JP2008140793A - 電子装置の製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10上にダミー11膜を基板10上の素子領域10Aおよびその外側の外部領域10Bを覆うように形成してパターニングし、ダミーパターン11を素子領域10Aにおいては第1の高さH1に、外部領域10Bにおいては第1の高さH1よりも小さい第2の高さH2を有するように形成し、基板10上に別の膜12をダミーパターン11A,Bを覆うように形成し、膜12を異方性エッチングして素子領域中のダミーパターン11Aの側壁面に沿って第1および第2のパターン12A、Bを形成し、かつ、外部領域10Bにおいては膜12消失させ、素子領域10Aにおいて、第1および第2のパターン12A,Bを使って電子装置を形成する。
【選択図】図2
Description
前記異方性エッチングは、前記外部領域において前記別の膜が残留しないように実行されることを特徴とする電子装置の製造方法を提供する。
最初に本発明の原理を図1(A)〜図4(H)を参照しながら説明する。
δ〜T1/sinθ
により与えられる。
H1>H2+T1/sinθ
を満たす必要がある。ただしここで前記パターン部分11Bの高さH2はゼロであってもよい。
[第1の実施形態]
図8(A),(B)は、本発明の第1の実施形態が適用される1T1C型のDRAMあるいはFeRAM(強誘電体メモリ)の構成を示す。ただし図8(A)は前記DRAMあるいはFeRAMの1セル分の等価回路図を、図8(B)は4セル分の平面図を示す。以下の説明は、DRAMについて行うが、本実施形態はFeRAMに対しても適用可能である。
[第2の実施形態]
次の本発明の第2の実施形態によるクロスバー素子を、図11(A),(B)を参照しながら説明する。
基板上にダミー膜を、前記ダミー膜が前記基板上の素子領域およびその外側の外部領域を覆うように形成する工程と、
前記ダミー膜をパターニングしてダミーパターンを、前記ダミーパターンが、前記素子領域においては、第1の高さを、前記外部領域においては前記第1の高さよりも小さい第2の高さを有するように、形成する工程と、
前記基板上に別の膜を、前記別の膜が前記素子領域および前記外部領域において前記ダミーパターンを、前記ダミーパターンの断面形状に整合して覆うように形成する工程と、
前記別の膜に対して、前記基板に対して略垂直方向に作用する異方性エッチングを、前記素子領域および外部領域において前記基板の表面が露出するように実行し、前記素子領域中、前記ダミーパターンの第1の側壁面および前記第1の側壁面に対向する第2の側壁面に沿って、第1および第2のパターンを、前記外部領域においては消失するように形成する工程と、
前記素子領域において、前記第1および第2のパターンを使って電子装置を形成する工程と、を含み、
前記異方性エッチングは、前記外部領域において前記別の膜が残留しないように実行されることを特徴とする電子装置の製造方法。
前記凹部中に第1の方向に延在する第1のダミーパターンを形成する工程と、
前記第1のダミーパターンを、第1の導電膜により、前記第1のダミーパターンの断面形状に整合した形状で覆う工程と、
前記第1の導電膜に対して、前記基板表面に対して実質的に垂直に作用する異方性エッチングを、前記凹部の外側領域において前記第1の導電膜が消失するように実行し、前記凹部中において前記第1のダミーパターンの側壁面上に、導電体よりなる一対の第1の側壁膜を、前記凹部の深さよりも低く形成する工程と、
前記第1のダミーパターンを前記一対の第1の側壁膜および前記基板に対して選択的に除去し、下側電極パターンを、前記第1の方向に延在する前記一対の第1の側壁膜の形で形成する工程と、
前記下側電極パターン表面を、機能膜により、前記下側電極パターンを構成する前記一対の側壁膜の断面形状に整合した形状で覆う工程と、
前記基板上に前記下側電極パターンを、前記機能膜を介して覆うように、また前記凹部を充填するように、平坦な表面を有するダミー膜を形成する工程と、
前記ダミー膜をパターニングして、前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する第2のダミーパターンを、前記第2のダミーパターンが前記凹部からその外側領域まで連続して覆うように形成する工程と、
前記第2のダミーパターンを、第2の導電膜により、前記第2のダミーパターンの断面形状に整合した形状で覆う工程と、
前記第2の導電膜に対して、前記基板表面に対して実質的に垂直に作用する異方性エッチングを、前記外部領域において前記第2の導電膜が消失するように実行し、前記第2のダミーパターンの側壁面上に、導電体よりなる一対の第2の側壁面を形成する工程と、
前記第2のダミーパターンを前記第2の側壁膜に対して選択的に除去し、上側電極パターンを、前記第2の方向に延在する前記一対の第2の側壁膜の形で形成する工程とよりなり、
前記第2の導電膜に対する異方性エッチングは、前記一対の第2の側壁膜の外側を前記第1の方向に延在する前記一対の第1の側壁膜上に、前記機能膜を介して堆積された前記第2の導体膜が、消失するように実行されることを特徴とする電子装置の製造方法。
前記半導体基板上に、前記第1の方向に対して交差する第2の方向に、第1のダミーパターンを、前記第1のダミーパターンが第1および第2の側壁面で画成され、前記半導体領域上においては第1の厚さを、前記第1および第2の素子分離領域上においては第2の、より小さい厚さを有するように形成する工程と、
前記第1のダミーパターンを、第1のマスク膜により、前記第1のダミーパターンの断面形状に対応した形状で覆う工程と、
前記第1のマスク膜を、前記基板の表面に対して略垂直方向に作用する異方性エッチングにより、前記第1および第2の素子分離領域上においては前記第1のマスク膜が消失するように、また前記半導体領域上においては、前記第1のダミーパターンの前記第1および第2の側壁面上に、それぞれ第1および第2の側壁膜として残留するように、エッチングする工程と、
前記第1のダミーパターンを、前記第1および第2の側壁膜に対して選択的に除去する工程と、
前記第1および第2の側壁膜をマスクに、前記シリコン領域を前記基板面に略垂直方向に作用する異方性エッチングによりエッチングし、前記シリコン領域のうち前記第1および第2の側壁膜で覆われた第1および第2の領域を除いて素子分離溝を形成する工程と、
前記第1および第2の側壁膜を除去し、前記第1の領域により第1の素子領域を、前記第2の領域により第2の素子領域を形成する工程と、
前記シリコン領域中、前記第1の素子領域と前記第2の素子領域のそれぞれの外側の素地分離溝、および前記第1および第2の素子領域の間の素子分離溝を絶縁膜で充填し、それぞれ第3、第4および第5の素子分離領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記基板上に前記第1および第2のゲート絶縁膜を、前記第1〜第5の素子分離領域も含めて覆うようにポリシリコン膜を一様な厚さで堆積する工程と、
前記ポリシリコン膜上に、前記シリコン領域中を前記第1の方向に延在するように、第3および第4の側壁面で画成された第2のダミーパターンを形成する工程と、
前記第2のダミーパターンの前記第3および第4の側壁面上に、それぞれ第3および第4の側壁膜を形成する工程と、
前記前記第2のダミーパターンを除去する工程と、
前記第3および第4の側壁膜をマスクに前記ポリシリコン膜を、前記基板面に略垂直方向に作用する異方性エッチングによりエッチングし、前記ポリシリコン膜により第1および第2のゲート電極パターンを、前記第3および第4の側壁膜にそれぞれ対応して形成する工程と、
をさらに含むことを特徴とする付記10記載の半導体装置の製造方法。
前記第1および第2の素子領域の各々について、前記第1および第2のゲート電極パターンのそれぞれ外側の拡散領域に電気的に接続して、それぞれ対応したメモリセルキャパシタを形成する工程と、
前記第1および第2の素子領域について、前記第1および第2のゲート電極パターンを少なくとも覆う層間絶縁膜中に、前記第1および第2のゲート電極パターンの間の拡散領域にコンタクトして、それぞれ第1および第2のビット線コンタクトプラグを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記第1および第2のビット線コンタクトプラグの間の領域を、前記第1および第2の方向とは異なる第3の方向に延在し、第5および第6の側壁膜で画成された第3のダミーパターンを形成する工程と、
前記第3のダミーパターンの前記第5および第6の側壁面に、導体膜よりなる第5および第6の側壁膜をそれぞれ、前記第1および第2のビット線コンタクトプラグにコンタクトするように、形成する工程と、
よりなることを特徴とする付記11記載の半導体装置の製造方法。
11,11A,11B ダミーパターン
12 膜
12A,12B 側壁膜
20 半導体領域
20I 素子分離領域
20IT 素子分離溝
211,212 素子領域
21a〜21g 拡散領域
221,222 ゲート絶縁膜
23 ポリシリコン膜
23A,23B ゲート電極
23Sw ゲート側壁絶縁膜
24,25 層間絶縁膜
24A,24B,24C コンタクトプラグ
40A 凹部
41 下部電極パターン
41C,43C コンタクトプラグ
42 機能膜
43 上部電極パターン
43M 導体膜
44,51 ダミーパターン
100 半導体ウェハ
BL1,BL2 ビットライン
bl1,bl2 ビットラインコンタクト
CA,CB,CC,CD メモリセルキャパシタ
ca,cb,cc,cd キャパシタコンタクト
DP1,DP1A,DP1B,DP2 ダミーパターン
MP1A,MP1B,MP2A,MP2B マスクパターン
WL1,WL2 ワードライン
Claims (10)
- 基板上への電子装置の製造方法であって、
基板上にダミー膜を、前記ダミー膜が前記基板上の素子領域およびその外側の外部領域を覆うように形成する工程と、
前記ダミー膜をパターニングしてダミーパターンを、前記ダミーパターンが、前記素子領域においては、第1の高さを、前記外部領域においては前記第1の高さよりも小さい第2の高さを有するように、形成する工程と、
前記基板上に別の膜を、前記別の膜が前記素子領域および前記外部領域において前記ダミーパターンを、前記ダミーパターンの断面形状に整合して覆うように形成する工程と、
前記別の膜に対して、前記基板に対して略垂直方向に作用する異方性エッチングを、前記素子領域および外部領域において前記基板の表面が露出するように実行し、前記素子領域中、前記ダミーパターンの第1の側壁面および前記第1の側壁面に対向する第2の側壁面に沿って、第1および第2のパターンを、前記外部領域においては消失するように形成する工程と、
前記素子領域において、前記第1および第2のパターンを使って電子装置を形成する工程と、を含み、
前記異方性エッチングは、前記外部領域において前記別の膜が残留しないように実行されることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記基板上には、前記素子領域に対応して凹部が形成されており、前記ダミー膜は前記凹部を充填し、前記素子領域および前記外部領域にわたり、実質的に一様な平坦面を有するように形成されることを特徴とする請求項1記載の電子装置の製造方法。
- 前記基板は平坦面を有し、前記ダミー膜をパターニングする工程は、前記基板上に前記ダミーパターンを、前記素子領域および外部領域にわたり、前記第1の高さで形成する工程と、前記外部領域において前記ダミーパターンの高さを前記第2の高さまで減じる工程とを含むことを特徴とする請求項1記載の電子装置の製造方法。
- 前記第1および第2のパターンは、前記電子素子の機能部を構成することを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の電子装置の製造方法。
- 前記電子装置を形成する工程は、前記第1および第2のパターンをマスクに、前記素子領域において別の膜をパターニングする工程を含むことを特徴とする請求項1〜3のうち、いずれか一項記載の電子装置の製造方法。
- 前記異方性エッチング工程の後、前記ダミーパターンは、前記第1および第2のパターンに対して選択的に除去されることを特徴とする請求項1〜5のうち、いずれか一項記載の電子装置の製造方法。
- 基板上の素子領域へのクロスバー構造を有する電子装置の製造方法であって、前記基板上には、前記素子領域に対応して凹部が形成されており、前記電子装置の製造方法は、
前記凹部中に第1の方向に延在する第1のダミーパターンを形成する工程と、
前記第1のダミーパターンを、第1の導電膜により、前記第1のダミーパターンの断面形状に整合した形状で覆う工程と、
前記第1の導電膜に対して、前記基板表面に対して実質的に垂直に作用する異方性エッチングを、前記凹部の外側領域において前記第1の導電膜が消失するように実行し、前記凹部中において前記第1のダミーパターンの側壁面上に、導電体よりなる一対の第1の側壁膜を、前記凹部の深さよりも低く形成する工程と、
前記第1のダミーパターンを前記一対の第1の側壁膜および前記基板に対して選択的に除去し、下側電極パターンを、前記第1の方向に延在する前記一対の第1の側壁膜の形で形成する工程と、
前記下側電極パターン表面を、機能膜により、前記下側電極パターンを構成する前記一対の側壁膜の断面形状に整合した形状で覆う工程と、
前記基板上に前記下側電極パターンを、前記機能膜を介して覆うように、また前記凹部を充填するように、平坦な表面を有するダミー膜を形成する工程と、
前記ダミー膜をパターニングして、前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在する第2のダミーパターンを、前記第2のダミーパターンが前記凹部からその外側領域まで連続して覆うように形成する工程と、
前記第2のダミーパターンを、第2の導電膜により、前記第2のダミーパターンの断面形状に整合した形状で覆う工程と、
前記第2の導電膜に対して、前記基板表面に対して実質的に垂直に作用する異方性エッチングを、前記外部領域において前記第2の導電膜が消失するように実行し、前記第2のダミーパターンの側壁面上に、導電体よりなる一対の第2の側壁面を形成する工程と、
前記第2のダミーパターンを前記第2の側壁膜に対して選択的に除去し、上側電極パターンを、前記第2の方向に延在する前記一対の第2の側壁膜の形で形成する工程とよりなり、
前記第2の導電膜に対する異方性エッチングは、前記一対の第2の側壁膜の外側を前記第1の方向に延在する前記一対の第1の側壁膜上に、前記機能膜を介して堆積された前記第2の導体膜が、消失するように実行されることを特徴とする電子装置の製造方法。 - 第1の側および第2の側をそれぞれ第1および第2の素子分離領域により画成され第1の方向に延在する半導体領域を有する半導体基板上への半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に、前記第1の方向に対して交差する第2の方向に、第1のダミーパターンを、前記第1のダミーパターンが第1および第2の側壁面で画成され、前記半導体領域上においては第1の厚さを、前記第1および第2の素子分離領域上においては第2の、より小さい厚さを有するように形成する工程と、
前記第1のダミーパターンを、第1のマスク膜により、前記第1のダミーパターンの断面形状に対応した形状で覆う工程と、
前記第1のマスク膜を、前記基板の表面に対して略垂直方向に作用する異方性エッチングにより、前記第1および第2の素子分離領域上においては前記第1のマスク膜が消失するように、また前記半導体領域上においては、前記第1のダミーパターンの前記第1および第2の側壁面上に、それぞれ第1および第2の側壁膜として残留するように、エッチングする工程と、
前記第1のダミーパターンを、前記第1および第2の側壁膜に対して選択的に除去する工程と、
前記第1および第2の側壁膜をマスクに、前記シリコン領域を前記基板面に略垂直方向に作用する異方性エッチングによりエッチングし、前記シリコン領域のうち前記第1および第2の側壁膜で覆われた第1および第2の領域を除いて素子分離溝を形成する工程と、
前記第1および第2の側壁膜を除去し、前記第1の領域により第1の素子領域を、前記第2の領域により第2の素子領域を形成する工程と、
前記シリコン領域中、前記第1の素子領域と前記第2の素子領域のそれぞれの外側の素地分離溝、および前記第1および第2の素子領域の間の素子分離溝を絶縁膜で充填し、それぞれ第3、第4および第5の素子分離領域を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - さらに前記第1および第2の素子領域上に、それぞれ第1および第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記基板上に前記第1および第2のゲート絶縁膜を、前記第1〜第5の素子分離領域も含めて覆うようにポリシリコン膜を一様な厚さで堆積する工程と、
前記ポリシリコン膜上に、前記シリコン領域中を前記第1の方向に延在するように、第3および第4の側壁面で画成された第2のダミーパターンを形成する工程と、
前記第2のダミーパターンの前記第3および第4の側壁面上に、それぞれ第3および第4の側壁膜を形成する工程と、
前記前記第2のダミーパターンを除去する工程と、
前記第3および第4の側壁膜をマスクに前記ポリシリコン膜を、前記基板面に略垂直方向に作用する異方性エッチングによりエッチングし、前記ポリシリコン膜により第1および第2のゲート電極パターンを、前記第3および第4の側壁膜にそれぞれ対応して形成する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項8記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1および第2の素子領域において、前記第1および第2のゲート電極パターンをマスクにイオン注入を行い、前記第1および第2のゲート電極パターンの外側および前記第1および第2のゲート電極パターンの間にそれぞれの拡散領域を形成する工程と、
前記第1および第2の素子領域の各々について、前記第1および第2のゲート電極パターンのそれぞれ外側の拡散領域に電気的に接続して、それぞれ対応したメモリセルキャパシタを形成する工程と、
前記第1および第2の素子領域について、前記第1および第2のゲート電極パターンを少なくとも覆う層間絶縁膜中に、前記第1および第2のゲート電極パターンの間の拡散領域にコンタクトして、それぞれ第1および第2のビット線コンタクトプラグを形成する工程と、
前記層間絶縁膜上に、前記第1および第2のビット線コンタクトプラグの間の領域を、前記第1および第2の方向とは異なる第3の方向に延在し、第5および第6の側壁膜で画成された第3のダミーパターンを形成する工程と、
前記第3のダミーパターンの前記第5および第6の側壁面に、導体膜よりなる第5および第6の側壁膜をそれぞれ、前記第1および第2のビット線コンタクトプラグにコンタクトするように、形成する工程と、
よりなることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
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