JP2008134343A - 半導体レンズおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体レンズ1は、半導体基板10をレンズ面14の形状に応じて一表面側から多孔質化した後に酸化することで形成されたカバー部12と、カバー部12を除く半導体基板10の部位からなりカバー部12との境界面からなるレンズ面14を有するレンズ部13とを備えるものであって、半導体基板10の他表面側にレンズ面14の形状に応じて半導体基板10との接触パターンを設計した陽極20を形成する陽極形成工程と、電解液中で半導体基板10の一表面側に対向配置した陰極と陽極20との間に通電して半導体基板10の一部を多孔質化してその一表面側にカバー部12の基礎となる多孔質部11を形成する多孔質化工程と、多孔質部11を酸化してカバー部12およびレンズ部13を形成するカバー部・レンズ部形成工程とを経ることで形成される。
【選択図】図1
Description
本実施形態の半導体レンズ1は、図1(e)に示すように、半導体基板10を用いて形成されており、半導体基板10を所望のレンズ面14の形状に応じて一表面側(図1(a)における上面側)から多孔質化した後に酸化することによって形成されたカバー部12と、カバー部12を除く半導体基板10の部位からなりカバー部12との境界面からなるレンズ面14を有するレンズ部13とを備えている。
Si+2HF+(2−n)h+→SiF2+2H++ne−
SiF2+2HF→SiF4+H2
SiF4+2HF→SiH2F6
すなわち、p形のシリコン基板からなる半導体基板10の陽極酸化では、Fイオンの供給量とホールh+の供給量との兼ね合いで多孔質化あるいは電解研磨が起こることが知られており、Fイオンの供給量の方がホールh+の供給量よりも多い場合には多孔質化が起こり、ホールh+の供給量がFイオンの供給量よりも多い場合には電解研磨が起こる。したがって、本実施形態のように半導体基板10としてp形のシリコン基板を用いている場合には、陽極酸化による多孔質化の速度はホールh+の供給量で決まるから、半導体基板10中を流れる電流の電流密度で多孔質化の速度が決まり、多孔質部11の厚みが決まることになる。本実施形態の場合、半導体基板10の上記一表面側では、陽極20の開孔部22の中心線(半導体基板10の厚み方向に沿った中心線)から離れるほど電流密度が徐々に大きくなるように電流密度の面内分布を有することとなり、半導体基板10の上記一表面側に形成される多孔質部11は、陽極20の開孔部22の中心線に近くなるほど徐々に薄くなることになる。なお、上述の電流密度の面内分布は、陽極20と陰極との間に通電しているときに陽極20と半導体基板10との接触パターンなどにより決まる半導体基板10の電界強度の分布に応じて発生し、電界強度が強いほど電流密度が大きくなり、電界強度が弱いほど電流密度が小さくなる。
本実施形態の半導体レンズ1は、図2(c)に示すように、カバー部12におけるレンズ部13側とは反対側の面(図2(c)における上面)がレンズ部13のレンズ面14に沿った形状となっている点で実施形態1と異なっている。
10 半導体基板
11 多孔質部
11a 第1の多孔質層
11b 第2の多孔質層
12 カバー部
12a 第1のカバー層
12b 第2のカバー層
13 レンズ部
14 レンズ面
20 陽極
21 導電性層
22 開孔部
Claims (9)
- 半導体基板を用いて形成される半導体レンズであって、半導体基板を所望のレンズ面の形状に応じて一表面側から多孔質化した後に酸化することによって形成されたカバー部と、前記カバー部を除く前記半導体基板の部位からなり前記カバー部との境界面からなるレンズ面を有するレンズ部とを備えていることを特徴とする半導体レンズ。
- 前記カバー部は、多孔度が異なる複数の多孔質層を酸化することによって形成されて酸化された前記多孔質層からなる複数のカバー層を有し、前記複数の多孔質層は、前記レンズ部の前記レンズ面から離れたものほど多孔度が高く設定されていることを特徴とする請求項1記載の半導体レンズ。
- 請求項1記載の半導体レンズの製造方法であって、半導体基板の他表面側に所望のレンズ面の形状に応じて半導体基板との接触パターンを設計した陽極を形成する陽極形成工程と、電解液中で半導体基板の一表面側に対向配置した陰極と陽極との間に通電して半導体基板の一部を多孔質化することで半導体基板の前記一表面側にカバー部の基礎となる多孔質部を形成する多孔質化工程と、多孔質部を酸化することによってカバー部を形成するとともにレンズ部を形成するカバー部・レンズ部形成工程とを有していることを特徴とする半導体レンズの製造方法。
- 前記陽極形成工程では、陽極と半導体基板との接触がオーミック接触となるように陽極を形成することを特徴とする請求項3記載の半導体レンズの製造方法。
- 前記カバー部・レンズ部形成工程では、熱酸化法により前記多孔質部を酸化することを特徴とする請求項3または4記載の半導体レンズの製造方法。
- 前記カバー部・レンズ部形成工程では、オゾンを用いた酸化法により前記多孔質部を酸化することを特徴とする請求項3または4記載の半導体レンズの製造方法。
- 前記カバー部・レンズ部形成工程では、高圧水蒸気酸化法により前記多孔質部を酸化することを特徴とする請求項3または4記載の半導体レンズの製造方法。
- 前記多孔質化工程では、陰極と陽極との間に通電する際の電流密度を時間経過に伴って変化させることによって多孔度が異なる複数の多孔質層を有する多孔質部を形成し、前記カバー部・レンズ部形成工程では、多孔質部を酸化することで酸化された多孔質層からなる屈折率が異なる複数のカバー層を有するカバー部を形成することを特徴とする請求項3〜7のうちいずれか1項記載の半導体レンズの製造方法。
- 前記陽極酸化工程では、陰極と陽極との間に通電する際の電流密度を時間経過に伴って変化させることによって前記カバー部の基礎となる第1の多孔質層と第1の多孔質層よりも多孔度が高く第1の多孔質層よりも半導体基板の前記他表面から離れた第2の多孔質層とを有する多孔質部を形成し、前記カバー部・レンズ部形成工程では、多孔質部の各多孔質層を酸化した後に酸化された第2の多孔質層を除去することで酸化された第1の多孔質層からなるカバー部を露出させることを特徴とする請求項3〜7のうちいずれか1項記載の半導体レンズの製造方法。
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