JP2008124291A - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理システムによって半導体ウエハWに、少なくともレジスト塗布処理(COT),露光処理(EXP),露光後の加熱処理(PEB)及び現像処理(DEV)等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成するリソグラフィ工程と、現像処理後のパターンをマスクとするエッチング(ET)工程と、パターンの線幅を測定する測定工程と、を有し、測定工程で測定された測定情報に基づいて、2回目以降のリソグラフィ工程の露光処理における露光補正,露光後の加熱処理における温度補正及び/又はエッチング工程におけるエッチング補正を行う。
【選択図】 図6
Description
B2 第2の単位ブロック(DEV層)
B3 第3の単位ブロック(COT層)
B4 第4の単位ブロック(COT層)
S1 キャリアブロック
S2 処理ブロック
S3 インターフェースブロック
S4 露光装置
S5 エッチングブロック
S6 測定ブロック
31 現像ユニット(処理ユニット)
32 塗布ユニット(処理ユニット)
60 制御部(制御手段)
80 エッチングユニット(ドライエッチング装置)
81 電磁波遮蔽板
90 線幅測定装置
Claims (6)
- 基板処理システムによって被処理基板に、少なくともレジスト塗布処理,露光処理,露光後の加熱処理及び現像処理等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成するリソグラフィ工程と、
上記現像処理後のパターンをマスクとするエッチング工程と、
上記パターンの線幅を測定する測定工程と、を有し、
上記測定工程で測定された測定情報に基づいて、2回目以降のリソグラフィ工程の露光処理における露光補正,露光後の加熱処理における温度補正及び/又はエッチング工程におけるエッチング補正を行う、ことを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1記載の基板処理方法において、
上記2回目以降のリソグラフィ工程によって形成されるパターンを先のリソグラフィ工程によって形成されたパターンの間に形成する、ことを特徴とする基板処理方法。 - 被処理基板に、少なくともレジスト塗布処理,露光処理,露光後の加熱処理及び現像処理等のリソグラフィ処理を施して所定のパターンを形成する基板処理システムであって、
上記現像処理後の被処理基板に形成されたパターンをマスクとしてエッチング処理を行うエッチング装置と、
上記パターンの線幅を測定する測定装置と、
上記測定装置によって測定された情報を記憶し、該記憶された情報に基づいて、2回目以降のリソグラフィ工程の露光処理における露光補正,露光後の加熱処理における温度補正及び/又はエッチング処理におけるエッチング補正を行う制御手段と、を具備することを特徴とする基板処理システム。 - 被処理基板の搬入・搬出部と、
レジスト塗布装置,現像装置及び加熱装置を有する塗布・現像処理部と、
上記塗布・現像処理部と露光装置との間に配置され、塗布・現像処理部と露光装置間で被処理基板の受け渡しを司るインターフェース部と、
現像処理後の被処理基板に形成されたパターンをマスクとしてエッチング処理を行うエッチング装置を有するエッチング処理部と、
上記被処理基板に形成されたパターンの線幅を測定する測定装置を有する測定部と、
上記測定装置によって測定された情報を記憶し、該記憶された情報に基づいて、2回目以降のリソグラフィ工程の露光処理における露光補正,露光後の加熱処理における温度補正及び/又はエッチング処理におけるエッチング補正を行う制御手段と、を具備することを特徴とする基板処理システム。 - 請求項4記載の基板処理システムにおいて、
上記搬入・搬出部と塗布・現像処理部との間に、測定部とエッチング処理部を並列に配置し、かつ、エッチング処理部を塗布・現像処理部側に配置し、測定部を搬入・搬出部側に配置してなる、ことを特徴とする基板処理システム。 - 請求項4又は5記載の基板処理システムにおいて、
上記エッチング装置をドライエッチング装置にて構成すると共に、エッチング処理部を構成する筐体に、電磁波を遮断可能なシールドを施してなる、ことを特徴とする基板処理システム。
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