JP3534632B2

JP3534632B2 - 膜厚測定方法

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Publication number: JP3534632B2
Application number: JP36531298A
Authority: JP
Inventors: 洋一竹沢; 誠黒川; 雅遊亀坂元; 竜廣森田; 聡片山; さやか上杉
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1998-12-22
Filing date: 1998-12-22
Publication date: 2004-06-07
Anticipated expiration: 2018-12-22
Also published as: JP2000186916A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基体上に形成され
た膜、たとえばデジタルの複写機やプリンタに搭載され
る電子写真感光体を構成する表面が比較的粗面の導電性
基体上に形成された電荷発生層、電荷輸送層、または下
引き層などの膜の厚さを光干渉法によって測定する膜厚
測定方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】特開平４−３３６５４０号公報には、電
子写真感光体（以下、単に「感光体」ともいう）の導電
性基体上に形成された下引き層または電荷輸送層の膜厚
を管理し、塗液の塗布量を調整して膜厚や電気特性の均
一な感光体を製造する方法が開示されている。

【０００３】導電性基体上には、様々な手法のうち、生
産性が特に優れた浸漬塗布法によって電荷発生層、電荷
輸送層および下引き層用塗液が塗布される。浸漬塗布法
では、塗液を満たした槽内に導電性基体を浸漬した後、
一定速度で基体を引き上げて塗液が塗布されるが、塗液
中の有機溶剤は蒸発しやすく、塗液粘度の変動によって
塗膜厚がばらつきやすい。膜厚のばらつきを低減するた
めには、基体の引き上げ速度や塗液粘度が各層の塗布工
程毎に調整され、また膜厚が測定される。

【０００４】膜厚測定方法としては、接触式、非接触式
および写真式の膜厚測定法などがあるが、塗膜自身を傷
つけない非接触式が好ましく、特に電荷輸送層や下引き
層などのように顔料を含有しない層の膜厚も測定でき、
測定の精度や分解能に優れ、特別な施設がいらない光干
渉法が好ましい。前記特開平４−３３６５４０号公報で
は、光干渉法によって逐次膜厚を測定し、測定結果をフ
ィードバックして塗布速度を適性な速度に自動的に制御
している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記光干渉法
による膜厚測定方法では反射光の干渉スペクトルを検出
している。したがって、表面が比較的粗面の基体上に形
成された膜に対しては、そのまま適用することができな
い。近年、アナログ式電子写真感光体に代わって、デジ
タルカラー複写機やプリンタなどに搭載されるデジタル
式電子写真感光体が主流となってきており、該感光体で
は、基体表面からの反射光と膜表面からの反射光とによ
る干渉縞を防止するために、導電性基体表面に粗面化処
理が施されている。このように表面が比較的粗面の基体
では、基体表面と膜表面とでの光の干渉が起こりにく
く、光が散乱し、干渉スペクトルを検出することが困難
である。

【０００６】本発明の目的は、表面が比較的粗面の基体
上に形成された膜の厚さを光干渉法によって測定する膜
厚測定方法を提供することである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、基体上に形成
された膜の厚さを光干渉法によって測定する膜厚測定方
法において、投光手段から基体の表面粗さＲｍａｘより
も長波長の光を基体に向けて照射し、基体での反射光を
受光手段で受光して干渉スペクトルを検出し、前記干渉
スペクトルのピーク波長毎に膜厚を算出し、これらの膜
厚の値を算術平均することによって膜厚を求めることを
特徴とする膜厚測定方法である。

【０００８】本発明に従えば、膜が形成された基体に向
けて基体の表面粗さＲｍａｘよりも長波長の光が照射さ
れ、基体での反射光が受光される。このように照射光の
波長を最適化することによって、干渉スペクトルを得る
ことができ、膜厚を算出することができる。特に、基体
の表面粗さＲｍａｘが０．５μｍのとき、５００ｎｍ以
上の波長の光が照射され、得られた干渉スペクトルによ
って膜厚が算出される。

【０００９】また本発明は、前記基体表面には切削加工
が施されていることを特徴とする。本発明に従えば、切
削加工によって表面が比較的粗面の基体上に膜が形成さ
れている。このような基体に向けて基体の表面粗さＲｍ
ａｘよりも長波長の光が照射され、基体での反射光が受
光されて、干渉スペクトルが得られる。したがって表面
が比較的粗面の基体上に形成された膜の膜厚を測定する
ことができる。

【００１０】また本発明は、前記基体は導電性を有し、
該基体上には電子写真感光体を構成する電荷発生層、電
荷輸送層または下引き層が形成されていることを特徴と
する。

【００１１】本発明に従えば、具体的に電子写真感光体
の電荷発生層、電荷輸送層または下引き層の膜厚を測定
することができる。特に、表面が比較的粗面の基体上に
上述したような層を設けた電子写真感光体、すなわちデ
ジタル複写機やプリンタに搭載される感光体の上記層の
膜厚を測定することができる。

【００１２】ここで、光干渉法による膜厚測定方法の原
理を説明する。図１は、該原理を説明するための図であ
る。膜厚ｄ、屈折率Ｎ１の透明な膜１に光３が入射した
場合、図１（Ａ）に示されるように膜１の内部で光が多
重反射する。反射光４は膜１の内部を複数回通過した光
を合成したものであり、該反射光４は光の干渉によって
隣合う位相差が２πの正数倍であれば互いに強め合い、
πの奇数倍であれば互いに打ち消し合う。

【００１３】図１（Ｂ）に示されるように基体２の上に
形成された膜１に光が入射した場合の反射率Ｒは、式
（１）で示される。Ｒ＝［Ｒ１²＋Ｒ２²−２Ｒ１Ｒ２ｃｏｓ(Ｘ)］／［１＋Ｒ１²＋Ｒ２²−２Ｒ１Ｒ２ｃｏｓ(Ｘ)］ …（１）ここで、Ｒ１＝（１−Ｎ１）／（１＋Ｎ１）Ｒ２＝（Ｎ１−Ｎ２）／（Ｎ１＋Ｎ２）Ｘ＝４πＮ１ｄ／λ Ｎ２＞Ｎ１であり、λ：波長、ｄ：膜１の厚さ、Ｒ１：膜１の表面
での反射率、Ｒ２：基体２の表面での反射率、Ｎ１：膜
１の屈折率、Ｎ２：基体２の屈折率である。

【００１４】光の干渉によって、反射率は強め合う波長
で極大値となり、打ち消し合う波長で極小値となる。反
射率Ｒを波長λで微分して、（ｄ／ｄλ）Ｒ（λ）＝０
となるピーク波長λｎを求めると、式（２）となる。（１／λｎ）−（１／λｎ＋１）＝１／２Ｎ１ｄ …（２）ここで、λｎ：ｎ番目の極大値または極小値をもつ波長
である。

【００１５】式（２）によって、強め合うまたは打ち消
し合うピーク波長λｎおよび膜１の屈折率Ｎ１がわかれ
ば、膜１の厚さｄを求めることができる。強め合うまた
は打ち消し合うピーク波長λｎ、および膜１の屈折率Ｎ
１は分光光度計で測定可能であり、したがって膜１の厚
さｄが求まる。なお、膜１の屈折率Ｎ１が未知の場合、
膜厚が既知の基準サンプルを用いて光干渉法で式（２）
から求めることができる。

【００１６】ここで、光の干渉によるピーク波長λｎ
は、式（３）で示される。式（３）から、ピーク波長λ
ｎの間隔は波長が短くなるに従って狭くなることが判
る。 λｎ＝４ｄＮ１／（２ｎ−１） …（３）

【００１７】図２は、鏡面加工されたアルミニウム製の
基体２の上に形成された屈折率Ｎ１＝２．０の膜１のピ
ーク波長λｎを示すグラフである。干渉によって生じる
ピーク波長λｎは、４５５，４８８，５２５，５６８，
６２０，６８３および７６２ｎｍであり、これらのピー
ク波長λｎを式（２）に代入すると膜１の膜厚ｄが各ピ
ーク波長毎に求まる。表１には、求めた膜厚ｄを示す。

【００１８】

【表１】

【００１９】膜厚ｄは短波長側のピーク波長λｎから順
番に、１．６２０，１．７３１，１．７３４，１．６９
３，１．６８０および１．６４７μｍとなるが、膜厚ｄ
は本来同一のものであり、これらの値に対して算術平均
処理を行って、膜厚ｄ＝１．６８４μｍが得られる。

【００２０】なお、信頼性の高い膜厚ｄを得るために
は、算術平均処理を行うデータ数は多い方が好ましく、
データ数を多くするために、一定波長範囲内に光の干渉
によって生じるピーク波長λｎが多い短波長の光を用い
ることが好ましい。

【００２１】図３（Ａ）は、表面が比較的平滑な基体２
ａの上に形成した膜１に入射した光の反射光路長ａ１ａ
〜ａ３ａを示す図であり、図３（Ｂ）は、表面が比較的
粗面な基体２ｂの上に形成した膜１に入射した光の反射
光路長ａ１ｂ〜ａ３ｂを示す図である。図４（Ａ）〜図
４（Ｃ）は、基体２ｂの場合の反射光ｈ１ｂ〜ｈ３ｂに
よる各干渉スペクトルを示すグラフであり、図４（Ｄ）
は、反射光ｈ１ｂ〜ｈ３ｂによる干渉スペクトルの合成
スペクトルを示すグラフである。

【００２２】アナログ用の電子写真感光体では、表面が
平滑な基体２ａの上に膜１が形成される。該感光体で
は、基体２ａの表面から膜１の表面までの距離Ｌ１ａ，
Ｌ２ａが図３（Ａ）に示されるようにいずれの位置にお
いてもほぼ等しく、反射光路長ａ１ａ〜ａ３ａは同一と
なる。したがって、反射光ｈ１ａ〜ｈ３ａによる干渉ス
ペクトルはいずれも同じとなり、式（２）から膜厚が容
易に求まる。

【００２３】一方、デジタル用の電子写真感光体では、
表面が粗面な基体２ｂの上に膜１が形成される。基体表
面がアナログ用に比べて粗いのは、レーザ光や発光ダイ
オードからの光の基体２ｂの表面での反射光と膜１の表
面での反射光との光の干渉による画像への干渉縞を防止
するためである。該感光体では、基体２ｂの表面から膜
１の表面までの距離Ｌ１ｂ，Ｌ２ｂは図３（Ｂ）に示さ
れるように互いに異なり、反射光路長ａ１ｂ〜ａ３ｂも
異なる。したがって、反射光ｈ１ｂ〜ｈ３ｂによる干渉
スペクトルは図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示されるように
互いに異なり、膜厚は式（２）から求まる値の平均値と
なる。

【００２４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示される前記基
体２ｂを用いた場合の反射光ｈ１ｂ〜ｈ３ｂによる干渉
スペクトルにおいて、各スペクトルのピーク波長は反射
光路長ａ１ｂ〜ａ３ｂに対応して異なる。実際に、光干
渉法では一定面積の膜領域に光を照射するので、得られ
る干渉スペクトルは図４（Ａ）〜図４（Ｃ）のスペクト
ルを合成した図４（Ｄ）のようになる。図４（Ｄ）の合
成スペクトルでは、ピーク波長の間隔が狭い短波長側で
は波の合成によって互いのピークを打ち消し合ってピー
クが消失している。なお、長波長側ではピーク間隔が広
いので、波の合成によるピークの消失はほとんどない。
このようにピークの消失は短波長側、特にピーク間隔の
狭い５００ｎｍ以下の波長において起こりやすい。

【００２５】また、表面が比較的粗面の基体２ｂでは、
基体２ｂの表面粗さＲｍａｘよりも短波長側の光は基体
２ｂの表面の凹凸によって散乱されやすいが、基体２ｂ
の表面粗さＲｍａｘよりも長波長側の光は基体２ｂの表
面の凹凸の影響を受けにくく、散乱光が少なくなる。し
たがって、基体２ｂの表面粗さＲｍａｘよりも長波長側
の光を用いると、干渉スペクトルが顕著に現れ、このよ
うな光で膜厚測定を行うことが好ましい。

【００２６】本発明では、表面が比較的粗面のデジタル
用感光体において、わずかに生じている干渉スペクトル
を検出することで膜厚の測定が可能となり、膜厚および
感光特性の安定した感光体を作製することができる。こ
のような非常に弱い干渉スペクトルを検出するために
は、干渉スペクトルのＳ／Ｎ比が充分に得られるまで測
定時間を長くしたり、測定時の照射光量を多くすること
が、特に好ましい。

【００２７】なお、基体からの反射光を無くすために、
基体表面に光吸収物質を塗布したり、基体そのものに光
吸収機能を持たせたりして、基体で照射光を完全に吸収
するようにした感光体に対しては、干渉スペクトルが得
られないので、本発明の膜厚測定方法を適用することは
できない。

【００２８】また本発明は、前記投光手段および受光手
段はともに光ファイバを含んで構成され、これらの光フ
ァイバによって膜厚測定用プローブが構成されているこ
とを特徴とする。

【００２９】本発明に従えば、前記プローブを基体に向
け、該プローブの投光用光ファイバから上述したような
基体の表面粗さＲｍａｘよりも長波長の光を照射し、基
体での反射光を該プローブの受光用光ファイバで受光す
ることによって、干渉スペクトルが得られ、膜厚を算出
することができる。

【００３０】また本発明は、前記受光用の光ファイバは
１本であることを特徴とする。本発明に従えば、前記受
光用光ファイバを１本とすることによって、干渉スペク
トルが確実に得られ、膜厚を算出することができる。

【００３１】また本発明は、前記膜厚測定用プローブの
光軸は基体表面の法線方向に対して傾斜していることを
特徴とする。

【００３２】本発明に従えば、前記プローブをその光軸
が基体表面の法線方向に対して傾斜することによって、
干渉スペクトルが確実に得られ、膜厚を算出することが
できる。

【００３３】また本発明は、前記基体表面の法線方向に
対する膜厚測定用プローブの光軸の傾斜角は１°〜７０
°の範囲に選ばれることを特徴とする。

【００３４】本発明に従えば、前記傾斜角を１°〜７０
°の範囲とすることによって、干渉スペクトルが確実に
得られ、膜厚を算出することができる。

【００３５】また本発明は、前記基体表面の法線方向に
対する膜厚測定用プローブの光軸の傾斜角は１°〜４５
°の範囲に選ばれることを特徴とする。

【００３６】本発明に従えば、前記傾斜角を１°〜４５
°の範囲とすることによって、干渉スペクトルが確実に
得られ、膜厚を算出することができる。

【００３７】図５（Ａ）は、膜厚測定用プローブ５ａを
示す斜視図であり、図５（Ｂ）はその断面図であり、図
５（Ｃ）は他の膜厚測定用プローブ５ｂを示す断面図で
ある。プローブ５ａ，５ｂは、投光用光ファイバ６と受
光用光ファイバ７とを保護部材８で束ねて構成される。
プローブ５ａ，５ｂの投光および受光側端部とは反対側
の端部には、複数の光ファイバを含んで成るケーブル９
が設けられている。

【００３８】プローブ５ａは投光用光ファイバ６を多数
有し、光の照射面積が比較的大きく、受光用光ファイバ
７を多数有する。また、表面が比較的粗面の基体２ｂで
は、照射光が様々な方向に散乱する。したがって、基体
２ｂを有する感光体に対してプローブ５ａを使用する
と、様々な成分の反射光や散乱光を受光することとな
り、干渉スペクトルが重なり合って明確なスペクトルが
得られにくい。

【００３９】一方、プローブ５ｂでは投光用光ファイバ
６の本数は比較的少なく（ここでは２本）、光の照射面
積は小さい。また、受光用光ファイバ７は１本である。
したがって、基体２ｂを有する感光体に対してプローブ
５ｂを使用すると、受光する光の成分が制限され、干渉
スペクトルの重なり合いが少なくなって、明確なスペク
トルが得られやすい。

【００４０】図６は、切削加工によって表面に粗面化処
理を施した基体２を示す図である。デジタル用感光体に
用いられる基体２の表面は様々な手法で粗面化処理する
ことができるが、たとえば切削加工によって粗面化処理
した場合、表面形状は比較的規則正しい山谷形状の繰り
返しとなる。このような基体２の表面に光を照射する
と、基体２からの反射光によって図７（Ａ）に示される
ような干渉スペクトルが得られる。

【００４１】切削加工によって表面処理を施した基体２
を有する感光体に対して、投光用光ファイバ６が複数本
で、受光用光ファイバ７が１本のプローブ５ｂを使用す
ると、受光用光ファイバ７への入射光では、反射光や散
乱光の強度よりも基体２の表面での干渉光の強度の方が
強くなり、図７（Ｂ）に示されるような膜厚を求める本
来の干渉スペクトルに対し、基体２での干渉光によるス
ペクトルが重なり合って、図７（Ｃ）に示されるような
干渉スペクトルとなり、膜厚を算出することができな
い。

【００４２】これに対して、受光用光ファイバ７が複数
本のプローブを用いると、受光用光ファイバ７へは様々
な地点での反射光や散乱光が入射して受光量が多くな
り、反射光や散乱光の強度が基体２の表面での干渉光の
強度よりも強くなり、したがって図７（Ｃ）に示される
ような干渉スペクトルにはなりにくい。すなわち、膜厚
を確実に算出するためには、干渉光を受光しないように
して干渉光の強度を弱めることが好ましい。

【００４３】図８は、基体２とプローブ５との位置関係
を示す図である。通常、基体２の上に形成した膜１の膜
厚を測定する場合、図８（Ａ）に示されるように、プロ
ーブ５からの照射光１０は基体２の表面に対して垂直に
照射され、かつ基体２の表面での反射光１１はプローブ
５に垂直に入射するように設定される。すなわち、プロ
ーブ５の光軸は基体２の表面の法線方向１３と一致させ
ている。この場合、基体２からの反射光１１を直接受光
しやすく、干渉光の強度が反射光や散乱光の強度よりも
強くなる。

【００４４】これに対して、図８（Ｂ）に示されるよう
にプローブ５の光軸を基体２の表面の法線方向１３に対
して傾斜させた場合、受光されない反射光１１が生じる
ので、干渉光の強度が反射光や散乱光の強度よりも弱く
なる。しかし、傾斜角θが大きくなりすぎると、反射光
や散乱光を受光しにくくなるので、傾斜角θは最適な範
囲に選ばれる。すなわち、プローブ５の光軸の基体２の
表面の法線方向１３に対する傾斜角θは、１°〜７０°
の範囲、特に１°〜４５°の範囲とすることが好まし
い。受光用光ファイバ７が１本であっても複数本であっ
ても、このような傾斜角θでプローブ５を傾斜すること
によって、干渉スペクトルを確実に得て、膜厚を算出す
ることができる。したがって、膜厚および感光特性の安
定して感光体を作製することができる。

【００４５】

【発明の実施の形態】本発明の膜厚測定方法によって、
電子写真感光体を構成する導電性基体上に形成された膜
の膜厚を測定する例について説明する。まず、導電性基
体上に膜を形成する手法について説明する。

【００４６】図９は、浸漬塗布装置を示す図である。導
電性基体２は支持部材１６に固定される。支持部材１６
はねじを切った軸１７に連結されており、昇降モータ１
８を駆動して軸１７を回転駆動することによって支持部
材１６が昇降移動する。支持部材１６の下方には塗液２
０を入れた塗液槽１９が配置されている。支持部材１６
を下降させて基体２を塗液２０に浸漬した後、支持部材
１６を上昇させて基体２を引き上げることによって、基
体２の表面に塗液２０が塗布される。感光体をこのよう
な浸漬塗布装置を用いて作製するに当たって、下引き
層、電荷発生層および電荷輸送層用の塗液２０が用いら
れる。

【００４７】図１０は、電子写真感光体２４ａ，２４ｂ
を示す断面図である。感光体２４ａは、導電性基体２の
上に感光層を形成して構成される。感光層は、電荷発生
層２１と電荷輸送層２２との積層構造を有する。ここで
は、基体２の上に電荷発生層２１が形成され、該電荷発
生層２１の上に電荷輸送層２２が形成される。感光体２
４ｂは、導電性基体２の上に下引き層２３を形成し、下
引き層２３の上に電荷発生層２１と電荷輸送層２２との
積層構造を有する感光層を形成して構成される。ここで
は、下引き層２３の上に電荷発生層２１が形成され、該
電荷発生層２１の上に電荷輸送層２２が形成される。下
引き層２３、電荷発生層２１および電荷輸送層２４が、
上記浸漬塗布装置を用いて形成される。なお、電荷発生
層２１と電荷輸送層２２とは、逆に積層しても構わな
い。

【００４８】電子写真感光体の導電性基体２としては、
アルミニウム、銅、ステンレス鋼および真鍮などの金属
製の円筒状基体や薄膜シートで実現することができる。
また、アルミニウム、錫、金および酸化インジウムなど
をポリエステルフィルム、紙および金属フィルムから成
る円筒状基体に蒸着したもので実現することができる。

【００４９】デジタル用感光体では基体２の表面が粗面
化処理される。粗面化処理の方法としては、たとえば切
削法、ホーニング法、エッチング法、剛体球落下／衝突
法、凹凸形状円筒体圧接法、研削法、レーザ照射法およ
び高圧水噴射法などの機械的な粗面化処理方法、および
陽極酸化法、ベーマイト処理法および加熱酸化処理法な
どの化学的な粗面化処理方法が挙げられる。

【００５０】基体２の上には、感光層の接着性や塗布性
の改良、また基体２の上の欠陥の被覆および基体２から
電荷発生層２１への電荷注入性の改良のために、下引き
層２３が設けられる。下引き層２３の材料としては、ポ
リアミド、共重合ナイロン、カゼイン、ポリビニルアル
コール、セルロースおよびゼラチンなどの樹脂を用いる
ことができる。これらの樹脂を有機溶剤に溶解して塗液
を調整し、膜厚が０．１μｍ〜５μｍ程度となるよう
に、上記浸漬塗布装置を用いて基体２の上に塗布され
る。なお、下引き層中には、たとえば低温低湿環境にお
ける電子写真特性を改良するためおよび下引き層の抵抗
率を調整するために、必要に応じて、アルミナ、酸化錫
および酸化チタンなどの無機顔料を分散させても構わな
い。

【００５１】電荷発生層２１は、光照射によって電荷を
発生する電荷発生材料を主成分とし、必要に応じて、既
知の結着剤、可塑剤および増感剤などを含有しても構わ
ない。電荷発生材料としては、たとえばペリレン系顔
料、多環キノン系顔料、無金属フタロシアニン顔料、金
属フタロシアニン系顔料、スクアリリウム色素、アズレ
ウニム色素、チアピリリウム色素、およびカルバゾール
骨格、スチリルスチルベン骨格、トリフェニルアミン骨
格、ジベンゾチオフェン骨格、オキサジアゾール骨格、
フルオレノン骨格、ビススチルベン骨格、ジスチリルオ
キサジアゾール骨格およびジスチリルカルバゾール骨格
を有するアゾ顔料が挙げられる。デジタル用感光体とし
ては特に、無金属フタロシアニン顔料、金属フタロシア
ニン顔料およびアゾ顔料が好ましい。

【００５２】電荷輸送層２２は、電荷発生材料が発生し
た電荷を受け入れて輸送する電荷輸送材料、シリコーン
系レベリング剤および結着剤を必須成分とし、必要に応
じて、既知の可塑剤および増感剤を含有しても構わな
い。電荷輸送材料としては、たとえばポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾールおよびその誘導体、ポリ−γ−カルバゾリ
ルエチルグルタメ−トおよびその誘導体、ピレン−ホル
ムアルデヒド縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレ
ン、ポリビニルフェナントレン、オキサゾール誘導体、
オキソジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、９−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラセン、１，１
−ビス（４−ジベンジルアミノフェニル）プロパン、ス
チリルアントラセン、スチリルピラゾリン、フェニルヒ
ドラゾン類、およびヒドラゾン誘導体などの電子供与性
物質が挙げられる。また、フルオレノン誘導体、ジベン
ゾチオフェン誘導体、インデノチオフェン誘導体、フェ
ナンスレンキノン誘導体、インデノピリジン誘導体、チ
オキサントン誘導体、ベンゾ［ｃ］シンノリン誘導体、
フェナジンオキサイド誘導体、テトラシアノエチレン、
テトラシアノキノジメタン、ブロマニル、クロラニル、
およびベンゾイノンなどの電子受容性物質などが挙げら
れる。

【００５３】電荷輸送層の結着剤としては、電荷輸送材
料と相溶性を有するものが選ばれ、たとえばポリカーボ
ネート、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリエス
テル、ポリケトン、エポキシ樹脂、ポリウレタン、ポリ
ビニルケトン、ポリスチレン、ポリアクリルアミド、フ
ェノール樹脂およびフェノキシ樹脂が挙げられる。

【００５４】続いて、電子写真感光体の製造方法の一例
を説明する。酸化チタンと共重合ナイロン樹脂を、たと
えばエタノール、メタノールおよびメタノールとジクロ
ロエタンの混合溶剤などの適当な溶剤に分散した下引き
層用塗布液を調整し、前記浸漬塗布装置を用いて、該塗
布液に導電性基体２を浸漬し、引き上げて乾燥して、基
体２の上に下引き層２３を形成する。

【００５５】アゾ顔料などの電荷発生材料を、必要に応
じて、結着剤、可塑剤および増感剤とともに、たとえば
シクロヘキサノン、ベンゼン、クロロホルム、ジクロロ
エタン、エチルエーテル、アセトン、エタノール、クロ
ロベンゼンおよびメチルエチルケトンなどの適当な溶剤
に分散した電荷発生層用塗布液を調整し、前記浸漬塗布
装置を用いて、該塗布液に導電性基体２または下引き層
２３を形成した導電性基体２を浸漬し、引き上げて乾燥
して、基体２または下引き層２３の上に電荷発生層２１
を形成する。

【００５６】ヒドラゾン系化合物などの電荷輸送材料、
シリコーン系レベリング剤および結着剤を、必要に応じ
て、可塑剤および増感剤とともに、たとえばジクロロエ
タン、ベンセン、クロロホルム、シクロヘキサノン、エ
チルエーテル、アセトン、エタノール、クロロベンゼン
およびメチルエチルケトンなどの適当な溶剤に溶解した
電荷輸送層用塗布液を調整し、前記浸漬塗布装置を用い
て、該塗布液に電荷発生層２１を形成した導電性基体２
を浸漬し、引き上げて乾燥して、電荷発生層２１の上に
電荷輸送層２２を形成する。

【００５７】（実施例１）６重量部の共重合ナイロン樹
脂（東レ株式会社製、ＣＭ４０００）を、９４重量部の
メタノールに溶解して、下引き層用塗布液を調整した。
一方、アルミニウム製の円筒状基体であり、表面に切削
加工が施され、表面粗さＲｍａｘが０．５０μｍで、外
径φが８０ｍｍのアナログ用の導電性基体２を準備し、
前記下引き層用塗布液を用い、図９に示される浸漬塗布
装置を用いて、膜厚が約１μｍとなるように塗液を塗布
して、基体２の上に下引き層２３を形成した。

【００５８】形成した下引き層２３の反射スペクトルの
測定には、分光光度計（大塚電子株式会社製、ＭＣＰＤ
−１１００）を用いた。また、図５（Ｂ）に示されるよ
うな複数の投光用および受光用の光ファイバ６，７を備
えるプローブ５ａを使用した。プローブ５ａの外径は約
１０ｍｍであり、プローブ５ａの光軸を基体２の表面の
法線方向１３と一致させて下引き層２３から約２ｍｍ離
して配置した。このときの光照射径は約３ｍｍであっ
た。膜厚測定波長は、５００〜６５０ｎｍに設定した。
下引き層２３において、図１１に示されるような干渉ス
ペクトルを得ることができた。

【００５９】さらに、下引き層２３の膜厚を算出するた
めに、膜厚が既知の下引き層を用いて反射スペクトルを
測定して干渉スペクトルを取得し、隣接するピーク波長
を求め、前記式（２）から屈折率を求めた。この屈折率
を用いて、実際に膜厚を測定する塗膜の干渉スペクトル
の隣接するピーク波長を求め、前記式（２）から膜厚を
算出した。その結果、実施例１の下引き層２３の膜厚と
して、１．０μｍが算出できた。

【００６０】なお、膜厚測定波長を５５０〜７５０ｎ
ｍ、６５０〜８５０ｎｍおよび７５０〜１０００ｎｍに
変更して反射スペクトルを測定しても同様な干渉スペク
トルが得られ、下引き層２３の膜厚を算出することがで
きた。

【００６１】（実施例２）表面粗さＲｍａｘが０．６５
μｍで、外径φが３０ｍｍのデジタル用の導電性基体２
を準備した以外は実施例１と同様にして、下引き層２３
を形成した。また、膜厚測定波長を６５０〜８５０ｎｍ
に設定した以外は実施例１と同様にして、下引き層２３
の反射スペクトルを測定したところ、干渉スペクトルが
得られ、式（２）から膜厚を算出することができた。な
お、膜厚測定波長を７５０〜１０００ｎｍに変更して反
射スペクトルを測定しても干渉スペクトルが得られ、下
引き層２３の膜厚を算出することができた。

【００６２】（実施例３）表面粗さＲｍａｘが０．７５
μｍで、外径φが６５ｍｍのデジタル用の導電性基体２
を準備した以外は実施例１と同様にして、下引き層２３
を形成した。また、膜厚測定波長を７５０〜１０００ｎ
ｍに設定した以外は実施例１と同様にして、下引き層２
３の反射スペクトルを測定したところ、干渉スペクトル
が得られ、式（２）から膜厚を算出することができた。

【００６３】（比較例１）膜厚測定波長を基体２の表面
粗さＲｍａｘである０．５０μｍ（５００ｎｍ）よりも
短波長側の４００〜５００ｎｍに設定した以外は実施例
１と同様にして下引き層２３の反射スペクトルを測定し
たところ、図１２に示されるような反射スペクトルが得
られた。干渉スペクトルは得られず、下引き層２３の膜
厚を算出することはできなかった。

【００６４】（比較例２）膜厚測定波長を基体２の表面
粗さＲｍａｘである０．６５μｍ（６５０ｎｍ）よりも
短波長側の４００〜５００ｎｍおよび５００〜６５０ｎ
ｍに設定した以外は実施例２と同様にして下引き層２３
の反射スペクトルを測定したところ、干渉スペクトルは
得られず、下引き層２３の膜厚を算出することはできな
かった。

【００６５】（比較例３）膜厚測定波長を基体２の表面
粗さＲｍａｘである０．７５μｍ（７５０ｎｍ）よりも
短波長側の４００〜５００ｎｍ、５００〜６５０ｎｍお
よび５５０〜７５０ｎｍに設定した以外は実施例３と同
様にして下引き層２３の反射スペクトルを測定したとこ
ろ、干渉スペクトルは得られず、下引き層２３の膜厚を
算出することはできなかった。

【００６６】（比較例４）表面粗さＲｍａｘが０．１０
μｍで、外径φが８０ｍｍのアナログ用の導電性基体２
を準備した以外は実施例１と同様にして、下引き層２３
を形成した。また、膜厚測定波長を４００〜５００ｎ
ｍ、５００〜６５０ｎｍ、５５０〜７５０ｎｍ、６５０
〜８５０ｎｍおよび７５０〜１０００ｎｍに設定した以
外は実施例１と同様にして、下引き層２３の反射スペク
トルを測定したところ、図１３に示されるような干渉ス
ペクトルが得られ、式（２）から下引き層２３の膜厚と
して、１．０μｍを算出することができた。

【００６７】表２には、実施例１〜３および比較例１〜
４の膜厚測定結果をまとめて示す。表中、「○」は膜厚
測定波長の範囲内の干渉スペクトルにピーク波長が２つ
以上あり、膜厚の算出が可能であったものを表し、
「×」は膜厚測定波長の範囲内の干渉スペクトルにピー
ク波長がなく、膜厚の算出ができなかったものを表す。
また、「−」は膜厚測定波長の範囲内に基体２の表面粗
さＲｍａｘが含まれるので、膜厚測定しなかったものを
表す。

【００６８】

【表２】

【００６９】表２から、基体２の表面粗さＲｍａｘより
も長波長の光で反射スペクトルを測定することで、干渉
スペクトルが得られ、下引き層２３の膜厚を算出するこ
とが可能であることが判る。また、表面粗さＲｍａｘが
０．５μｍの基体２に形成された下引き層２３では、膜
厚測定波長を５００ｎｍ以上として反射スペクトルを測
定することで、干渉スペクトルが得られ、下引き層２３
の膜厚を算出することが可能であることが判る。

【００７０】（実施例４）１重量部のジブロムアンサン
スロン、１重量部のブチラール樹脂（積水化学株式会社
製、エスレックＢＭ−２）、１２０重量部のシクロヘキ
サノンを混合し、ボールミルで１２時間分散して、電荷
発生層用塗布液を調整した。一方、実施例１と同様の導
電性基体２を準備し、前記電荷発生層用塗布液を用い、
図９に示される浸漬塗布装置を用いて、膜厚が約０．５
μｍとなるように塗液を塗布して、基体２の上に電荷発
生層２１を形成した。

【００７１】１重量部のヒドラゾン系電荷輸送材料（日
本化薬株式会社製、ＡＢＰＨ）、１重量部のポリカーボ
ネート（帝人化成株式会社製、パンライトＬ−１２５
０）、０．０００１３重量部のシリコーン系レベリング
剤（信越化学工業株式会社製、ＫＦ−９６）を、８重量
部のジクロロエタンに加えて、４５℃で加熱し、完全に
溶解した後、自然冷却して電荷輸送層用塗布液を調整し
た。図９に示される浸漬塗布装置を用いて膜厚が約２０
μｍとなるように塗液を塗布して、電荷発生層２１の上
に電荷輸送層２２を形成した。

【００７２】膜厚測定波長を５００〜５５０ｎｍに設定
した以外は実施例１と同様にして、電荷輸送層２２の反
射スペクトルを測定したところ、図１４に示されるよう
な干渉スペクトルが得られた。

【００７３】また、電荷輸送層２２の膜厚を算出するた
めに、膜厚が既知の電荷輸送層を用いて干渉スペクトル
を取得し、隣接するピーク波長を求め、前記式（２）か
ら屈折率を求めた。この屈折率を用いて、実際に膜厚測
定する塗膜の干渉スペクトルの隣接するピーク波長を求
め、前記式（２）から膜厚を算出した。その結果、電荷
輸送層２２の膜厚として１９．５μｍが算出された。

【００７４】なお、膜厚測定波長を、基体２の表面粗さ
Ｒｍａｘである０．５０μｍよりも長波長側の６００〜
６５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍ、７００〜７５０ｎｍ
および７５０〜８００ｎｍに変更して反射スペクトルを
測定したところ、同様な干渉スペクトルが得られ、電荷
輸送層２２の膜厚を算出することができた。

【００７５】（実施例５）実施例２と同様にして、導電
性基体２の上に下引き層２３を形成した。また、１重量
部のε型銅フタロシアニン（東洋インキ株式会社製、リ
オフォトンＥＰＰＣ）、１重量部のブチラール樹脂（積
水化学株式会社製、エスレックＢＭ−２）、１２０重量
部のテトラヒドロフランを混合し、ボールミルで１２時
間分散して、電荷発生層用塗布液を調整し、図９に示さ
れる浸漬塗布装置を用いて膜厚が約０．３μｍとなるよ
うに塗液を塗布して、下引き層２３の上に電荷発生層２
１を形成した。さらに、実施例４と同様にして、電荷発
生層２１の上に電荷輸送層２２を形成した。

【００７６】膜厚測定波長を６５０〜７００ｎｍに設定
した以外は実施例４と同様にして、電荷輸送層２２の反
射スペクトルを測定したところ、干渉スペクトルが得ら
れ、電荷輸送層２２の膜厚を算出することができた。

【００７７】なお、膜厚測定波長を、基体２の表面粗さ
Ｒｍａｘである０．６５μｍよりも長波長側の７００〜
７５０ｎｍおよび７５０〜８００ｎｍに変更して反射ス
ペクトルを測定しても同様の干渉スペクトルが得られ、
電荷輸送層２２の膜厚を算出することができた。

【００７８】（実施例６）実施例３と同様にして、導電
性基体２の上に下引き層２３を形成した。また、実施例
５と同様にして下引き層２３の上に電荷発生層２１を形
成し、さらに電荷発生層２１の上に電荷輸送層２２を形
成した。

【００７９】膜厚測定波長を７５０〜８００ｎｍに設定
した以外は実施例４と同様にして、電荷輸送層２２の反
射スペクトルを測定したところ、干渉スペクトルが得ら
れ、電荷輸送層２２の膜厚を算出することができた。

【００８０】（比較例５）膜厚測定波長を基体２の表面
粗さＲｍａｘである０．５０μｍ（５００ｎｍ）よりも
短波長側の４５０〜５００ｎｍに設定した以外は実施例
４と同様にして電荷輸送層２２の反射スペクトルを測定
したところ、図１５に示されるようであり、干渉パター
ンは得られず、電荷輸送層２２の膜厚を算出することが
できなかった。

【００８１】（比較例６）膜厚測定波長を基体２の表面
粗さＲｍａｘである０．６５μｍ（６５０ｎｍ）よりも
短波長側の４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、
６００〜６５０ｎｍに設定した以外は実施例５と同様に
して電荷輸送層２２の反射スペクトルを測定したとこ
ろ、干渉パターンは得られず、電荷輸送層２２の膜厚を
算出することができなかった。

【００８２】（比較例７）膜厚測定波長を基体２の表面
粗さＲｍａｘである０．７５μｍ（７５０ｎｍ）よりも
短波長側の４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５０ｎｍ、
６００〜６５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍおよび７００
〜７５０ｎｍに設定した以外は実施例６と同様にして電
荷輸送層２２の反射スペクトルを測定したところ、干渉
パターンは得られず、電荷輸送層２２の膜厚を算出する
ことができなかった。

【００８３】（比較例８）表面粗さＲｍａｘが０．１０
μｍの導電性基体２を準備した以外は実施例１と同様に
して、下引き層２３を形成した。さらに、実施例４と同
様にして電荷発生層２１および電荷輸送層２２を形成し
た。膜厚測定波長を４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５
０ｎｍ、６００〜６５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍ、７
００〜７５０ｎｍおよび７５０〜８００ｎｍに設定した
以外は実施例１と同様にして、電荷輸送層２２の反射ス
ペクトルを測定したところ、干渉スペクトルが得られ、
式（２）から電荷輸送層２２の膜厚として１９．８μｍ
を算出することができた。

【００８４】（比較例９）表面粗さＲｍａｘが０．１０
μｍの導電性基体２を準備した以外は実施例１と同様に
して、下引き層２３を形成した。さらに、実施例５と同
様にして電荷発生層２１および電荷輸送層２２を形成し
た。膜厚測定波長を４５０〜５００ｎｍ、５００〜５５
０ｎｍ、６００〜６５０ｎｍ、６５０〜７００ｎｍ、７
００〜７５０ｎｍおよび７５０〜８００ｎｍに設定した
以外は実施例１と同様にして、電荷輸送層２２の反射ス
ペクトルを測定したところ、干渉スペクトルが得られ、
式（２）から電荷輸送層２２の膜厚として１９．８μｍ
を算出することができた。

【００８５】表３には、実施例４〜６および比較例５〜
９の膜厚測定結果をまとめて示す。表中、「○」は膜厚
測定波長の範囲内に干渉スペクトルのピーク波長が２つ
以上あり、膜厚の算出が可能であったものを表し、
「×」は膜厚測定波長の範囲内に干渉スペクトルのピー
ク波長がなく、膜厚の算出ができなかったものを表す。

【００８６】

【表３】

【００８７】表３から、基体２の表面粗さＲｍａｘより
も長波長の光で反射スペクトルを測定することで干渉ス
ペクトルが得られ、電荷輸送層２２の膜厚を算出するこ
とが可能であることが判る。また、表面粗さＲｍａｘが
０．５μｍの基体２に形成された電荷輸送層２２では、
膜厚測定波長を５００ｎｍ以上として反射スペクトルを
測定することで、干渉スペクトルが得られ、電荷輸送層
２２の膜厚を算出することが可能であることが判る。

【００８８】（比較例１０）５０重量部のフェノール樹
脂（住友ベークライト株式会社製、スミコンＰＭ−８０
００Ｊ）と、１５重量部の粒子径が約５５ｎｍの導電性
カーボンブラック（三菱化学株式会社製、＃３０５０）
と、２５重量部のガラスファイバと、添加剤であるステ
アリン酸およびカオリンを合計１０重量部とを加熱混練
して、外径φが５０ｍｍの円筒状部材に射出成形した。
この円筒状部材の表面粗さＲｍａｘは０．５５μｍであ
った。該円筒状部材を導電性基体２として、実施例１と
同様にして下引き層２３を形成した。

【００８９】膜厚測定波長を４００〜５００ｎｍ、５０
０〜６５０ｎｍ、５５０〜７５０ｎｍ、６５０〜８５０
ｎｍおよび７５０〜１０００ｎｍに設定した以外は実施
例１と同様にして、下引き層２３の反射スペクトルを測
定したところ、図１６に示されるようであり、干渉スペ
クトルが得られず、膜厚を算出することができなかっ
た。

【００９０】表面粗さＲｍａｘが実施例２の０．６５よ
りも小さく、膜厚測定波長が５５０ｎｍ以上であって
も、干渉スペクトルが得られなかったのは、膜厚測定の
ために照射した光を基体２のカーボンブラックが吸収し
て、基体表面での反射がまったく起きず、その結果下引
き層２３で光の干渉が起こらなかったためである。

【００９１】（実施例７）アルミニウム製の円筒状基体
であり、表面に平均粒径が５０μｍのガラスビーズを圧
縮空気によって吹き付けて表面粗さＲｍａｘを０．６０
μｍとした外径φが８０ｍｍのデジタル用の導電性基体
２を準備し、実施例１と同様にして下引き層２３を形成
した。

【００９２】図５（Ｃ）に示されるような受光用光ファ
イバ７が１本で投光用光ファイバ６が２本のプローブ５
ｂを用いた以外は実施例１と同様にしてプローブ５ｂを
配置した。このときの光照射径は約１．２ｍｍであっ
た。また、膜厚測定波長を６００〜８００ｎｍとした以
外は実施例１と同様にして下引き層２３の反射スペクト
ルを測定した。下引き層２３の反射スペクトルは図１７
に示されるようであり、干渉スペクトルが得られ、下引
き層２３の膜厚を算出することができた。

【００９３】（比較例１１）図５（Ｂ）に示されるよう
な投光用および受光用光ファイバ６，７が複数のプロー
ブ５ａを用いた以外は実施例７と同様にしてプローブ５
ａを配置した。このときの光照射径は約３．０ｍｍであ
った。また、実施例７と同様にして下引き層２３の反射
スペクトルを測定した。下引き層２３の反射スペクトル
は図１８に示されるようであり、干渉スペクトルが得ら
れず、下引き層２３の膜厚を算出することができなかっ
た。

【００９４】（実施例８）図５（Ｃ）に示されるような
受光用光ファイバ７が１本で投光用光ファイバ６が２本
のプローブ５ｂを用い、基体２の表面の法線方向１３に
対するプローブ５ｂの光軸の傾斜角θを１°とした以外
は実施例１と同様にプローブ５ｂを配置した。また、膜
厚測定波長を５００〜６５０ｎｍとした以外は実施例１
と同様にして下引き層２３の反射スペクトルを測定し
た。下引き層２３の反射スペクトルは図１９に示される
ようであり、干渉スペクトルが得られ、下引き層２３の
膜厚を算出することができた。

【００９５】（実施例９）傾斜角θを３０°とした以外
は実施例８と同様にプローブ５ｂを配置して下引き層２
３の反射スペクトルを測定した。干渉スペクトルが得ら
れ、下引き層２３の膜厚を算出することができた。

【００９６】（実施例１０）傾斜角θを４５°とした以
外は実施例８と同様にプローブ５ｂを配置して下引き層
２３の反射スペクトルを測定した。下引き層２３の反射
スペクトルは図２０に示されるようであり、干渉スペク
トルが得られ、下引き層２３の膜厚を算出することがで
きた。

【００９７】（実施例１１）傾斜角θを７０°とした以
外は実施例８と同様にプローブ５ｂを配置して下引き層
２３の反射スペクトルを測定した。下引き層２３の反射
スペクトルは図２１に示されるようであり、弱いけれど
も干渉スペクトルが得られ、下引き層２３の膜厚を算出
することができた。

【００９８】（比較例１２）傾斜角θを０°とした以外
は実施例８と同様にプローブ５ｂを配置して下引き層２
３の反射スペクトルを測定した。下引き層２３の反射ス
ペクトルは図２２に示されるようであり、干渉スペクト
ルは得られず、下引き層２３の膜厚を算出することがで
きなかった。

【００９９】（比較例１３）傾斜角θを８０°とした以
外は実施例８と同様にプローブ５ｂを配置して下引き層
２３の反射スペクトルを測定した。下引き層２３の反射
スペクトルは図２３に示されるようであり、干渉スペク
トルは非常に弱く、下引き層２３の膜厚を算出すること
ができなかった。

【０１００】表４には、実施例８〜１１および比較例１
２，１３の膜厚測定結果をまとめて示す。表中、「◎」
は反射スペクトル強度が強く、かつ干渉スペクトルがは
っきりと検出されて膜厚算出が容易に可能なものを表
し、「○」は膜厚測定波長の範囲内に干渉スペクトルの
ピーク波長が２つ以上あり、膜厚の算出が可能であった
ものを表し、「×」は干渉スペクトルが重なり合って、
ピーク波長が検出できなかったものまたは反射スペクト
ル強度が小さくて干渉スペクトルが得られなかったもの
を表す。

【０１０１】

【表４】

【０１０２】表４から、プローブ５ｂの光軸を基体２の
表面の法線方向１３に対して傾斜させることで、粗面化
した基体２であっても膜厚測定が可能であることが判
る。また、傾斜角θを１°〜７０°の範囲に設定するこ
と、特に１°〜４５°の範囲に設定することで、干渉ス
ペクトルが確実に得られ、膜厚を算出することができる
ことが判る。

【０１０３】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、膜が形成
された基体に向けて基体の表面粗さＲｍａｘよりも長波
長の光を照射し、基体での反射光を受光して反射スペク
トルを測定し、干渉スペクトルを得ることによって、膜
厚を高い信頼性で測定することができる。特に、基体の
表面粗さＲｍａｘが０．５μｍのとき、５００ｎｍ以上
の波長の光を照射することによって、膜厚を測定するこ
とができる。

【０１０４】また本発明によれば、切削加工が施された
表面が比較的粗面の基体上に形成された膜の膜厚を測定
することができる。

【０１０５】また本発明によれば、具体的に電子写真感
光体の電荷発生層、電荷輸送層または下引き層の膜厚を
測定することができる。特に、表面が比較的粗面の基体
上に上述したような層を設けた電子写真感光体、すなわ
ちデジタル複写機やプリンタに搭載される感光体の上記
層の膜厚を測定することができる。

【０１０６】また本発明によれば、プローブを基体に向
け、該プローブの投光用光ファイバから上述したような
基体の表面粗さＲｍａｘよりも長波長の光を照射し、基
体での反射光を該プローブの受光用光ファイバで受光し
て反射スペクトルを測定し、干渉スペクトルを得ること
によって、膜厚を測定することができる。

【０１０７】また本発明によれば、前記プローブでは基
体での反射光を１本の受光用光ファイバで受光すること
によって、膜厚を測定することができる。

【０１０８】また本発明によれば、前記プローブの光軸
が基体表面の法線方向に対して傾斜するようにして、該
プローブを基体に向けることによって、膜厚を測定する
ことができる。

【０１０９】また本発明によれば、前記プローブの光軸
の基体表面の法線方向に対する傾斜角を１°〜７０°の
範囲に、特に１°〜４５°の範囲に設定することによっ
て、膜厚を測定することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光干渉法による膜厚測定方法の原理を
説明するための図である。

【図２】鏡面加工された基体２の上に形成された膜１の
ピーク波長λｎを示すグラフである。

【図３】図３（Ａ）は、表面が比較的平滑な基体２の反
射光路長ａ１ａ〜ａ３ａを示す図であり、図３（Ｂ）
は、表面が比較的粗面な基体２の反射光路長ａ１ｂ〜ａ
３ｂを示す図である。

【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、反射光ｈ１ｂ〜ｈ
３ｂの各干渉スペクトルを示すグラフであり、図４
（Ｄ）は、反射光ｈ１ｂ〜ｈ３ｂの合成された干渉スペ
クトルを示すグラフである。

【図５】図５（Ａ）は、膜厚測定用プローブ５ａを示す
斜視図であり、図５（Ｂ）はその断面図であり、図５
（Ｃ）は他の膜厚測定用プローブ５ｂを示す断面図であ
る。

【図６】表面に切削加工を施した基体２を示す図であ
る。

【図７】基体２からの反射光の干渉スペクトルを示すグ
ラフである。

【図８】基体２とプローブ５との位置関係を示す図であ
る。

【図９】浸漬塗布装置を示す図である。

【図１０】電子写真感光体２４ａ，２４ｂを示す断面図
である。

【図１１】実施例１の下引き層２３の反射スペクトルを
示すグラフである。

【図１２】比較例１の下引き層２３の反射スペクトルを
示すグラフである。

【図１３】比較例４の下引き層２３の反射スペクトルを
示すグラフである。

【図１４】実施例４の電荷輸送層２２の反射スペクトル
を示すグラフである。

【図１５】比較例５の電荷輸送層２２の反射スペクトル
を示すグラフである。

【図１６】比較例１０の下引き層２３の反射スペクトル
を示すグラフである。

【図１７】実施例７の下引き層２３の反射スペクトルを
示すグラフである。

【図１８】比較例１１の下引き層２３の反射スペクトル
を示すグラフである。

【図１９】実施例８の下引き層２３の反射スペクトルを
示すグラフである。

【図２０】実施例１０の下引き層２３の反射スペクトル
を示すグラフである。

【図２１】実施例１１の下引き層２３の反射スペクトル
を示すグラフである。

【図２２】比較例１２の下引き層２３の反射スペクトル
を示すグラフである。

【図２３】比較例１３の下引き層２３の反射スペクトル
を示すグラフである。

【符号の説明】

１膜２基体３入射光４，１１，１２反射光５，５ａ，５ｂプローブ６投光用光ファイバ７受光用光ファイバ１０照射光１３基体の法線方向２１電荷発生層２２電荷輸送層２３下引き層２４ａ，２４ｂ感光体

フロントページの続き (72)発明者森田竜廣大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者片山聡大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者上杉さやか大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (56)参考文献特開昭53−125865（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G01B 9/00 - 11/30

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】基体上に形成された膜の厚さを光干渉法
によって測定する膜厚測定方法において、投光手段から基体の表面粗さＲｍａｘよりも長波長の光
を基体に向けて照射し、基体での反射光を受光手段で受
光して干渉スペクトルを検出し、前記干渉スペクトルのピーク波長毎に膜厚を算出し、こ
れらの膜厚の値を算術平均することによって膜厚を求め
ることを特徴とする膜厚測定方法。
【請求項２】前記基体表面には切削加工が施されてい
ることを特徴とする請求項１記載の膜厚測定方法。
【請求項３】前記基体は導電性を有し、該基体上には
電子写真感光体を構成する電荷発生層、電荷輸送層また
は下引き層が形成されていることを特徴とする請求項１
記載の膜厚測定方法。
【請求項４】前記投光手段および受光手段はともに光
ファイバを含んで構成され、これらの光ファイバによっ
て膜厚測定用プローブが構成されていることを特徴とす
る請求項１記載の膜厚測定方法。
【請求項５】前記受光用の光ファイバは１本であるこ
とを特徴とする請求項４記載の膜厚測定方法。
【請求項６】前記膜厚測定用プローブの光軸は基体表
面の法線方向に対して傾斜していることを特徴とする請
求項４または５記載の膜厚測定方法。
【請求項７】前記基体表面の法線方向に対する膜厚測
定用プローブの光軸の傾斜角は１°〜７０°の範囲に選
ばれることを特徴とする請求項６記載の膜厚測定方法。
【請求項８】前記基体表面の法線方向に対する膜厚測
定用プローブの光軸の傾斜角は１°〜４５°の範囲に選
ばれることを特徴とする請求項６記載の膜厚測定方法。