JP2008124189A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】FinFETのチャネル上縁部付近での電界集中を抑えると共に、製造の歩留りを高めた半導体装置を提供する。
【解決手段】FinFETは、シリコン基板11の表面に堆積され、ソース拡散層24a、ドレイン拡散層24b、及び、チャネル領域を形成するシリコン層14と、シリコン基板11上に素子分離層12を介して堆積され側部ゲート絶縁膜16を介してチャネルの側面に対向する一対の第1電極部分18と、頂部ゲート絶縁膜15を介してチャネルの頂面に対向し、且つ、第1電極部分18の頂部に接する第2電極部分19とを有するゲート電極とを有する。
【選択図】図2
【解決手段】FinFETは、シリコン基板11の表面に堆積され、ソース拡散層24a、ドレイン拡散層24b、及び、チャネル領域を形成するシリコン層14と、シリコン基板11上に素子分離層12を介して堆積され側部ゲート絶縁膜16を介してチャネルの側面に対向する一対の第1電極部分18と、頂部ゲート絶縁膜15を介してチャネルの頂面に対向し、且つ、第1電極部分18の頂部に接する第2電極部分19とを有するゲート電極とを有する。
【選択図】図2
Description
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、更に詳細には、FinFETを備える半導体装置及びその製造方法に関する。
DRAM(Dynamic Random Access Memory)は、シリコン基板の表面部分に形成されたMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)と、このMOSFETに接続されたキャパシタとを備え、MOSFETを介してキャパシタに電荷を蓄積することによって、情報の記憶を行う。キャパシタに蓄積された電荷は、MOSFETのチャネルで生じる接合リーク電流により、時間の経過に伴って減少する。従って、蓄積された電荷を読出し可能な時間内に、その電荷を読み出すと共に蓄積し直すリフレッシュ動作を行っている。
DRAMでは、特に携帯式の電子機器への搭載に際しては、消費電力を少なくして電子機器のバッテリ駆動時間を確保する要請が強い。この目的のためには、DRAMのメモリセルの電荷保持能力を向上させて、多くの電力を必要とするリフレッシュ動作の周期を長くすることが望ましい。
メモリセルの電荷保持能力を向上する方法の一つとして、非特許文献1はFinFETを提案している。従来の平面型(プレーナ型)のFETでは、チャネルが平らなシリコン基板の表面部分に形成され、この上にゲート電極が配設されるのに対して、FinFETでは、チャネルがシリコン基板上にフィン状に突出して形成され、チャネルの頂部及び両側部にゲート電極が配設される。
FinFETでは、このようにゲート電極でチャネルの頂部及び両側部を挟んだ構成によって、チャネルにおける電界の制御性を高め、接合リーク電流を効果的に抑制し、メモリセルの電荷保持能力を向上できる。同文献は、FinFETの形成に際して、イオン注入によってシリコン基板の表面から不純物をドープした後、チャネル部分を残してその周囲をエッチングし、フィン状のチャネルに形成する旨を記載している。
C.H.Lee et al.: "Novel Body Tied FinFET Cell Array Transistor DRAM with Negative Word Line Operation for sub 60nm Technology and beyond", 2004 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, p.130-131
C.H.Lee et al.: "Novel Body Tied FinFET Cell Array Transistor DRAM with Negative Word Line Operation for sub 60nm Technology and beyond", 2004 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers, p.130-131
ところで、非特許文献1に記載のFinFETの形成方法では、ゲート電極の形成に際して、フィン状のチャネルを覆って全面に導電膜を堆積した後、チャネルの頂部及び両側部が残るように導電膜をパターニングする必要がある。しかし、この製造方法では、パターニングのアスペクト比が極めて高くなり、微細化の進んだDRAMでは、パターニング不良や高アスペクトによるパターン倒れが生じ易く、製造の歩留りを高めることが容易ではなかった。
また、チャネルへの不純物のドープに際して、シリコン基板表面からのイオン注入で行うため、チャネルの頂面付近の不純物濃度が高くなる傾向があり、動作に際してチャネルの上縁部付近に電界集中が生じ易い問題もあった。
本発明は、上記に鑑み、FinFETを備える半導体装置であって、チャネルの上縁部付近での電界集中を抑えると共に、製造の歩留りを高めた半導体装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、半導体基板の表面に堆積され、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域を形成する半導体層と、
前記半導体基板上に絶縁層を介して堆積され第1のゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域の側面に対向する一対の第1電極部分と、第2のゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域の頂面に対向し、且つ、前記第1電極部分の頂部に接する第2電極部分とを有するゲート電極と
を有するMOSFETを備えることを特徴とする。
前記半導体基板上に絶縁層を介して堆積され第1のゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域の側面に対向する一対の第1電極部分と、第2のゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域の頂面に対向し、且つ、前記第1電極部分の頂部に接する第2電極部分とを有するゲート電極と
を有するMOSFETを備えることを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁層を介して半導体基板上に堆積され、所定の間隔を隔てて対向する一対の第1電極部分を形成する工程と、
前記一対の第1電極部分の相互に対向する側面に、それぞれ第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のゲート絶縁膜を形成した一対の第1電極間に、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域を構成する半導体層を堆積する工程と、
前記半導体層の表面に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜の前記チャネル領域に対応する表面、及び、前記第1電極部分の頂面に延在し、前記第1電極部分と共にゲート電極を構成する第2電極部分を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
前記一対の第1電極部分の相互に対向する側面に、それぞれ第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のゲート絶縁膜を形成した一対の第1電極間に、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域を構成する半導体層を堆積する工程と、
前記半導体層の表面に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜の前記チャネル領域に対応する表面、及び、前記第1電極部分の頂面に延在し、前記第1電極部分と共にゲート電極を構成する第2電極部分を形成する工程と、
を有することを特徴とする。
本発明の半導体装置によれば、ゲート電極を、チャネル領域の側面に対向する第1電極部分と、チャネル領域の頂面に対向する第2電極部分とに分けて形成することによって、ゲート電極形成のパターニングに際してアスペクト比を低くできる。これによって、ゲート電極形成のパターニングに際して生じる、パターニング不良やパターン倒れを抑制し、製造の歩留りを向上できる。
また、チャネル領域を構成する半導体層を半導体基板とは独立に構成することによって、その形成に際して層中にin-situで不純物をドープできる。これによって、チャネル領域内の不純物濃度のばらつきを抑制でき、チャネル領域の上縁部付近での電界集中を抑制できる。更に、ゲート電極の長さを短縮できるので、配線抵抗を低減し、半導体装置の動作を高速化できる。
本発明の半導体装置の好適な態様では、前記第1電極部分と前記第2電極部分とが異なる材料で形成されている。第1電極部分が半導体基板との反応が生じにくい材料で、第2電極部分が電気抵抗の小さな材料で、それぞれ形成されることによって、製造に際しての耐熱性を高めつつ、半導体装置の動作を効果的に高速化できる。好適には、前記第1電極部分がシリコン層で形成され、前記第2電極部分が金属層又は高融点金属層で形成される。
この場合、更に好適には、前記チャネル領域は、前記第1のゲート絶縁膜が表面に形成された一対の第1電極部分の間にエピタキシャル成長によって堆積されている。エピタキシャル成長に際してチャネル領域内にin-situで不純物をドープすることによって、不純物濃度のばらつきを抑制できる。
本発明の半導体装置の好適な態様では、前記第2のゲート絶縁膜が窒化シリコン膜を含む。第2のゲート絶縁膜下に形成される半導体層と、第2のゲート絶縁膜上に形成される第2電極部分との反応を抑制できる。本発明の半導体装置の好適な態様では、第2のゲート絶縁膜が、第1のゲート絶縁膜よりも大きな厚みを有する。半導体層と第2電極部分との反応を抑制できると共に、チャネル領域の上縁部での電界集中を効果的に抑制できる。
本発明に係る半導体装置の製造方法の好適な態様では、第1電極をダマシン法で形成する。微細な第1電極を形成することによって、半導体装置を微細化できる。本発明に係る半導体装置の製造方法の好適な態様では、第1のゲート絶縁膜を形成する工程では、第1のゲート絶縁膜を、680〜700℃の範囲の基板温度を採用するCVD法で成膜する。第1のゲート絶縁膜の形成に際して、チャネル領域における不純物濃度の分布への影響を抑制できる。
以下に、添付図面を参照し、本発明の実施形態を更に詳しく説明する。図1は、本発明の一実施形態に係るFinFETを備える半導体装置について、各構成部分のレイアウトを示す平面図である。半導体装置10は、6F2構造を有するDRAMである。半導体装置10では、シリコン基板11の表面部分にSTI(Shallow Trench Isolation)型の素子分離層12が形成され、FinFETが形成される素子形成領域13を区画している。素子形成領域13は、略長方形状の平面形状を有する。
シリコン基板11の上部には、素子形成領域13と交差して、ワード線を構成するゲート電極の第2電極部分19が延在している。素子形成領域13とワード線とは、直交方向から18°だけずれて交差している。素子分離層12上に延在するワード線は、ダミーのワード線である。
図2(a)、(b)は、図1のA−A線及びB−B線に沿った断面をそれぞれ示す断面図である。素子形成領域13では、シリコン基板11上に、シリコンのエピタキシャル成長によってシリコン層14が形成されている。シリコン層14は、素子形成領域13の平面形状に対応して、細長い略立方体状に形成されている。シリコン層14は、FinFETにおけるフィン状のチャネルを構成し、エピタキシャル成長に際してin-situで不純物がドープされている。不純物は、P型の場合には例えばホウ素(B)が、N型の場合には例えばリン(P)がそれぞれドープされる。
シリコン層14上には窒化シリコンから成る頂部ゲート絶縁膜15が形成され、シリコン層14及び頂部ゲート絶縁膜15の側面には、HTO(High Temperature Oxide)膜から成る側部ゲート絶縁膜16が形成されている。本実施形態では、頂部ゲート絶縁膜15は、チャネルを構成するシリコン層14の上縁部における電界集中を抑制すると共に、シリコン層14と、頂部ゲート絶縁膜15上に形成され第2電極部分19を構成する金属層との反応を抑制するために、側部ゲート絶縁膜16よりも厚く形成される。側部ゲート絶縁膜16が本発明の第1のゲート絶縁膜に、頂部ゲート絶縁膜15が本発明の第2のゲート絶縁膜にそれぞれ相当する。
素子形成領域13の長手方向では、図2(a)に示すように、側部ゲート絶縁膜16の外側表面に隣接して酸化シリコン層17が形成されている。第2電極部分19の延在方向では、図2(b)に示すように、側部ゲート絶縁膜16の外側表面に隣接して不純物ドープ・多結晶シリコンから成るゲート電極の第1電極部分18が形成されている。多結晶シリコンにドープされる不純物は、P型の場合には例えばホウ素(B)が、N型の場合には例えばリン(P)がそれぞれドープされる。
第2電極部分19は、順次に積層された、タングステン・ナイトライド(WN)層、及び、タングステン(W)層の積層構造から成り、頂部ゲート絶縁膜15、側部ゲート絶縁膜16、及び、第1電極部分18の頂面に接して延在している。WN層は、第1電極部分18を構成する多結晶シリコン層と、W層との反応を抑制する目的で形成されている。第2電極部分19上には、窒化シリコンから成る電極保護膜20が形成されている。
図2(a)に示すように、頂部ゲート絶縁膜15上であって、第2電極部分19及び電極保護膜20の側壁には、窒化シリコンから成る側壁保護膜21が形成されている。頂部ゲート絶縁膜15、電極保護膜20、及び、側壁保護膜21を覆って、酸化シリコンから成る層間絶縁膜22が形成されている。層間絶縁膜22及び頂部ゲート絶縁膜15を貫通して、素子形成領域13のシリコン層14を露出させるコンタクトホール23が開孔されている。
コンタクトホール23から露出するシリコン層14の表面部分には不純物がドープされ、FinFETのソース拡散層24a及びドレイン拡散層24bが形成されている。本実施形態では、第2電極部分19は実質的にワード線としてのみ機能し、FinFETは、第1電極部分18と、第1電極部分18に隣接するソース拡散層24a及びドレイン拡散層24bとで構成される。半導体装置10では、1つの素子形成領域13に、ソース拡散層24aを共有して、2つのFinFETが形成されている。
コンタクトホール23の内部には、不純物ドープ・多結晶シリコンから成るコンタクトプラグ25が形成されている。図示しないが、コンタクトプラグ25の上部には、ソース拡散層24aに接続するコンタクトプラグ25に接続してビット線が、ドレイン拡散層24bに接続するコンタクトプラグ25に接続してキャパシタが、それぞれ形成されている。
本実施形態の半導体装置10によれば、ゲート電極を、チャネル側部の第1電極部分18と、チャネル頂部の第2電極部分19とに分けて形成することによって、従来に比して、ゲート電極の長さを短縮できる。従って、ゲート電極の配線抵抗を低減し、半導体装置の動作を高速化できる。
頂部ゲート絶縁膜15を窒化シリコンで構成することによって、第2電極部分19を構成するWN層やW層と、シリコン層14との反応を抑制できる。また、頂部ゲート絶縁膜15を、側部側部ゲート絶縁膜16よりも厚く形成することによって、チャネル領域の上縁部での電界集中を抑制できる。
図3A〜図3Oは、図1、2の半導体装置10を製造する各製造段階を順次に示す断面図である。これらの図中で、(a)、(b)は、図1のA−A線及びB−B線に沿った断面をそれぞれ示している。シリコン基板11上に酸化シリコン膜31を形成した後、酸化シリコン膜31上に窒化シリコン膜32を約140nmの厚みに堆積する。公知のリソグラフィ技術を用いて、窒化シリコン膜32上に、素子形成領域13に対応する平面形状を有するレジストパターンを形成した後、レジストパターンを用いたドライエッチングによって、窒化シリコン膜32をパターニングする(図3A)。
引き続き、パターニングされた窒化シリコン膜32を用いたドライエッチングによって、酸化シリコン膜31をパターニングした後、シリコン基板11を約250nmの深さまで除去し、トレンチ33を形成する。次いで、トレンチ33内部を含みシリコン基板11の表面を酸化し、厚みが約13nmの熱酸化膜を形成する。
トレンチ33内部を含み全面にSOG(Spin on Glass)等の酸化シリコン層34を塗布した後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法により、窒化シリコン膜32の表面部分が露出するまで酸化シリコン層34を除去する。更に、フッ酸を用いたウェットエッチングによって、酸化シリコン層34をエッチバックした後、熱燐酸を用いたウェットエッチングによって、窒化シリコン膜32を除去する。これによって、トレンチ33内部に埋め込まれた酸化シリコンから成るSTI型の素子分離層12を形成する(図3B)。
引き続き、シリコン基板11及び素子分離層12上に、酸化シリコン層17を約200nmの厚みに堆積する(図3C)。公知のリソグラフィ技術を用いて、酸化シリコン層17上に、第2電極部分19と平行に延在するライン状のレジストパターンを形成した後、このレジストパターンを用いたドライエッチングによって、酸化シリコン層17をパターニングし、第2電極部分19と平行に延在するトレンチ35を形成する(図3D)。
次いで、トレンチ35内部を含み全面に不純物ドープ・多結晶シリコン層18aを堆積する(図3E)。多結晶シリコン層18aの堆積に際しては、P型の場合には例えばホウ素(B)を、N型の場合には例えばリン(P)をそれぞれin-situでドープする。引き続き、CMP法により、酸化シリコン層17が露出するまで表面部分を平坦化する(図3F)。図3C〜図3Fに示した一連のプロセスは、ダマシン法と呼ばれる。
次いで、酸化シリコン層17及び多結晶シリコン層18a上に、酸化シリコン膜36を約50nmの厚みに堆積する(図3G)。公知のリソグラフィ技術を用いて、素子分離層12に対応した平面形状のレジストパターンを形成した後、このレジストパターンを用いたドライエッチングによって、酸化シリコン膜36、及び、その下の酸化シリコン層17、多結晶シリコン層18aをパターニングし、素子形成領域13に対応した平面形状を有するトレンチ37を形成する。これによって、多結晶シリコン層18aをゲート電極の第1電極部分18に形成する。
引き続き、トレンチ37内部を含み全面に、680〜700℃の範囲の基板温度を採用するCVD(Chemical Vapor Deposition)法によって、酸化シリコン膜(HTO膜)16aを約7nmの厚みに成膜する(図3H)。HTO膜16aを成膜することによって、熱酸化法で形成する場合に比して、膜質の低下を抑制しつつも、膜形成に際して生じる、シリコン層14中の不純物濃度の変動を抑制できる。更に、エッチバックにより、シリコン基板11上、及び、酸化シリコン膜36上のHTO膜16aを除去し、側部ゲート絶縁膜16に形成する(図3I)。
次いで、素子形成領域13に露出したシリコン基板11上に、シリコンをエピタキシャル成長させて、シリコン層14を形成する(図3J)。シリコン層14の成長に際しては、P型の場合には例えばホウ素(B)を、N型の場合には例えばリン(P)をそれぞれin-situでドープする。全面に窒化シリコン層15aを約100nmの厚みに堆積した後(図3K)、CMP法により酸化シリコン層17が露出するまで表面部分を除去し、頂部ゲート絶縁膜15を形成する(図3L)。
なお、ノンドープのシリコン層14をエピタキシャル成長させた後に、イオン注入法等で層中に不純物をドープすることも可能であるが、エピタキシャル成長に際してin-situで不純物をドープすることで、シリコン層14中での不純物濃度のばらつきを抑制できる。
引き続き、全面にWN層を約5nmの厚みに堆積した後、WN層上にW層を約50nmの厚みに堆積する。次いで、W層上に窒化シリコン膜を堆積する。公知のリソグラフィ技術を用いて、この窒化シリコン膜上にレジストパターンを形成した後、このレジストパターンを用いたドライエッチングによって、窒化シリコン膜をパターニングし、電極保護膜20を形成する。更に、電極保護膜20を用いたドライエッチングによって、WN層及びW層をパターニングして、ゲート電極の第2電極部分19を形成する(図3M)。
第2電極部分19及び電極保護膜20を覆って全面に窒化シリコン膜を約20nmの厚みに堆積した後、窒化シリコン膜をエッチバックし、第2電極部分19及び電極保護膜20の側壁を覆う側壁保護膜21を形成する(図3N)。エッチバックに際しては、電極保護膜20の上部、及び、側壁保護膜21から露出する頂部ゲート絶縁膜15の上部も除去される。HDP(High Density Plasma)−CVD法を用い、頂部ゲート絶縁膜15、電極保護膜20、及び、側壁保護膜21を覆って全面に、酸化シリコンから成る層間絶縁膜22を堆積した後、CMP法を用いて、層間絶縁膜22の上面を平坦化する(図3O)。
公知のリソグラフィ技術を用いて、層間絶縁膜22上に、略円形の開口パターンを有するレジストパターンを形成した後、このレジストパターンを用いたドライエッチングによって、層間絶縁膜22を貫通してシリコン層14の上面を露出させるコンタクトホール23を開孔する。コンタクトホール23の開孔に際しては、酸化シリコンと窒化シリコンとのエッチ選択比が10以上となる条件を用い、側壁保護膜21を自己整合マスクとする自己整合(Self Alignment)法によって行う。側壁保護膜21を自己整合マスクとしてコンタクトホール23を開孔することによって、後に形成するコンタクトプラグ25と第2電極部分19との短絡を効果的に抑制できる。
引き続き、イオン注入法などを用いて、コンタクトホール23から露出するシリコン層14の表面部分に不純物を注入し、ソース拡散層24a及びドレイン拡散層24bの高濃度領域をそれぞれ形成する。コンタクトホール23内部を含み全面に不純物ドープ・多結晶シリコン層を堆積した後、CMP法によって、層間絶縁膜22上に堆積した多結晶シリコン層を除去することによって、図2に示したコンタクトプラグ25を形成する。
なお、ソース拡散層24a及びドレイン拡散層24bの高濃度領域は、コンタクトプラグ25を形成した後、コンタクトプラグ25にドープされた不純物をシリコン層14内に拡散させて形成してもよい。
本実施形態の製造方法によれば、ゲート電極を、チャネル側部の第1電極部分18と、チャネル頂部の第2電極部分19とに分けて形成することによって、ゲート電極形成のパターニングに際してアスペクト比を低くできる。これによって、ゲート電極の形成に際して生じる、パターニング不良やパターン倒れを抑制し、製造の歩留りを向上できる。また、高精度のフォトリソグラフィ技術が要求される高アスペクト比のパターニング工程を行う必要がないので、製造コストの上昇を抑制できる。
また、チャネルを構成するシリコン層14をシリコン基板11とは独立に形成すると共に、その形成に際して層中にin-situで不純物をドープすることによって、チャネル内の不純物濃度のばらつきを抑制し、チャネルの頂部付近での電界集中を抑制できる。
側部ゲート絶縁膜16の形成に際して、680〜700℃の温度条件を採用するCVD法を採用することによって、良好な膜質で成膜できると共に、シリコン層14に導入した不純物濃度の変動を抑制できる。これによって、FinFETの特性のばらつきを抑え、半導体装置の信頼性を高めることが出来る。なお、HTO膜に代えて、窒化シリコン膜やHigh-K膜と呼ばれるHfO膜をCVD法で成膜しても、同様の効果が得られる。
以上、本発明をその好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、上記実施形態の構成にのみ限定されるものではなく、上記実施形態の構成から種々の修正及び変更を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
10:半導体装置
11:シリコン基板
12:素子分離層
13:素子形成領域
14:シリコン層
15:頂部ゲート絶縁膜
15a:窒化シリコン層
16:側部ゲート絶縁膜
16a:HTO膜
17:酸化シリコン層
18:ゲート電極の第1電極部分
18a:多結晶シリコン層
19:ゲート電極の第2電極部分
20:電極保護膜
21:側壁保護膜
22:層間絶縁膜
23:コンタクトホール
24a:ソース拡散層
24b:ドレイン拡散層
25:コンタクトプラグ
31:酸化シリコン膜
32:窒化シリコン膜
33:トレンチ
34:酸化シリコン層
35:トレンチ
36:酸化シリコン膜
37:トレンチ
11:シリコン基板
12:素子分離層
13:素子形成領域
14:シリコン層
15:頂部ゲート絶縁膜
15a:窒化シリコン層
16:側部ゲート絶縁膜
16a:HTO膜
17:酸化シリコン層
18:ゲート電極の第1電極部分
18a:多結晶シリコン層
19:ゲート電極の第2電極部分
20:電極保護膜
21:側壁保護膜
22:層間絶縁膜
23:コンタクトホール
24a:ソース拡散層
24b:ドレイン拡散層
25:コンタクトプラグ
31:酸化シリコン膜
32:窒化シリコン膜
33:トレンチ
34:酸化シリコン層
35:トレンチ
36:酸化シリコン膜
37:トレンチ
Claims (7)
- 半導体基板の表面に堆積され、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域を形成する半導体層と、
前記半導体基板上に絶縁層を介して堆積され第1のゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域の側面に対向する一対の第1電極部分と、第2のゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域の頂面に対向し、且つ、前記第1電極部分の頂部に接する第2電極部分とを有するゲート電極と
を有するMOSFETを備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1電極部分と前記第2電極部分とが異なる材料で形成されている、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1電極部分がシリコン層で形成され、前記第2電極部分が金属層で形成される、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記チャネル領域は、前記第1のゲート絶縁膜が表面に形成された一対の第1電極部分の間にエピタキシャル成長によって堆積されている、請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第2電極部分が高融点金属層で形成される、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第2のゲート絶縁膜が窒化シリコン膜を含む、請求項1に記載の半導体装置。
- 絶縁層を介して半導体基板上に堆積され、所定の間隔を隔てて対向する一対の第1電極部分を形成する工程と、
前記一対の第1電極部分の相互に対向する側面に、それぞれ第1のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第1のゲート絶縁膜を形成した一対の第1電極間に、ソース/ドレイン領域及びチャネル領域を構成する半導体層を堆積する工程と、
前記半導体層の表面に第2のゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第2のゲート絶縁膜の前記チャネル領域に対応する表面、及び、前記第1電極部分の頂面に延在し、前記第1電極部分と共にゲート電極を構成する第2電極部分を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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