JP2008118582A - 電圧切替回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明の電圧切替回路は、入力される複数の電圧を選択信号により選択し、選択された電圧を出力端子から出力する電圧切替回路であり、半導体装置の論理回路を動作させる電源電圧を前記出力端子に出力する第1のPMOSトランジスタと、電源電圧に比較して高い第1の電圧を出力端子に出力する第2のPMOSトランジスタと、電源電圧に比較して低い第2の電圧を出力端子に出力する第3のPMOSトランジスタと、出力端子に電源電圧及び第2の電圧を出力する場合、第1及び第3のトランジスタのウェル電圧を電源電圧とし、出力端子に第1の電圧を出力する場合、第1及び第3のトランジスタのウェル電圧を第1の電圧とするウェル電位制御部とを有する。
【選択図】 図1
Description
<端子Toutから電圧Vddを出力するため、EVdd信号を「H」レベルとした場合>
EVhh1信号及びEVhh2信号がともに「L」レベルであるため、オア回路O1は「L」レベルの信号を出力する。
<端子Toutから電圧Vhh1を出力するため、Ehh1信号を「H」レベルとした場合>
EVhh1信号が「H」レベル、EVhh2信号が「L」レベルであるため、オア回路O1は「H」レベルの信号を出力する。
<端子Toutから電圧Vll1を出力するため、Ell1信号を「H」レベルとした場合>
EVhh1信号及びEVhh2信号がともに「L」レベルであるため、オア回路O1は「L」レベルの信号を出力する。
I1,I2,I3,I4,I5,I6,I7,I8…インバータ
L1,L2,L3,L4,L5,L6…レベルシフタ
N1,N2,N3…トランジスタ(nチャネル型MOSFET)
O1…オア回路
P1、P2,P3,P4,P5,P7…トランジスタ(pチャネル型MOSFET)
P10,P11…トランジスタ(pチャネル型MOSFET)
Claims (5)
- 入力される複数の電圧を選択信号により選択し、選択された電圧を出力端子から出力する電圧切替回路であり、
半導体装置の論理回路を動作させる電源電圧を前記出力端子に出力する第1のPMOSトランジスタと、
前記電源電圧に比較して高い第1の電圧を前記出力端子に出力する第2のPMOSトランジスタと、
前記電源電圧に比較して低い第2の電圧を前記出力端子に出力する第3のPMOSトランジスタと、
前記出力端子に電源電圧及び第2の電圧を出力する場合、前記第1及び第3のトランジスタのウェル電圧を電源電圧とし、前記出力端子に第1の電圧を出力する場合、前記第1及び第3のトランジスタのウェル電圧を第1の電圧とするウェル電位制御部と
を有することを特徴とする電圧切替回路。 - 前記第1のPMOSトランジスタのソースが電源電圧に接続され、前記第2のPMOSトランジスタのソースが第1の電圧に接続され、前記第3のPMOSトランジスタが第2の電圧に接続され、
第1,第2及び第3のPMOSトランジスタのドレインが前記出力端子に接続され、
第1,第2及び第3のPMOSトランジスタのゲートにそれぞれを選択する制御信号が入力されていることを特徴とする請求項2に記載の電圧切替回路。 - 前記ウェル電位制御回路が、
前記電源電圧にソースが接続され、ゲートに前記第1の電圧を出力する第1の制御信号が入力された第4のPMOSトランジスタと、
ソースに対し該第4のPMOSトランジスタのドレインが接続され、ゲートに前記第1の制御信号の反転された信号が入力され、ドレインが出力端子に接続された第5のPMOSトランジスタと
をさらに有し、
前記第4のPMOSトランジスタのドレインが第1及び第3のPMOSトランジスタのウェルに接続されていることを特徴とする請求項1記載の電圧切替回路。 - 前記第1,第2及び第3のPMOSトランジスタのゲートに、電源電圧からウェル電圧に出力電圧を変化させるレベルシフタの出力がそれぞれ接続され、選択信号の電圧レベルをレベルシフタによりにオン/オフ制御することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の電圧切替回路。
- ドレインが前記出力端子に接続され、ソースが前記第4のPMOSトランジスタのドレインに接続され、ゲートに前記第1の制御信号が入力されているNMOSトランジスタを有することを特徴とする請求項3または請求項4に記載の電圧切替回路。
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