JP2008113001A - プラズマを用いて基板を処理する装置、プラズマを供給する方法及びプラズマを供給して基板を処理する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の上部に酸素プラズマを1次的に供給してフォトレジストを1次的に除去した後、酸素プラズマ及びフッ素系のプラズマを2次的に供給して、フォトレジスト及び残留物質を2次的に除去する。この時、酸素プラズマは別途の放電装置により直接放電するが、フッ素系のプラズマは、基板に供給される酸素プラズマの流路上にフッ素系のソースガスを供給して、酸素プラズマにより間接的に生成される。プラズマは、多数の貫通孔が形成されたバッフルを介して基板上に供給され、プラズマ内に含まれたイオンは接地されたバッフルによりフィルタリングされる。
【選択図】図1
Description
一方、プラズマに含まれた要素のうちプラズマを用いる工程に主に関わる二つとして、自由ラジカル(freeradicals)とイオン(ions)がある。自由ラジカルは不十分な結合(incomplete bonding)を有し、電気的に中性の特性を有する。自由ラジカルは不十分な結合により非常に大きい反応性を有し、ウェハW上の物質との化学的な反応により処理が行われる。一方、イオンは電荷を有するので、電位差によって一定の方向に加速し、ウェハW上の物質との化学的な反応により処理が行われる。
100 工程チェンバ
120 チャック
200 プラズマ供給装置
220 プラズマチェンバ
240 内部チューブ
242 放電空間
260 放電装置
262 マイクロ波発振器
264 導波管
280 拡散ダクト
290 バッフル
Claims (27)
- 放電空間に第1ソースガスを供給し、供給された第1ソースガスを放電させて、第1プラズマを生成する第1生成部と、
第2ソースガスを前記第1プラズマの流路上に供給し、前記第1プラズマを用いて前記第2ソースガスを放電させて、第2プラズマを生成する第2生成部と、
前記第1及び第2プラズマが供給され、前記第1及び第2プラズマを用いて処理される被処理基板がローディングされる工程チェンバとを含むことを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1生成部は、
前記工程チェンバの一側に配置され、前記第1プラズマが生成される前記放電空間を提供する内部チューブと、
前記内部チューブに連結されて、前記放電空間内の前記第1ソースガスを放電させる放電装置と、
前記内部チューブに連結されて、前記放電空間に第1ソースガスを供給する第1供給ラインとを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第2生成部は、前記内部チューブと前記工程チェンバの間に提供され、前記第1プラズマの流路上に前記第2ソースガスを供給する第2供給ラインを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記第2供給ラインは、第1ソースガスより反応性の大きい第2ソースガスを供給するガス供給ラインを含むことを特徴とする請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記ガス供給ラインは、フッ素系ガスを供給することを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記フッ素系ガスは、CF4及びCHF3を含むことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 下部に向かうほど断面積が増加する拡散ダクトをプラズマチェンバと前記工程チェンバの間にさらに設けることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 多数の貫通孔が形成されたバッフルをプラズマチェンバと前記工程チェンバの間にさらに設けることを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記バッフルは接地されることを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記第1供給ラインは、酸素ガスを供給する酸素供給ラインを含むことを特徴とする請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記工程チェンバは、前記第1及び第2生成部の下部に配置され、
前記第1及び第2プラズマは、前記工程チェンバにダウンストリーム方式で供給されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。 - アッシング工程に使用されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
- 放電空間に第1ソースガスを供給し、放電装置を用いて供給された第1ソースガスを放電させて第1プラズマを生成し、
第2ソースガスを前記第1プラズマの流路上に供給し、前記第1プラズマを用いて前記第2ソースガスを放電させて第2プラズマを生成することを特徴とするプラズマを供給する方法。 - 前記第2ソースガスは、前記放電空間から流出される前記第1プラズマの流路上に供給されることを特徴とする請求項13に記載のプラズマを供給する方法。
- 前記第2ソースガスは、前記第1ソースガスより反応性が大きいことを特徴とする請求項13に記載のプラズマを供給する方法。
- 前記第1及び第2プラズマは、バッフルに形成された多数の貫通孔を通して供給されることを特徴とする請求項13に記載のプラズマを供給する方法。
- 前記バッフルは接地され、前記バッフルを用いて前記第1及び第2プラズマ内のイオンをフィルタリングすることを特徴とする請求項16に記載のプラズマを供給する方法。
- 工程チェンバ内に基板をローディングし、前記工程チェンバ内に第1ソースガスから生成された第1プラズマを供給し、前記第1プラズマの流路上に第2ソースガスを供給して前記第1プラズマを用いる放電により生成された第2プラズマを供給して基板を処理することを特徴とする基板を処理する方法。
- 前記第1プラズマは、放電装置を用いて放電空間に供給された第1ソースガスを放電させて生成されることを特徴とする請求項18に記載の基板を処理する方法。
- 前記第2ソースガスは、前記放電空間から前記工程チェンバの方へ流出される前記第1プラズマの流路上に供給されることを特徴とする請求項19に記載の基板を処理する方法。
- 前記第1及び第2プラズマは、バッフルに形成された多数の貫通孔を通して供給されることを特徴とする請求項18に記載の基板を処理する方法。
- 前記バッフルは接地され、前記バッフルを用いて前記第1及び第2プラズマ内のイオンをフィルタリングすることを特徴とする請求項21に記載の基板を処理する方法。
- 前記第2ソースガスは、前記第1ソースガスより反応性が大きいことを特徴とする請求項18に記載の基板を処理する方法。
- 前記第2ソースガスは、フッ素系ガスを含むことを特徴とする請求項23に記載の基板を処理する方法。
- 前記フッ素系ガスは、CF4及びCHF3を含むことを特徴とする請求項24に記載の基板を処理する方法。
- 前記第1及び第2プラズマは、前記工程チェンバにダウンストリーム方式で供給されることを特徴とする請求項18に記載の基板を処理する方法。
- アッシング工程に使用されることを特徴とする請求項18に記載の基板を処理する方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060104895A KR100762714B1 (ko) | 2006-10-27 | 2006-10-27 | 플라스마를 이용하여 기판을 처리하는 장치, 플라스마를공급하는 방법 및 플라스마를 공급하여 기판을 처리하는방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008113001A true JP2008113001A (ja) | 2008-05-15 |
Family
ID=39390620
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007277565A Pending JP2008113001A (ja) | 2006-10-27 | 2007-10-25 | プラズマを用いて基板を処理する装置、プラズマを供給する方法及びプラズマを供給して基板を処理する方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008113001A (ja) |
KR (1) | KR100762714B1 (ja) |
CN (1) | CN100590788C (ja) |
SG (1) | SG142224A1 (ja) |
TW (1) | TWI354328B (ja) |
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2006
- 2006-10-27 KR KR1020060104895A patent/KR100762714B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-09-20 SG SG200708496-5A patent/SG142224A1/en unknown
- 2007-10-09 TW TW096137826A patent/TWI354328B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-10-16 CN CN200710164030A patent/CN100590788C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-10-25 JP JP2007277565A patent/JP2008113001A/ja active Pending
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100590788C (zh) | 2010-02-17 |
SG142224A1 (en) | 2008-05-28 |
KR100762714B1 (ko) | 2007-10-02 |
TW200820336A (en) | 2008-05-01 |
CN101170054A (zh) | 2008-04-30 |
TWI354328B (en) | 2011-12-11 |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Request for written amendment filed |
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