전 기구부 내압(p2)과의 비(P)(P=p2/p1)를 다음의 범위로 유지하는 것이 중요하다는 것이 인정되었다. 이 범위는 다음과 같다.
0.9≤P≤1.0
본 발명에 따른 감압 에피택셜 성장 장치 및 그 장치의 제어 방법에 따르면, 반도체 웨이퍼의 금속 오염을 방지함과 동시에, 서셉터를 회전시키는 회전 기구부의 퍼지(유지 및 보수) 빈도를 줄일 수 있다.

Claims (5)

  1. 처리로와, 처리로 내부에 배치되어 반도체 웨이퍼를 얹어 놓고 회전하는 서셉터와, 상기 서셉터를 회전시키는 회전 기구부와, 처리로 내부에 성막용 가스를 도입하는 가스 도입관과, 상기 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관을 구비한 감압 에피택셜 성장 장치에 있어서,
    상기 회전 기구부 내부를 퍼지하기 위한 퍼지 가스 도입관과,
    상기 퍼지 가스 도입관을 통하여 도입된 가스를 배출하는 퍼지 가스 배출관과,
    상기 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브와,
    상기 회전 기구부 내의 내압을 검출하는 제1 압력계와,
    상기 제1 압력계에 의해 검출된 압력에 기초해서 연산 처리하여 회전 기구부 내부의 압력이 적정치가 되도록 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브의 개방도를 제어하는 제1 연산/제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 감압 에피택셜 성장 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리로의 내압을 검출하는 제2 압력계 및 회전 기구부 내의 내압을 검출하는 제1 압력계를 구비하고, 상기 제1 연산/제어부는 상기 검출된 처리로의 내압 및 회전 기구부 내의 내압에 기초해서 연산 처리하여 상기 회전 기구부 내부의 압력이 적정치가 되도록 퍼지 가스 배출관에 설치된 제1 압력 조정 밸브의 개방도를 제어하는 것을 특징으로 하는 감압 에피택셜 성장 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관에 설치된 제2 압력 조정 밸브, 상기 처리로의 내압을 검출하는 제2 압력계, 및 상기 제2 압력계에 의해 검출된 처리로의 내압에 기초해서 연산 처리하여 처리로 내부의 압력이 적정치가 되도록 성막용 가스를 배출하는 가스 배출관에 설치된 제2 압력 조정 밸브의 개방도를 제어하는 제2 연산/제어부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 감압 에피택셜 성장 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 기재된 감압 에피택셜 성장 장치의 제어 방법에 있어서, 상기 처리로의 내압을 p1으로 하고, 상기 회전 기구부 내압을 p2로 했을 때, p2와 p1의 비(P)(P=p2/p1)를 0.9≤P≤1.0의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 감압 에피택셜 성장 장치의 제어 방법.
  5. 제3항에 기재된 감압 에피택셜 성장 장치의 제어 방법에 있어서, 상기 처리로의 내압을 p1으로 하고, 상기 회전 기구부 내압을 p2로 했을 때, p2와 p1의 비(P)(P=p2/p1)를 0.9≤P≤1.0의 범위로 제어하는 것을 특징으로 하는 감압 에피택셜 성장 장치의 제어 방법.
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