JP2000356859A

JP2000356859A - 電子写真感光体の膜厚測定方法

Info

Publication number: JP2000356859A
Application number: JP11168371A
Authority: JP
Inventors: Yoichi Takezawa; 洋一竹沢; Makoto Kurokawa; 誠黒川; Masayuki Sakamoto; 雅遊亀坂元; Hiroko Ishibashi; 裕子石橋; Rikiya Matsuo; 力也松尾; Mikio Kadoi; 幹男角井
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1999-06-15
Filing date: 1999-06-15
Publication date: 2000-12-26

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】基体表面を粗面化した感光体でも、より正確
に膜厚を測定すること。【解決手段】導電性基体上に電荷発生槽および電荷輸
送層を塗布形成した電子写真感光体の膜厚を光干渉法を
用いて測定するに際して、膜厚を測定する時の測定波長
を基体の表面粗さの十点平均粗さＲzより長波長とする
電子写真感光体の膜厚測定方法。測定反射光を１本のみ
の光ファイバーで受光し、受光する光ファイバーが、導
電性基体の鉛直位置から傾斜している膜厚測定法導電性
基体の表面が切削加工されたものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体の
膜厚測定方法に関し、更に詳しくは、複写機やプリンタ
等の電子写真装置などに用いられる電子写真感光体の膜
厚を光干渉法を用いて測定する電子写真感光体の膜厚測
定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、複写機やプリンタ等の電子写
真装置に使用される電子写真感光体において、アルミニ
ウムやステンレスなどの非磁性金属材料で構成された導
電性基体上に有機系の光導電性材料を電子写真プロセス
上の機能に応じて順次積層させたものが知られている。
このような電子写真感光体は、各機能層を構成するため
の有機系光導電性材料を結合樹脂（又は結着樹脂）と共
に有機溶剤に溶解又は分散させた塗布液を導電性基体の
上に順次塗布し、乾燥させることにより製造されてい
る。

【０００３】この塗布液の塗布方法として多くの方法が
知られており、例えば、スプレー塗布法、ロールコート
法、浸漬塗布法等が挙げられる。このうち浸漬塗布法
は、前述の塗布液を満たした塗布槽に導電性基体を浸漬
した後、これを一定速度で引き上げることにより、機能
層を形成する方法であり、その生産性の高さから多くの
感光体の製造において利用されている。

【０００４】しかし、浸漬塗布法では、塗布槽内の塗布
液から有機溶剤が蒸発しやすいため、粘度や濃度の変動
が発生しやすく、塗布液の粘度や濃度の変化に伴い、塗
布膜厚が変化するので、均一な塗膜を形成することが難
しい。そのため、各機能層の塗布工程ごとに引き上げ速
度や塗布液粘度などを調整して塗布膜厚の変動を低減す
ると共に、塗布膜厚を測定して所望の膜厚が得られたか
否かを検査している。

【０００５】そして、塗布膜厚の測定方法として、従来
から、段差計、表面粗さ計、渦電流膜厚計などを用いた
接触式膜厚測定方法や、色彩色差計、静電容量式膜厚
計、蛍光Ｘ線膜厚計、ベータ線膜厚計、光干渉式膜厚
計、光吸収法を用いた膜厚測定方法などの非接触式膜厚
測定方法、又は、光学顕微鏡、電子顕微鏡などで試料断
面を観察する写真法などが知られている。

【０００６】これらのうち、接触式膜厚測定方法及び写
真法は、感光体自身を傷つけるため、測定に使用された
感光体を製品として使用できないという欠点をもってい
る。また、非接触式膜厚方法においても、色彩色差計で
は、電荷発生層のような顔料分散層の膜厚を測定するこ
とはできるが、下引層、電荷輸送層のように顔料を含有
しない透明な層の膜厚を測定できず、静電容量式膜厚計
では測定精度、測定分解能などに問題があり、蛍光Ｘ線
膜厚計やベータ線膜厚計などでは特別な施設が必要とな
る。

【０００７】上述の欠点を解決するために、本発明者ら
は、特開平４−３３６５４０号公報に開示されているよ
うに、有機電子写真感光体において下引層又は電荷輸送
層の透明膜の塗布に際し、その膜厚の変動を抑えて均一
化を図るために、光干渉法にて逐次膜厚を測定し、測定
結果をフィードバックして塗布速度を適正な速度に自動
制御することによって、無色透明又は非常に薄い色の下
引層及び電荷輸送層の塗布量を調整することが可能で、
適正な膜厚の感光体を製造でき、かつ、塗膜ムラ（ス
ジ、ピンホールなど）をなくすことができることを見い
だしている。

【０００８】ここで、光干渉法による膜厚測定の原理は
以下の通りである。膜厚ｄ、屈折率Ｎの透明膜の試料に
光が入射１した場合、試料膜内で光が多重反射を起こす
（図３（Ａ））。反射光２として測定される光は、試料
膜内を２回、３回と往復して反射してきた光が合成され
たものである。さらに、光は波であるため、合成には各
光線の位相を考慮した和を取らなければならない。すな
わち、隣合う位相差が２πの整数倍であれば強め合い、
πの奇数倍であれば打ち消し合い、光の干渉が生じる。

【０００９】図３（Ｂ）のように透明膜に光が入射した
反射率は以下の式（１）で示される。反射率Ｒ＝［Ｒ１²＋Ｒ２²−２Ｒ１Ｒ２ｃｏｓ（Ｘ）］／［１＋Ｒ１²＋Ｒ２² −２Ｒ１Ｒ２ｃｏｓ（Ｘ）］………（１）［ここで、Ｘ＝４πＮ１ｄ／λ ただし、Ｎ２＞Ｎ１、λ：波長、ｄ：厚さ、Ｒ１：表面
での反射率、Ｒ２：基体での反射率、Ｎ１：薄膜の屈折
率、Ｎ２：基体の屈折率、Ｒ１＝（１−Ｎ１）／（１＋
Ｎ１）、Ｒ２＝（Ｎ１−Ｎ２／（Ｎ１＋Ｎ２）］

【００１０】光の干渉により強め合う（又は弱め合う）
波長で反射率は極大値（又は極小値）を取るため、反射
率Ｒを波長λで微分して、（ｄ／ｄλ）Ｒ（λ）＝０と
なるλを求めると、（１／λｎ）−（１／λｎ＋１）＝１／２Ｎ１ｄ………（２）（ｎ：ｎ番目の極大値（極小値）をもつ波長）となる。
この式（２）により、強め合う（又は弱め合う）波長及
び薄膜の屈折率がわかれば、透明薄膜の厚みを計算する
ことができる。薄膜の反射率、波長は分光光度計で測定
することができる。薄膜の屈折率は未知のものにおいて
は、膜厚が既知のサンプルを用いて実際に光干渉法によ
り式（２）から求めることができる。

【００１１】しかし、上記２つの方法は、実際の電子写
真感光体の製造工程で使用できない場合がある。例え
ば、近年主流となっているデジタルカラー写真機やプリ
ンタなどに用いられるデジタル用電子写真感光体の場
合、ホーニング法、エッチング法、剛体球落下／衝突
法、凹凸形状円筒耐圧接法、研削／切除法、レーザー照
射法、高圧水噴射法などのように機械的に基体表面を粗
面化する方法、陽極酸化法、ベーマイト処理法、加熱酸
化処理法等のように基体表面に酸化処理を行う方法、干
渉縞防止のための中間層を感光層と基体表面間に設ける
方法などによって、導電性基体表面や下引層界面の粗面
度を高くして膜の干渉縞を防止することが一般に行われ
ている。このように干渉縞防止処理が施された導電性基
体上の膜厚に干渉型膜厚計の光を投光した場合、特開平
４−３３６５４０号公報に開示された方法では、粗面化
した基体表面又は下引層界面の散乱により光の干渉スペ
クトルが検出できない。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、デジタ
ル複写機およびプリンターに使用される感光体の基体で
はレーザー光等を散乱させるために表面を粗面化してい
る。このように表面が粗い基体では基体表面と膜表面で
の干渉が起こりにくいため、光干渉による膜厚の測定は
困難であった。そこで、本発明は、光干渉法で膜厚を測
定する際に照射する光の波長を長波長に設定することに
より、基体表面を粗面化したデジタル用感光体でも、よ
り正確に膜厚を測定できる方法を提供するものである。
また、本発明は、膜厚測定時に反射光を受光する受光フ
ァイバーを感光体円周の鉛直位置から傾けることより、
基体表面を粗面化したデジタル用感光体でも、更に正確
に膜厚を測定できる方法を提供するものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、導
電性基体上に下引層を介するか介せずして電荷発生層お
よび電荷輸送層を塗布形成した電子写真感光体の各層の
膜厚を光干渉法を用いて測定するに際して、予め導電性
基体の平均表面粗さを測定し、その測定平均表面粗さよ
り大きい値を光干渉法の測定波長として用いることを特
徴とする電子写真感光体の膜厚測定方法を提供する。

【００１４】すなわち、本発明は、導電性基体上の各層
の膜厚を光干渉法を用いて測定するに際して、膜厚を測
定する波長として、導電性基体の測定平均表面粗さより
大きい値を用いることによって、導電性基体の表面粗さ
の影響を少なくし、それによって光干渉を有効に利用し
て、より正確な膜厚測定を可能にするものである。ここ
で、導電性基体の平均表面粗さとは、導電性基体の凹凸
状態を表す高さの変化の平均値を意味し、具体的には、
十点平均粗さＲz、中心線平均粗さＲaなどが知られてい
る。精密機械の表面粗さとしてよく採用されている十点
平均粗さＲｚが、格別大きな変化を強調することなく表
面粗さを的確に表しているので好ましい。そしてその十
点平均粗さＲｚ以上に設定された光干渉法の測定波長が
５００ｎｍ（０．５μｍ）以上の場合により好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図に示す実施の形態に基づ
いて本発明を詳細に説明する。透明膜の表面と裏面の反
射による光の干渉により以下の式（３）の波長にピーク
を持つ。 λｎ＝４ｄＮ１／（２ｎ−１）………（３）（λｎ：ｎ番目の極大値（極小値）を持つ波長，ｄ：厚
さ，Ｎ１：膜の屈折率）式（３）より、干渉によって生
じるピーク波長は光の波長が短くなるほどその間隔が狭
まっていくことがわかる。例えば、鏡面加工されたアル
ミニウム基体上に形成された屈折率Ｎ１＝２．０の透明
膜の場合、干渉により生じるピーク波長λｐは、次のよ
うに生じる（図４参照）。 λｐ＝４５５、４８８、５２５、５６８、６２０、６８
３、７６２ｎｍこれらのλｐを式（２）に代入して膜厚ｄを求めると、
短波長側からｄ＝１．６２０、１．７３１、１．７３
４、１．６９３、１．６８０、１．６４７μｍを得る。

【００１６】このようにして得られたｄは本来同一のも
のであるから、これらに対し、算術平均などの処理を行
い、測定値を得る。算術平均などの処理を行うため、デ
ータ数は多い方が信頼性を得られやすいが、データ数を
より多くするためには、一定波長範囲内に干渉により生
じるピークλｐが多い短波長側が有利であるため、光干
渉法では、測定・解析波長を短波長側にするのが一般的
である。

【００１７】アナログ複写機用感光体に用いられる表面
が平滑な基体上に透明膜が形成されている場合には、図
５（Ａ）に示すように、基体表面と膜表面までの距離Ｌ
１とＬ２が等しいため、反射光路長１１〜１３は同一で
ある。このため、反射光ｈ１〜ｈ３による干渉のパター
ンは同一となり、式（２）により膜厚を正確に測定する
ことができる。

【００１８】これに対し、レーザーやＬＥＤなどを使用
したデジタル複写機やプリンター用のデジタル用感光体
では、レーザー光などが基体から反射した光と膜表面の
反射光が干渉して画像に干渉縞が出ることを防止するた
め、基体の表面を種々の方法にて粗面化しているため、
通常の平滑な基体に比べて干渉パターンが得られ難くな
り、膜厚測定が困難となっていた。しかし、表面を粗面
化している基体表面で光が乱反射しても、膜表面と干渉
を引き起こす基体からの反射光の存在は０とはならず、
その結果、弱い干渉は起こっている。このように、干渉
は起きているが、非常に弱い干渉のため、実際に複写機
などで画像を形成する場合には干渉縞は画像に出ず、問
題にならない。

【００１９】このように表面が粗い基体では、図５
（Ｂ）のように基体表面と膜表面までの距離Ｌ１’とＬ
２’が異なるため、反射光路長ｌ１’、ｌ２’、１３’
の平均値となる。ｌ１’〜ｌ３’での干渉パターンは各
々の光路長に対応して図６（Ａ）のように少しずつピー
ク波長が異なる。光干渉法では、一定面積の光を膜に照
射するため、得られる干渉パターンはこれらのパターン
の合成波である。図６（Ａ）の各パターンを合成する
と、図６（Ｂ）のようにピーク波長の間隔が狭い短波長
側では波の合成により互いのピークを打ち消し合ってピ
ークが消失する。これに対し、長波長側ではピーク間隔
が広いため、波の合成を行ってもピークの消失は起きに
くい。このように、ピークの消失は短波長側において起
こりやすいが、これは特にピーク間隔の狭い５００ｎｍ
以下の波長において顕著である。

【００２０】また、基体表面を粗面化した場合、短波長
の光は凹凸により散乱されやすいが、基体の表面粗さよ
り長波長の場合には凹凸の影響を受け難いため、散乱す
る光は短波長に比べ少なくなる。このような理由におい
ても長波長側の干渉パターンの方が顕著に出やすく、長
波長側で膜厚測定を行う方が有利である。

【００２１】ところで、基体表面の粗さは、通常、凹凸
の最大の山と谷の差によって求められるＲmaxで表現さ
れる。このＲmaxはＪＩＳ規格Ｂ０６０１ではＲyと
さているが、これによると、図１（Ａ）に示したよう
に、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長さだけ抜取
り、この抜取り部分の山頂線Ｒpと谷底線Ｒvとの間隔を
粗さ曲線の方向に測定した値である。このＲmaxでは、
測定範囲内に部分的な傷や凹みなどがあった場合に、本
来の値からかけ離れた値となることがある。特に、感光
体基体の表面粗さは、通常、１μｍ程度と小さく、この
程度の表面粗さの場合に表面粗さを測定する場合の基準
長さは規格により０．８ｍｍと決められた短い長さのた
め、部分的な傷があった場合、Ｒmaxの値は本来の値と
かけ離れた値となってしまう。

【００２２】この影響を受けずに基体の表面粗さを評価
するパラメータとして、表面粗さの十点平均値Ｒzを採
用した方が、より実際の凹凸の状態を表現できることが
判明した。表面粗さの十点平均値Ｒzは、図１（Ｂ）に
示したように、粗さ曲線からその平均線の方向に基準長
さだけを抜取り、この抜取り部分の平均線から縦倍率の
方向に測定した最も高い山頂から５番目までの山頂の標
高（Ｙp）の絶対値の平均値と、最も低い谷底から５番
目までの谷底の標高（Ｙv）の絶対値の平均値との和を
求めた値である。基体表面の粗さを、このＲzで表現し
た場合には、先程のＲmaxで問題になった測定長さ内の
傷や、並外れた高い山および低い谷の影響を受けない。
このため、本発明においては、基体の表面粗さを正確に
表現できるＲzを基体表面の粗さの値として採用した。

【００２３】先にも述べたように、基体表面を粗面化し
た場合、短波長の光は凹凸により散乱されやすいが、基
体の表面粗さの十点平均値Ｒzより長波長の場合には凹
凸の影響を受け難いため、散乱する光は短波長に比べ少
なくなり、干渉パターンが出やすくなる。

【００２４】このように、本発明では、基体の表面を粗
面化したデジタル用感光体において、わずかに生じてい
る干渉パターンを検出することで膜厚の測定を可能とし
た。この、非常に弱い干渉パターンを検出するために
は、干渉パターンのＳ／Ｎが十分に得られるまで測定時
間を長くしたり、測定時の照射光量を大きくすることが
有効で、かつ、測定時の波長を長波長側にすることが非
常に有効である。一方、基体から反射光を完全に無くす
ためには、基体が照射光を完全に吸収する必要があり、
このためには、例えば、基体表面に光を吸収する物質を
塗布する、または基体そのものに光を吸収する機能を具
備させるなどの方法が考えられうが、このような場合に
は、干渉パターンが得られないため、本発明による方法
では膜厚の測定は不可能である。

【００２５】光干渉法で使用するプローブの説明図であ
る図７（Ａ）は、通常、図７（Ｂ）のように複数の投光
ファイバーおよび受光ファイバーを束ねた構造となって
いる。このように投光ファイバーが複数あるため、膜厚
測定時にサンプルに照射する光の面積は大きくなり、表
面が粗い基体の場合には、照射した光は種々の方向に散
乱される。また、このプローブでは、受光ファイバーも
複数あるため、多ポイントの種々の成分の反射光や散乱
光を受光し、干渉パターンが重なり合って干渉パターン
が出にくくなる。これに対し、受光ファイバーが図７
（Ｃ）のように１本しかない場合には、受光面積が小さ
くなるため、受光する光の成分は制限されたものとな
る。このため、干渉パターンの重なり合いは少なくな
り、図７（Ｂ）のように受光ファイバーが複数ある場合
に比べ、干渉パターンは出やすくなる。

【００２６】デジタル用に基体表面を粗面化する方法と
しては、ホーニング法、エッチング法、剛体球落下／衝
突法、凹凸形状円筒体圧接法、研削／切削法、レーザー
照射法、高圧水噴射法などのように、機械的に基体表面
を粗面化する方法、陽極酸化法、ベーマイト処理法、加
熱酸化処理法などのように、基体表面に酸化処理を行う
方法などが挙げられるが、例えば、切削法により加工し
た基体の表面は、図８のように比較的規則正しい山谷の
繰り返し構造となっている。この基体に光を照射する
と、基体から反射した光が基体の規則正しい山谷の繰り
返し構造により干渉を引き起こし、図９（Ａ）のような
干渉パターンを形成する。

【００２７】受光ファイーバが１本しかなく、また投光
ファイバーもごく少数の場合には、受光ファイバーに入
射する光には散乱光より基体での干渉光の割合が多くな
り、膜厚を求める本来の干渉パターン図９（Ｂ）に基体
からの干渉光が重なり合って図８（Ｃ）のような干渉パ
ターンとなり、膜厚の算出は不可能となる。これに対
し、図７（Ｂ）のように受光光ファイバーが複数本ある
場合には、多ポイントでの反射光や散乱光を受光するた
め、切削法により加工された基体表面で起こる干渉光を
受光してもその割合は少なく、このため図９（Ｃ）のよ
うな干渉パターンにはなり難い。

【００２８】このような干渉光の影響を少なくするため
には、基体からの干渉光を受光しなければ良い。通常、
導電性基体に形成した感光体の膜厚を測定する場合に
は、図１０（Ａ）のように鉛直方向から光照射・受光を
行っている。この場合には、基体からの反射光を直接受
光しやすいため、基体での干渉光を受講する割合は散乱
光に比べ多くなる。これに対し、図１０（Ｂ）のよう
に、受光ファイバーを鉛直方向から傾けることにより、
基体での干渉光を受光しにくくなり、散乱光を受光する
割合の方が多くなる。しかし、受光ファイバーを延長方
向から傾ける角度は、大きすぎると散乱光をも受光し難
くなるため、１〜７０度の範囲が適当で、特に１〜４５
度の範囲が好ましい。この方法は、特に、受光ファイバ
ーが１本の時に有効であるが、受光ファイバーが複数あ
る時にも基体からの干渉の影響は皆無とは言えないた
め、受光ファイバーが複数あるプローブにも有効であ
る。

【００２９】本発明で用いる電子写真感光体の導電性基
体としては、アルミニウム、銅、ステンレス、真鍮など
の金属の円筒状基体または薄膜シート、またはアルミニ
ウム合金、酸化インジウムなどをポリエステルフィルム
あるいは紙、金属フィルムの円筒状基体などに蒸着した
ものが挙げられる。

【００３０】デジタル用に基体表面を粗面化する方法と
しては切削法、ホーニング法、エッチング法、剛体球落
下／衝突法、凹凸形状円筒体圧接法、研削法、レーザー
照射法、高圧水噴射法などのように機械的に基体表面を
粗面化する方法、陽極酸化法、ベーマイト処理法、加熱
酸化処理法などのように基体表面に酸化処理を行う方法
などが挙げられる。

【００３１】次いで、感光体層の接着性改良、塗布性改
良、基体上の欠陥の被覆及び基体から電荷発生層への電
荷注入性改良などのための下引層が設けられる。下引層
の材料としては、ポリアミド、共重合ナイロン、カゼイ
ン、ポリビニルアルコール、セルロース、ゼラチンなど
の樹脂が知られている。これらを各種有機溶剤に溶解
し、膜厚が０．１〜５μ程度になるように導電性基体上
に塗布される。また、下引層中へは、低温低湿特性改善
や、下引層の抵抗率などを調整するために、必要に応じ
て、アルミナ、酸化スズ、酸化チタンなどの無機顔料を
樹脂中に分散含有されることが知られている。

【００３２】本発明の電荷発生層は、光照射により電荷
を発生する電荷発生材料を主成分とし、必要に応じて公
知の結合剤（または結着剤）、可塑剤、増感剤を含有す
る。電荷発生材料としては、ペリレン系顔料、多環キノ
ン系顔料、無金属フタロシアニン顔料、金属フタロシア
ニン系顔料、スクアリリウム色素、アズレウニム色素、
チアピリリウム色素、およびカルバソール骨格、スチリ
ルスチルベン骨格、トリフェニルアミン骨格、ジベンゾ
チオフェン骨格、オキサジアゾール骨格、フルオレノン
骨格、ビススチルベン骨格、ジスチリルオキサジアゾー
ル骨格またはジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ
顔料などが挙げられる。これらの内、デジタル複写機お
よびプリンター用感光体の電荷発生材料としては無金属
フタロシアニン顔料、金属フタロシアニン系顔料、アゾ
顔料が特に適する。

【００３３】本発明の電荷輸送層は、電荷発生材料が発
生した電荷を受け入れ、こを輸送する能力を有する電荷
輸送材料、シリコーン系レベリング剤および結合剤（ま
たは結着剤）を必須成分とし、必要に応じて公知の可塑
剤、増感剤などを含有する。

【００３４】電荷輸送材料としては、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルボゾリ
ルエチルグルタメートおよびその誘導体、ピレン−ホル
ムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、
オキソジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、１，１
−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、ス
チリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒ
ドラゾン類、ヒドラゾン誘導体などの電子供与性物質、
あるいは、フルオレノン誘導体、ジベンゾチオフェン誘
導体、インデノチオフェン誘導体、フェナンスレンキノ
ン誘導体、インデノピリジン誘導体、チオキサントン誘
導体、ベンゾ［ｃ］シンノリン誘導体、フェナジンオキ
サイド誘導体、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、プロマニル、クロラニル、ベンゾイノンな
どの電子受容性物質などが挙げられる。

【００３５】電荷輸送層を構成する結合剤（又は結着
剤）としては、電荷輸送材料と相溶性を有するのであれ
ば良く、例えば、ポリカーボネート、ポリビニルブチラ
ール、ポリアミド、ポリエステル、ポリケトン、エポキ
シ樹脂、ポリウレタン、ポリビニルケトン、ポリスチレ
ン、ポリアクリルアミド、フェノール樹脂、フェノキシ
樹脂などが挙げられる。

【００３６】本発明の電子写真感光体の製造方法は、公
知の浸漬塗布方法を適用し得る。その一例を以下に述べ
る。例えば、酸化チタンと共重合ナイロン樹脂が適当な
溶剤、例えば、エタノール、メタノール、メタノール／
ジクロロエタンの混合溶剤などに分散した下引層用塗布
液に導電性基体を公知の方法で浸漬し、引き上げ、乾燥
して導電性基体上に下引層を形成する。

【００３７】次いで、例えば、アゾ系顔料などの電荷発
生材料が、必要に応じて、結合剤、可塑剤、増感剤と共
に適当な溶剤、例えば、シクロヘキサノン、ベンゼン、
クロロホルム、ジクロロエタン、エチルエーテル、アセ
トン、エタノール、クロロベンゼン、メチルエチルケト
ンなどに分散した塗工液に導電性基体を公知の方法で浸
漬し、引き上げ、乾燥して導電性基体上に電荷発生層を
形成する。次いで、例えば、ヒドラゾン系化合物などの
電荷輸送材料、シリコーン系レベリング剤および結合剤
（又は結着剤）が、必要に応じて可塑剤、増感剤と共に
適当な溶剤、例えば、ジクロロエタン、ベンゼン、クロ
ロホルム、シクロヘキサノン、エチルエーテル、アセト
ン、エタノール、クロロベンゼン、メチルエチルケトン
などに溶解した塗工液に電荷発生層が塗布された導電性
基体を公知の方法で浸漬し、引き上げ、乾燥して電荷輸
送層を形成する。

【００３８】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれら実施例に限定されるものではな
い。実施例１共重合ナイロン樹脂（ＣＭ４０００：東レ（株）製）６
重量部をメタノール９４重量部に溶解し、下引層用塗液
を作製した。この下引層用塗液を、表面を切削加工して
表面粗さの十点平均粗さＲz０．５０μｍとした外径φ
６０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体
（導電性基体）表面に、図２に示した浸漬塗布装置にて
膜厚が約１．１μｍとなるよう塗布し、下引層を得た。
膜厚測定には、分光光度計（ＭＣＰＤ−１１００、大塚
電子（株）製）を使用した。測定に使用したプローブは
図７（Ｂ）に示したような投受光ファイバーが複数ある
タイプのもので、外径は約１０ｍｍである。このプロー
ブを円筒状基体の鉛直方向に約２ｍｍ離れた場所に設置
したが、この時の光の照射径は約３ｍｍであった。膜厚
の測定波長は５００〜６５０ｎｍに設定し、下引層塗膜
の反射スペクトルを測定した。この時の反射スペクトル
には、図１１に示したように干渉パターンが得られた。

【００３９】膜厚の算出は以下の手順により行った。す
なわち、予め膜厚が既知の下引層塗膜サンプルでの干渉
パターンを得ておき、この隣合う山と山の波長を算出
し、屈折率を式（２）より求めておいた。この屈折率を
用いて実際に測定する塗膜の干渉パターンの隣合う山と
山の波長を算出して式（２）より膜厚を算出し、膜厚
１．１μｍを得た。さらに測定波長範囲を長波長側であ
る５５０〜７５０ｎｍ、６５０〜８５０ｎｍ、７５０〜
１０００ｎｍに変更して測定を行ったが、これらすべて
の測定波長範囲でも反射スペクトルに干渉パターンが現
れ、下引層の膜厚が算出できた。

【００４０】実施例２実施例１と同様の装置を使用して、表面を切削加工して
表面粗さの十点平均粗さＲz０．６０μｍとした外径φ
３０ｍｍのデジタル感光体用アルミニウム円筒状支持体
上に下引層用塗膜を作成し、膜厚測定波長を６００〜８
００ｎｍに設定して下引層塗膜の反射スペクトルを測定
した。この場合にも実施例１と同様、反射スペクトルに
干渉パターンが得られ、式（２）により膜厚を算出する
ことができた。さらに測定波長範囲を長波長側である７
００〜１０００ｎｍに変更して測定を行ったが、この測
定波長範囲でも反射ペクトルに干渉パターンが現れ、下
引層の膜厚が算出できた。

【００４１】実施例３実施例１と同様の装置を使用して、表面を切削加工して
表面粗さの十点平均粗さＲz０．７０μｍとした外径φ
７０ｍｍのデジタル感光体用アルミニウム円筒状支持体
上に下引層用塗膜を作成し、膜厚測定波長を７００〜１
０００ｎｍに設定して下引層塗膜の反射スペクトルを測
定した。この場合にも実施例１と同様、反射スペクトル
に干渉パターンが得られ、式（２）により膜厚を算出す
ることができた。

【００４２】比較例１実施例１で作成した塗膜の膜厚測定波長範囲を基体のＲ
max０．５０μｍ（５００ｎｍ）より短波長である４０
０〜５００ｎｍに設定して下引層塗膜の干渉パターンを
測定した。しかし、この測定波長範囲では、図１２に示
したように、反射スペクトルに干渉パターンは得られ
ず、膜厚の算出ができなかった。

【００４３】比較例２実施例２で作成した塗膜の膜厚測定波長範囲を基体のＲ
max０．６０μｍ（６００ｎｍ）より短波長である４０
０〜５００ｎｍ、４５０〜６００ｎｍに設定して下引層
塗膜の干渉パターンを測定した。しかし、この測定波長
範囲では、比較例１と同様に、反射スペクトルに干渉パ
ターンは得られず、膜厚の算出ができなかった。

【００４４】比較例３実施例３で作成した塗膜の膜厚測定波長範囲を基体のＲ
max０．７０μｍ（７００ｎｍ）より短波長である４０
０〜５００ｎｍ、４５０〜６００ｎｍ、５００〜７００
ｎｍに設定して下引層塗膜の干渉パターンを測定した。
しかし、この測定波長範囲では、比較例１と同様に、反
射スペクトルに干渉パターンは得られず、膜厚の算出が
できなかった。

【００４５】比較例４実施例１と同様の装置を使用して、表面を切削加工して
表面粗さの十点平均粗さＲz０．０８μｍとした外径φ
５０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体
上に下引層塗膜を作成した。この下引層について、測定
波長範囲を４００〜５００ｎｍ、４５０〜６００ｎｍ、
５００〜７００ｎｍ、６００〜８００ｎｍ、７００〜１
０００ｎｍに設定して下引層塗膜の反射スペクトルを測
定した。この反射スペクトルにおいては、すべての測定
波長範囲において、図１３のような干渉パターンが得ら
れ、膜厚約１．１μｍを算出することができた。以上、
実施例１〜３および比較例１〜４の結果を表２にまとめ
た。

【００４６】

【表１】

【００４７】表中、○は測定波長範囲内に干渉ターンの
ピークが２個以上有り、膜厚の算出ができたものを示
し、×は測定波長範囲内に干渉パターンのピークが無い
ために膜厚の算出ができなかったものを示す。また、表
中−の測定条件では、測定波長範囲がＲmaxを挟み込む
条件であるため、測定を行わなかった。表２から明らか
なとおり、基体の表面粗さの十点平均粗さＲz以上の波
長で測定することで下引層の膜厚が算出できた。また、
表面粗さの十点平均粗さＲzが０．５μｍの基体上に形
成された下引層では、測定波長が５００ｎｍ以上で反射
スペクトルに干渉パターンが現れ、下引層の膜厚が算出
できた。

【００４８】実施例４アナログ複写機感光体用の電荷発生層を形成する塗液と
して、ジブロムアンサンスロン１重量部、ブチラール樹
脂（エスレックＢＭ−２、積水化学（株）製）１重量
部、シクロヘキサノン１２０重量部と調合し、ボールミ
ルにて１２時間分散したものを作成した。この塗液を実
施例１の表面粗さの十点平均粗さＲz０．５０μｍ、外
径φ６０ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支
持体の表面に、電荷発生層の膜厚が約０．７μｍとなる
よう、図２に示した浸漬塗布装置にて塗布した。

【００４９】次にヒドラゾン系電荷輸送材（ＡＢＰＨ、
日本化薬（株）製）１重量部、ポリカーボネト樹脂（パ
ンライトＬ−１２５０、帝人化成（株）製）１重量部、
シリコーン系レリング剤（ＫＦ−９６、信越化学工業
（株）製）０．０００１３重量部ジクロロエタン８重量
部に加えて４５℃で加熱溶解し、完全に溶解した後に自
然冷却し、電荷輸送層を形成する塗液として調整した。
この塗液を電荷発生層上に浸漬塗布法にて、図２の塗布
装置を用いて膜厚が２０μｍ程度となるよう塗布した。

【００５０】膜厚測定は下引層と同様、分光光度計（Ｍ
ＣＰＤ、大塚電子（株）製）を使用し、膜厚測定波長を
５００〜５５０ｎｍに設定して電荷発生層塗膜の反射ス
ペクトルを測定した。この時の反射スペクトルは、図１
４に示したように、干渉パターンが得られた。屈折率は
下引層と同様に膜厚が既知の本実施例の処方の電荷輸送
層から予め求めておいた。この屈折率を用いて実際に測
定する塗膜の干渉パターンの隣合う山と山の波長を算出
して、式（２）より膜厚を算出し、膜厚２０．１μｍを
得た。さらに測定波長範囲を長波長側である６００〜６
５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍ、７００〜７５０ｎｍ、
７５０〜８００ｎｍに変更して測定を行ったが、これら
すべての測定波長範囲で反射スペクトルに干渉パターン
が現れ、電荷発生層と電荷輸送層とのトータルの膜厚が
算出でき、それに基づいて差し引きで電荷輸送層の膜厚
が算出できた。

【００５１】実施例５デジタル複写機感光体用の電荷発生層を形成する塗液と
して、Ｘ型メタルフリーフタロシアニン１重量部、ブチ
ラール樹脂（エスレックＢＭ−２、積水化学（株）製）
１重量部、テトラヒドロフラン１２０重量部と調合し、
ボールミルにて１２時間分散したものを作成した。この
塗液を表面粗さの十点平均粗さＲz０．６０μｍ、外径
φ４０ｍｍのデジタル感光体用アルミニウム円筒状支持
体上に実施例２で既に下引層を塗布した表面に電荷発生
層の膜厚が約０．２μｍとなるよう、図２に示した浸漬
塗布装置にて塗布した。次に、実施例４で調整した電荷
輸送層用塗液を電荷発生層上に浸漬塗布法にて、図２の
塗布装置を用いて膜厚が２０μｍ程度になるよう塗布し
た。膜厚測定は、膜厚測定波長を６００〜６５０ｎｍに
設定して電荷発生層塗膜の反射スペクトルを測定した。
この場合にも実施例４と同様、反射スペクトルに干渉パ
ターンが得られ、式（２）により膜厚を算出することが
できた。さらに測定波長範囲を長波長側である６５０〜
７００ｎｍ、７００〜７５０ｎｍに変更して測定を行っ
たが、これらすべての測定波長範囲で反射スペクトルに
干渉パターンが現れ、電荷発生層と電荷輸送層とのトー
タルの膜厚が算出でき、それに基づいて差し引きで電荷
輸送層の膜厚が算出できた。

【００５２】実施例６表面粗さの十点平均粗さＲz０．７０μｍ、外径φ７０
ｍｍのデジタル感光体用アルミニウム円筒状支持体上に
実施例３で既に下引層を塗布した表面に電荷発生層の膜
厚が約０．３μｍとなるよう、図２に示した浸漬塗布装
置にてデジタル複写機用電荷発生層塗液を塗布した。次
に、実施例４で調整した電荷輸送層用塗液を電荷発生層
上に浸漬塗布法にて、図２の塗布装置を用いて膜厚が２
０μｍ程度になるよう塗布し、膜厚測定波長を７００〜
７５０ｎｍに設定して電荷輸送層塗膜の反射スペクトル
を測定した。この場合にも、実施例４と同様、反射スペ
クトルに干渉パターンが得られ、式（２）により膜厚を
算出することができた。

【００５３】比較例５実施例４で使用した塗膜の膜厚測定波長を基体のＲmax
０．５０μｍ（５００ｎｍ）より短波長である４５０〜
５００ｎｍに設定して電荷発生層塗膜の干渉パターンを
測定した。しかし、この測定波長範囲では、図１５に示
したように反射スペクトルに干渉パターンは得られず、
膜厚の算出ができなかった。

【００５４】比較例６実施例２で使用した塗膜の膜厚測定波長を基体のＲmax
０．６０μｍ（６００ｎｍ）より短波長である４５０〜
５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、５５０〜６００ｎｍ
に設定して電荷発生層塗膜の干渉パターンを測定した。
しかし、この測定波長範囲では、図１５に示したように
比較例５と同様に、反射スペクトルに干渉パターンは得
られず、膜厚の算出ができなかった。

【００５５】比較例７実施例３で使用した塗膜の膜厚測定波長を基体のＲmax
０．７０μｍ（７００ｎｍ）より短波長である４５０〜
５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、６００〜６５０ｎ
ｍ、６００〜７００ｎｍに設定して電荷発生層塗膜の干
渉パターンを測定した。しかし、この測定波長範囲で
は、図１５に示したように比較例５と同様に反射スペク
トルに干渉パターンは得られず、膜厚の算出ができなか
った。

【００５６】比較例８表面粗さの十点平均粗さＲz０．０８μｍ、外径φ５０
ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体上に
比較例４で既に下引層を塗布した表面に、アナログ用電
荷発生層を膜厚が約０．７μｍとなるよう、図２に示し
た浸漬塗布装置にてアナログ複写機用電荷発生層塗布を
塗布した。次に、実施例４で調整した電荷輸送層用塗液
を電荷発生層上に浸漬塗布法にて、図２の塗布装置を用
いて膜厚が２０μｍ程度になるよう塗布し、膜厚測定波
長を４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、６００
〜６５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍ、７００〜７５０ｎ
ｍに設定して電荷輸送層塗膜の反射スペクトルを測定し
た。この反射スペクトルにおいては、すべての測定波長
範囲で干渉パターンが得られ、膜厚１９．８μｍを算出
することができた。

【００５７】比較例９表面粗さの十点平均粗さＲz０．０８μｍ、外径φ５０
ｍｍのアナログ感光体用アルミニウム円筒状支持体上に
比較例４で既に下引層を塗布した表面にデジタル用電荷
発生層を膜厚が約０．２μｍとなるよう、図２に示した
浸漬塗布装置にてデジタル複写機用電荷発生層塗布を塗
布した。次に、実施例４で調整した電荷輸送層用塗液を
電荷発生層上に浸漬塗布法にて、図２の塗布装置を用い
て膜厚が２０μｍ程度になるよう塗布し、膜厚測定波長
を４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、６００〜
６５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍ、７００〜７５０ｎｍ
に設定して電荷輸送層塗膜の反射スペクトルを測定し
た。この反射スペクトルにおいては、すべての測定波長
範囲で干渉パターンが得られ、膜厚２０．３μｍを算出
することができた。以上、実施例４〜６および比較例５
〜９の結果を表３にまとめた。

【００５８】

【表２】

【００５９】表中、○は測定波長範囲内に干渉パターン
のピークが２個以上有り、膜厚の算出ができたものを示
し、×は測定波長範囲内に干渉パターンのピークが無い
ために膜厚の算出ができなかったものを示す。表３から
明らかなとおり、基体の表面粗さ十点平均粗さＲz以上
の波長で測定することで下引層の膜厚が算出できた。ま
た、表面粗さの十点平均粗さＲzが０．５μｍの基体上
に形成された下引層では、測定波長が５００ｎｍ以上で
反射スペクトルに干渉パターンが現れ、下引層の膜厚が
算出できた。

【００６０】比較例１０ノボラック型フェノール樹脂５０重量部、粒子径約５５
ｎｍのカーボンブラックを１５重量部、ガラスファイバ
ー２５重量部、流動性改善のための添加剤１０重量部を
加熱混練して、φ５０ｍｍの円筒状に射出形成した。こ
の円筒の表面粗さはＲmax０．７０μｍであった。この
円筒を支持体とし、実施例１と同様の装置を使用して、
下引層塗膜を作成した。この下引層について、測定波長
範囲を４００〜５００ｎｍ、５００〜６５０ｎｍ、５５
０〜７５０ｎｍ、６５０〜８５０ｎｍ、７５０〜１００
０ｎｍに設定して下引層塗膜の反射スペクトルを測定し
た。この反射スペクトルにおいては、すべての測定波長
範囲において、図１６のようにまったく干渉パターンが
得られず、膜厚を算出することができなかった。どの波
長においてもまったく干渉パターンが得られなかったの
は、膜厚測定のために照射した光を支持体中のカーボン
ブラックが吸収して、下引層の裏面（基体表面）で光の
反射がまったく起きず、その結果、下引層による光の干
渉が起こらなかったためである。

【００６１】実施例７アルミニウム基体表面に平均粒子５０μｍのガラスビー
ズを圧縮空気により吹きつけて表面粗さの十点平均粗さ
Ｒz０．７０μｍとした外径φ５０ｍｍのデジタル感光
体用アルミニウム円筒状支持体上に図２の装置にて下引
層用塗膜を形成し、図７（Ｃ）に示したような受光ファ
イバーが１本、投光ファイバーが２本の測定プローブを
使用して膜厚測定を行った。このプローブは、円筒状基
体の鉛直方向に設置し、基体から約２ｍｍ離れた場所に
設置した。この時の光の照射径は約１．２ｍｍであっ
た。膜厚の測定波長範囲は７００〜１０００ｎｍに設定
し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。
この時の反射スペクトルには図１７に示したように、干
渉パターンが得られ、膜厚１．１５μｍが算出できた。

【００６２】比較例１１実施例７で作成した下引層用塗膜を、図７（Ｂ）に示し
たような受光ファイバーと光ファイバーが各々多数の測
定プローブを使用して膜厚測定を行った。このプローブ
は円筒状基体の鉛直方向に設置し、基体から約２ｍｍ離
れた場所に設置した。この時の光の照射径は約３．０ｍ
ｍであった。膜厚の測定波長範囲は７００〜１０００ｎ
ｍに設定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測
定した。しかし、この時の反射スペクトルは強度が強か
ったにもかかわらず、実施例７、図１７で示したような
はっきりした干渉パターンは得られず、図１８のような
非常にプローブな干渉パターンとなり、膜厚の算出が困
難であった。

【００６３】実施例８表面を切削加工して表面粗さの十点平均粗さＲz０．５
０μｍとした外径φ５０ｍｍのアナログ感光体用アルミ
ニウム円筒状支持体上に下引層用塗膜を作成し、実施例
１で測定に使用した下引層の膜厚測定において、図７
（Ｃ）に示した受光ファイバーが１本の測定プローブを
膜厚測定に使用した。このプローブを円筒状基体の鉛直
方向から１度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場所に
設置した。膜厚の測定波長は５００〜６５０ｎｍに設定
し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。
この時の反射スペクトルには図１９に示したように干渉
パターンが得られ、膜厚が算出できた。

【００６４】実施例９表面を切削加工して表面粗さの十点平均粗さＲz０．５
０μｍとした外径φ５０ｍｍのアナログ感光体用アルミ
ニウム円筒状支持体上に下引層用塗膜を作成し、実施例
１で測定に使用した下引層の膜厚測定において、図７
（Ｃ）に示した受光ファイバーが１本の測定プローブを
膜厚測定に使用した。このプローブを円筒状基体の鉛直
方向から３０度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場所
に設置した。膜厚の測定波長は５００〜６５０ｎｍに設
定し、この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定し
た。この時の反射スペクトルには干渉パターンが得ら
れ、膜厚が算出できた。

【００６５】実施例１０受光ファイバーが１本の測定プローブを円筒状基体の鉛
直方向から４５度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場
所に設置し、実施例７と同一サンプルの膜厚測定を行っ
た。膜厚の測定波長は７００〜１０００ｎｍに設定し、
この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この
時の反射スペクトルでは基体からの干渉光が混合された
図２０に示したような干渉パターンが得られ、膜厚が算
出できた。

【００６６】実施例１１受光ファイバーが１本の測定プローブを円筒状基体の鉛
直方向から７０度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場
所に設置し、実施例７と同一サンプルの膜厚測定を行っ
た。膜厚の測定波長は７００〜１０００ｎｍに設定し、
この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この
時の反射スペクトルでは反射光量は少なかったが、図２
１に示したような弱い干渉パターンが得られ、膜厚が算
出できた。

【００６７】実施例１２受光ファイバーが１本の測定プローブを円筒状基体の鉛
直方向から傾けずに、かつ基体から約２ｍｍ離れた場所
に設置し、実施例７と同一サンプルの膜厚測定を行っ
た。膜厚の測定波長は７００〜１０００ｎｍに設定し、
この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この
時の反射スペクトルは基体からの干渉光が混合された図
２２に示したようなパターンとなり、膜厚の算出ができ
なかった。

【００６８】実施例１３受光ファイバーが１本の測定プローブを円筒状基体の鉛
直方向から８０度傾け、かつ基体から約２ｍｍ離れた場
所に設置し、実施例７と同一サンプルの膜厚測定を行っ
た。膜厚の測定波長は７００〜１０００ｎｍに設定し、
この時の下引層塗膜の反射スペクトルを測定した。この
時の反射スペクトルでは反射光量は非常に少なかったた
め図２３に示したように干渉ピークが得られず、膜厚が
算出できなかった。

【００６９】以上、実施例８〜１１及び比較例１２〜１
３の結果を表４にまとめた。

【表３】表中、◎は反射スペクトル強度が強く、かつ、干渉ピー
クがはっきりと検出され、膜厚算出が容易に可能なも
の、○は測定波長範囲内に干渉パターンのピークが２個
以上有り、膜厚の算出できたものを示し、×は干渉ピー
クに基板からの干渉ピークが重なり合ってピーク検出の
できなかったもの、あるいは反射強度が小さくて干渉ピ
ークが得られなかったものを示す。

【００７０】表４から明らかなとおり、受光ファイバー
を基体の鉛直方向から傾けることで、粗面化した基体に
おいても膜厚測定が可能であることがわかる。また、受
光ファイバーを傾ける角度は１〜７０度、好ましくは１
〜４５度の間に調整することで干渉ピークが得られ、膜
厚の算出が可能である。

【００７１】

【発明の効果】本発明により、導電性基体上の各層の膜
厚を光干渉法を用いて測定するに際して、膜厚を測定す
る波長として、導電性基体の測定平均表面粗さより大き
い値を用いることによって、導電性基体の表面粗さの影
響を少なくし、それによって光干渉を有効に利用して、
より正確な膜厚測定を可能にするものである。更に、静
電潜像形成のための露光光源にレーザー光又はＬＥＤ光
等の単色光を使用するデジタル複写機またはプリンター
用の感光体用に粗面化された基体上に、各層を塗布形成
した電子写真感光体の膜厚を光干渉法を用いて測定する
場合において、膜厚を測定する時の測定波長を基体の表
面粗さの十点平均粗さＲzより長波長とし、表面粗さの
十点平均粗さＲzが０．５μｍ以上の基体上に形成され
た感光体膜厚を測定する時の測定波長を５００ｎｍ以上
とすることで、下引層、電荷輸送層の膜厚を測定するこ
とができ、その結果、感光体生産を行う場合に、安定し
た膜厚・性能を持つ感光体を作製することができる。ま
た、受光ファイバーを測定基体の鉛直方向から傾けて反
射スペクトルを測定することで、下引層、電荷輸送層の
膜厚を測定することができ、その結果、感光体生産を行
う場合に、安定した膜厚・性能を持つ感光体を作製する
ことができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】表面粗さの定義を説明する概略図であり、
（Ａ）はＲmaxの場合を、（Ｂ）はＲzの場合を示す。

【図２】感光体塗布装置の概略図である。

【図３】透明薄膜に入射した光の挙動を説明する概略図
であり、（Ａ）は多重反射を、（Ｂ）は表面での反射と
基体での反射を示す。

【図４】透明薄膜の分光スペクトル図である。

【図５】透明薄膜に入射した光の挙動の基体による差の
説明図であり、（Ａ）は平滑な基体の場合を、（Ｂ）は
粗い基体の場合を示す。

【図６】粗面基体での分光スペクトル図であり、（Ａ）
はピークが消えない場合（長波長側）を、（Ｂ）はピー
クが消える場合（短波長側）を示す。

【図７】光干渉法で使用する測定プローブの説明図であ
り、（Ａ）はその一般的な場合を、（Ｂ）は投・受光フ
ァイバーが複数の場合を、（Ｃ）は受光ファイバーが１
本の場合を示す。

【図８】切削法により加工された基体表面の概略図であ
る。

【図９】切削法により加工された基体表面からの干渉光
の分光スペクトル図であり、（Ａ）は干渉パターンが明
確な場合を、（Ｂ）は膜厚を求める本来の干渉パターン
を、（Ｃ）は干渉パターンになり難い場合を示す。

【図１０】光干渉法で使用する測定プローブの設置概略
図であり、（Ａ）は投・受光が延長方向の場合を、
（Ｂ）は受光が傾いている場合を示す。

【図１１】下引層の分光スペクトル図である。

【図１２】干渉パターンの得られなかった下引層の分光
スペクトル図である。

【図１３】下引層の分光スペクトル図である。

【図１４】電荷輸送層の分光スペクトル図である。

【図１５】干渉パターンの得られなかった電荷輸送層の
分光スペクトル図である。

【図１６】干渉パターンの得られなかった電荷輸送層の
分光スペクトル図である。

【図１７】受光ファイバーが１本の測定プローブによる
下引層の分光スペクトル図である。

【図１８】受光ファイバーが複数本の測定プローブによ
る下引層の分光スペクトル図である。

【図１９】測定プローブを傾けて測定した時の下引層の
分光スペクトル図である。

【図２０】測定プローブを傾けて測定した時の下引層の
分光スペクトル図である。

【図２１】測定プローブを傾けて測定した時の下引層の
分光スペクトル図である。

【図２２】測定プローブを大きく傾けて測定した時の下
引層の分光スペクトル図である。

【図２３】測定プローブを傾けずに測定した時の下引層
の分光スペクトル図である。

【符号の説明】

１入射光２反射光３塗膜４基体１１塗布層１２塗液１３基体１４昇降装置１５昇降機モーター２２投光ファイバー３０照射光３１反射光３２散乱光４２測定プローブ４５光ファイバーケーブル５０基体

フロントページの続き (72)発明者坂元雅遊亀大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者石橋裕子大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者松尾力也大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者角井幹男大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内Ｆターム(参考） 2H068 AA34 AA35 AA59 EA07 EA41 FB07 FB08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導電性基体上に下引層を介するか介せず
して電荷発生層および電荷輸送層を塗布形成した電子写
真感光体の各層の膜厚を光干渉法を用いて測定するに際
して、予め導電性基体の平均表面粗さを測定し、その測
定平均表面粗さより大きい値を光干渉法の測定波長とし
て用いることを特徴とする電子写真感光体の膜厚測定方
法。
【請求項２】測定平均表面粗さが、十点平均粗さＲｚ
である請求項１に記載の電子写真感光体の膜厚測定方
法。
【請求項３】光干渉法の測定波長が５００ｎｍ以上で
ある請求項２に記載の電子写真感光体の膜厚測定方法。
【請求項４】電子写真感光体が、静電潜像形成のため
の露光光源にレーザー光またはＬＥＤ光等の単色光を使
用するデジタル複写機またはプリンター用感光体である
請求項１または請求項２に記載の電子写真感光体の膜厚
測定方法。
【請求項５】測定反射光を１本のみの光ファイバーで
受光する請求項１または請求項２に記載の電子写真感光
体の膜厚測定方法。
【請求項６】測定反射光を受光する光ファイバーが、
導電性基体の鉛直位置から傾斜している請求項１または
請求項２に記載の電子写真感光体の膜厚測定方法。
【請求項７】光ファイバーが、導電性基体の鉛直位置
から１〜７０度の範囲で傾斜している請求項９に記載の
電子写真感光体の膜厚測定方法。
【請求項８】光ファイバーが、導電性基体の鉛直位置
から１〜４５度の範囲で傾斜している請求項９に記載の
電子写真感光体の膜厚測定方法。
【請求項９】導電性基体の表面が切削加工されたもの
である請求項１に記載の電子写真感光体の膜厚測定方
法。