CN100546001C - 在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺 - Google Patents

Abstract

通过阳极化使半导体衬底成形为具有曲面轮廓。在被阳极化之前，衬底在其下表面具有阳极图案，从而使阳极和衬底成为整体的结构，其中该阳极图案被准确地再现在衬底上。阳极化利用了电解液，一旦形成作为阳极化产物的氧化部分，该电解液即蚀刻掉该氧化部分，以此来产生具有与阳极图案相匹配的多孔层。该阳极图案产生在平面内变化的电场强度分布，通过该变化的电场强度分布，所产生的多孔层的形状与想要的表面轮廓互补。当完成了阳极化之后，通过从衬底中蚀刻掉多孔层和阳极图案而在衬底的表面上露出曲面。

Description

在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺

技术领域

本发明涉及一种在半导体器件上形成曲线轮廓的工艺，更具体地，涉及一种通过使衬底阳极化而在半导体器件上形成曲线轮廓的工艺。

背景技术

在日本专利公开No.55-13960中公开了一种现有技术，其涉及一种通过阳极化在半导体衬底的表面上制造微结构的工艺。阳极化用于在电解液中氧化衬底的上表面。以与阳极的排列相对应的图案选择性地在上表面中进行氧化，该阳极独立于衬底而形成，并且与衬底的下表面保持接触，从而使氧化部分的一部分留在衬底的上表面内。此后，去除该氧化部分以在衬底的上表面内留下一个凸起。该技术足以形成相对薄的轮廓或深度小的表面不规则物。但是，实际上很难给出许多应用领域所需要的具有平滑曲线表面的厚轮廓，这是因为氧化部分担当了阻挡阳极电流通过衬底的介电阻隔，从而抑制了氧化部分在衬底厚度方向的生长。因此，为了获得具有准确设计的曲线外形的厚轮廓，不仅仅需要重复氧化该上表面的步骤以局部形成氧化部分，在该氧化上表面的步骤之后去除氧化部分，还需要在各个步骤中使用不同设置的阳极。在这方面，上述现有技术不能用于提供具有足够深度或厚度的曲线表面。

日本专利公开No.2000-263556公开了另一种现有技术，其涉及一种用于制造微光学透镜的模具的工艺。该模具通过以下步骤制造：制备半导体衬底；在该衬底的上表面上设置介电掩模；在该掩模中形成一个或多个开口；将半导体衬底放置在电解液中；以及使那部分未被掩模覆盖的上表面阳极化，以将该部分变成多孔区域(porous zone)。此后，去除该多孔区域，以在衬底的上表面中留下圆形凸起。将紫外光固化树脂(ultraviolet curable resin)放置在该凸起中，并且在该凸起中固化处理该紫外光固化树脂，以获得凸透镜。虽然该现有技术公开了不会妨碍阳极化的多孔区域的形成，但是该工艺依赖于具有开口的掩模，从而使该多孔区域从每一开口的中心各向同性地形成。因此，所得到圆形凸起被限制为具有基本上相同的曲率半径。在这种局限下，不能采用该工艺来得到具有不同曲率半径或者复杂的表面轮廓的曲线轮廓。

此外，当使用具有微小开口的掩模来形成小曲线表面构造时，在初始阶段能够顺利地围绕该微小开口形成多孔层。但是，在初始阶段出现的气泡难以通过该微小开口排出而很可能留在多孔区域内，这样会阻止电解液进入衬底，从而妨碍了多孔区域的进一步产生。结果，不能控制多孔区域得到想要的的预定轮廓，从而不能再现准确的轮廓。另一方面，当使用具有相应的大开口的掩模形成相对大的表面轮廓时，在开口中心阳极化的速率极有可能比在开口周边的速率快很多，并且该速率难以控制。因此，多孔区域和所得的曲面难以获得准确控制的表面轮廓。

此外，由于掩模被沉积在进行阳极化的衬底一侧，并且该掩模一般是由诸如SiN之类具有相对小的厚度(例如，1μm或更小)的材料制成，因此由于应力随着多孔区域的生长而产生，使得掩模很容易被损坏。此外，在这方面，依赖位于衬底的阳极化一侧的掩模的工艺也不能满足提供准确控制的表面轮廓的要求。

发明内容

考虑到上述问题，实施本发明以提供一种在半导体衬底上形成曲线轮廓的改进工艺。根据本发明的工艺使用了具有相对的上表面和下表面的半导体衬底，并包括如下步骤：在所述下表面上形成阳极；将所述半导体衬底放置在电解液中。接着使电流在所述阳极和所述电解液中的阴极之间流动，以转换所述衬底的上表面使各部分之间深度各不相同，在所述上表面内留下多孔层；以及从所述衬底中去除所述多孔层，以在所述上表面上留下曲面。该工艺的特点在于所述阳极被沉积在下表面上以得到加固的结构，并且被配置为具有电场强度的预定分布，该电场强度穿过所述衬底的上表面和下表面并且所述衬底的各部分之间各不相同，从而提供具有与所述电场强度分布相匹配的变化深度的多孔层，并且在形成多孔层之后去除所述阳极。通过上述工艺，阳极与衬底整体化形成，以精确地得到与阳极图案严格一致的电场强度分布，从而能够准确地使多孔层以及所得的曲面成形。此外，由于阳极被配置为可以产生使衬底的各部分的电场强度都不同的电场强度的预定分布，因此很容易使所得的曲面具有连续变化的曲率半径。

此外，由于阳极化从整体暴露于电解液之中(即不被用以阻挡阳极化的材料覆盖或掩盖)的衬底上表面开始，并且阳极化的速率主要被衬底下表面上的阳极化图案所控制，因此很容易产生外形或轮廓被准确控制的多孔层，从而得到相应准确的曲面轮廓。

因此，该工艺非常适合用于形成曲率半径不一致的曲面(例如非球光学透镜)和各种具有精确控制的曲线轮廓的复杂的微结构。

在本发明的一种方案中，阳极被局部形成在衬底的下表面上，以得到设定了电场强度的预定分布的预定阳极图案，并且阳极被用于实现在与该阳极图案相对的部分具有凹轮廓的曲面。因此，通过适当设计阳极图案可以很容易地制造具有理想曲率半径的凹轮廓。

在本发明的另一方案中，阳极被沉积在衬底的下表面上，以具有一个或多个各种几何形状的开口。阳极中的开口使得电场强度分布为在开口中心的电场强度比开口周边的电场强度小，从而形成厚度逐渐变化的多孔层，并通过去除该多孔层在上表面的与圆形开口相对的部分得到凸轮廓。

并不是在阳极中制造开口，而是将具有预设的几何形状的介电掩模局部形成在位于阳极下面的下表面上，从而形成与用于在上表面与掩模相对的部分得到凸轮廓的电场强度分布相似的电场强度分布。掩模通过以下步骤形成：在衬底的整个下表面上设置介电层，以及去除一部分该介电层以留下理想几何形状的掩模。

优选地，半导体衬底由硅制成，介电层由氧化硅或氮化硅制成。此外，电解液优选包括氟化氢的水溶液。

此外，本发明有利于制造双侧曲线轮廓，例如，双凸透镜、双凹透镜、凹凸透镜。在此情况下，在已经具有曲面的衬底的上表面形成附加阳极。接着，将半导体衬底放置在电解液中，以使电流在附加阳极和阴极之间流动，从而使衬底的下表面变成各部分之间的深度不同，结果在下表面产生附加多孔层。将附加多孔层与附加阳极一起去除，以在下表面露出另一曲面。

此外，优选在产生多孔层的最后阶段减小电流，以使曲面最终平滑。

通过下面结合附图而进行的详细说明，本发明的这些以及其它特征将变得更加明显。

附图说明

图1为根据本发明第一实施例制造平凸透镜的透视图；

图2为该透镜的俯视图；

图3为该透镜的截面图；

图4为示出使用上述透镜的装置的截面图；

图5为用于实施本发明的工艺的阳极化装置的截面图；

图6A至图6E为示出形成透镜的步骤的截面图；

图7A和图7B为示出在形成透镜的工艺中产生的电场强度分布的示意图；

图8示出形成在衬底的下表面的阳极图案。

图9为示出根据上述实施例的实例制造的透镜的截面表面轮廓的图表；

图10为用于实施本发明工艺的另一阳极化装置的截面；

图11为根据本发明第二实施例制造的平凹透镜的透视图；

图12A至图12C为示出形成透镜的步骤的截面图；

图13A至图13G为示出根据本发明第三实施例的形成双凸透镜的步骤的截面图；

图14A至图14F为示出根据本发明第四实施例的形成双凹透镜的步骤的截面图；

图15A至图15F为示出根据本发明第五实施例的形成凹凸透镜的步骤的截面图；

图16A至图16E为示出根据本发明第六实施例的形成凹凸透镜的步骤的截面图；

图17为示出根据本发明制造的非圆形透镜的透视图；

图18A至图18C为示出根据本发明第七实施例的形成曲线轮廓的步骤地截面图；以及

图19为示出根据上述实施例的改型而使用介电掩模制造凸透镜的步骤的截面图。

具体实施方式

参照图1至图5，其示出根据用于制造平凸透镜的本发明的第一实施例而在半导体衬底上形成曲线轮廓的工艺。本发明不限于制造透镜，其可以用来在制造MEMS(微机电系统)的半导体衬底的表面上产生各种曲面或类似的微结构。

如图1至图3所示，透镜L设置为具有用于将透镜装配在例如光学传感器200等器件内的整体凸缘(integral flange)F，其为透镜的一种典型应用，并且配置为具有例如热电元件210的感应元件，以通过透镜接收光线，如图4所示。

透镜由诸如硅(Si)、锗(Ge)、碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)以及磷化铟(InP)等半导体材料制成。在本实施例中，使用p型硅的半导体衬底10并通过选择性地对衬底进行阳极化来制造平凸透镜。使用阳极化装置100进行阳极化，如图5所示，该阳极化装置100配置为将衬底10放置在一定容量的电解液140中，并且配置为装有调节器130，用于调节在阳极电极120与浸没在溶液中的阴极110之间流过的电流。阳极电极120与衬底10的下表面保持接触，从而促使在与阴极110相对的上表面内获得不同程度的阳极化。阳极电极120和阴极110都是由铂制成的。

在本实施例中，选择具有电阻率几欧姆厘米(Ω·cm)至几百欧姆厘米(Ω·cm)的低电阻率的衬底10。例如，通过图6A至图6E的步骤，使电阻率为80Ω·cm、厚0.5mm的平板p型硅衬底成形为透镜。在清洗和清理之后，处理衬底10，使其在整个下表面上具有导电层20(图6B)。导电层20例如由铝制成，并且通过诸如溅射法之类的技术沉积在衬底10上，以具有1μm的均匀厚度。接着蚀刻层20，以留下直径为2mm的圆形开口，该开口与将要制造的透镜相匹配，从而得到加固的结构，在该结构中，导电层20定义了与衬底10整体构造的阳极图案(图6C)。

随后，将衬底10浸没在阳极化装置100内的电解液中，使导电层20或阳极图案与阳极电极120相接触，并在随后接收在阳极图案与阴极110之间流过的电流，以相对于阳极图案选择性地对衬底的上表面进行阳极化，从而在衬底10的上表面产生多孔层30(图6D)。使用调节器130调节电流，以使该电流具有例如30mA/cm²的预定电流强度，并持续例如120分钟的预定时间。此后，将多孔层30和导电层20蚀刻掉，以获得透镜(图6E)。

所使用的电解液为以适当比例混合了氟化氢(HF)和乙醇的水溶液。在阳极化工艺中，发生如下的化学反应：

Si+2HF+(2-n)h⁺→SiF₂+2H⁺+n·e^-

SiF₂+2HF→SiF₄+2H⁺+H₂

SiF₄+2HF→SiH₂F₆

其中h⁺代表空穴，e^-代表电子。

Si衬底10一旦被阳极氧化，就会通过与电解液之间反应去除氧化部分，从而在衬底10的表面内留下多孔层30。因此，氧化部分不会阻碍阳极化的进行，这就能够产生具有较大深度的多孔层，从而能够制造厚度相对大的透镜，即深度相当大的曲线轮廓。

如图7A的示意性示出，平面内的电场强度或电流强度按照阳极图案而有变化地分布。在该图中，带有黑箭头的线表示正电流流过衬底10的路径，带有白箭头的线表示电子流过衬底10的路径。由于平面内朝向开口22周边的电流强度大于位于开口中心的电流强度，因此所产生的多孔层30具有连续变化的深度，其在朝向开口22周边的深度比位于开口中心的深度大。因此，通过去除多孔层30以及阳极图案或导电层20，即可以得到平凸透镜。平面内电场强度的分布将通过阳极图案初步确定，进而通过衬底10的电阻系数和厚度、电解液140的电阻率、衬底10与阴极110之间的距离、阴极的平面结构(即阴极在与衬底平行的平面内的排列)来确定。因此，通过适当地选择与阳极图案相结合的上述参数，极可能得到理想的表面轮廓。这里应该注意的是，由于阳极化没有受到衬底中在其它情况下出现的氧化部分的阻碍，从而可以进行阳极化而持续产生多孔层，因此在单独的阳极化工艺中可以很容易地制造厚透镜或厚的曲面轮廓，这样就提高了曲面设计的灵活性。

通过调节氟化氢(HF)水溶液的浓度和/或调节HF与乙醇的混合比例，可以调节电解液的电阻。阴极110可以被设计为具有与如图7A所示的阳极图案严格一致的图案，或者具有这样的图案，如图7B所示，在与衬底10平行的平面内，与阴极110相对的阴极元件112稍微偏离阳极图案的开口22的中心。其偏移量可以相对于电流强度和距离衬底10的距离而调节。

在阳极化工艺中，调节器130用于将电流强度保持在恒定水平。但是，优选在阳极化工艺的最后阶段逐渐减小电流强度以相应降低产生多孔层30的速率。通过此技术，所得的透镜可以具有更光滑的表面抛光。该电流强度可以通过监测电流水平或电压水平来调节。

通过使用例如KOH、NaOH、TMAH(四甲基氢氧化铵)等碱性溶液或HF溶液而去除多孔层30和导电层20。

实例

形成厚度为0.5mm、电阻率为80Ω·cm且直径为100mm的p型硅衬底10，并且该衬底的下表面具有通过溅射法形成的1μm的铝导电层20。在将导电层20以420度烧结20分钟之后，以具有多个通过光刻形成的直径为2mm的窗口的抗蚀剂图案遮掩导电层20。随后，导电层20的未掩盖部分被蚀刻掉以在导电层20内形成多个直径为2mm的开口，如图8所示。在去除抗蚀剂图案之后，将衬底10放置在图5所示的的含有电解液的阳极化装置内，该电解液由HF的50％水溶液和乙醇以1∶1的比例混合而成。接着，以30mA/cm²的电流强度将衬底阳极化3个小时。在与导电层20相对应的部分，所产生的多孔层30的厚度为0.3mm，并且在与衬底平行的平面内多孔层30的厚度朝向开口22的中心逐渐减小。接着，以10％的KOH水溶液将多孔层30和导电层20蚀刻15分钟而将它们蚀刻掉，从而形成多个平凸透镜。接着，将衬底10切割成多个透镜。去除多孔层30的蚀刻速率比去除衬底10的蚀刻速率快10倍。因此，可以仅仅选择性地蚀刻掉多孔层30，而衬底被完整地保留。每一个由此形成的透镜配置为具有为0.195mm厚度，其轮廓如图9所示。

图10示出了同样用于制造透镜的另一阳极化装置100A。装置100A基本上与图5的装置相同，除了衬底10被竖直设置在电解液140的中心，并且阴极110A和阳极电极120A分别设置在垂直设置的衬底10相对的两侧。

第二实施例

图11和图12示出根据本发明第二实施例制造平凹透镜L的工艺。在本发明中，形成半导体衬底10，并且在其下表面具有由多个圆形阳极20组成的阳极图案，该阳极图案与图8所示相似。为了简便，仅仅在图12A和图12B中示出了一个阳极20。以类似于前面结合第一实施例所讨论的方式，通过阳极化以及去除所得到的多孔层30，每个阳极20用于在衬底相对的上表面中形成凹轮廓。即，在阳极化工艺期间，在与每个阳极相对的部分的上表面，以朝向每个电极20中心的深度大于电极20周边的深度的方式，形成多孔层30，如图12B所示。接着，蚀刻掉多孔层30和阳极20，以露出衬底10上表面内的凹轮廓，如图12C所示。随后，将衬底10切割为多个单个的平凹透镜。

第三实施例

图13示出根据本发明第三实施例制造双凸透镜L的工艺，除了包括附加阳极化工艺，第三实施例与第一实施例相似。首先，如图13A至13D所示，通过如第一实施例中所述的步骤，形成衬底10，并且在衬底10的上表面具有凸轮廓。接着，如图13E所示，将带有多个附加圆形开口26的附加导电层24沉积在上表面上，并使每个附加开口26设置为与已形成的凸轮廓同心，其中为了简便，仅仅示出了一个附加圆形开口26。随后，将衬底10阳极化，以在衬底10的下表面中形成附加多孔层34，如图13F所示。附加多孔层34与附加导电层24一起被蚀刻掉，以获得双凸透镜L，如图13G所示。以此方式，通过增加另一阳极化工艺，即可很容易地获得双凸透镜。

第四实施例

图14示出根据本发明第四实施例制造双凹透镜L的工艺，除了增加了另一阳极化工艺，第四实施例与第二实施例相似。如图14A至图14C所示，通过第二实施例中所述的工艺形成衬底10，并且在衬底10的上表面具有多个凹轮廓(为了简便，仅示出一个)。接着，如图14D所示，通过公知的薄膜形成技术，例如CVD(化学气相沉积)，以厚度例如为200nm的适当厚度的介电掩模40覆盖衬底10的整个上表面。掩模40由选自SiO2、SiN、和SiC所组成的组中的材料制成。此后，在每个凹轮廓的中心蚀刻掩模40，以在该处留下开口。接着，将附加铝导电层24沉积在整个掩模40上，以将中心阳极25设置在掩模的开口中，用于与各个凹轮廓的中心直接接触，如图14E所示。随后，将衬底10阳极化，以在下表面形成与中心阳极25同心的附加多孔层34。最后，如图14F所示，将附加多孔层34以及导电层24和掩模40蚀刻掉，以获得双凹透镜L，随后将其切割为多个单个的双凹透镜。

第五实施例

图15示出根据本发明第五实施例制造凹凸透镜L的工艺，除了实施两次阳极化工艺以在衬底上表面和下表面形成多孔层之外，第五实施例与第一、第二实施例相似。如图15A至图15C所示，以与第二实施例十分相似的方式形成衬底10，并且在衬底10的上表面内具有多个凹轮廓(为简便，仅示出一个)。接着，将附加导电层24沉积在衬底10的上表面上，之后蚀刻该导电层以留下多个附加圆形开口26，每个所述圆形开口26与已经形成的凹轮廓同心，如图15D所示。每个开口26的直径稍大于相应的凹轮廓的直径。接着，如图15E所示，将衬底10阳极化，以在下表面产生附加多孔层，所述每个附加多孔层与每个凹轮廓相对应。之后，将附加层34以及附加导电层24蚀刻掉，以得到图15F所示的凹凸轮廓的最终结构。

第六实施例

图16示出根据本发明第六实施例制造凹凸透镜的工艺，除了阳极化工艺的顺序不同，其与第五实施例相似。如图16A至图16C所示，以与第一实施例十分相似的方式形成衬底10，并且在衬底10的上表面具有多个凸轮廓(为简便，仅示出一个)。接着，如图16C所示，将附加导电层24沉积在每个凸轮廓的顶部。每个附加导电层24的直径小于每个相应的凸轮廓的直径，并用于在阳极化中产生与凸轮廓同心的附加多孔层34，如图16D所示。将每个所得的附加多孔层34和附加导电层24蚀刻掉，以得到如图16E所示的凹凸轮廓的最终结构。

图17示出了可以根据本发明同样制造出来的圆柱形透镜L。当制造这种非圆形透镜时，在与衬底的表面平行的平面内，使导电层中的开口或被导电层覆盖的掩模成形为矩形。

第七实施例

图18示出根据本发明第七实施例在半导体衬底10上形成曲线图案的另一工艺，除了曲面形成的不同，其中该曲面为不同尺寸的凸透镜的组合，第七实施例与第一实施例相似。将Al导电层20沉积在衬底10的下表面上，并将其蚀刻为具有不同尺寸的开口22，得到固定在衬底10上的阳极图案(图18A)。接着，将衬底10阳极化，以在上表面产生多孔层30(图18B)。所得的多孔层30在分别与开口22相对的部分具有连续变化的厚度。随后，将多孔层30和导电层20蚀刻掉，以得到具有曲线表面的衬底10(图18C)。

虽然在上述实施例中，凸轮廓被解释为通过使用具有圆形开口的导电层而形成，本发明应该解释为不限于此，而应包括如图19所示使用介电掩模50与导电层20组合的方案。介电掩模50被局部沉积在衬底10的下表面上与想要的凸轮廓相对应的部分，而导电层20被沉积在掩模50上以覆盖整个衬底表面，从而实现不同的电场强度分布，以在阳极化工艺中形成具有与凸轮廓互补的结构的多孔层。介电掩模选自SiO2、SiN和SiC组成的组，并通过公知的技术例如CVD等方法沉积在衬底上。

这里，应该注意的是，示出的上述实施例和实例仅仅用于示例性目的，本发明可以用来在半导体衬底上设置各种曲线表面轮廓。

此外，本发明应该解释为不限于使用硅衬底，还可以结合特定的电解液来使用其它半导体材料，如下表所示。

半导体材料	电解液	掩模材料
			Si	HF:C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>OH	SiN
Ge	HF:C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>OH	SiO<sub>2</sub>、SiN、SiC
			SiC	HF:C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>OH	SiN
GaAs	HCl	SiO<sub>2</sub>、SiN、SiC
			Gap	H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>	SiO<sub>2</sub>、SiN、SiC
Inp	HCl	SiO<sub>2</sub>、SiN、SiC

在上表中列出了可用于上述半导体材料和电解液的组合的掩模材料。

Claims (9)

1.一种在半导体衬底(10)上形成曲线轮廓的方法，所述方法包括以下步骤：

制备所述半导体衬底，该半导体衬底具有彼此相对的上表面和下表面；

在所述下表面上形成阳极(20)；

将所述半导体衬底放置在电解液中(140)；

使电流在所述阳极和所述电解液中的阴极(110)之间流动，以转换所述半导体衬底的上表面使各部分之间深度不同，在所述上表面内留下多孔层(30)；以及

从所述半导体衬底中去除所述多孔层，以在所述上表面上留下曲面；

其特征在于

所述阳极被沉积在所述下表面上以得到加固的结构，并且被配置为具有预定的电场强度的分布，该电场强度穿过所述半导体衬底的所述上表面和所述下表面并且在所述半导体衬底的各部分之间不同，从而提供具有与所述电场强度的分布相匹配的变化深度的所述多孔层，其中所述电场强度的分布是由局部地形成在所述半导体衬底的下表面上的所述阳极得到的预定的阳极图案来定义的，或者是由局部地形成在所述半导体衬底的所述下表面上并且其上形成有所述阳极的介电掩模来定义的。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述阳极图案通过以下步骤形成：

在所述半导体衬底的下表面上沉积导电层；

去除所述导电层的一部分，以在所述导电层内形成相应的开口(22)。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述掩模通过以下步骤形成：

将介电层设置在所述半导体衬底的整个下表面上；

去除所述介电层的一部分，以在所述半导体衬底的下表面上留下所述掩模。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述半导体衬底由硅制成，以及所述介电层由氧化硅或氮化硅制成。

5.如权利要求1所述的方法，还包括步骤：

将附加阳极(24)局部形成在已形成有曲面的所述半导体衬底的上表面上；

将所述半导体衬底放置在所述电解液中；

使电流在所述附加阳极与所述电解液中的所述阴极之间流动，以转换所述半导体衬底的下表面使各部分之间深度不同，在所述下表面内留下附加多孔层；以及

从所述半导体衬底中去除所述附加多孔层和所述附加阳极，以在所述下表面上留下另一曲面。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底由硅制成，以及所述电解液包括氟化氢的水溶液。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底由p型半导体制成。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述电流被调节为在产生多孔层的最后阶段减小。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述半导体衬底被选择为具有几欧姆厘米至几百欧姆厘米的电阻率。

Images