JP2008122999A - 電子写真感光体および該電子写真感光体に起因する干渉縞有無の判定方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】粗面化された基体表面に、金属酸化物を有し、一定の膜厚偏差を有する塗布形成下引き層と感光層を備える感光体について、画像出しをしなくても、より正確に干渉縞の有無が確認できる電子写真感光体の干渉縞有無の判定方法（良否判定方法）の提供。
【解決手段】可干渉性露光光源を備える電子写真装置に搭載され、金属酸化物含有の下引き層と感光層とが粗面化された導電性基体表面に塗布形成されてなる電子写真感光体に起因する干渉縞有無の判定方法であって、感光体の表面反射率を所定波長を有する可干渉光により所定波長間隔ごとに測定し、得られた表面反射率を導電性鏡面基体を基準として補正して感光体の反射率を得、反射率を離散フーリエ変換した結果からパワースペクトルの値を算出し、パワースペクトルの所定周波数範囲における明瞭な最大ピークのピーク値を用いて干渉縞発生の有無を判定する。
【選択図】図１
【解決手段】可干渉性露光光源を備える電子写真装置に搭載され、金属酸化物含有の下引き層と感光層とが粗面化された導電性基体表面に塗布形成されてなる電子写真感光体に起因する干渉縞有無の判定方法であって、感光体の表面反射率を所定波長を有する可干渉光により所定波長間隔ごとに測定し、得られた表面反射率を導電性鏡面基体を基準として補正して感光体の反射率を得、反射率を離散フーリエ変換した結果からパワースペクトルの値を算出し、パワースペクトルの所定周波数範囲における明瞭な最大ピークのピーク値を用いて干渉縞発生の有無を判定する。
【選択図】図１
Description
本発明は、露光光源がレーザービーム方式である電子写真方式のプリンタ、ファックス等に搭載される電子写真感光体に関し、詳しくは干渉縞発生の有無、さらに電子写真特性をも改善された電子写真感光体に関する。
本発明にかかる露光光源がレーザービーム方式である電子写真方式のプリンタ、ファックスなどは、搭載される電子写真感光体に、それぞれ、表面帯電を行ない、露光により静電潜像を形成し、現像ステップにおいて現像器から搬送されるトナーをバイアス電圧印加により静電気的に付着させた後に、転写ステップで紙にトナーを付着して画像を得るカールソン（Ｃ．Ｆ．Ｃａｒｌｓｏｎ）方式の電子写真プロセスを備えた乾式電子写真装置である。
このような乾式電子写真装置は、露光光源に可干渉性（単色光）のレーザービームを使用しているため、光学的干渉が起きやすい。モアレ模様やゼブラ模様といった、いわゆる干渉縞模様が出力印字画像上に発生すると、画像品質上問題となる。
前記干渉縞模様は、単色光による感光層の表面反射光と、基体表面を含む内部各層の界面からの反射光とが、不均一な層厚に起因して光学的干渉を起こし、反射光強度に強弱が発生することにより生じる。電子写真感光体では、通常、導電性基体表面で反射したレーザービームと感光層最表面で反射するレーザービームとの干渉の影響が最も大きい。
前記干渉縞問題を解決する目的で種々の発明が既になされている。たとえば、導電性基体表面をサンドブラスト処理により微細な凹凸を形成し、乱反射させることにより特定方向への反射光を減らすと干渉縞を抑制または防止できることはよく知られている（特許文献１、２、３、４）。
このような乾式電子写真装置は、露光光源に可干渉性（単色光）のレーザービームを使用しているため、光学的干渉が起きやすい。モアレ模様やゼブラ模様といった、いわゆる干渉縞模様が出力印字画像上に発生すると、画像品質上問題となる。
前記干渉縞模様は、単色光による感光層の表面反射光と、基体表面を含む内部各層の界面からの反射光とが、不均一な層厚に起因して光学的干渉を起こし、反射光強度に強弱が発生することにより生じる。電子写真感光体では、通常、導電性基体表面で反射したレーザービームと感光層最表面で反射するレーザービームとの干渉の影響が最も大きい。
前記干渉縞問題を解決する目的で種々の発明が既になされている。たとえば、導電性基体表面をサンドブラスト処理により微細な凹凸を形成し、乱反射させることにより特定方向への反射光を減らすと干渉縞を抑制または防止できることはよく知られている（特許文献１、２、３、４）。
さらに、粗面化基体について一定区間の表面粗さデータをサンプリングして、フーリエ変換を行い、パワースペクトルを求め、複数ピークを有するように粗面化された導電性基体を用いてその上に感光層を形成して感光体と成すことにより、スジ画像のない感光体とする発明に関する記載がある（特許文献５、６）。
さらにまた、導電性基体の表面粗さを所定の平均表面粗さ、最大表面粗さにした感光体に関する発明の記載がある（特許文献７）。
特開２００１−７５２９９号公報
特開２００１−２４９４７７号公報
特開２０００−６６４２８号公報
特開２０００−７５５２８号公報
特開２００２−２９６８２２号公報
特開２００２−２９６８２４号公報
特開２００２−１７４９２１号公報
さらにまた、導電性基体の表面粗さを所定の平均表面粗さ、最大表面粗さにした感光体に関する発明の記載がある（特許文献７）。
しかしながら、前述した従来の導電性基体表面に微細な凹凸を形成することによる干渉縞発生の防止方法はいずれにおいても、次に述べるような問題がある。本発明者による検討結果では、前記サンドブラスト処理された導電性基体上に塗布形成された下引き層、感光層の層構造が、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を順次積層してなる有機感光体（以下、「積層型有機感光体」ともいう。）の場合、単に前記各特許文献記載の干渉縞発生の防止効果はそれなりにあるものの、導電性基体の表面粗さを所定の値にすることのみの対策では干渉縞を十分には防ぐことができない場合があった。
たとえば、干渉縞が発生しないように適切にサンドブラスト処理された導電性基体であっても、この基体上に塗布形成される下引き層の膜厚を増加させていくと、次第に再度画像上の干渉縞が明確になってくるという関係がある。しかし、この場合も下引き層の膜厚に応じてサンドブラスト処理を強く施し、凹凸の程度をより粗くなるように粗面化を対応させた導電性基体を用いると、厚膜化した下引き層の場合でさえも、ある程度までは干渉縞の発生を防止できるようになることは知られている。しかし、干渉縞の有無を確認するには、下引き層の上に感光層を塗布形成して感光体ドラムとし、さらにドラムの両端にフランジ等の部品を取り付けてから、画像形成装置（実機）に感光体を搭載し、画像出しをして確認する必要があったので、結果が直ちには分からず、時間と手間がかかるという問題があった。ところが、下引き層上に形成された感光層によっても干渉縞の発生条件が変化するので、導電性基体の表面粗さのみを規定しても、必ずしも干渉縞を防止できないという問題があった。
たとえば、干渉縞が発生しないように適切にサンドブラスト処理された導電性基体であっても、この基体上に塗布形成される下引き層の膜厚を増加させていくと、次第に再度画像上の干渉縞が明確になってくるという関係がある。しかし、この場合も下引き層の膜厚に応じてサンドブラスト処理を強く施し、凹凸の程度をより粗くなるように粗面化を対応させた導電性基体を用いると、厚膜化した下引き層の場合でさえも、ある程度までは干渉縞の発生を防止できるようになることは知られている。しかし、干渉縞の有無を確認するには、下引き層の上に感光層を塗布形成して感光体ドラムとし、さらにドラムの両端にフランジ等の部品を取り付けてから、画像形成装置（実機）に感光体を搭載し、画像出しをして確認する必要があったので、結果が直ちには分からず、時間と手間がかかるという問題があった。ところが、下引き層上に形成された感光層によっても干渉縞の発生条件が変化するので、導電性基体の表面粗さのみを規定しても、必ずしも干渉縞を防止できないという問題があった。
このことから、干渉縞の発生する要因を解析したところ、以下のように考察されるに至った。すなわち、下引き層を備える導電性基体に、感光層として電荷発生層、電荷輸送層を順次積層してなる有機感光体に単色光としてレーザービームを照射する場合、電荷発生層は、その機能面から必要な、前記レーザービームの干渉性波長光を吸収する電荷発生材料として有機顔料微粒子を用いることが多い。この有機顔料微粒子は一般的には有機溶剤に不溶性なので、樹脂バインダ中に均一に分散させることにより良好な電荷発生機能を有する電荷発生層として使用される。このような前記感光体の感光層に入射したレーザービームは、上層の電荷輸送層を通過した後、電荷発生層に到達すると、電荷発生材料で吸収されるだけでなく、有機顔料と有機顔料の微粒子間を通過して下引き層に照射される。下引き層への照射光は下引き層内に侵入する光と下引き層表面で反射する光に分かれ、下引き層表面で反射する光は、感光層最表面に到達し、ここでさらに最表面から出て行く成分と最表面で内部反射し電荷発生層に再度向かう成分に分かれる。
一方、下引き層内に侵入した光は導電性基体にて反射されると、電荷発生層に再侵入し、電荷発生層中の有機顔料で吸収される成分と有機顔料と有機顔料の間を通過して感光層最表面に到達し、ここでさらに最表面から出て行く成分と最表面で内部反射し電荷発生層に再度向かう成分に分かれる。
一方、下引き層内に侵入した光は導電性基体にて反射されると、電荷発生層に再侵入し、電荷発生層中の有機顔料で吸収される成分と有機顔料と有機顔料の間を通過して感光層最表面に到達し、ここでさらに最表面から出て行く成分と最表面で内部反射し電荷発生層に再度向かう成分に分かれる。
このように、感光層中では、入射したレーザービームはある層に侵入するだけでなく、その層表面で反射する成分を有する。この反射成分が光学的干渉に大きく影響する。詳細に考察した結果、干渉縞の発生要因となる反射には、複数面からの反射のあることがわかった。その一は下引き層表面で反射したレーザービームが感光層最表面に到達し、外方に向かう成分と感光層最表面に入射されるレーザービームの最表面での反射成分とが重なることにより光強度が強くなり、重ならないところは弱くなって光強度に強弱が生じることにより画像上に干渉縞が発生する反射要因である。その他の反射要因には、導電性基体表面で反射された光と、入射光が感光層最表面で反射される成分との干渉がある。このように、干渉縞の発生モードには、主として、導電性基体表面からの反射と下引き層表面からの反射の場合による二つの要因がある。
干渉縞の発生に関する以上の説明から、サンドブラスト処理により粗面化された導電性基体上に下引き層を介して感光層が形成される有機感光体の場合、導電性基体表面からの特定方向への反射強度を、基体の粗面化による乱反射によって小さくしても、下引き層表面からの反射光の影響を無視できない場合（たとえば、厚膜下引き層を形成した場合）、下引き層表面もまた新たに粗面化しなければ、干渉縞の完全な防止は困難であると言うことである。
干渉縞の発生に関する以上の説明から、サンドブラスト処理により粗面化された導電性基体上に下引き層を介して感光層が形成される有機感光体の場合、導電性基体表面からの特定方向への反射強度を、基体の粗面化による乱反射によって小さくしても、下引き層表面からの反射光の影響を無視できない場合（たとえば、厚膜下引き層を形成した場合）、下引き層表面もまた新たに粗面化しなければ、干渉縞の完全な防止は困難であると言うことである。
ただし、多くの場合にそうであるように、従来は、下引き層が塗布形成による薄膜の場合は、薄膜であるが故に、特に前記薄膜の表面に新たな粗面化処理をしなくても、自然と下引き層表面は導電性基体表面のサンドブラスト処理による凹凸に追随した凹凸を有する粗面化された面となるので、下引き層表面の粗面化をあまり考慮する必要がなかったのである。
しかし、低膜厚（薄膜）の下引き層では感光層形成後の全膜厚が小さくなるために、全膜厚を通した電気抵抗が低抵抗化されている。この場合、特に、プリンタ等の接触帯電プロセスを有する画像形成装置では、帯電プロセスにおいて、感光層にリークが発生しやすくなるという問題が発生する。前記リークが発生すると、結果的に得られる画像上にリーク痕跡またはドラム周期をもつ帯状の画像不良が発生するので、プリンタ等では厚膜の下引き層を備えた電子写真感光体が求められるようになったのである。
また、前記リークを防ぐために厚膜の下引き層を塗布形成する場合は、前述したように、厚膜でも下引き層表面に基体表面の粗面状態が対応して現れるように粗さの凹凸を大きく（平均粗さＲａと最大表面粗さＲｍａｘを大きく）した表面粗さを有する導電性基体を用いるか、または下引き層表面を再度粗面化する必要がある。前者では厚膜の程度に限界があり、それほど厚くはできない。後者では前記下引き層表面を再度粗面化すると、前記下引き層表面の凸部に対応する白紙地上に黒ポチカブリやリークが発生し易くなり、また、ハーフトーン画像上で凹凸に起因した濃度ムラが生じる現象が起きやすくなるという新たな問題が発生するようになる。
しかし、低膜厚（薄膜）の下引き層では感光層形成後の全膜厚が小さくなるために、全膜厚を通した電気抵抗が低抵抗化されている。この場合、特に、プリンタ等の接触帯電プロセスを有する画像形成装置では、帯電プロセスにおいて、感光層にリークが発生しやすくなるという問題が発生する。前記リークが発生すると、結果的に得られる画像上にリーク痕跡またはドラム周期をもつ帯状の画像不良が発生するので、プリンタ等では厚膜の下引き層を備えた電子写真感光体が求められるようになったのである。
また、前記リークを防ぐために厚膜の下引き層を塗布形成する場合は、前述したように、厚膜でも下引き層表面に基体表面の粗面状態が対応して現れるように粗さの凹凸を大きく（平均粗さＲａと最大表面粗さＲｍａｘを大きく）した表面粗さを有する導電性基体を用いるか、または下引き層表面を再度粗面化する必要がある。前者では厚膜の程度に限界があり、それほど厚くはできない。後者では前記下引き層表面を再度粗面化すると、前記下引き層表面の凸部に対応する白紙地上に黒ポチカブリやリークが発生し易くなり、また、ハーフトーン画像上で凹凸に起因した濃度ムラが生じる現象が起きやすくなるという新たな問題が発生するようになる。
さらに、干渉縞の発生要因としては、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層の各層の膜厚偏差がある。この中でも感光層最表面である電荷輸送層の膜厚偏差の影響が感光層中で最も大きい。これは電荷輸送層の膜厚が通常最も厚いことから、前記膜厚偏差の形成に最も影響が大きいのである。電荷輸送層の膜厚偏差に関しては、波長７８０ｎｍの半導体レーザーの場合、理論的に膜厚偏差が０でなくとも、膜厚偏差が０.３μｍ以下であれば、実用的に問題となる干渉縞は発生しない。
膜厚偏差と干渉縞発生との関連性を見るための実験として、サンドブラスト処理されていない導電性鏡面基体（素管）を用いて、塗布液として、電荷輸送層塗布形成用粘度を有する塗布液、塗布方法として干渉縞を故意に発生させるために膜厚偏差の出易いシールコート法により１〜５μｍ程度の膜厚偏差を有する電荷輸送層塗布膜を形成した感光体ドラムについて干渉縞を確認したところ、膜厚偏差に応じて異なる干渉縞模様を得た。このような鏡面素管を用いて干渉縞を防止するためには、最低でも膜厚偏差の小さい塗布膜形成が可能な浸漬塗布方法による塗布を行い、塗布されたドラム軸方向、周方向の印字領域内の電荷輸送層膜厚偏差を前述のように０．３μｍ以下に抑えなければならないが、実際には、浸漬塗布では、通常、膜厚偏差は０．５〜３μｍ／軸方向あり、注意を払っても０．５〜１．５μｍ／軸方向あるので、膜厚偏差０．３μｍ以下は、実験的には可能であっても効率的な量産工程においては困難である。そこで、従来は前記特許文献にも記載のように導電性基体として、前記のような鏡面基体ではなく、サンドブラスト処理による所定の粗さに粗面化された基体（素管）を用いることにより、干渉縞の発生を防止しているのである。
膜厚偏差と干渉縞発生との関連性を見るための実験として、サンドブラスト処理されていない導電性鏡面基体（素管）を用いて、塗布液として、電荷輸送層塗布形成用粘度を有する塗布液、塗布方法として干渉縞を故意に発生させるために膜厚偏差の出易いシールコート法により１〜５μｍ程度の膜厚偏差を有する電荷輸送層塗布膜を形成した感光体ドラムについて干渉縞を確認したところ、膜厚偏差に応じて異なる干渉縞模様を得た。このような鏡面素管を用いて干渉縞を防止するためには、最低でも膜厚偏差の小さい塗布膜形成が可能な浸漬塗布方法による塗布を行い、塗布されたドラム軸方向、周方向の印字領域内の電荷輸送層膜厚偏差を前述のように０．３μｍ以下に抑えなければならないが、実際には、浸漬塗布では、通常、膜厚偏差は０．５〜３μｍ／軸方向あり、注意を払っても０．５〜１．５μｍ／軸方向あるので、膜厚偏差０．３μｍ以下は、実験的には可能であっても効率的な量産工程においては困難である。そこで、従来は前記特許文献にも記載のように導電性基体として、前記のような鏡面基体ではなく、サンドブラスト処理による所定の粗さに粗面化された基体（素管）を用いることにより、干渉縞の発生を防止しているのである。
量産的に安定した、干渉縞の発生しない電子写真感光体の製造方法としては、極めて厳しい製造上の条件である膜厚偏差を小さくすることよりも、膜厚偏差は多少大きくても、干渉縞の発生しない製造方法とすることが望ましい。
また、前記特許文献５、６に記載されるように、粗面化基体について一定区間の表面粗さデータをサンプリングして、フーリエ変換を行い、パワースペクトルを求めて干渉縞発生との関係を求めることも知られているが、前記関係は基体の表面粗さとの関係のみである。しかし、干渉縞の発生は後述するように、基体上に形成される下引き層と感光層の形成条件により変わってくる。
本発明は、以上述べた点に鑑みてなされたものであり、その目的は、粗面化された基体表面に、金属酸化物を有し、一定の膜厚偏差を有する塗布形成下引き層と感光層を備える感光体について、画像出しをしなくても、より正確に干渉縞の有無が確認できる電子写真感光体の干渉縞有無の判定方法（良否判定方法）の提供および実質的に干渉縞の発生がない電子写真感光体の提供および干渉縞がなく、白紙地上の黒ポチカブリ、リークによる画像上の黒ポチや帯状の画像不良、濃度ムラをも抑制できる電子写真感光体を提供することである。
また、前記特許文献５、６に記載されるように、粗面化基体について一定区間の表面粗さデータをサンプリングして、フーリエ変換を行い、パワースペクトルを求めて干渉縞発生との関係を求めることも知られているが、前記関係は基体の表面粗さとの関係のみである。しかし、干渉縞の発生は後述するように、基体上に形成される下引き層と感光層の形成条件により変わってくる。
本発明は、以上述べた点に鑑みてなされたものであり、その目的は、粗面化された基体表面に、金属酸化物を有し、一定の膜厚偏差を有する塗布形成下引き層と感光層を備える感光体について、画像出しをしなくても、より正確に干渉縞の有無が確認できる電子写真感光体の干渉縞有無の判定方法（良否判定方法）の提供および実質的に干渉縞の発生がない電子写真感光体の提供および干渉縞がなく、白紙地上の黒ポチカブリ、リークによる画像上の黒ポチや帯状の画像不良、濃度ムラをも抑制できる電子写真感光体を提供することである。
請求項１記載の発明によれば、前記目的は、可干渉性露光光源を備える電子写真装置に搭載され、金属酸化物含有の塗布形成下引き層と有機感光層とが粗面化された導電性基体表面に順次塗布形成されてなる電子写真感光体に起因する干渉縞有無の判定方法であって、電子写真感光体の表面反射率を、波長範囲７５０ｎｍ≦λ≦８１２ｎｍにおける所定の波長を有する可干渉光により所定の波長間隔Δλごとに測定し（表面反射率の測定）、得られた表面反射率を導電性鏡面基体を基準として補正して、前記電子写真感光体の反射率Ｉｏｐｃを得（鏡面基体による補正反射率の算出）、該反射率を下記数式（１）を用いて離散フーリエ変換した結果から、下記数式（２）で示されるパワースペクトル｜Ｓ（ｎ／（Ｎ・Δλ））｜2の値を算出し（パワースペクトルの算出）、該パワースペクトルの、周波数範囲０＜ｎ／（Ｎ・Δλ）（Ｈｚ）≦２．５×１０8における明瞭な最大ピークのピーク値をＳｐとするとき、
Ｓｐ≦１０の場合に干渉縞発生がない、
Ｓｐ＞１０の場合に干渉縞発生がある、
と判定する（判定）、電子写真感光体の干渉縞判定方法とすることにより、達成される。
Ｓｐ≦１０の場合に干渉縞発生がない、
Ｓｐ＞１０の場合に干渉縞発生がある、
と判定する（判定）、電子写真感光体の干渉縞判定方法とすることにより、達成される。
ここで反射率Ｉｏｐｃは後述する方法により求められるものである。また、パワースペクトルは、波長を横軸にとったときの反射率Ｉｏｐｃスペクトルと干渉縞を関係づけるものであって、感光体の層構成（導電性基体の反射率と表面粗さ、下引き層の膜厚と反射率、電荷発生層及び電荷輸送層の膜厚や膜厚偏差の組み合せ）を反映するものである。そして、この最大ピーク値Ｓｐは、画像上の干渉縞の有無により変化する。具体的には画像上の干渉縞発生強度が強くなると、Ｓｐ値は増加する傾向がある。
請求項２記載の発明によれば、前記感光層が、電荷発生材料と樹脂バインダを含む電荷発生層と、電荷輸送材料と樹脂バインダを含む電荷輸送層とを順次積層してなる特許請求の範囲の請求項１記載の干渉縞有無の判定方法とすることが好ましい。
請求項３記載の発明によれば、前記基体表面がサンドブラスト処理により粗面化されてなる特許請求の範囲の請求項１または２記載の干渉縞有無の判定方法とすることが好ましい。
請求項２記載の発明によれば、前記感光層が、電荷発生材料と樹脂バインダを含む電荷発生層と、電荷輸送材料と樹脂バインダを含む電荷輸送層とを順次積層してなる特許請求の範囲の請求項１記載の干渉縞有無の判定方法とすることが好ましい。
請求項３記載の発明によれば、前記基体表面がサンドブラスト処理により粗面化されてなる特許請求の範囲の請求項１または２記載の干渉縞有無の判定方法とすることが好ましい。
また、特許請求の範囲の請求項１に記載した判定方法を電子写真感光体の製造工程に組み込むことで、すなわち、可干渉性露光光源を備える電子写真装置に搭載され、金属酸化物含有の塗布形成下引き層と有機感光層とを粗面化された導電性基体表面に順次塗布形成する電子写真感光体の製造方法において、請求項１に記載した判定方法を採用し、Ｓｐ≦１０の場合に干渉縞発生がなく良品であると判定する製造方法により、干渉縞等の画像欠陥のない感光体を提供することができる。
本発明によれば、可干渉性露光光源を備える電子写真装置に搭載され、金属酸化物含有の塗布形成下引き層と有機感光層とが粗面化された導電性基体表面に順次塗布形成されてなる電子写真感光体に起因する干渉縞有無の判定方法であって、電子写真感光体の表面反射率を、波長範囲７５０ｎｍ≦λ≦８１２ｎｍにおける所定の波長を有する可干渉光により所定の波長間隔Δλごとに測定し、得られた表面反射率を導電性鏡面基体を基準として補正して、前記電子写真感光体の反射率Ｉｏｐｃを得、該反射率を前記数式（１）を用いて離散フーリエ変換した結果から、前記数式（２）で示されるパワースペクトル｜Ｓ（ｎ／（Ｎ・Δλ））｜2の値を算出し、該パワースペクトルの、周波数範囲０＜ｎ／（Ｎ・Δλ）（Ｈｚ）≦２．５×１０8における明瞭な最大ピークのピーク値をＳｐとするとき、Ｓｐ≦１０の場合に干渉縞発生がない、Ｓｐ＞１０の場合に干渉縞発生がある、と判定する電子写真感光体の干渉縞判定方法、および、前記パワースペクトルのピーク値ＳｐがＳｐ≦１０の条件を満たすように前記導電性基体の表面が粗面化され、また、前記下引き層と有機感光層とが形成されている電子写真感光体としたので、粗面化された基体表面に、金属酸化物を有し、一定の膜厚偏差を有する塗布形成下引き層と感光層を備える感光体について、画像出しをしなくても干渉縞の有無が確認できる電子写真感光体の干渉縞有無の判定方法の提供および実質的に干渉縞の発生がなく、白紙地上の黒ポチカブリ、リークによる画像上の黒ポチや帯状の画像不良、濃度ムラをも抑制できる電子写真感光体を提供することができる。
以下、本発明の電子写真感光体とその評価方法に関し、図を用いて詳細に説明する。本発明はその要旨を超えない限り、以下に説明する実験例に限定されるものではない。
図１は、本発明に関わる感光体の一構成例を示す模式的断面図であり、粗面化された導電性基体１の上に、下引き層２を介して、電荷発生層４、電荷輸送層５が順次積層されてなる感光層３が設けられた構成の負帯電型の機能分離積層型有機感光体である。
導電性基体１は、感光体の一電極としての役目と同時に感光体を構成する各層の支持体となっており、円筒状、板状、フィルム状などいずれの形状でもよく、材質的には、アルミニウム、ステンレス鋼、ニッケルなどの金属類である。該導電性基体は、干渉縞防止目的に、表面がサンドブラストなどにより粗面化処理される。サンドブラスト処理に用いられるメディアは、アルミナ、ジルコニア、ガラスビーズなどが用いられる。
下引き層２は、有機系樹脂バインダと、光散乱材として機能層の導電性を調整して、ある程度の厚膜としても感光層と基体間での電荷の移動を制御する機能を有する金属酸化物とを主成分とする層から構成され、さらに基体表面に存在する欠陥の被覆、感光層と基体との接着性の向上などの目的で必要に応じて設けられる。下引き層に用いられる樹脂材料としては、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、メラミン、セルロースなどの絶縁性高分子、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性高分子が挙げられ、これらの樹脂は単独で、あるいは適宜組み合わせて混合して用いることができる。また、これらの樹脂に光散乱材等として分散含有される金属酸化物は、主として二酸化チタン、酸化亜鉛などが好ましい。
図１は、本発明に関わる感光体の一構成例を示す模式的断面図であり、粗面化された導電性基体１の上に、下引き層２を介して、電荷発生層４、電荷輸送層５が順次積層されてなる感光層３が設けられた構成の負帯電型の機能分離積層型有機感光体である。
導電性基体１は、感光体の一電極としての役目と同時に感光体を構成する各層の支持体となっており、円筒状、板状、フィルム状などいずれの形状でもよく、材質的には、アルミニウム、ステンレス鋼、ニッケルなどの金属類である。該導電性基体は、干渉縞防止目的に、表面がサンドブラストなどにより粗面化処理される。サンドブラスト処理に用いられるメディアは、アルミナ、ジルコニア、ガラスビーズなどが用いられる。
下引き層２は、有機系樹脂バインダと、光散乱材として機能層の導電性を調整して、ある程度の厚膜としても感光層と基体間での電荷の移動を制御する機能を有する金属酸化物とを主成分とする層から構成され、さらに基体表面に存在する欠陥の被覆、感光層と基体との接着性の向上などの目的で必要に応じて設けられる。下引き層に用いられる樹脂材料としては、カゼイン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、メラミン、セルロースなどの絶縁性高分子、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリンなどの導電性高分子が挙げられ、これらの樹脂は単独で、あるいは適宜組み合わせて混合して用いることができる。また、これらの樹脂に光散乱材等として分散含有される金属酸化物は、主として二酸化チタン、酸化亜鉛などが好ましい。
電荷発生層４は、電荷発生材料の粒子を樹脂バインダ中に溶剤と共に分散させた塗布液を塗布乾燥して形成され、光を受容して電荷を発生する。またその電荷発生効率が高いことと同時に発生した電荷の電荷輸送層５への注入性が重要であり、電場依存性が少なく低電場でも注入の良いことが望ましい。電荷発生材料としては、無金属フタロシアニン等よく知られた各種フタロシアニン化合物およびその誘導体を用いることができる。樹脂バインダとしては、ポリエステル樹脂、ポリビニルアセテート、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸エステル、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセトアセタール、ポリビニルプロピオナール、ポリビニルブチラール、フェノキシ樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、セルロースエステル、セルロースエーテルなどを適宜組み合わせて使用することが可能である。
樹脂バインダと電荷発生材料との比率は、樹脂バインダ１０重量部に対し電荷発生材料は５から５００重量部、好ましくは１０から１００重量部である。さらに電荷発生層４は、その上部に電荷輸送層５が積層されるので、その膜厚は電荷発生物質の光吸収係数によって決まり、一般的には５μｍ以下であり、好適には１μｍ以下である。
電荷輸送材料としては、ヒドラゾン化合物、ブタジエン化合物、ジアミン化合物、インドール化合物、インドリン化合物、スチルベン化合物、ジスチルベン化合物などがそれぞれ単独で、あるいは適宜組み合わせで混合して用いられる。具体的には、特開２０００−１３１９３８号公報記載の化合物である。樹脂バインダとしては、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＺ型、ビスフェノールＡ型ービフェニル共重合体などのポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリフェニレン樹脂などがそれぞれ単独で、あるいは適宜組み合わせで混合して用いられる。具体的には、特開２０００−１３１９３８号公報記載の化合物である。かかる化合物の使用量は、樹脂バインダ１０重量部に対し、電荷輸送材料２から５０重量部、好適には３から３０重量部である。電荷輸送層の膜厚としては、実用上有効な表面電位を維持するためには３から５０μｍの範囲が好ましく、より好適には１５から４０μｍである。
樹脂バインダと電荷発生材料との比率は、樹脂バインダ１０重量部に対し電荷発生材料は５から５００重量部、好ましくは１０から１００重量部である。さらに電荷発生層４は、その上部に電荷輸送層５が積層されるので、その膜厚は電荷発生物質の光吸収係数によって決まり、一般的には５μｍ以下であり、好適には１μｍ以下である。
電荷輸送材料としては、ヒドラゾン化合物、ブタジエン化合物、ジアミン化合物、インドール化合物、インドリン化合物、スチルベン化合物、ジスチルベン化合物などがそれぞれ単独で、あるいは適宜組み合わせで混合して用いられる。具体的には、特開２０００−１３１９３８号公報記載の化合物である。樹脂バインダとしては、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＺ型、ビスフェノールＡ型ービフェニル共重合体などのポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリフェニレン樹脂などがそれぞれ単独で、あるいは適宜組み合わせで混合して用いられる。具体的には、特開２０００−１３１９３８号公報記載の化合物である。かかる化合物の使用量は、樹脂バインダ１０重量部に対し、電荷輸送材料２から５０重量部、好適には３から３０重量部である。電荷輸送層の膜厚としては、実用上有効な表面電位を維持するためには３から５０μｍの範囲が好ましく、より好適には１５から４０μｍである。
さらに、下引き層、電荷輸送層には耐環境性や有害な光に対する安定性の向上などを目的として必要に応じて、酸化防止剤、光安定剤などを添加することができる。
上述した酸化防止剤、光安定剤は通常、電荷輸送材料１００重量部に対して０．０５〜１０重量部、好適には０．２〜５重量部である。
さらに、感光層中には、形成した膜のレベリング性の向上や、さらなる潤滑性の付与を目的として、シリコーンオイルやフッ素系オイルなどのレベリング剤を含有させることもできる。
（反射率の測定）
以降の説明では、反射率とは鏡面基体（基準対象）の表面反射率を基準反射率として、この基準反射率に対する測定対象の表面反射率の比率を百分率（％）で表した値を意味する。
図１６は、この反射率の測定に用いる反射率測定装置１６であり、その概要について以下説明する。電源１０１を備えたハロゲンランプ１０２から出た光が入射光用ファイバー管１０３を通って測定基体１０４と表面に被覆された薄膜１０５からなる測定対象に照射される。ここで、入射光と基体表面からの反射光との間で光干渉が起きる。その可干渉光は反射光用ファイバー管１０６を通って、点線で囲まれた装置本体１００に戻る。装置本体１００内では、前記反射光がスリット１０７を通って回折格子付きミラー１０８で反射される。ここで分光された光は検出器１０９で検出される。検出された光は電気信号に変換されて増幅器（以下図示せず）を介してパソコンに送られ、データ処理されて出力される。前記測定対象として、本発明にかかる実験では、基準鏡面素管または以下に説明する感光体試料が置かれる。
上述した酸化防止剤、光安定剤は通常、電荷輸送材料１００重量部に対して０．０５〜１０重量部、好適には０．２〜５重量部である。
さらに、感光層中には、形成した膜のレベリング性の向上や、さらなる潤滑性の付与を目的として、シリコーンオイルやフッ素系オイルなどのレベリング剤を含有させることもできる。
（反射率の測定）
以降の説明では、反射率とは鏡面基体（基準対象）の表面反射率を基準反射率として、この基準反射率に対する測定対象の表面反射率の比率を百分率（％）で表した値を意味する。
図１６は、この反射率の測定に用いる反射率測定装置１６であり、その概要について以下説明する。電源１０１を備えたハロゲンランプ１０２から出た光が入射光用ファイバー管１０３を通って測定基体１０４と表面に被覆された薄膜１０５からなる測定対象に照射される。ここで、入射光と基体表面からの反射光との間で光干渉が起きる。その可干渉光は反射光用ファイバー管１０６を通って、点線で囲まれた装置本体１００に戻る。装置本体１００内では、前記反射光がスリット１０７を通って回折格子付きミラー１０８で反射される。ここで分光された光は検出器１０９で検出される。検出された光は電気信号に変換されて増幅器（以下図示せず）を介してパソコンに送られ、データ処理されて出力される。前記測定対象として、本発明にかかる実験では、基準鏡面素管または以下に説明する感光体試料が置かれる。
前記反射率測定装置１６により測定される反射率の測定手順を以下に示す。すなわち、１.光源電源１０１のＯＦＦおよびスリットを閉じた状態で測定する。その結果をＩｄａｒｋとする。２.波長λについて基準対象に関する表面反射率Ｉｒｅｆ（基準反射率）を測定する。３.波長λについて測定対象に関する表面反射率Ｉ0を測定する。
前記装置１６により測定された測定対象の表面反射率Ｉ0にはＩｒｅｆおよびＩｄａｒｋが含まれているため、これらを除去した測定対象の反射率Ｉ1は以下の計算式（３）によって得られる。以下、各反射率（Ｉｏｐｃ、Ｉｓｂ、Ｉｕｃｌ）の算出にはこの式を用いる。
前記装置１６により測定された測定対象の表面反射率Ｉ0にはＩｒｅｆおよびＩｄａｒｋが含まれているため、これらを除去した測定対象の反射率Ｉ1は以下の計算式（３）によって得られる。以下、各反射率（Ｉｏｐｃ、Ｉｓｂ、Ｉｕｃｌ）の算出にはこの式を用いる。
ここで、上記手順２にて測定する基準対象は鏡面処理素管を使用している。この基準の鏡面処理素管には、ＪＩＳ規定の平均粗さが０．０１〜０．０３μｍ、最大粗さＲｍａｘが０．１〜０．３μｍに表面処理されたものを用いた。
（干渉縞有無判定実験および画像評価と電子写真特性評価実験用電子写真感光体の作製）
下記実験例１〜５４、比較例１〜５４に示す層構成にて、実験用電子写真感光体試料を作製した。その主要な作製条件を下記表１〜３に分割して示す。実験例、比較例の名称は単に発明の詳細な説明のため、便宜上付けただけで、特に他意はない。
請求項１記載の発明にかかる干渉縞判定方法に関連する実験としては前記実験例１〜５４、比較例１〜５４のすべてが関連し、表１〜表３に実験例、比較例で作製した感光体の層構成を示し、表４〜表６にパワースペクトルの最大ピークのピーク値Ｓｐのしきい値（１０）による干渉縞の発生有無の判定結果と電子写真特性を示し、表７〜表９に目視による干渉縞ランクとその他の画像評価結果をそれぞれ示す。
請求項３記載の発明にかかる感光体は干渉縞の発生の無い感光体であり、実験例４〜１８、２２〜３６、４０〜５４、比較例１〜１８、比較例２２〜３６が属する。
実験例１〜５４のうち、前記実験例４〜１８、２２〜３６、４０〜５４にかかる感光体は請求項３記載の発明にかかる電子写真感光体に属するが、比較例１〜５４記載の感光体は請求項３、４記載のいずれの発明にかかる電子写真感光体にも属しない仕様で作製したものである。この意味において、比較例という語を用いただけである。実験例１〜５４記載の感光体のうち、実験例１〜３、１６〜１８、実験例１９〜２１、３４〜３６、実験例３７〜３９、５２〜５４を除く感光体、すなわち、実験例４〜１５、２２〜３３、４０〜５１で作製した感光体が請求項４記載の発明に含まれる。
（干渉縞有無判定実験および画像評価と電子写真特性評価実験用電子写真感光体の作製）
下記実験例１〜５４、比較例１〜５４に示す層構成にて、実験用電子写真感光体試料を作製した。その主要な作製条件を下記表１〜３に分割して示す。実験例、比較例の名称は単に発明の詳細な説明のため、便宜上付けただけで、特に他意はない。
請求項１記載の発明にかかる干渉縞判定方法に関連する実験としては前記実験例１〜５４、比較例１〜５４のすべてが関連し、表１〜表３に実験例、比較例で作製した感光体の層構成を示し、表４〜表６にパワースペクトルの最大ピークのピーク値Ｓｐのしきい値（１０）による干渉縞の発生有無の判定結果と電子写真特性を示し、表７〜表９に目視による干渉縞ランクとその他の画像評価結果をそれぞれ示す。
請求項３記載の発明にかかる感光体は干渉縞の発生の無い感光体であり、実験例４〜１８、２２〜３６、４０〜５４、比較例１〜１８、比較例２２〜３６が属する。
実験例１〜５４のうち、前記実験例４〜１８、２２〜３６、４０〜５４にかかる感光体は請求項３記載の発明にかかる電子写真感光体に属するが、比較例１〜５４記載の感光体は請求項３、４記載のいずれの発明にかかる電子写真感光体にも属しない仕様で作製したものである。この意味において、比較例という語を用いただけである。実験例１〜５４記載の感光体のうち、実験例１〜３、１６〜１８、実験例１９〜２１、３４〜３６、実験例３７〜３９、５２〜５４を除く感光体、すなわち、実験例４〜１５、２２〜３３、４０〜５１で作製した感光体が請求項４記載の発明に含まれる。
前述の干渉縞有無判定実験および画像評価と電子写真特性評価実験用電子写真感光体試料の実験例１〜５４と比較例１〜５４について、以下説明する。
（実験例１）
（基体の粗面化）
導電性基体としての円筒状アルミニウム導電性基体の表面にサンドブラスト処理を施し、反射率Ｉｓｂ、平均表面粗さＲａ（ＪＩＳ）、最大表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ）がそれぞれＩｓｂ＝１３．６％、Ｒａ＝０．３５μｍ、Ｒｍａｘ＝２．７μｍとなるように粗面化した。前記反射率Ｉｓｂは粗面化した基体の表面反射率と鏡面処理素管の表面反射率との比率（％）であり、上記の方法により図１６の概略図に示す株式会社ユニオン技研製 反射率測定装置 「ＭＣＰＤ−２００」１６により測定した。また、表面粗さは（株）東京精密製サーフコム（ＳＵＲＦＣＯＭ、登録商標）により測定した。このとき基準長さは０．８ｍｍ、測定長さは４ｍｍとした。
（下引き層の形成）
次にサンドブラスト処理により粗面化した前記導電性基体表面上に下引き層として、フェノール樹脂（丸善石油化学製マルカリンカＭＨ−２（登録商標））１．８重量部、メラミン樹脂（三井東圧化学 ユーバン２０ＨＳ（登録商標））１．２重量部、アミノシラン処理された酸化チタン微粒子７重量部を、テトラヒドロフラン８０重量部、ブタノール２０重量部に分散させて調製した塗布液を浸積塗工し、温度１４５℃で３０分間乾燥して、膜厚４．０μｍ、反射率Ｉｕｃｌ＝１６．０％の下引き層を形成した。
（実験例１）
（基体の粗面化）
導電性基体としての円筒状アルミニウム導電性基体の表面にサンドブラスト処理を施し、反射率Ｉｓｂ、平均表面粗さＲａ（ＪＩＳ）、最大表面粗さＲｍａｘ（ＪＩＳ）がそれぞれＩｓｂ＝１３．６％、Ｒａ＝０．３５μｍ、Ｒｍａｘ＝２．７μｍとなるように粗面化した。前記反射率Ｉｓｂは粗面化した基体の表面反射率と鏡面処理素管の表面反射率との比率（％）であり、上記の方法により図１６の概略図に示す株式会社ユニオン技研製 反射率測定装置 「ＭＣＰＤ−２００」１６により測定した。また、表面粗さは（株）東京精密製サーフコム（ＳＵＲＦＣＯＭ、登録商標）により測定した。このとき基準長さは０．８ｍｍ、測定長さは４ｍｍとした。
（下引き層の形成）
次にサンドブラスト処理により粗面化した前記導電性基体表面上に下引き層として、フェノール樹脂（丸善石油化学製マルカリンカＭＨ−２（登録商標））１．８重量部、メラミン樹脂（三井東圧化学 ユーバン２０ＨＳ（登録商標））１．２重量部、アミノシラン処理された酸化チタン微粒子７重量部を、テトラヒドロフラン８０重量部、ブタノール２０重量部に分散させて調製した塗布液を浸積塗工し、温度１４５℃で３０分間乾燥して、膜厚４．０μｍ、反射率Ｉｕｃｌ＝１６．０％の下引き層を形成した。
ここで反射率Ｉｕｃｌは、上記の方法により求められるものであり、サンドブラスト処理による粗面化導電性基体上に塗布形成した下引き層の表面反射率と鏡面処理素管の表面反射率との比率（％）である。ここで反射率Ｉｕｃｌを評価する目的を以下に記載する。前述したように、サンドブラスト処理導電性基体上に塗布した下引き層膜厚を厚膜化すると、サンドブラスト表面の凹凸を次第に追随できなくなり、ＵＣＬ（塗布形成による有機系樹脂を樹脂バインダとする下引き層）表面は膜厚の増加につれて平滑化し、結果として干渉縞が発生し易くなる。つまり、干渉縞発生要因は、下引き層表面平滑化による特定方向への入射光反射強度が高くなることによると考えられる。このことから、サンドブラストによる粗面化導電性基体の（表面）反射率Ｉｓｂだけでなく、サンドブラストによる粗面化基体の表面に塗布した下引き層表面の反射率Ｉｕｃｌが必要となるため、評価パラメータとして使用することとした。
（電荷発生層の形成）
次に、前記下引き層上に電荷発生材料として下記化学式（I）で示される無金属フタロシアニン１重量部と、樹脂バインダとしてポリビニルブチラール樹脂（積水化学製「エスレックＢＭ−１」（登録商標））１重量部をジクロロメタン９８重量部に溶解、分散させて調製した塗布液を浸積塗工し、温度８０℃で３０分間乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。
（電荷発生層の形成）
次に、前記下引き層上に電荷発生材料として下記化学式（I）で示される無金属フタロシアニン１重量部と、樹脂バインダとしてポリビニルブチラール樹脂（積水化学製「エスレックＢＭ−１」（登録商標））１重量部をジクロロメタン９８重量部に溶解、分散させて調製した塗布液を浸積塗工し、温度８０℃で３０分間乾燥して、膜厚０．２μｍの電荷発生層を形成した。
（電荷輸送層の形成）
前記電荷発生層上に、電荷輸送材料として下記化学式（II）で示されるスチルベン化合物９重量部、樹脂バインダとして下記化学式（III）で示されるポリカーボネート樹脂１１重量部、ジクロロメタン１１０重量部に溶解した塗布液を塗布成膜し、温度９０℃で６０分間乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し、実験例１にかかる積層型有機感光体を作製した。
前記電荷発生層上に、電荷輸送材料として下記化学式（II）で示されるスチルベン化合物９重量部、樹脂バインダとして下記化学式（III）で示されるポリカーボネート樹脂１１重量部、ジクロロメタン１１０重量部に溶解した塗布液を塗布成膜し、温度９０℃で６０分間乾燥して、膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成し、実験例１にかかる積層型有機感光体を作製した。
（実験例２）
実験例１で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３）
実施例１で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実施例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４）
実験例１で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．９％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５）
実験例４で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例６）
実験例４で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例７）
実験例１で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．７％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例８）
実験例７で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例９）
実験例７で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１０）
実験例１で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．９％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１１）
実験例１０で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１２）
実験例１０で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例１０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１３）
実験例１で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．７％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１４）
実験例１３で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１５）
実験例１３で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例１３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１６）
実験例１で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．３％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１７）
実験例１６で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１８）
実験例１６で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例１６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１９）
実験例１で使用したサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１４．５％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．２６μｍ、Ｒｍａｘ＝２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．５％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２０）
実験例１９で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２１）
実験例１９で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２２）
実験例１９で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．０％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２３）
実験例２２で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例２２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２４）
実験例２２で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例２２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２５）
実験例１９で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．９％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２６）
実験例２５で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例２５と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２７）
実験例２５で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例２５と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２８）
実験例１９で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．７％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２９）
実験例２８で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例２８と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３０）
実験例２８で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例２８と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３１）
実験例１９で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．５％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３２）
実験例３１で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例３１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３３）
実験例３１で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例３１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３４）
実験例１９で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．０％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３５）
実験例３４で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例３４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３６）
実験例３４で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例３４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３７）
実験例１で使用したサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１５％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．２３μｍ、Ｒｍａｘ＝２．４μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．８％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３８）
実験例３７で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３９）
実験例３７で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４０）
実験例３７で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．５％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４１）
実験例４０で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４２）
実験例４０で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４３）
実験例３７で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．２％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４４）
実験例４３で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４５）
実験例４３で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４６）
実験例３７で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．４％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４７）
実験例４６で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４８）
実験例４６で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４９）
実験例３７で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．９％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５０）
実験例４９で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５１）
実験例４９で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５２）
実験例３７で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．６％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５３）
実験例５２で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例５２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５４）
実験例５２で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例５２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１）
実験例１で使用したサンドブラスト処理条件を変更することによりサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１０．４％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．５７μｍ、Ｒｍａｘ＝４．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１２．５％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２）
比較例１で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３）
比較例１で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４）
比較例１で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１２．３％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５）
比較例４で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例６）
比較例４で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例７）
比較例１で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１２．１％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例８）
比較例７で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例９）
比較例７で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１０）
比較例１で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１１．９％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１１）
比較例１０で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１２）
比較例１０で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１３）
比較例１で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１１．６％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１４）
比較例１３で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１５）
比較例１３で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１６）
比較例１で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１１．３％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１７）
比較例１６で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１８）
比較例１６で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１９）
実験例１で使用したサンドブラスト処理条件を変更することによりサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１２．９％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．３９μｍ、Ｒｍａｘ＝３．４μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．９％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２０）
比較例１９で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２１）
比較例１９で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２２）
比較例１９で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．６％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２３）
比較例２２で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例２２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２４）
比較例２２で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例２２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２５）
比較例１９で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．３％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２６）
比較例２５で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例２５と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２７）
比較例２５で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例２５と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２８）
比較例１９で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．０％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２９）
比較例２８で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例２８と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３０）
比較例２８で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例２８と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３１）
比較例１９で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１３．３％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３２）
比較例３１で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例３１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３３）
比較例３１で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例３１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３４）
比較例１９で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１２．９％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３５）
比較例３４で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例３４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３６）
比較例３４で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例３４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３７）
実験例１で使用したサンドブラスト処理条件を変更することによりサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１７％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．１８μｍ、Ｒｍａｘ＝２．２μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１７．９％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３８）
比較例３７で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３９）
比較例３７で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４０）
比較例３７で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１７．５％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４１）
比較例４０で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４２）
比較例４０で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例４０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４３）
比較例３７で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．８％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４４）
比較例４３で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４５）
比較例４３で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例４３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４６）
比較例３７で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．０％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４７）
比較例４６で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４８）
比較例４６で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４９）
比較例３７で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．４％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５０）
比較例４９で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５１）
比較例４９で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例４９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５２）
比較例３７で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．０％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５３）
比較例５２で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例５２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５４）
比較例５２で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例５２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
実験例１で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３）
実施例１で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実施例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４）
実験例１で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．９％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５）
実験例４で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例６）
実験例４で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例７）
実験例１で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．７％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例８）
実験例７で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例９）
実験例７で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１０）
実験例１で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．９％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１１）
実験例１０で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１２）
実験例１０で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例１０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１３）
実験例１で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．７％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１４）
実験例１３で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１５）
実験例１３で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例１３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１６）
実験例１で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．３％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１７）
実験例１６で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１８）
実験例１６で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例１６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例１９）
実験例１で使用したサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１４．５％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．２６μｍ、Ｒｍａｘ＝２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．５％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２０）
実験例１９で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２１）
実験例１９で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２２）
実験例１９で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．０％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２３）
実験例２２で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例２２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２４）
実験例２２で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例２２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２５）
実験例１９で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．９％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２６）
実験例２５で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例２５と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２７）
実験例２５で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例２５と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２８）
実験例１９で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．７％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例２９）
実験例２８で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例２８と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３０）
実験例２８で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例２８と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３１）
実験例１９で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．５％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３２）
実験例３１で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例３１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３３）
実験例３１で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例３１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３４）
実験例１９で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．０％とした以外は実験例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３５）
実験例３４で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例３４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３６）
実験例３４で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例３４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３７）
実験例１で使用したサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１５％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．２３μｍ、Ｒｍａｘ＝２．４μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．８％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３８）
実験例３７で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例３９）
実験例３７で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４０）
実験例３７で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．５％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４１）
実験例４０で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４２）
実験例４０で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４３）
実験例３７で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．２％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４４）
実験例４３で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４５）
実験例４３で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４６）
実験例３７で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．４％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４７）
実験例４６で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４８）
実験例４６で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例４９）
実験例３７で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．９％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５０）
実験例４９で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例４９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５１）
実験例４９で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５２）
実験例３７で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．６％とした以外は実験例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５３）
実験例５２で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は実験例５２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（実験例５４）
実験例５２で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例５２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１）
実験例１で使用したサンドブラスト処理条件を変更することによりサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１０．４％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．５７μｍ、Ｒｍａｘ＝４．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１２．５％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２）
比較例１で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３）
比較例１で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４）
比較例１で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１２．３％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５）
比較例４で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例６）
比較例４で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例７）
比較例１で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１２．１％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例８）
比較例７で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例９）
比較例７で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１０）
比較例１で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１１．９％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１１）
比較例１０で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１２）
比較例１０で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１３）
比較例１で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１１．６％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１４）
比較例１３で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１５）
比較例１３で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１６）
比較例１で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１１．３％とした以外は比較例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１７）
比較例１６で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１８）
比較例１６で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例１９）
実験例１で使用したサンドブラスト処理条件を変更することによりサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１２．９％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．３９μｍ、Ｒｍａｘ＝３．４μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．９％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２０）
比較例１９で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２１）
比較例１９で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２２）
比較例１９で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．６％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２３）
比較例２２で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例２２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２４）
比較例２２で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例２２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２５）
比較例１９で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．３％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２６）
比較例２５で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例２５と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２７）
比較例２５で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例２５と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２８）
比較例１９で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１４．０％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例２９）
比較例２８で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例２８と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３０）
比較例２８で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例２８と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３１）
比較例１９で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１３．３％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３２）
比較例３１で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例３１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３３）
比較例３１で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例３１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３４）
比較例１９で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１２．９％とした以外は比較例１９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３５）
比較例３４で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例３４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３６）
比較例３４で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例３４と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３７）
実験例１で使用したサンドブラスト処理条件を変更することによりサンドブラスト処理された導電性基体表面の反射率Ｉｓｂ＝１７％、サンドブラスト凹凸表面粗さＲａ＝０．１８μｍ、Ｒｍａｘ＝２．２μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１７．９％とした以外は実験例１と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３８）
比較例３７で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例３９）
比較例３７で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４０）
比較例３７で使用した下引き層膜厚３．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１７．５％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４１）
比較例４０で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４２）
比較例４０で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例４０と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４３）
比較例３７で使用した下引き層膜厚を３．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．８％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４４）
比較例４３で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４５）
比較例４３で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例４３と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４６）
比較例３７で使用した下引き層膜厚を２．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１６．０％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４７）
比較例４６で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４８）
比較例４６で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は実験例４６と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例４９）
比較例３７で使用した下引き層膜厚を２．０μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．４％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５０）
比較例４９で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例４９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５１）
比較例４９で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例４９と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５２）
比較例３７で使用した下引き層膜厚を１．５μｍ、下引き層反射率Ｉｕｃｌ＝１５．０％とした以外は比較例３７と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５３）
比較例５２で使用した電荷輸送層膜厚を１８μｍとした以外は比較例５２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
（比較例５４）
比較例５２で使用した電荷輸送層膜厚を１４μｍとした以外は比較例５２と同様に有機電子写真感光体を作製した。
以上、説明した実験例１〜５４と比較例１〜５４の各感光体の作製条件について、下記表１〜３にまとめた。
（感光体試料の実験例１〜５４および比較例１〜５４の評価）
上述した実験例１〜５４と比較例１〜５４で作製した感光体の電子写真特性（下記表４〜表６）を下記の方法で評価した。
感光体を暗所で−８００Ｖに帯電した後、回転を停止させたドラムの表面電位の１秒後の表面電位の保持率Ｖｋ1を求めた。続いて、感光体表面に露光光を照射し続け、帯電電位が−８００Ｖから−４００Ｖに到達するのに必要な露光量を感度Ｅ1/2、−８００Ｖから−１００Ｖに到達するのに必要な露光量として感度Ｅ100を求めた。また、上記感度測定においてトータル光量５．０μＪ／ｃｍ2の露光光を照射した直後の感光体表面電位を残留電位Ｖｒ5.0と呼び、残留電位を求めた。
次に、下記表７〜表９に示す実機による解像度評価（１ｄｏｔ再現性、白細線解像度）、干渉縞、サンドブラスト表面微細凹凸に起因した濃度ムラ（以下、「ＳＢ凹凸濃度ムラ」）、ＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡、帯状ムラに関する評価を行った。
評価に用いた実機は、市販のプリンタであり、直流電圧１．２ｋＶをブラシ帯電器に印加することにより、ブラシに接触されている感光体表面が負に帯電された後、レーザーユニットから照射されるレーザービームにより６００ｄｐｉ相当の静電潜像が形成され、現像、転写プロセスを経て紙上に印字される。ただし、除電光およびクリーニングブレード装着されていない。
（感光体試料の実験例１〜５４および比較例１〜５４の評価）
上述した実験例１〜５４と比較例１〜５４で作製した感光体の電子写真特性（下記表４〜表６）を下記の方法で評価した。
感光体を暗所で−８００Ｖに帯電した後、回転を停止させたドラムの表面電位の１秒後の表面電位の保持率Ｖｋ1を求めた。続いて、感光体表面に露光光を照射し続け、帯電電位が−８００Ｖから−４００Ｖに到達するのに必要な露光量を感度Ｅ1/2、−８００Ｖから−１００Ｖに到達するのに必要な露光量として感度Ｅ100を求めた。また、上記感度測定においてトータル光量５．０μＪ／ｃｍ2の露光光を照射した直後の感光体表面電位を残留電位Ｖｒ5.0と呼び、残留電位を求めた。
次に、下記表７〜表９に示す実機による解像度評価（１ｄｏｔ再現性、白細線解像度）、干渉縞、サンドブラスト表面微細凹凸に起因した濃度ムラ（以下、「ＳＢ凹凸濃度ムラ」）、ＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡、帯状ムラに関する評価を行った。
評価に用いた実機は、市販のプリンタであり、直流電圧１．２ｋＶをブラシ帯電器に印加することにより、ブラシに接触されている感光体表面が負に帯電された後、レーザーユニットから照射されるレーザービームにより６００ｄｐｉ相当の静電潜像が形成され、現像、転写プロセスを経て紙上に印字される。ただし、除電光およびクリーニングブレード装着されていない。
解像度評価に関して、１ｄｏｔ再現性は６００ｄｐｉの１ｄｏｔパターンの印字画像を目視評価し、白細線解像度は、黒画像上に６００ｄｐｉの線幅をもつ白抜け細線画像を目視評価した。
干渉縞に関しては、ハーフトーン画像上の干渉縞模様を目視により０．５刻みの５段階評価（０：干渉縞なし、５：干渉縞が明確に強く発生）した。
サンドブラスト（以下、「ＳＢ」と略）凹凸濃度ムラに関しては、ハーフトーン画像上にサンドブラストの微細凹凸に起因する斑点状のムラを目視により０．５刻みの５段階評価（０：ＳＢ凹凸濃度ムラなし、５：ＳＢ凹凸濃度ムラが明確に強く発生）した。
帯状ムラに関しては、ハーフトーン画像上にドラム周期で軸方向に５ｍｍ程度の幅をもつハーフトーン濃度よりも高濃度な帯状ムラ発生有無を目視により「有」「無」で評価した。この評価と同時に、ＯＰＣドラムをカートリッジから取り出し、目視により感光層リーク痕跡有無を「有」「無」により評価した。
上述した帯状ムラとＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡の評価環境は、温度／湿度＝２４℃／４３％および３５℃／８５％の２環境でそれぞれ行った。それ以外の評価は、温度／湿度＝２４℃／４３％の１環境のみで評価を行った。
干渉縞に関しては、ハーフトーン画像上の干渉縞模様を目視により０．５刻みの５段階評価（０：干渉縞なし、５：干渉縞が明確に強く発生）した。
サンドブラスト（以下、「ＳＢ」と略）凹凸濃度ムラに関しては、ハーフトーン画像上にサンドブラストの微細凹凸に起因する斑点状のムラを目視により０．５刻みの５段階評価（０：ＳＢ凹凸濃度ムラなし、５：ＳＢ凹凸濃度ムラが明確に強く発生）した。
帯状ムラに関しては、ハーフトーン画像上にドラム周期で軸方向に５ｍｍ程度の幅をもつハーフトーン濃度よりも高濃度な帯状ムラ発生有無を目視により「有」「無」で評価した。この評価と同時に、ＯＰＣドラムをカートリッジから取り出し、目視により感光層リーク痕跡有無を「有」「無」により評価した。
上述した帯状ムラとＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡の評価環境は、温度／湿度＝２４℃／４３％および３５℃／８５％の２環境でそれぞれ行った。それ以外の評価は、温度／湿度＝２４℃／４３％の１環境のみで評価を行った。
以上説明した感光体の作製条件、電子写真特性および画像評価結果について、下記表１〜表９に示す。
実験例１〜５４、比較例１〜５４に用いたすべての感光体試料の反射率Ｉｏｐｃを実施例１に記載した方法によりレーザービームの波長範囲７５０≦λ≦８１２ｎｍで測定し、その離散フーリエ変換を下記数式（１）により求めた。ここで、離散フーリエ変換のアルゴリズム上、変換に用いるデータ個数Ｎは２のベキ乗数、すなわち、Ｎ＝２S（ｓ＝１，２，…，ｕ）が条件であることから、前記波長λの範囲から波長間隔２ｎｍ（＝Δλ）毎の反射率Ｉｏｐｃを前記反射率測定装置（図１６）で測定してサンプリングデータとし、合計Ｎ＝３２（＝２5）個に関して離散フーリエ変換を行っている。また、得られたデータのｓ＝０時の周波数におけるデータは意味が無いため、ｓ＝１からのデータを使用する。また、サンプリングデータを採るための測定範囲として前記波長範囲に定めた理由は、上市されているプリンタに搭載されている露光用レーザー光源が中心波長７８０ｎｍ、半値幅±３０〜５０ｎｍ程度であるためである。
フーリエ変換結果であるＳ（ｎ／（Ｎ・Δλ））は複素数表示されているため、下記数式（２）を使って、大きさ｜Ｓ（ｎ／（Ｎ・Δλ））｜2を求めることにより実数化し、これを縦軸に取り、周波数ｎ／（Ｎ・Δλ）成分を横軸にとりプロットすることによりパワースペクトルを得ることができる。前記実験例、比較例で作製した感光体試料のうちの代表例について、前記波長範囲における２ｎｍ毎に測定した反射率Ｉｏｐｃの測定データをプロットしたスペクトルを図２〜図８（△、□、◆は各測定データ）に示す。代表例以外の各実験例および比較例についての反射率測定値およびその測定値に基づくパワースペクトルおよびそのピーク値Ｓｐの値は表には示さないが、そのピーク値Ｓｐ値が１０以上のものについては干渉縞有り、ピークなしまたはピーク値Ｓｐ値が１０未満のものについては干渉縞無しと表４、５、６に記入した。これらの図２〜図８に対応する反射率Ｉｏｐｃの測定データを下記数式（１）、（２）に従ってフーリエ変換し、パワースペクトルを求め、周波数にかかる成分の値を横軸に、前記パワースペクトル値を縦軸にとったパワースペクトルを図９〜図１５に示す。下記に図２〜図８および図９〜図１５に対応する実験例および比較例の番号を示す。図９〜図１５の横軸の周波数成分として、５．０Ｅ＋０７Ｈｚ、１．０Ｅ＋０８Ｈｚなどの記載は５．０×１０7Ｈｚ、１．０×１０8Ｈｚをそれぞれ表す。他の記載についてもこれに準じる。同図縦軸にＦＦＴ Ｐｏｗｅｒとある記載はパワースペクトルの値である。
フーリエ変換結果であるＳ（ｎ／（Ｎ・Δλ））は複素数表示されているため、下記数式（２）を使って、大きさ｜Ｓ（ｎ／（Ｎ・Δλ））｜2を求めることにより実数化し、これを縦軸に取り、周波数ｎ／（Ｎ・Δλ）成分を横軸にとりプロットすることによりパワースペクトルを得ることができる。前記実験例、比較例で作製した感光体試料のうちの代表例について、前記波長範囲における２ｎｍ毎に測定した反射率Ｉｏｐｃの測定データをプロットしたスペクトルを図２〜図８（△、□、◆は各測定データ）に示す。代表例以外の各実験例および比較例についての反射率測定値およびその測定値に基づくパワースペクトルおよびそのピーク値Ｓｐの値は表には示さないが、そのピーク値Ｓｐ値が１０以上のものについては干渉縞有り、ピークなしまたはピーク値Ｓｐ値が１０未満のものについては干渉縞無しと表４、５、６に記入した。これらの図２〜図８に対応する反射率Ｉｏｐｃの測定データを下記数式（１）、（２）に従ってフーリエ変換し、パワースペクトルを求め、周波数にかかる成分の値を横軸に、前記パワースペクトル値を縦軸にとったパワースペクトルを図９〜図１５に示す。下記に図２〜図８および図９〜図１５に対応する実験例および比較例の番号を示す。図９〜図１５の横軸の周波数成分として、５．０Ｅ＋０７Ｈｚ、１．０Ｅ＋０８Ｈｚなどの記載は５．０×１０7Ｈｚ、１．０×１０8Ｈｚをそれぞれ表す。他の記載についてもこれに準じる。同図縦軸にＦＦＴ Ｐｏｗｅｒとある記載はパワースペクトルの値である。
実験例７、１０、１３により代表される感光体の反射率のスペクトル図を図２に示し、それらのパワースペクトル図を図９に示す。同様に、実験例２５、２８、３１には図３と図１０とがそれぞれ対応する。同様にして、実験例４３、４６、４９には図４と図１１が、比較例７、１０、１３には図５と図１２が、比較例２５、２８、３１には図６と図１３が、比較例４３、４６、４９には図７と図１４がそれぞれ対応する。前記各図において代表例としてあげられた３例づつの実験例および比較例はそれぞれグループ内の３例間では下引き層の厚さを２μｍ、２．５μｍ、３μｍに変化させ、グループ間では導電性基体の表面粗さおよびその反射率を変化させた。別途、比較的明確な干渉縞が見られる感光体を代表するものとして、比較例４３、４４、４５の感光体により、感光体の反射率にかかる図８とパワースペクトルにかかる図１５を示す。
表１〜表２と表７〜表８より、実験例１〜５４に関して、１ｄｏｔ再現性および白細線解像度は下引き層膜厚１．５〜３．５μｍで良好であるが、４．０μｍでは１ｄｏｔ周囲のエッジがかすれており、白細線解像度は細線のエッジがかすれ、幅が広くなっている。干渉縞は、下引き層膜厚１．５〜３．５μｍで未発生となったが、４．０μｍではわずかに発生していることを目視確認した。ＳＢ凹凸濃度ムラはすべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍにおいて未発生となった。ＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡およびこれに伴う帯状ムラは温度／湿度＝２４℃／４３％環境内ですべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍにおいて未発生となったが、温度／湿度＝３５℃／８５％環境内では、表面粗さＲａ＝０．２３、０．２６μｍ、下引き層膜厚１．５μｍでリーク痕跡および帯状ムラを目視確認した。同様にＲａ＝０．３５μｍ、下引き層膜厚２．０μｍにおいてリーク痕跡および帯状ムラを目視確認した。
比較例１〜１８に関して、表２と表８から、１ｄｏｔ再現性および白細線解像度は下引き層膜厚１．５〜３．０μｍで良好であるが、３．５μｍ以上では１ｄｏｔ周囲のエッジがかすれており、白細線解像度は細線のエッジがかすれ、幅が広くなっている。干渉縞は、すべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍで未発生を目視確認した。ＳＢ凹凸濃度ムラはすべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍにおいて発生した。ＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡およびこれに伴う帯状ムラは温度／湿度＝２４℃／４３％環境内ですべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍにおいて未発生であったが、温度／湿度＝３５℃／８５％環境内では、下引き層膜厚１．５および２．０μｍすべてに関して発生しただけでなく、下引き層膜厚３．０μｍとしても発生したことを確認した。
比較例１〜１８に関して、表２と表８から、１ｄｏｔ再現性および白細線解像度は下引き層膜厚１．５〜３．０μｍで良好であるが、３．５μｍ以上では１ｄｏｔ周囲のエッジがかすれており、白細線解像度は細線のエッジがかすれ、幅が広くなっている。干渉縞は、すべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍで未発生を目視確認した。ＳＢ凹凸濃度ムラはすべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍにおいて発生した。ＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡およびこれに伴う帯状ムラは温度／湿度＝２４℃／４３％環境内ですべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍにおいて未発生であったが、温度／湿度＝３５℃／８５％環境内では、下引き層膜厚１．５および２．０μｍすべてに関して発生しただけでなく、下引き層膜厚３．０μｍとしても発生したことを確認した。
比較例１９〜３６に関して、表３と表９から、１ｄｏｔ再現性および白細線解像度は下引き層膜厚１．５〜３．０μｍで良好であるが、３．５μｍ以上では１ｄｏｔ周囲のエッジがかすれており、白細線解像度は細線のエッジがかすれ、幅が広くなっている。干渉縞は、下引き層膜厚１．５〜３．５μｍで未発生となったが、下引き層膜厚４．０μｍではわずかであるが干渉縞が発生したことを目視確認した。ＳＢ凹凸濃度ムラは比較例１〜１８と比較すると程度は良くなっているものの発生している。すべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍにおいて発生した。ＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡およびこれに伴う帯状ムラは温度／湿度＝２４℃／４３％環境内ですべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍにおいて未発生であったが、温度／湿度＝３５℃／８５％環境内では、下引き層膜厚１．５および２．０μｍすべてに関して発生しただけでなく、下引き層膜厚３．０μｍとしても発生したことを確認した。
比較例３７〜５４に関して、表３と表９から、１ｄｏｔ再現性および白細線解像度は下引き層膜厚１．５〜３．５μｍで良好であるが、４．０μｍにおいて、１ｄｏｔ周囲のエッジがかすれており、白細線解像度は細線のエッジがかすれ、幅が広くなっている。干渉縞は、すべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍ発生したことを確認した。ＳＢ凹凸濃度ムラは比較例１〜１８および１９〜３６と比較すると、下引き層膜厚２．０〜４．０μｍで未発生となり良好な結果であるが、１．５μｍではわずかにＳＢ凹凸濃度ムラを確認した。ＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡およびこれに伴う帯状ムラは温度／湿度＝２４℃／４３％および３５℃／８５％環境内では、すべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍに関して未発生であったことを確認した。
比較例３７〜５４に関して、表３と表９から、１ｄｏｔ再現性および白細線解像度は下引き層膜厚１．５〜３．５μｍで良好であるが、４．０μｍにおいて、１ｄｏｔ周囲のエッジがかすれており、白細線解像度は細線のエッジがかすれ、幅が広くなっている。干渉縞は、すべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍ発生したことを確認した。ＳＢ凹凸濃度ムラは比較例１〜１８および１９〜３６と比較すると、下引き層膜厚２．０〜４．０μｍで未発生となり良好な結果であるが、１．５μｍではわずかにＳＢ凹凸濃度ムラを確認した。ＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡およびこれに伴う帯状ムラは温度／湿度＝２４℃／４３％および３５℃／８５％環境内では、すべての下引き層膜厚１．５〜４．０μｍに関して未発生であったことを確認した。
以上見てきたように、実機画像の評価結果には平均表面粗さＲａのみでなく、下引き層や電荷輸送層の膜厚も影響することが分る。
図２〜図４および図５〜図７は代表的な実験例および比較例に用いた有機感光体に関して、入射光波長λ（波長間隔Δλ＝２ｎｍ毎）に対する反射率Ｉｏｐｃの測定値をプロットしてスペクトル図としたものである。図２は実施例７、１０、１３に関し、表１に示すように基体の反射率Ｉｓｂが１３．６％であって、下引き層膜厚がそれぞれ３．０、２．５、２．０μｍに対応し、電荷輸送層膜厚がそれぞれ２０μｍ時の各感光体の反射率Ｉｏｐｃのスペクトル図である。図３と図４はそれぞれ実施例２５、２８、３１と実施例４３、４６、４９に関し、基体の反射率Ｉｓｂを前記図２の１３．６％から１４．５％と１５．０％に変えた場合の各感光体のスペクトル図である。図２、３、４の順に、ある周期と振幅とが次第に目立ちはじめる反射率スペクトルとなっているので、スペクトル図からは光学的干渉が起き始めていると考えられるが、表７、表８の前記対応実施例に示す実機による評価結果では干渉縞ランクはいずれも０であり、画像上では未発生であることが分かる。前記反射率Ｉｏｐｃスペクトルにおける振幅の増加は、図２、３、４の順でサンドブラスト導電性基体の反射率Ｉｓｂの増加に伴う下引き層表面の平滑化による、増加した反射光（Ｉｕｃｌの増加）と入射光との干渉強度増加によるものと考えられる。
図２〜図４および図５〜図７は代表的な実験例および比較例に用いた有機感光体に関して、入射光波長λ（波長間隔Δλ＝２ｎｍ毎）に対する反射率Ｉｏｐｃの測定値をプロットしてスペクトル図としたものである。図２は実施例７、１０、１３に関し、表１に示すように基体の反射率Ｉｓｂが１３．６％であって、下引き層膜厚がそれぞれ３．０、２．５、２．０μｍに対応し、電荷輸送層膜厚がそれぞれ２０μｍ時の各感光体の反射率Ｉｏｐｃのスペクトル図である。図３と図４はそれぞれ実施例２５、２８、３１と実施例４３、４６、４９に関し、基体の反射率Ｉｓｂを前記図２の１３．６％から１４．５％と１５．０％に変えた場合の各感光体のスペクトル図である。図２、３、４の順に、ある周期と振幅とが次第に目立ちはじめる反射率スペクトルとなっているので、スペクトル図からは光学的干渉が起き始めていると考えられるが、表７、表８の前記対応実施例に示す実機による評価結果では干渉縞ランクはいずれも０であり、画像上では未発生であることが分かる。前記反射率Ｉｏｐｃスペクトルにおける振幅の増加は、図２、３、４の順でサンドブラスト導電性基体の反射率Ｉｓｂの増加に伴う下引き層表面の平滑化による、増加した反射光（Ｉｕｃｌの増加）と入射光との干渉強度増加によるものと考えられる。
図５、６（比較例７、１０、１３と比較例２５、２８、３１の場合）に関する反射率Ｉｏｐｃスペクトルは図２、３と同様のスペクトル形状となり、実機による干渉縞評価の結果、干渉縞は未発生であったが、図７（比較例４３、４６、４９の場合）に関しては、大きい周期と振幅をもつ反射率スペクトルとなった。実機による干渉縞評価の結果でも、表９に示すように干渉縞ランクは１．５となり、画像上でも干渉縞が発生していた。
図８は、基体の反射率Ｉｓｂが１７．０％であって、下引き層膜厚３．０μｍに固定した場合に、電荷輸送層の膜厚を２０、１８、１４μｍにそれぞれ変えた場合の感光体（比較例４３、４４、４５）の反射率Ｉｏｐｃのスペクトル図である。この場合はいずれもある周期と大きい振幅が見られる。表９に示す実機による評価結果では干渉縞ランクはいずれも１．５と明確に干渉縞が見られることを示している。
上記図２〜８に示す反射率Ｉｏｐｃスペクトルから見た光学的干渉評価結果と表７〜９に示す実機によるハーフトーン画像上の干渉縞評価の結果に相関があると考えられる。すなわち、反射率Ｉｏｐｃスペクトルがある一定以上の周期と振幅をもつスペクトル形状である場合、実機の画像上にて干渉縞が発生するということである。しかしながら、前記図４（実験例４３、４６、４９の場合）では見た目にもある周期と振幅をもつスペクトルにもかかわらず実機において画像上の干渉縞は未発生となっている。そこで、画像上の干渉縞の発生と反射率Ｉｏｐｃスペクトルとを関係づけるためには、反射率Ｉｏｐｃスペクトルの特徴量として、離散フーリエ変換によるパワースペクトル値による評価が必要と考えた。
図８は、基体の反射率Ｉｓｂが１７．０％であって、下引き層膜厚３．０μｍに固定した場合に、電荷輸送層の膜厚を２０、１８、１４μｍにそれぞれ変えた場合の感光体（比較例４３、４４、４５）の反射率Ｉｏｐｃのスペクトル図である。この場合はいずれもある周期と大きい振幅が見られる。表９に示す実機による評価結果では干渉縞ランクはいずれも１．５と明確に干渉縞が見られることを示している。
上記図２〜８に示す反射率Ｉｏｐｃスペクトルから見た光学的干渉評価結果と表７〜９に示す実機によるハーフトーン画像上の干渉縞評価の結果に相関があると考えられる。すなわち、反射率Ｉｏｐｃスペクトルがある一定以上の周期と振幅をもつスペクトル形状である場合、実機の画像上にて干渉縞が発生するということである。しかしながら、前記図４（実験例４３、４６、４９の場合）では見た目にもある周期と振幅をもつスペクトルにもかかわらず実機において画像上の干渉縞は未発生となっている。そこで、画像上の干渉縞の発生と反射率Ｉｏｐｃスペクトルとを関係づけるためには、反射率Ｉｏｐｃスペクトルの特徴量として、離散フーリエ変換によるパワースペクトル値による評価が必要と考えた。
図９〜１１（実験例７、１０、１３と実験例２５、２８、３１と実験例４３、４６、４９の場合）および図１２〜１４（比較例７、１０、１３と比較例２５、２８、３１と比較例４３、４６、４９の場合、）は、前記反射率スペクトル図を作成した実験例および比較例に関して、それらの反射率データを離散フーリエ変換して得られるパワースペクトル｜Ｓ（ｎ／（Ｎ・Δλ））｜2の代表例を示したものである。これら代表例は、前記反射率スペクトル図の場合と同様に、下引き層膜厚３．０、２．５、２．０μｍ、電荷輸送層膜厚２０μｍ時のデータである。図９〜１１のパワースペクトルに関して、図９、１０はパワースペクトルの明瞭な最大ピークのピーク値が１０以上のものが無いだけでなく、ピークらしきものも見当たらないが、図１１には９．３８×１０7（Ｈｚ）においてＳｐ＝４．８程度のピークが存在する。しかし、図９〜１１の実験例に関する画像上の干渉縞評価の結果は表７と表８から干渉縞ランクは０であり、すべて未発生である。また、図１２〜１４のパワースペクトルに関して、図１２、１３はパワースペクトルの明瞭な最大ピークと言えるようなピークは前記図９、１０と同様に見当たらないが、図１４において、ピーク強度の小さい順にＳｐ＝１１．４、１４．６、２１．５程度の明瞭なピークが存在し、いずれのピーク値Ｓｐ値も１０以上であり、特に最大ピークは２１．５と極めて大きい値である。この図１４に対応する比較例４３、４６と４９の感光体のみ実際に干渉縞が発生しており、ピーク値１０以上の場合に干渉縞が発生することとの対応が成り立ち、干渉縞発生の有無を画像ではなく、反射率の測定により判定できることが分かる。
図１５は、基体の反射率Ｉｓｂが１７．０％であって、下引き層膜厚３．０μｍに固定した場合に、電荷輸送層の膜厚を２０、１８、１４μｍにそれぞれ変えた場合の感光体の反射率Ｉｏｐｃの測定データ（図８）から求めた離散フーリエ変換パワースペクトル｜Ｓ（ｎ／（Ｎ・Δλ））｜2の代表例である。この感光体試料は画像から干渉縞の発生することが確かめられれている。この図１５のピーク値Ｓｐはいずれも２０以上であるので、感光体の反射率測定から、図１５のようなパワースペクトル図を作成すれば、画像を見なくても干渉縞の発生することが判別できる。
これらの結果より、パワースペクトルの明瞭な最大ピークが存在していても、干渉縞が発生する、しないを判別する閾値が存在すると考えられる。目視による実機画像上の干渉縞発生との比較から、実使用上干渉縞が発生しないＳｐの範囲はＳｐ≦１０であることがわかった。また、前記図１５は、反射率スペクトルの図８に対応し、下引き層膜厚３．０μｍ、電荷輸送層膜厚２０、１８、１４μｍ時のパワースペクトル図である。この図１５において、電荷輸送層膜厚低下によりパワースペクトルが増大していることがわかる。電荷輸送層膜厚に対する干渉縞ランクの変動は０．５程度であり電荷輸送層の膜厚が干渉縞の発生程度とパワースペクトルの形状に影響することが分る（表９）。一方、表９中比較例３７〜５４干渉縞ランク評価結果のように下引き層膜厚１．５〜４．０μｍ範囲での干渉縞ランクの変動は３となっており、電荷輸送層膜厚よりも下引き層膜厚の方が干渉縞への影響の大きいことがわかる。これは、実機による電荷輸送層の干渉縞への影響度はその膜厚にではなく、円筒形導電性基体の軸方向ならびに周方向に関する電荷輸送層の膜厚偏差にあることによると考えられる。たとえば、少なくとも膜厚偏差０．５μｍ程度で、円筒形導電性基体表面粗さＲａ＝０．１３μｍ程度であれば干渉縞は発生するのに対し、実験例１〜５４および比較例１〜５４に関する電荷輸送層の膜厚偏差は０．７〜２μｍ（軸方向偏差は平均１．５μｍ、周方向膜厚偏差は平均１．４μｍ程度）である。このことから、膜厚偏差が高い（２μｍ程度の）電荷輸送層であっても、干渉縞は導電性基体表面の平均表面粗さＲａ≧０．２３μｍで、最大表面粗さＲｍａｘ≧２．４μｍ、下引き層膜厚ｄは１．５μｍ≦ｄ≦３．５μｍとすれば、抑制可能であることがわかる。
これらの結果より、パワースペクトルの明瞭な最大ピークが存在していても、干渉縞が発生する、しないを判別する閾値が存在すると考えられる。目視による実機画像上の干渉縞発生との比較から、実使用上干渉縞が発生しないＳｐの範囲はＳｐ≦１０であることがわかった。また、前記図１５は、反射率スペクトルの図８に対応し、下引き層膜厚３．０μｍ、電荷輸送層膜厚２０、１８、１４μｍ時のパワースペクトル図である。この図１５において、電荷輸送層膜厚低下によりパワースペクトルが増大していることがわかる。電荷輸送層膜厚に対する干渉縞ランクの変動は０．５程度であり電荷輸送層の膜厚が干渉縞の発生程度とパワースペクトルの形状に影響することが分る（表９）。一方、表９中比較例３７〜５４干渉縞ランク評価結果のように下引き層膜厚１．５〜４．０μｍ範囲での干渉縞ランクの変動は３となっており、電荷輸送層膜厚よりも下引き層膜厚の方が干渉縞への影響の大きいことがわかる。これは、実機による電荷輸送層の干渉縞への影響度はその膜厚にではなく、円筒形導電性基体の軸方向ならびに周方向に関する電荷輸送層の膜厚偏差にあることによると考えられる。たとえば、少なくとも膜厚偏差０．５μｍ程度で、円筒形導電性基体表面粗さＲａ＝０．１３μｍ程度であれば干渉縞は発生するのに対し、実験例１〜５４および比較例１〜５４に関する電荷輸送層の膜厚偏差は０．７〜２μｍ（軸方向偏差は平均１．５μｍ、周方向膜厚偏差は平均１．４μｍ程度）である。このことから、膜厚偏差が高い（２μｍ程度の）電荷輸送層であっても、干渉縞は導電性基体表面の平均表面粗さＲａ≧０．２３μｍで、最大表面粗さＲｍａｘ≧２．４μｍ、下引き層膜厚ｄは１．５μｍ≦ｄ≦３．５μｍとすれば、抑制可能であることがわかる。
ところが、上記表面粗さ範囲であっても上述した実機評価結果である解像度、ＳＢ凹凸濃度ムラ、ＯＰＣ（有機系感光層）リーク痕跡によるハーフトーン画像上での帯状ムラなど、画質面に影響を及ぼす場合がある（比較例１〜３６）。
さらに、実験例および比較例にて使用した膜厚１．５μｍ以上の厚膜下引き層は、樹脂バインダと導電性金属酸化物が含まれているが、金属酸化物が含まれず樹脂バインダのみの厚膜（１．５μｍ以上）下引き層の場合、干渉縞は抑制されるものの、電子写真特性ならびに画像品質に悪影響を及ぼした。具体的には、電子写真特性に関しては、感度低下、残留電位上昇となり、この結果を反映して、画像品質面では、黒べた濃度低下、１ｄｏｔ再現性劣化などが確認された。電子写真特性が低下する要因としては、導電性金属酸化物が含まれていない厚膜下引き層では、露光により発生した電子が基板側に流れ込まないため電荷発生層中および電荷発生層と下引き層界面において電荷蓄積されるため感度低下を引き起こし、これに伴い残留電位上昇となると考えられる。このことから、厚膜下引き層には樹脂バインダだけでなく、電荷蓄積されないように樹脂バインダ中に導電性金属酸化物が必要とされる。
以上の内容より、干渉縞を抑制するだけでなく、良好な電子写真特性を得ることと、画質に関する悪影響を回避するためには、導電性基体の表面粗さと反射率について、平均表面粗さ（Ｒａ）範囲が０．２３μｍ≦Ｒａ≦０．３５μｍかつ最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）範囲が２．４μｍ≦Ｒｍａｘ≦２．７μｍであり、波長λ＝７８０ｎｍの単色光による導電性鏡面基体の表面反射率を基準反射率とするこの導電性基体の反射率をＩｓｂとするとき、Ｉｓｂ≦１５％を満足することが好ましく（実験例１〜５４）、さらに、この粗面化導電性基体表面上に塗布形成された下引き層の膜厚ｄは２μｍ≦ｄ≦３．５μｍであり、波長λ＝７８０ｎｍの単色光による導電性鏡面基体の表面反射率を基準反射率とするこの下引き層の反射率をＩｕｃｌとするとき、Ｉｕｃｌ＜１７％を満足することにより達成することが望ましい（実施例４〜１５、２２〜３３、４０〜５１）。
さらに、実験例および比較例にて使用した膜厚１．５μｍ以上の厚膜下引き層は、樹脂バインダと導電性金属酸化物が含まれているが、金属酸化物が含まれず樹脂バインダのみの厚膜（１．５μｍ以上）下引き層の場合、干渉縞は抑制されるものの、電子写真特性ならびに画像品質に悪影響を及ぼした。具体的には、電子写真特性に関しては、感度低下、残留電位上昇となり、この結果を反映して、画像品質面では、黒べた濃度低下、１ｄｏｔ再現性劣化などが確認された。電子写真特性が低下する要因としては、導電性金属酸化物が含まれていない厚膜下引き層では、露光により発生した電子が基板側に流れ込まないため電荷発生層中および電荷発生層と下引き層界面において電荷蓄積されるため感度低下を引き起こし、これに伴い残留電位上昇となると考えられる。このことから、厚膜下引き層には樹脂バインダだけでなく、電荷蓄積されないように樹脂バインダ中に導電性金属酸化物が必要とされる。
以上の内容より、干渉縞を抑制するだけでなく、良好な電子写真特性を得ることと、画質に関する悪影響を回避するためには、導電性基体の表面粗さと反射率について、平均表面粗さ（Ｒａ）範囲が０．２３μｍ≦Ｒａ≦０．３５μｍかつ最大表面粗さ（Ｒｍａｘ）範囲が２．４μｍ≦Ｒｍａｘ≦２．７μｍであり、波長λ＝７８０ｎｍの単色光による導電性鏡面基体の表面反射率を基準反射率とするこの導電性基体の反射率をＩｓｂとするとき、Ｉｓｂ≦１５％を満足することが好ましく（実験例１〜５４）、さらに、この粗面化導電性基体表面上に塗布形成された下引き層の膜厚ｄは２μｍ≦ｄ≦３．５μｍであり、波長λ＝７８０ｎｍの単色光による導電性鏡面基体の表面反射率を基準反射率とするこの下引き層の反射率をＩｕｃｌとするとき、Ｉｕｃｌ＜１７％を満足することにより達成することが望ましい（実施例４〜１５、２２〜３３、４０〜５１）。
１ 導電性基体
２ 下引き層
３ 感光層
４ 電荷発生層
５ 電荷輸送層
１６ 反射率測定装置
１００ 装置本体
１０１ 電源
１０２ ハロゲンランプ
１０３ 入射光用ファイバー管
１０４ 測定基体
１０５ 薄膜
１０６ 反射光用ファイバー管
１０７ スリット
１０８ 回転格子付きミラー
１０９ 検出器
２ 下引き層
３ 感光層
４ 電荷発生層
５ 電荷輸送層
１６ 反射率測定装置
１００ 装置本体
１０１ 電源
１０２ ハロゲンランプ
１０３ 入射光用ファイバー管
１０４ 測定基体
１０５ 薄膜
１０６ 反射光用ファイバー管
１０７ スリット
１０８ 回転格子付きミラー
１０９ 検出器
Claims (3)
- 可干渉性露光光源を備える電子写真装置に搭載され、金属酸化物含有の塗布形成下引き層と有機感光層とが粗面化された導電性基体表面に順次塗布形成されてなる電子写真感光体に起因する干渉縞有無の判定方法であって、
電子写真感光体の表面反射率を、波長範囲７５０ｎｍ≦λ≦８１２ｎｍにおける所定の波長を有する可干渉光により所定の波長間隔Δλごとに測定し、得られた表面反射率を導電性鏡面基体を基準として補正して、前記電子写真感光体の反射率Ｉｏｐｃを得、該反射率を下記数式（１）を用いて離散フーリエ変換した結果から、下記数式（２）で示されるパワースペクトル｜Ｓ（ｎ／（Ｎ・Δλ））｜2の値を算出し、該パワースペクトルの、周波数範囲０＜ｎ／（Ｎ・Δλ）（Ｈｚ）≦２．５×１０8における明瞭な最大ピークのピーク値をＳｐとするとき、
Ｓｐ≦１０の場合に干渉縞発生がない、
Ｓｐ＞１０の場合に干渉縞発生がある、
と判定することを特徴とする電子写真感光体に起因する干渉縞有無の判定方法。
- 前記感光層が、電荷発生材料と樹脂バインダを含む電荷発生層と、電荷輸送材料と樹脂バインダを含む電荷輸送層とを順次積層してなることを特徴とする請求項１記載の干渉縞有無の判定方法。
- 前記基体表面がサンドブラスト処理により粗面化されてなることを特徴とする請求項１または２記載の干渉縞有無の判定方法。
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| JP2008030492A JP2008122999A (ja) | 2008-02-12 | 2008-02-12 | 電子写真感光体および該電子写真感光体に起因する干渉縞有無の判定方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008560A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
| WO2017018124A1 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体の製造方法およびこれを備えた画像形成装置の製造方法ならびに電子写真感光体の製造装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001215740A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Konica Corp | 電子写真感光体、それを用いた電子写真プロセス、電子写真画像形成方法及び電子写真装置 |
| JP2002287392A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Sharp Corp | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成装置 |
-
2008
- 2008-02-12 JP JP2008030492A patent/JP2008122999A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001215740A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Konica Corp | 電子写真感光体、それを用いた電子写真プロセス、電子写真画像形成方法及び電子写真装置 |
| JP2002287392A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Sharp Corp | 電子写真感光体およびそれを用いた画像形成装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010008560A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置及びプロセスカートリッジ |
| WO2017018124A1 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体の製造方法およびこれを備えた画像形成装置の製造方法ならびに電子写真感光体の製造装置 |
| JPWO2017018124A1 (ja) * | 2015-07-28 | 2018-05-24 | 京セラ株式会社 | 電子写真感光体の製造方法およびこれを備えた画像形成装置の製造方法ならびに電子写真感光体の製造装置 |
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