JP2008140430A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】高電圧発生回路10の出力は、第1の転送ゲート13を介してソース線SLに接続され、第2の転送ゲート14を介してワード線WLに接続されている。第1の転送ゲート13は書き込みイネーブル信号WRTによってオンオフが制御されたPチャネル型MOSトランジスタで構成され、第2の転送ゲート14は消去イネーブル信号ERAによってオンオフが制御されたPチャネル型MOSトランジスタで構成されている。また、高電圧発生回路10の出力を、高電圧スイッチング回路11を介さずにソース線SLに供給する第3の転送ゲート15が設けられている。第3の転送ゲート15はPチャネル型MOSトランジスタで構成され、そのゲートには高電圧スイッチング回路11の反転出力が印加される。
【選択図】図1
Description
13 第1の転送ゲート 14 第2の転送ゲート
15 第3の転送ゲート 16 ワード線デコーダ
17 定電流回路 101 P型半導体基板
102 ドレイン 103 ソース
104 チャネル 105 ゲート絶縁膜
106 フローティングゲート 107 厚い絶縁膜
108 トンネル絶縁膜 109 制御ゲート
112 セット用MOSトランジスタ
113 リセット用MOSトランジスタ
114 Pチャネル型MOSトランジスタ
INV1 第1のCMOSインバータ
INV2 第2のCMOSインバータ
SL ソース線 WL ワード線
Claims (4)
- 電気的にデータの消去及び書込みが可能な複数の不揮発性メモリセルトランジスタと、
前記複数の不揮発性メモリセルトランジスタのソースが接続されたソース線と、
前記複数の不揮発性メモリセルトランジスタの制御ゲートが接続されたワード線と、
データの消去及び書き込みのための高電圧を発生する高電圧発生回路と、
選択信号に応じてスイッチングし、高電圧発生回路から発生された高電圧を出力する高電圧スイッチング回路と、
書き込みイネーブル信号に応じて導通し、高電圧スイッチング回路から出力された高電圧をソース線に出力する第1のスイッチと、
消去イネーブル信号に応じて導通し、高電圧スイッチング回路から出力された高電圧をワード線に出力する第2のスイッチと、
書き込みイネーブル信号に応じて導通し、高電圧発生回路から発生された高電圧を、高電圧スイッチング回路を介さずに前記ソース線に出力する第3のスイッチを備えることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記高電圧スイッチング回路は、前記高電圧発生回路から発生された高電圧が電源電圧として印加されると共に、選択信号に応じてセットされるラッチ回路からなることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1のスイッチ、前記第2のスイッチ及び前記第3のスイッチは、転送ゲートからなることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記不揮発性メモリセルトランジスタは、ソース及びドレインと、チャネルの一部上にゲート絶縁膜を介して形成されたフローティングゲートと、このフローティングゲート上に形成された絶縁膜と、フローティングゲートの側面及び前記絶縁膜を被覆して形成されたトンネル絶縁膜と、このトンネル絶縁膜及びチャネルの一部上に形成された制御ゲートと、を備えることを特徴とする請求項1、2、3のいずれかに記載の半導体記憶装置。
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