JP2008144182A - 撥水処理剤、撥水処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品と実装基板との位置合わせにおいて容易にセルフアライメントできるように、接着剤を、実装基板表面の所定の部位に選択性良くかつ容易に塗布する。
【解決手段】電子部品用の実装基板の表面に撥水処理剤を付着させる撥水処理工程と、該撥水処理した面に電子部品と実装基板との親水性接着剤を塗布する工程とを含む電子部品実装体の製造方法であって、好ましくは、撥水処理剤は、平均粒径が１〜１００ｎｍで水との接触角が１００°以上の粒子を含有する。
【選択図】なし

Description

本発明は、撥水処理剤、撥水処理方法に関する。

固体表面の水に対する濡れ性の尺度として水との接触角があり、接触角が大きいものは撥水性が大きいと言われる。特に、接触角が１５０°以上になるものを超撥水性と呼ばれ、高い撥水性や滑水性を持つため、防汚性等の機能を有する。

撥水処理としては、従来、フッ素樹脂等の非極性の樹脂を被覆することや、メッキ処理、表面エッチング等の方法によって表面の凹凸を形成することが知られている。しかし、非極性樹脂を被覆したものは、表面の汚染等により効果が低下する等の問題があり、また、表面形状を凹凸に加工したものは、その凹部に汚染物質が入り込む等により、表面の汚染が除去しにくい等の問題があった。さらに、撥水処理した面から撥水処理剤を除去することは難しく、必要な工程においてのみ撥水処理を施すのは困難であった。

電子部品を実装基板に搭載して実装体を得る方法として、液状またはペースト状の導電性接着剤を実装基板に塗布してその上に電子部品を実装することが行われてきた。電子部品実装体が小型化されるに伴って、該接着剤を塗布するパターンも細密化され、実装時における電子部品と実装基板との位置合わせの精度の向上が要求されている。

本発明者らは、接着剤が所定の部位に選択的にかつ容易に塗布されるように、予め実装基板の表面に選択的に撥水処理を施すことに着目し、さらに撥水処理剤および撥水処理方法について鋭意検討を重ねて本発明を完成させた。

すなわち、本発明は、上記問題点に鑑み、撥水性に優れ、除去が容易であり、複数回の撥水処理が可能な撥水処理剤を提供するものである。

また、本発明は、上記撥水処理剤により、耐久性に優れ、また、目的に応じて任意の部位のみ選択性良く容易に撥水性を付与する撥水処理方法を提供するものである。

さらに、本発明は、上記撥水処理剤を使用した撥水処理方法により、実装の位置合わせにおいて容易にセルフアライメントできる電子部品実装体の製造方法を提供するものである。

本発明は、平均粒径が１〜１００ｎｍの粒子を含有してなる撥水処理剤に関し、特に前記撥水処理剤が半導体素子等の電子部品用の実装基板の表面撥水化に用いられるのが好ましい。

また本発明は、上記撥水処理剤を該被処理面の全体または一部に付着させる撥水処理方法に関するものである。

本発明の撥水処理剤は、水との接触角が大きく、被処理面を傾けると、水は落下し、被処理面に残らないため、汚染が少ない等の利点を有する。洗浄により、容易に撥水性を除去することが可能であり、必要に応じて接着、表面処理等を容易に行うことができる。

また、本発明の撥水処理方法によれば、全面に親水性材料を塗布するだけで、所定の位置に親水性材料が印刷される。

さらに、本発明を電子部品実装体の製造方法に適用すれば、通常の接着剤のスクリーン印刷で使用される、スクリーン作製及び位置あわせの必要がなく、位置ずれもないため、実装基板の製造工程上、有益である。さらに、半導体チップ等の電子部品が実装時にセルフアライメントされ、位置ずれを精度良く修正できるので、実装体の製造工程が簡略化され、有益である。

電子部品として、例えば半導体素子、コンデンサ、抵抗等が挙げられ、実装基板として、例えば回路基板、多層基板やハイブリッドＩＣ等が挙げられる。

本発明の撥水処理剤に使用する粒子の平均粒径は１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である必要がある。平均粒径が１ｎｍ未満の場合、２次凝集が著しく、撥水効果が低下する。また１００ｎｍ超の場合、撥水の効果が減少するため好ましくない。

なお、平均粒径の表し方には数種類あるが、本発明においては、粒子をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて観察し、任意の１００個の粒子についてその最も長い径を測定し、その平均値を平均粒径とする。

本発明の撥水処理剤は、平均粒径が１〜１００ｎｍの粒子の単体であっても、上記粒子を樹脂組成物、溶剤、水等に分散させたものでも良い。粒子を樹脂組成物、溶剤、水等に分散させたものは、撥水処理剤塗布時に粒子の飛散による汚染がなく、撥水処理が容易に行える点で好ましい。

前記の溶剤としては、特に制限は無いが、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−エトキシエタノール、トルエン、キシレン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール等比較的低沸点（およそ２００℃以下）の溶媒を使用するのが好ましい。また、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等比較的高沸点の溶媒を加えることもできる。

粒子を分散させる前記樹脂組成物としてはエポキシ樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂及びその硬化剤、アクリルゴム、アクリロニトリルブタジエンゴム、シリコーンゴム、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミド等の高分子化合物、及びそれらの共重合物または混合物等が挙げられる。

特に、樹脂組成物が熱硬化性であると、撥水処理剤を被処理面へ塗布して加熱乾燥後に、溶剤等が付着した場合でも樹脂が溶解せず、塗膜表面の微細な凹凸形状を維持出来る点で好ましい。

撥水処理剤は平均粒径１〜１００ｎｍの粒子と樹脂組成物と溶剤とを含むのが好ましく、さらに前記粒子７６〜９５重量部、樹脂組成物５〜３４重量部及び溶剤を含んだものが好ましい。このような系では、被処理面へ塗布した後、溶剤の乾燥により塗膜表面に生じる凹凸の強度が高いため、良好な撥水性を付与できる。特に、平均粒径１〜１００ｎｍの粒子７６〜８５重量部、樹脂組成物１５〜３４重量部の場合、接着性や塗膜の可とう性を維持したまま、撥水性を付与できる点でより好ましい。溶剤の量は、撥水処理剤の取り扱いやすさ、溶剤の揮発性等を考慮して適宜選択できるが、粒子７６〜９５重量部、樹脂組成物５〜３４重量部の場合には、一般に５００〜４０００重量部が好ましい。

上記溶剤、樹脂組成物中に粒子を分散させた撥水処理剤の製造方法としては、粒子の分散性を考慮して、例えば、らいかい機、３本ロール、ボールミルまたはビーズミル等を使用して、撹拌、混練する方法等が挙げられる。これらの装置は単独で、または二種類以上を組み合わせて使用することができる。粒子を混合した後、真空脱気等によって、溶剤、ワニス中の気泡を除去することが好ましい。

粒子としては平均粒径が１〜１００ｎｍであれば有機粒子、無機粒子共に、特に制限が無く用いることができ、例えば、フィラーとして通常使用されるものを用いることができる。

無機粒子としては、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム（アルミナ）、酸化チタン、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化銅、酸化ホルミウム、酸化ネオジウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素等の金属塩粒子、金、銀、銅、アルミニウム等の金属粒子、結晶質シリカ、非晶質シリカ等のシリカ粒子等が挙げられ、中でも、各種シリカ粒子、アルミナ、酸化チタンが入手が容易である点で好ましい。これらは単独でまたは二種類以上を組み合わせて使用することができる。

有機粒子としては、例えば、各種ゴム粒子等が挙げられ、具体的には、アクリロニトリルブタジエンゴム粒子、シリコーンゴム粒子等が挙げられる。

また、上記粒子の形状としては、平均粒径が１〜１００ｎｍであれば特に制限はなく、球状（真球状でないものも含む。）、フレーク状、針状等種々公知のものを広く利用することができる。

上記無機粒子としては、例えば、シリカはシーアイ化成株式会社からナノテックＳｉＯ₂（接触角：４３度、平均粒径：１２ｎｍ）という商品名で、或いは日本アエロジル株式会社からアエロジルＲ９７２（平均粒径：１６ｎｍ）という商品名で市販されている。アルミナは、シーアイ化成株式会社からナノテックＡｌ₂Ｏ₃（接触角：５５度、平均粒径：３３ｎｍ）という商品名で市販されている。三酸化二アンチモンは日本精鉱株式会社からＰＡＴＯＸ−Ｕ（接触角：４３度、平均粒径：２０ｍｍ）という商品名で市販されている。

本発明において使用する粒子は、水との接触角が１００°以上であることが好ましい。水との接触角が１００度未満の場合、撥水効果が減少する傾向がある。なお、本明細書において、接触角とは粒子の水との接触角を指し、例えば、以下の方法で測定することができる。

粒子をハンドプレス（理研精機株式会社製、モデルＮｏ：Ｐ−１６Ｂ−０２８）を用いて、成形圧力：４００ｋｇｆ／ｃｍ²で３分間圧縮して成形し、大きさ：１３ｍｍφ、厚さ１〜５ｍｍ平板を作製する。その上に水滴（０．００５〜０．０３ｇ）を滴下し、その水滴が平板と接触する角度を接触角計で測定する。接触角の値は、この測定を１０回行い、その平均値を採用する。

水との接触角が１００°以上である粒子としては、例えば、表面に有機物を被覆したシリカ粒子等が挙げられる。表面に有機物を被覆したシリカ粒子は、例えば、シリカ表面にジメチルジクロロシランをコートし、４００℃の反応器中で加水分解させ、メチル基等からなる有機物の表面処理を行う等して得ることができ、具体的には、日本アエロジル株式会社製のＲ９７２（接触角１５０°、平均粒径：１６ｎｍ）、Ｒ２０２（接触角１３０°、平均粒径：１４ｎｍ）、Ｒ８１２（接触角１５０°、平均粒径：７ｎｍ）、Ｒ９７４（接触角１４０°、平均粒径：１２ｎｍ）、ＲＹ２００（接触角１３０°平均粒径：７ｎｍ）等が挙げられる。粒子表面を被覆する有機物としては、上記のようなシラン化合物の他に、フッ素化合物を使用することができる。

本発明の撥水処理剤は、以下の撥水処理方法により、被処理面の全体に付着させることも、また、被処理面の一部に付着させて位置選択的に撥水処理を施すことも可能である。本発明の撥水処理剤の使用には、特に制限はなく、平均粒径が１〜１００ｎｍの粒子をそのまま撥水処理剤として使用する場合は、例えば、刷毛、へら、布等を用いて被処理面に直接塗布する方法等が挙げられる。また、粒子を溶剤、ワニス等に分散させて使用する場合は、被処理面に撥水処理剤を塗布したのち溶剤を乾燥させる方法等が挙げられる。

具体的な塗布方法としては、例えば、刷毛、へら、布を用いて塗布する方法、塗工、印刷、スプレー、浸せき等の手段により均一に塗布する方法等が挙げられる。上記の塗工の方式としては、例えば、ナイフコータ、コンマロールコータ、リバースロールコータ、キスコータ、カレンダーコータ、グラビアロールコータ、ロッドコータ等の通常使用される全面に均一に塗布する塗工方式等が挙げられる。また、上記の印刷の方式としては、例えば、凸版、平版、グラビア、スクリーン印刷等が挙げられる。

また、上記方法以外にも、撥水処理剤をあらかじめ他のフィルムや布等に塗布または含浸させたものを被処理面に接触させることもできる。これらの使用方法は、撥水処理剤の使用量、被処理面の面積、特性等に応じて自由に選択することができる。

本発明の撥水処理剤は、使用する粒子によっては、被処理面に過剰に付着すると、表面の透明性や平滑性が失われることがあるため、これらの特性を維持したい場合には、過剰に塗布された撥水処理剤を除去することが好ましい。

上記除去方法としては、例えば、刷毛、ヘラ、布等を用いて余分な粒子を除去する方法等が挙げられる。さらに、本発明の撥水処理剤は除去が容易であるため、上記以外の方法でも、例えば、水、溶剤等を吹き付ける方法、空気、窒素ガス等で吹き飛ばす方法等の、被撥水処理面にキズ、変形等の衝撃を与えない方法で除去することができる。

被処理面における粒子の付着量は１ｍｍ四方あたり１０個以上であることが好ましい。１０個未満の場合、撥水性が劣る傾向がある。なお、粒子の付着量は、例えば以下の（１）〜（３）の方法等を用いて算出することができる。

（１）：走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で用いた粒子の平均粒径の１００倍の長さを１辺とする正方形の面積Ａ（ｍｍ²）を有する場所を設定する。

（２）：その正方形中にある粒子の数Ｂを測定する。

（３）：Ｂ／Ａを算出する。

（４）：（１）〜（３）を５回繰り返し、得られたＢ／Ａの平均値を粒子の付着量とする。

本発明の撥水処理剤を使用する被処理面は、固体状のものとしては、例えば、金属、セラミックス、ガラス、プラスチックスが挙げられる。上記プラスチックスとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムを使用することができ、これらプラスチックフィルムは表面を予め離型処理して使用することもできる。

また、上記被処理面は凹凸を有するものであってもよい。このような被処理面としては、例えば、半導体等の電子部品を搭載する実装基板等の表面の他、印刷原板の表面、塗料を塗布した表面が挙げられる。また、上記被処理面はゲル状物、粘性の高い液体等であってもよい。他に、被処理面として、紙、繊維、布、不織布、ゴム、皮、皮膚等にも使用できる。

実装基板としては、具体的には、アルミナ基板、窒化アルミ基板等のセラミック基板、ガラスクロスにエポキシ樹脂組成物を含浸させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂組成物を含漬させたＢＴ基板、ポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板等の有機基板等が例示される。

本発明の撥水処理剤は、一旦被処理面に施した後、撥水処理が不要な部分の撥水処理剤を除去するのが容易である。これにより、例えば、凹凸を有する被処理面の凹部にのみ撥水処理を施したい場合に特に好適に使用することができる。このような場合として、例えば、配線基板の凹部にのみ撥水処理剤を付着させる撥水処理方法等が挙げられる。上記配線基板上は、通常、配線が凸部で、基板が凹部になっている。このような凹凸を有する被処理面の凹部にのみ撥水処理を行う場合には、例えば、全面に撥水処理剤を塗布した後、凸部の配線上の撥水処理剤のみを平板等で掻き取って除去することで、凹部のみ撥水処理が施される。次いで、親水性材料を該被処理面の全面に塗布すれば、撥水処理剤が除去された凸部の配線上のみに、選択的に親水性材料が付着する。

撥水処理剤を掻き取る用具は平板の他、平板状のスキージに濾紙を巻き付けたものが挙げられる。また、被処理面が平面であっても、塗布の際に例えばスクリーン状のパターンを介したり、塗布後に掻き取って剥離させたりすることにより、所望の位置のみに微細かつ精度良く撥水処理を施すことができる。

以下、図面に沿って、本発明の撥水処理方法の実施態様の一例を説明する。図１（Ｉ）〜（IV）は、実装基板上の所望の部位に銀接着剤を塗布する工程を順に示す断面模式図である。図１（Ｉ）に示すように、回路用銅パターン１を設けた基材フィルム（ポリイミド製フレキシブル基板）２を用意し、図１（II）に示すように、該基材フィルム２上に本発明の撥水処理剤３を塗布する。６０℃１０分程度で乾燥した後、平板を銅パターン１上に密着させ数回往復させると、図１（III）に示すように銅パターン１上の撥水処理剤３は除去され、銅パターン間の凹部のみ撥水処理剤３の粒子が残存する。

次いで、親水性材料として、銀接着剤４を全面に塗布し、６０℃１０分間乾燥すると、図１（IV）に示すように撥水処理剤が除去された銅パターン上にのみ銀接着剤４が付着することとなる。

一方、上記と同種の基材フィルム２上に上記撥水処理剤３を塗布せず、銀接着剤４を全面に塗布し、乾燥すると、銀接着剤４は基材フィルム上全面に分散する。図３に全面に分散した状態の断面模式図を示す。

次に、本発明が適用される電子部品実装体の製造方法について説明する。電子部品実装体の製造方法は、実装基板の表面を処理する撥水処理工程と、該撥水処理をした面に電子部品と実装基板との親水性接着剤を塗布する塗布工程とを含むものである。該撥水処理工程の後、例えば、図１（IV）の回路上に銀接着剤４を塗布し、次いで乾燥、回路上に電子部品を設置、銀接着剤を１７０℃で１時間熱硬化することにより固定して電子部品実装体を製造することができる。ここで、撥水処理される被処理面は実装基板の表面、すなわち図１でいうフレキシブル基板の表面であり、電子部品と実装基板との接着剤は親水性であって、図１でいう銀接着剤に相当する。

電子部品実装体の製造方法においては、特に上記本発明の撥水処理方法により実装基板表面を処理した撥水処理工程の後に、実装基板上に塗布された、電子部品と実装基板との接着剤は、撥水処理されていないか、もしくは撥水処理剤を剥離した、実装基板上の所望の特定の部分のみに精密に局在させることができる。よって、電子部品を接着剤に接触させると、銀接着剤の表面張力により電子部品を容易にセルフアライメントすることができ、電子部品を実装基板に対して精度良く位置合わせ配置できる。さらに、撥水処理された実装基板表面は防汚性が付与されるため、実装体の製造工程中の汚染による不良品発生が低減される。

親水性接着剤としては、例えば、半導体素子とリードフレームマウント部との接着に使用される銀接着剤４が挙げられ、具体的には、ポリビニルアルコール １０重量部に、銀フレーク（徳力化学株式会社製、製品名ＴＣ−２０Ｅ）４０重量部を撹拌混合して得られた銀接着剤が例示される。

以下において本発明を実施例に基き更に詳しく説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（実施例１〜８）
下記の被処理面１〜３を作製した。

（被処理面１）ガラス板に両面紙粘着テープ（コクヨ株式会社製、商品名Ｔ−２２５）を貼り、離型紙を取り除き、粘着面が表面に露出するようにした。

（被処理面２）銅箔（古河電工株式会社製ＧＴＳ−３５）の粗化面。

（被処理面３）印刷紙（株式会社ＮＢＳリコー製 中性紙マイペーパー９０−１３１１）を用いた。

上記で得た被処理面１〜３に、下記の撥水処理剤試料および撥水処理方法１〜４を、表１に示すように組み合わせて処理サンプル１〜８をそれぞれ作製し、水との接触角を測定した（実施例１〜８）。水との接触角の値を表１に併記する。

（撥水処理剤試料および撥水処理方法１） メチル基等からなる有機物の表面処理を行った粒子として、日本アエロジル株式会社製の製品名Ｒ９７２（シラン化合物被覆シリカ、接触角１５０°、平均粒径：１６ｎｍ）１ｇをＭＥＫ １００ｇ中に添加し、１０分間、攪拌モータで攪拌し、真空脱泡して撥水処理剤試料（１）を作製した。被処理面に撥水処理剤試料（１）を刷毛で塗布後、６０℃で１０分間乾燥した。

（撥水処理剤試料および撥水処理方法２） 日本アエロジル株式会社製の製品名Ｒ９７２（接触角１５０°、平均粒径：１６ｎｍ）をそのまま撥水処理剤試料（２）として、被処理面に刷毛で塗布後、風速２０ｍ／分のファンで過剰な粒子を除去した。

（撥水処理剤試料および撥水処理方法３） 日本アエロジル株式会社製の製品名Ｒ２０２（シラン化合物被覆シリカ、接触角１３０°、平均粒径：１４ｎｍ）１ｇをＭＥＫ １００ｇ、アクリルゴム ０．２ｇ中に添加し、１０分間、攪拌モータで攪拌し、真空脱泡して撥水処理剤試料（３）を作製した。撥水処理剤試料（３）を被処理面に刷毛で塗布後、６０℃で１０分間乾燥した。

（撥水処理剤試料および撥水処理方法４）
日本アエロジル株式会社製の製品名Ｒ９７２（接触角１５０°、平均粒径：１６ｎｍ）１５ｇをＭＥＫ ３００ｇ、エポキシ樹脂組成物（硬化剤、硬化促進剤を含む）２ｇに添加し、ビーズミルで１０分間攪拌した後、ビーズを除去及び真空脱泡して撥水処理剤試料（４）を作製した。被処理面２に撥水処理剤試料（４）をコータで塗布後、１７０℃で３０分間乾燥した。

ここで、上記エポキシ樹脂組成物は、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製の製品名エピコート８２８）４０重量部、
硬化剤（大日本インキ化学工業株式会社製の製品名ＬＦ２８８２）２３重量部、硬化促進剤（１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、四国化成工業株式会社製の製品名２ＰＺ−ＣＮ）０．４重量部とした。

（比較例１〜３） 被処理面１〜３に撥水処理剤試料を塗布しなかった以外は実施例１、２および５と同様にして処理サンプル９〜１１を作製し、水との接触角を実施例と同様に測定した。水との接触角を表１に併記する。

処理サンプル１〜８はいずれも水との接触角が大きく、被処理面を水平から３０度傾けると、水は落下し、被処理面に残らなかった。

（実施例９、１０：撥水処理剤除去後の接触角）
処理サンプル２、３の撥水処理面をＭＥＫ中で１０分間超音波洗浄した。超音波洗浄前後の、水との接触角の変化を表２に示す。

表２から、洗浄により、容易に撥水処理剤を除去することができ、以上から、接着、表面処理等を必要に応じて選択して容易に実施できることがわかった。

（実施例１１）
図１（Ｉ）に示すように、実装基板として、４００μｍ間隔で２００μｍ幅、厚さ３５μｍの銅パターン（銅箔回路）１を設けた基材フィルム（ポリイミド製フレキシブル基板）２を用意した。図１（II）に示すように、該基材フィルム２上に撥水処理剤３として上記で調製した撥水処理剤試料（１）を塗布した。６０℃１０分乾燥した後、平板上のスキージに濾紙を巻き付けたものを回路上に密着させ３回往復させたところ、図１（III）に示すように回路上の撥水処理剤３は除去され、銅パターン１間の凹部のみ撥水処理剤３の粒子が残存していた。次いで、水に水溶性ポリマと銀フレークを分散させた銀接着剤４（ポリビニルアルコール１０重量部に、銀フレーク（徳力化学株式会社製、製品名ＴＣ−２０Ｅ）４０重量部を撹拌混合して得られた銀接着剤）を全面に塗布し、６０℃１０分間乾燥したところ、図１（IV）に示すように銅パターン１上にのみ銀接着剤４が付着していた。

（比較例４）
実施例１１で用いたのと同じ基材フィルム２上に上記撥水処理剤３を塗布せずに銀接着剤４を全面に塗布し、６０℃１０分間乾燥した。

図３に示すように、比較例４では銀接着剤４は全面に分散していたのに対して、実施例１１では、図１（IV）に示すように銅パターン１上にのみ分布していた。

（実施例１２）
図２（Ｉ）〜（Ｖ）に、本実施例により、銀接着剤で半導体素子と基材フィルムとを接着する工程の断面模式図を順に示した。図２（I）に示すように、実装基板として、４００μｍ間隔で直径２００μｍ、厚さ３５μｍの銅箔のパッド６を設けた基材フィルム（ポリイミド製フレキシブル基板）５を用意した。該基板上に撥水処理剤３として上記で調製した撥水処理剤試料（１）を塗布し、６０℃１０分乾燥した後に、実施例１１と同様にして、図２（II）に示すように銅パターン上の撥水処理剤３を除去した。その後、実施例１１で用いたものと同じ銀接着剤７を全面に塗布したところ、図２（III）に示すように、銀接着剤７はパッド６上にのみ分布していた。

この基材フィルム５のパッド６上に、図２（IV）に示すように、半導体素子８のパッド９とを位置合わせした。位置合わせ時にはパッド６、９同士の中心間に５０μｍのずれがあった。そのまま、半導体素子８を下方に移動させ、図２（Ｖ）に示すように、銀接着剤７が両方のパッド６、９に接するようにした。半導体素子８を図示しない位置合わせ装置から離して基材フィルム５上に載せたところ、パッドの中心間のずれは３μｍであった。この半導体素子を載せた基材フィルムを６０℃１０分間乾燥したところ、パッドの中心間のずれは３μｍのままであった。

（Ｉ）〜（IV）は、本発明により、実装基板上の所望の部位に銀接着剤を塗布する工程を順に示す断面模式図である。 （Ｉ）〜（Ｖ）は、本発明により、銀接着剤で半導体素子と基材フィルムとを接着する工程を順に示す断面模式図である。 本発明の撥水処理を施さない実装基板上に銀接着剤を塗布し、乾燥した状態の一例を示す断面模式図である。

符号の説明

１ 銅パターン ２、５ 基材フィルム（実装基板）
３ 撥水処理剤 ４、７ 銀接着剤
６、９ パッド ８ 半導体素子

Claims (13)

1. 平均粒径が１〜１００ｎｍの粒子を含有してなる撥水処理剤。
2. 電子部品用の実装基板の表面の撥水化に用いられる請求項１記載の撥水処理剤。
3. 該粒子と水との接触角が１００°以上である請求項１または２記載の撥水処理剤。
4. 該粒子がシリカ、アルミナ、酸化チタンからなる群より選ばれる一種または二種類以上を含有する請求項１、２または３記載の撥水処理剤。
5. 該粒子の表面が有機物で被覆されている請求項１、２、３または４記載の撥水処理剤。
6. 該有機物がシラン化合物またはフッ素化合物である請求項５記載の撥水処理剤。
7. 平均粒径１〜１００ｎｍの粒子７６〜９５重量部、樹脂組成物５〜３４重量部及び溶剤を含み、溶剤の乾燥により、表面に凹凸が生じる請求項１〜６のいずれか記載の撥水処理剤。
8. 樹脂組成物が熱硬化性である請求項７記載の撥水処理剤。
9. 請求項１〜８のいずれかに記載の撥水処理剤を被処理面の全体または一部に付着させることを特徴とする撥水処理方法。
10. 被処理面上の粒子の付着量が１０個／ｍｍ²以上である請求項９記載の撥水処理方法。
11. 該撥水処理剤を被処理面に施した後、撥水処理が不要な部分の撥水処理剤を除去する請求項９または１０記載の撥水処理方法。
12. 凹凸を有する被処理面の凹部のみ該撥水処理剤を付着させる請求項１１記載の撥水処理方法。
13. 凹凸を有する被処理面に撥水処理剤を施した後、凸部の撥水処理剤のみを除去する請求項１２記載の撥水処理方法。

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